害。至此，已完成本实施例的封装基板，而该承载板110也已达成其阶段性任务，因此可将的移除，使最后的该封装基板100如图2所示；但此该第一介电材料层126选用与该铸模化合物层136相同材料的实施例。此外，也可不将该承载板110完全移除，而针对仍承载于该承载板110上的该封装基板100进行所谓的「背端制程(Backend processing)」，也就是适当地凭借光微影蚀刻技术来移除该承载板110下半部的部分区域，以形成一可使该第一导线层120露出的窗口(未图示)，使得一外接电子元件(未图示)可设置于该窗口中，并电性连结所述的这些金属走线121?124。
[0070]我们可以该封装基板100为基础，将它进一步制作成封装电路元件。图5为根据本发明另一实施例的覆晶封装电路300的剖面示意图。该覆晶封装电路300除了包含图2实施例的该封装基板100之外，更进一步包含一电路晶片360以及一电路板390。该电路晶片360设置于该封装基板100下，其具有复数个导电接脚361?364，用来分别电性连接所述的这些金属走线121?124 ;也就是说，该电路晶片360是以覆晶型式设置于该封装基板100的该第一导线层120上，再以封装材料370将整个该电路晶片360以及该封装基板100的下半部封装起来。此外，该封装基板100的上半部可凭借光微影蚀刻技术而适当地图案化该保护层150，以形成可将该第二导线层140连接至外部电路的开口，则该电路板390可通过该保护层150的开口以及设置于开口上的电性连接物(例如，锡球380)，而连接所述的这些金属走线141、142、144。
[0071]以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种封装基板，其特征在于，其包括: 一第一导线层，其包含一第一金属走线及一第一介电材料层，该第一介电材料层充填于该第一导线层内该第一金属走线以外的其余部分； 一导电柱层，形成于该第一导线层上，该导电柱层包含一金属柱状物、一具有一凸出部的铸模化合物层、及一第二介电材料层，该金属柱状物连接该第一金属走线，该第二介电材料层形成于该铸模化合物层上，该凸出部围绕该金属柱状物； 一第二导线层，形成于该导电柱层上，该第二导线层包含一连接该金属柱状物的第二金属走线；以及 一保护层，形成于该第二导线层上。2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该封装基板为覆晶式晶片尺寸封装(Flip-Chip Chip Size Package)基板。3.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该铸模化合物层的材料包含环氧基树脂(Epoxy-Based Resin)或聚酰亚胺(Polyimide)。4.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该第二介电材料层的材料包含环氧基树脂或聚酰亚胺。5.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该凸出部的宽度由上而下逐渐增大。6.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该凸出部具有一凹斜的侧面。7.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该金属柱状物的侧面完全被该铸模化合物层所包覆。8.一种覆晶封装电路，其特征在于，其包括: 一第一导线层，其包含一第一金属走线及一第一介电材料层，该第一介电材料层充填于该第一导线层内该第一金属走线以外的其余部分； 一导电柱层，形成于该第一导线层上，该导电柱层包含一金属柱状物、一具有一凸出部的铸模化合物层、及一第二介电材料层，该金属柱状物连接该第一金属走线，该第二介电材料层形成于该铸模化合物层上，该凸出部围绕该金属柱状物； 一第二导线层，形成于该导电柱层上，该第二导线层包含一连接该金属柱状物的第二金属走线； 一保护层，形成于该第二导线层上，并具有一露出该第二金属走线的开口 ； 一电路晶片，设置于该第一导线层下，并电性连接该第一金属走线；以及 一电路板，设置于该保护层上，并通过该保护层的开口而电性连接该第二金属走线。9.根据权利要求8所述的覆晶封装电路，其特征在于，该凸出部的宽度由上而下逐渐增大。10.根据权利要求8所述的覆晶封装电路，其特征在于，该凸出部具有一凹斜的侧面。11.根据权利要求8所述的覆晶封装电路，其特征在于，该金属柱状物的侧面完全被该铸模化合物层所包覆。12.—种封装基板的制作方法，其特征在于，包括下列步骤: (A)提供一承载板； (B)在该承载板上形成一第一导线层,该第一导线层包含一第一金属走线与一第一介电材料层，该第一介电材料层充填于该第一导线层内该第一金属走线以外的其余部分； (C)在该第一导线层上形成一金属柱状物，使得该金属柱状物连接该第一金属走线； (D)在该承载板上形成一铸模化合物层，该铸模化合物层完全包覆该承载板上的该第一导线层与该金属柱状物； (E)移除部分的该铸模化合物层，使得该剩余的铸模化合物层包含一第一区域及一第二区域，该第一区域的上表面低于该金属柱状物的上端面，且该第二区域围绕该金属柱状物； (F)在该剩余的铸模化合物层上形成一第二介电材料层，使得该第二介电材料层的上表面高于该金属柱状物的上端面； (G)移除部分的该第二介电材料层及/或该铸模化合物层，使得该金属柱状物的上端面露出； (H)在该第二介电材料层上形成一包含一第二金属走线的第二导线层，使得该第二金属走线连接该金属柱状物；以及 (I)在该第二导线层上形成一保护层，并移除该承载板。13.根据权利要求12所述的封装基板的制作方法，其特征在于，该封装层的材料包含环氧基树脂。14.根据权利要求12所述的封装基板的制作方法，其特征在于，该第二介电材料层的材料包含环氧基树脂或聚酰亚胺。15.根据权利要求12所述的封装基板的制作方法，其特征在于，步骤(E)是以研磨、喷砂、电浆或化学蚀刻方式进行。16.根据权利要求12所述的封装基板的制作方法，其特征在于，该铸模化合物层的第二区域包含一凸出部，且步骤(E)使得该凸出部的宽度由上而下逐渐增大。17.根据权利要求12所述的封装基板的制作方法，其特征在于，该铸模化合物层的第二区域包含一凸出部，且步骤(E)使得该凸出部具有一凹斜的侧面。18.根据权利要求12所述的封装基板的制作方法，其特征在于，步骤(E)使得该金属柱状物的侧面完全被该铸模化合物层的该第二区域所包覆。19.根据权利要求12所述的封装基板的制作方法，其特征在于，步骤(G)包括:凭借研磨、喷砂、电浆或化学蚀刻方式，自上而下去除该第二介电材料层及/或该铸模化合物层，直到该金属柱状物的上端面露出。
【专利摘要】本发明提供一种封装基板、覆晶封装电路及其制作方法。该封装基板包括：一第一导线层，其包含一第一金属走线及一第一介电材料层，该第一介电材料层充填于该第一导线层内该第一金属走线以外的其余部分；一导电柱层，形成于该第一导线层上，该导电柱层包含一金属柱状物、一具有一凸出部的铸模化合物层、及一第二介电材料层，该金属柱状物连接该第一金属走线，该第二介电材料层形成于该铸模化合物层上，该凸出部围绕该金属柱状物；一第二导线层，形成于该导电柱层上，该第二导线层包含一连接该金属柱状物的第二金属走线；以及一保护层，形成于该第二导线层上。
【IPC分类】H01L23/495, H01L21/48
【公开号】CN105244340
【申请号】CN201410288879
【发明人】许哲玮, 许诗滨
【申请人】恒劲科技股份有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2014年6月24日