建立了正确的连接关系。例如，检查MOM电容器与金属布线Ml的连接可能性时，Ml位于MOM电容器的器件区域附近或者从MOM电容器器件区穿过的金属布线M1，首先，区分Ml是否是在虚拟围墙层包围区域之外，当Ml完全位于虚拟围墙层包围区域之内时，Ml极有可能是MOM电容器的叠层金属中的一层，当Ml从虚拟围墙层包围区域之外穿过虚拟围墙层到达MOM电容器时，该Ml应该是用于器件连接的外部连线；然后，判断作为外部连线的Ml是否既接触了 MOM电容器的金属布线层Ml对应的辅助层M1_S，又同时接触了电极引脚12，当都接触时，即可认为作为外部连线的Ml是MOM电容器用于向外连接的外部连线，不是与MOM电容器无关的其他走线，此时，该外部走线Ml会与MOM电容器的电极引脚12中的叠层金属Ml建立连接关系，而同时我们可以获知MOM电容器的叠层金属结构中包含Ml层。因此建立MOM电容器电极引脚12与集成电路版图中的相应的金属布线层的连接关系时，该金属布线层必须满足两个条件:1.接触或者穿过虚拟围墙层，即与电极引脚12接触；2.与MOM电容器中对应的金属辅助层M1_S/M2_S……接触)，由此正确地检查了集成电路版图中所有可能组合MOM电容器的连接特性，避免了集成电路工艺生产过程中生产连接关系错误的晶片Wafer，而引起废片。
[0071]在步骤S4中，进一步根据集成电路版图的内部标签(Lable)抽取出每个MOM电容器的金属层次信息，将所述金属层次信息与步骤S3中确认的MOM电容器的连接关系比较，以确定步骤S3中建立的连接关系的是正确的，例如:抽取出的一个MOM电容器的金属层次信息-Property Metal = 1111111，表示该电容器Ml?M7都含有，若步骤S3中可以建立Ml至M7中任一层或多层的外部连线与MOM电容器的连接关系，只要该外部连线既能与两个电极引脚接触、又能与该外部连线所在的金属布线层(定义为Mi)对应的MOM电容器的辅助层(即Mi对应的辅助层Mi_S)接触即可，由此形成的连接关系均是正确的；抽取出的另一个MOM电容器的金属层次信息-Property Metal = 0100000，表示该电容器仅含有M2，该集成电路版图中仅有金属布线层M2上的金属布线能够与MOM电容器建立连接关系，S卩外部连线M2既能与MOM电容器的两个电极引脚接触、又能与MOM电容器中的M2对应的辅助层M2_S)接触，其余的与MOM电容器的连接关系均是错误的。由此再次核对了集成电路版图中所有MOM电容器的连接关系，完成了集成电路版图中的MOM电容器的提取工作，避免了集成电路工艺生产过程中生产连接关系错误的晶片Wafer，而引起废片。
[0072]综上所述，本发明提供的MOM电容器的提取方法，先从集成电路版图中识别出MOM电容器区域，然后直接将MOM电容器的叠层金属连接在一起的区域作为MOM电容器的电极引脚，该电极引脚结构包含了 MOM电容器所有的向外连接可能性，接着在电极引脚外围建立包围MOM电容器的虚拟围墙区，借助虚拟围墙区来正确建立MOM电容器与其外部连线的连接关系，从而可以正确地检查所有可能组合的MOM电容器结构的连接特性，避免了遍历所有可能组合叠层金属结构的麻烦，提高MOM电容器结构的提取速度，缩短集成电路设计周期，同时避免了工艺生产过程中生产连接关系错误的晶圆而引起废片。
[0073]显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种MOM电容器的提取方法，其特征在于，包括: SI，从集成电路版图中识别出MOM电容器，所述MOM电容器的叠层金属属于集成电路版图的金属布线层； S2，将所述MOM电容器的叠层金属连接在一起的两个区域定义为所述MOM电容器向外连接的两个电极引脚，每层叠层金属均有其对应的一层辅助层； S3，在两个电极引脚外围扩展一虚拟围墙层，利用所述虚拟围墙层建立所述MOM电容器与其外部连线的连接关系，所述连接关系下，所述外部连线既接触所述MOM电容器的两个电极引脚，又接触所述MOM电容器中与外部连线所在金属布线层同层的辅助层。2.如权利要求1所述的MOM电容器的提取方法，其特征在于，在步骤SI中，根据所述集成电路版图的标识层以及标识层标识的器件区域内的辅助层，从集成电路版图中识别出MOM电容器。3.如权利要求1所述的MOM电容器的提取方法，其特征在于，在步骤S3中，利用所述虚拟围墙层建立所述MOM电容器与其外部连线的连接关系包括: 利用所述虚拟围墙层判断一金属走线是否是外部连线，当金属走线从虚拟围墙外部穿过虚拟围墙而进入MOM电容器的器件区时，该金属走线为外部连线； 判断所述外部连线在MOM电容器的器件区中是否既接触所述MOM电容器的两个电极引脚，又接触所述MOM电容器中与外部连线所在金属布线层同层的辅助层，若是，则所述外部走线为MOM电容器用于向外连接的连线，所述外部连线接触了所述MOM电容器的两个电极引脚中与外部连线所在金属布线层同层的叠层金属。4.如权利要求1所述的MOM电容器的提取方法，其特征在于，还包括:S4，根据集成电路版图的内部标签抽取出所述MOM电容器的金属层信息，以验证步骤S3中建立的连接关系的正确性，从而完成MOM电容器的提取。5.如权利要求2所述的MOM电容器的提取方法，其特征在于，在步骤SI中，从集成电路版图中一次识别出所有MOM电容器，并对每个MOM电容器进行步骤S2和S3的处理。6.如权利要求5所述的MOM电容器的提取方法，其特征在于，在步骤S4中，根据集成电路版图的内部标签抽取出所有MOM电容器的金属层信息，以验证步骤S3中为每个MOM电容器建立的连接关系的正确性。7.如权利要求1所述的MOM电容器的提取方法，其特征在于，所述集成电路版图中有3层以上的金属布线层，所述集成电路版图中的MOM电容器的叠层金属结构的所有可能组合为n*(n+l)/2种，η为集成电路版图的金属布线层层数。8.如权利要求7所述的MOM电容器的提取方法，其特征在于，所述集成电路版图中有Ml至Μ7共7层金属布线层，所述集成电路版图中识别出各个MOM电容器的叠层金属结构分别为以下28种组合中的一种: Ml, M1+M2， M1+M2+M3， M1+M2+M3+M4, M1+M2+M3+M4+M5， M1+M2+M3+M4+M5+M6，M1+M2+M3+M4+M5+M6+M7,M2，M2+M3, M2+M3+M4, M2+M3+M4+M5, M2+M3+M4+M5+M6, M2+M3+M4+M5+M6+M7,M3，M3+M4, M3+M4+M5, M3+M4+M5+M6, M3+M4+M5+M6+M7,M4，M4+M5, M4+M5+M6, M4+M5+M6+M7,M5，M5+M6, M5+M6+M7,M6，M6+M7，M7o9.如权利要求7所述的MOM电容器的提取方法，其特征在于，所述集成电路版图中有Ml至M6共6层金属布线层，所述集成电路版图中识别出各个MOM电容器的叠层金属结构分别为以下21种组合中的一种:Ml，M1+M2，M1+M2+M3，M1+M2+M3+M4, M1+M2+M3+M4+M5, M1+M2+M3+M4+M5+M6,M2，M2+M3, M2+M3+M4, M2+M3+M4+M5, M2+M3+M4+M5+M6,M3，M3+M4, M3+M4+M5, M3+M4+M5+M6,M4，M4+M5, M4+M5+M6，M5，M5+M6，M6o10.如权利要求1所述的MOM电容器的提取方法，其特征在于，所述虚拟围墙层的线宽大于等于集成电路版图的设计规则中指定的最小宽度。
【专利摘要】本发明提供一种MOM电容器的提取方法，先从集成电路版图中识别出MOM电容器区域，然后直接将MOM电容器的叠层金属连接在一起的区域作为MOM电容器的电极引脚，该电极引脚结构包含了MOM电容器所有的向外连接可能性，接着在电极引脚外围建立包围MOM电容器的虚拟围墙区，借助虚拟围墙区来正确建立MOM电容器与其外部连线的连接关系，从而可以正确地检查所有可能组合的MOM电容器结构的连接特性，避免了遍历所有可能组合叠层金属结构的麻烦，提高MOM电容器结构的提取速度，同时避免了工艺生产过程中生产连接关系错误的晶圆而引起废片。
【IPC分类】H01L21/768
【公开号】CN105226012
【申请号】CN201510579388
【发明人】曹云, 于明, 郑舒静, 林晓帆, 闵旖旎, 许猛勇, 卢友梅, 方淑凤
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年9月12日