一种阵列基板及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]目前，薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,简称TFT-1XD)按照显示模式可以分为:扭曲向列(TN，Twisted Nematic)型、平面转换(IPS，In Plane Switching)型和高级超维场开关(ADS, Advanced Super Dimens1nSwitch)型。其中，ADS型TFT-1XD主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。
[0003]现有的ADS型阵列基板通常包括:衬底基板以及设置在衬底基板上薄膜晶体管、第一绝缘层、第一透明导电层、第二绝缘层和第二透明导电层，在制作该种结构的阵列基板时，至少需要6张mask (掩膜版)，制作成本较高。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以解决现有的阵列基板制作成本高的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括依次形成薄膜晶体管、第一绝缘层、第一透明导电层、第二绝缘层和第二透明导电层的图形的步骤，其特征在于，通过一次构图工艺形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形。
[0006]优选地，所述通过一次构图工艺形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形的步骤包括:
[0007]形成贯穿所述第二绝缘层和所述第一透明导电层的第一过孔的步骤，其中，所述第一过孔包括形成在所述第二绝缘层上的第一子孔以及形成在所述第一透明导电层上的第二子孔，所述第二子孔的孔径大于所述第一子孔的孔径。
[0008]优选地，所述第一透明导电层包括公共电极，所述第二透明导电层包括像素电极，所述公共电极为板状电极，所述像素电极为狭缝电极；
[0009]所述通过一次构图工艺形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形的步骤包括:
[0010]依次形成第一透明导电薄膜和第二绝缘薄膜；
[0011 ] 在所述第二绝缘薄膜上涂覆光刻胶；
[0012]利用第一掩膜版，对所述光刻胶进行曝光和显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，所述光刻胶保留区域包括对应公共电极所在位置的区域，所述光刻胶去除区域包括对应第一过孔所在位置的区域；
[0013]对所述光刻胶去除区域的第二绝缘薄膜进行刻蚀，在所述第二绝缘薄膜上形成第一子孑L.；
[0014]采用过刻工艺对所述光刻胶去除区域的第一透明导电薄膜进行刻蚀，在所述第一透明导电薄膜上形成第二子孔，所述第二子孔的孔径大于所述第一子孔的孔径，所述第一子孔和所述第二子孔连通形成所述第一过孔；
[0015]剥离光刻胶，形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形。
[0016]优选地，所述依次形成薄膜晶体管、第一绝缘层、第一透明导电层、第二绝缘层和第二透明导电层的图形的步骤包括:
[0017]提供一衬底基板；
[0018]在所述衬底基板上形成薄膜晶体管的图形；
[0019]在所述薄膜晶体管上形成第一绝缘层的图形，所述第一绝缘层上形成有第二过孔；
[0020]通过一次构图工艺在所述第一绝缘层上形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形，其中，所述第一透明导电层和第二绝缘层上形成有第一过孔，所述第一过孔与至少部分所述第二过孔连通形成接触孔；
[0021 ] 在所述第二绝缘层上形成第二透明导电层的图形，所述第二透明导电层包括像素电极，所述像素电极通过所述接触孔与所述漏电极连接。
[0022]优选地，所述制作方法还包括:
[0023]形成公共电极线的步骤，所述公共电极与所述公共电极线连接，所述公共电极线与所述薄膜晶体管的栅电极或源/漏电极同层同材料，且通过一次构图工艺形成。
[0024]优选地，所述第一透明导电层包括像素电极，所述第二透明导电层包括公共电极，所述像素电极为板状电极，所述公共电极为狭缝电极；
[0025]所述制作方法还包括:形成公共电极线的步骤，所述公共电极线与所述薄膜晶体管的栅电极或源/漏电极同层同材料，且通过一次构图工艺形成；
[0026]所述通过一次构图工艺形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形的步骤包括:
[0027]依次形成第一透明导电薄膜和第二绝缘薄膜；
[0028]在所述第二绝缘薄膜上涂覆光刻胶；
[0029]利用第二掩膜版，对所述光刻胶进行曝光和显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，所述光刻胶保留区域包括对应像素电极所在位置的区域，所述光刻胶去除区域包括对应第一过孔所在位置的区域以及其他区域；
[0030]对所述光刻胶去除区域的第二绝缘薄膜进行刻蚀，在所述第二绝缘薄膜上形成第一子孑L.；
[0031]采用过刻工艺对所述光刻胶去除区域的第一透明导电薄膜进行刻蚀，在所述第一透明导电薄膜形成第二子孔，所述第二子孔的孔径大于所述第一子孔的孔径，所述第一子孔和所述第二子孔连通形成所述第一过孔；
[0032]剥离光刻胶，形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形。
[0033]优选地，所述依次形成薄膜晶体管、第一绝缘层、第一透明导电层、第二绝缘层和第二透明导电层的图形的步骤包括:
[0034]提供一衬底基板；
[0035]在所述衬底基板上形成薄膜晶体管和公共电极线的图形，其中，所述薄膜晶体管的栅绝缘层上形成有第三过孔；
[0036]在所述薄膜晶体管上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有第二过孔；
[0037]通过一次构图工艺在所述第一绝缘层上形成第一透明导电层和第二绝缘层的图像，所述第一透明导电层包括像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔与所述漏电极连接；所述像素电极和第二绝缘层上形成有第一过孔，所述第一过孔与至少部分所述第三过孔连通形成接触孔；
[0038]在所述第二绝缘层上形成第二透明导电层的图形，所述第二透明导电层的包括公共电极，所述公共电极通过所述接触孔与所述公共电极线连接。
[0039]优选地，所述制作方法还包括:
[0040]在所述第一绝缘层和所述第一透明导电层之间形成绝缘介质层的图形步骤。
[0041]本发明还提供一种阵列基板，采用上述制作方法制作而成，所述阵列基板包括薄膜晶体管、第一绝缘层、第一透明导电层、第二绝缘层和第二透明导电层。
[0042]优选地，所述阵列基板还包括:贯穿所述第二绝缘层和所述第一透明导电层的第一过孔，其中，所述第一过孔包括形成在所述第二绝缘层上的第一子孔以及形成在所述第一透明导电层上的第二子孔，所述第二子孔的孔径大于所述第一子孔的孔径。
[0043]本发明还提供一种显示装置，包括上述阵列基板。
[0044]本发明的上述技术方案的有益效果如下:
[0045]由于第一透明导电层和第二绝缘层的图形是通过一次构图工艺形成，因而，可减少一张mask，从而降低了生产成本。
【附图说明】
[0046]图1A-图1E以及图2A-图2G位本发明实施例一的阵列基板的制作方法的流程示意图；
[0047]图3A-图3F为本发明实施例一的制备第一透明导电层和第二绝缘层的图形的方法示意图；
[0048]图4A、4B以及图5A、5B为本发明实施例二的阵列基板的制作方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0049]以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0050]本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括依次形成薄膜晶体管、第一绝缘层、第一透明导电层、第二绝缘层和第二透明导电层的图形的步骤，其中，通过一次构图工艺形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形。
[0051]由于第一透明导电层和第二绝