能使双面显示基板正常透光显示。栅电极层500采用双层导电材料结构，即栅电极层500的底层采用透明导电材料，上层采用金属导电材料，这能使栅电极层500的电阻率减小，导电率提高，从而使栅电极层500能正常传输用于显示的电信号。另外，栅电极层500的上层采用金属导电材料还能使该层的柔韧性加强，从而使栅电极层500不易出现断裂等不良，进而提尚了双面显不基板的良率和显不质量。
[0055]其中，透明导电材料可以为金属氧化物透明导电材料，如氧化铟锡、氧化锌等。金属导电材料如铜、银、铝或各自的合金等。需要说明的是，栅电极层500的上层也可以采用透明导电材料。
[0056]本实施例中，在像素区域以外的信号走线区，信号走线7采用与栅电极层500相同的结构。其中，信号走线7包括数据信号走线71、扫描信号走线72以及绑定连接走线，绑定连接走线的结构与数据信号走线71或扫描信号走线72的结构相同。信号走线7采用与栅电极层500相同的结构，由于金属导电材料具有良好的延展性和较大的导电率，所以不仅能使信号走线7在过孔区不易出现断裂等不良情况，从而确保了双面显示基板的良率和显示质量，而且能降低信号走线7的电阻率，提高信号走线7的导电率，从而使信号走线7的信号传输效果更好。
[0057]另外需要说明的是，本实施例中也可以是对应正面发光层I的第一公共电极层41与栅电极层500同层设置，具体结构与图2中双面显示基板的结构相同，此处不再赘述。
[0058]基于上述双面显示基板的结构，本实施例还提供一种该双面显示基板的制备方法，包括在衬底6上形成驱动晶体管5、正面发光层1、反面发光层2、像素电极层3和公共电极层4，正面发光层I和反面发光层2分别形成于与其对应的像素电极层3和公共电极层4之间，反面发光层2对应的公共电极层4与驱动晶体管5的栅电极层500采用一次构图工艺同时形成。
[0059]上述双面显不基板的具体制备步骤为:
[0060]步骤S1:在衬底6上依次制备有源区501和栅绝缘层502并沉积栅电极层膜，其中，栅电极层膜包括采用透明导电材料形成的底层膜5001和采用金属导电材料形成的上层膜5002，如图3所示。
[0061]步骤S2:在完成步骤S I的衬底6上涂抹光刻胶，并采用半色调掩模板对光刻胶进行曝光显影工艺，在对应形成栅电极层500的区域和对应形成信号走线7的区域保留厚度较大的光刻胶层81，在对应形成第二公共电极层42的区域保留厚度较小的光刻胶层82，将对应栅电极层500、信号走线7和第二公共电极层42以外区域的光刻胶去除，如图4所不O
[0062]步骤S3:对完成步骤S2的衬底6进行刻蚀处理，去除没有光刻胶保护的区域的栅电极层膜，即将没有光刻胶保护区域的底层膜5001和上层膜5002全部去除，如图5所示。
[0063]步骤S4:对完成步骤S3的衬底6上的光刻胶进行灰化处理，去除对应形成第二公共电极层42的区域的厚度较小的光刻胶82，部分去除对应形成栅电极层500的区域和对应形成信号走线7的区域的厚度较大的光刻胶81，即在对应形成栅电极层500的区域和对应形成信号走线7的区域光刻胶还保留有一定厚度，如图6所示。
[0064]步骤S5:对完成步骤S4的衬底6进行刻蚀处理，去除没有光刻胶保护的区域内的栅电极层膜中的上层膜5002 (即金属导电材料层)，保留该区域内的栅电极层膜中的底层膜5001 (即透明导电材料层)，至此，第二公共电极层42的图形形成，如图7所示。
[0065]步骤S6:去除完成步骤S5的衬底6上剩下的光刻胶，形成栅电极层500的图形和信号走线7的局部图形，如图8所示。
[0066]使衬底6上的第二公共电极层42仅保留栅电极层膜中的底层膜5002(即透明导电层)，在其它区域，栅电极层膜为完整的两层结构。需要说明的是，在其它区域，也可以选择性地去除栅电极层膜中的上层不透明的金属导电材料，但由于这些区域的栅电极层膜不起显示作用，大多仅为传输电信号，因此，本实施例中优选除第二公共电极层42之外的其他区域保留完整的栅电极层膜，以达到减小电阻率，避免出现信号失真的不良情况。
[0067]步骤S7:在完成步骤S6的衬底6上沉积形成第一绝缘层503，通过光刻工艺去除第二公共电极层42上方对应的第一绝缘层503，形成第一开口区域504 ;并去除驱动晶体管5漏极上方对应的第一绝缘层503和栅绝缘层502，形成第一过孔505 ;同时去除驱动晶体管5源极上方对应的第一绝缘层503和栅绝缘层502，形成第四过孔508 ;去除信号走线7上方对应的第一绝缘层503，形成第五过孔509，如图9-图10所示。
[0068]步骤S8:在完成步骤S7的衬底6上制备反面发光层2，反面发光层2与第二公共电极层42的位置相对应且接触连接，如图11所示。
[0069]步骤S9:在完成步骤S8的衬底6上制备形成像素电极层3和数据电极层9的结构，如图12所示。
[0070]其中，像素电极层3对应形成在反面发光层2上方并与反面发光层2相接触并连接；像素电极层3与数据电极层9可以采用相同的材料在一次构图工艺中制备形成，也可以分别制备；像素电极层3与数据电极层9之间也可以存在别的膜层结构，但只要保证像素电极层3要与反面发光层2相接触并连接即可。数据电极层9通过第四过孔508与驱动晶体管5的源极连接。另外，在对应数据信号走线71的上方也形成有数据电极层9，数据电极层9通过第五过孔509与数据信号走线71连接，从而便于测试信号的引入。为简化工艺制备难度，本发明技术方案优选像素电极层3与数据电极层9采用相同材料同时制备。
[0071]步骤SlO:在完成步骤S9的衬底6上形成第二绝缘层506，通过光刻工艺去除像素电极层3上方对应的第二绝缘层506，形成第二开口区域507，并去除信号走线7上方对应的第二绝缘层506，形成第六过孔600，如图13-图14所示。
[0072]步骤Sll:在完成步骤SlO的衬底6上制备形成正面发光层1，正面发光层I与像素电极层3的位置相对应并相接触连接，如图15所示。
[0073]其中，正面发光层I与反面发光层2可以采用相同材料制备，也可以根据设计需要采用不同材料，制备工艺在此不限。
[0074]步骤S12:在完成步骤Sll的衬底6上形成第一公共电极层41 ;第一公共电极层41在对应数据信号走线71的位置通过第六过孔600与数据电极层9连接；第一公共电极层41在对应扫描信号走线72的位置通过第五过孔509和第六过孔600与栅电极层500连接，如图2所示。
[0075]如此设置，能够降低第一公共电极层41在过孔区出现断裂等不良情况的出现。其中，第一公共电极层41采用透明导电材料制备；第一公共电极层41与第二公共电极层42可以采用相同或不同的材料制备；但为简化工艺，节约生产成本，第一公共电极层41与第二公共电极层42采用相同材料，即都采用透明导电材料制备。
[0076]至此，双面显示基板制备完毕。
[0077]实施例2:
[0078]本实施例提供一种双面显示基板，与实施例1不同的是，如图16所示，子像素单元包括用于控制正面发光层I发光的第一驱动晶体管51和用于控制反面发光层2发光的第二驱动晶体管52，第一驱动晶体管51和第二驱动晶体管52共用同一栅电极层500 ;像素电极层3包括对应正面发光层I的第一像素电极层31和对应反面发光层2的第二像素电极层32，正面发光层I和反面发光层2共用同一公共电极层4，公共电极层4与栅电极层500同层设置。
[0079]如此设置，能使第一驱动晶体管51和第二驱动晶体管52分别对正面发光层I和反面发光层2的发光进行控制，从而实现该双面显示基板正面和反面能分别显示不同内容，也可以实现该双面显示基板正面和反面能同时显示相同内容，进而使该双面显示基板的显示更加灵活。
[0080]本实施例中，在双面显示基板的的垂直于其显示面的纵切面上，第一驱动晶体管5和第二驱动晶体管52的位置相对应，正面发光层1、反面发光层2、第一像素电极层31、第二像素电极层32和公共电极层4的位置相对应。正面发光层I和第一像素电极层31依次设置在公共电极层4的远离反面发光层2的一侧，反面发光层2和第二像素电极层32依次设置在公共电极层4的远离正面发光层I的一侧