阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示领域，具体涉及使用高级超维电场转换技术(AdvancedSuper Dimens1n Switch，简称ADS转换)的液晶显示领域。
【背景技术】
[0002]高级超维电场转换技术是以宽视角技术为代表的核心技术，其核心技术描述为:由像素电极边缘间产生的电场及像素电极与公共电极间产生的电场构成多维电场，使液晶盒内像素电极之间以及像素电极上方所有取向的液晶分子均可以发生旋转，从而大幅提高显示画面的可视角度。高级超维电场转换技术具有的主要四大特点为:硬屏、超宽视角、超高速运动画面处理、和至臻色彩。
[0003]但是在现有的使用高级超维电场转换技术的液晶显示领域中，在透明导电薄膜电极例如公共电极和像素电极上施加的驱动电压升高、或驱动条件变化例如高温、或手指按压液晶屏幕的情况下，将导致透明导电薄膜电极特别是像素电极的边缘发生旋转位移(Disclinat1n)或者是反扭曲(Reverse Tilt)。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明提供一种阵列基板、制作阵列基板的方法、液晶显示面板、和显示装置，其能够解决或者至少缓解现有技术中存在的至少一部分缺陷。
[0005]根据本发明的第一个方面，提供一种阵列基板，包括:位于衬底基板上的公共电极和像素电极；位于公共电极与像素电极之间的钝化层；其特征在于，像素电极为包括多条子像素电极的栅状结构，子像素电极包括在第一方向上延伸的主体结构，以及在其至少一端的端部处形成的向第二方向延伸的弯折结构，在主体结构和弯折结构的连接处具有凸起。
[0006]在子像素电极的主体结构和弯折结构的连接处形成有凸起，这些形成凸起的区域常常对应于附近存在有薄膜晶体管的区域，这样在阵列基板的驱动电压升高、或驱动条件变化例如高温、或手指按压液晶屏幕的情况下，由于阵列基板的结构已经稳定，在子像素电极的边缘没有发生液晶分子的旋转位移或者反扭曲，从而在包含像素电极和公共电极的像素区域内液晶层中的液晶分子没有因液晶分子的旋转位移或者反扭曲导致的压痕现象，保证了阵列基板和液晶面板的显示效果。
[0007]在本发明的一个实施例中，多条子像素电极是相互平行的。
[0008]在本发明的另一个实施例中，弯折结构包括在主体结构的一端端部处形成的向第二方向延伸的第一弯折结构，和在主体结构的另一端端部处形成的向第二方向延伸的第二弯折结构，凸起设置于至少一个子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧，和/或凸起设置于至少一个子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧，主体结构和弯折结构的连接处的外侧为连接处与弯折结构的弯折方向相反的一侧。
[0009]在本发明的再一个实施例中，凸起设置于每个子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧，以及每个子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧。
[0010]在本发明的一个实施例中，设置于每个子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧的凸起朝着一个方向，设置于每个子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧的凸起朝着另一方向，且子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧的凸起，与子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧的凸起朝着相反的方向。
[0011]在本发明的另一个实施例中，凸起的轮廓是Λ字形或者是弧形。
[0012]可选的，公共电极位于像素电极的下方。
[0013]可选的，公共电极和像素电极都是透明导电薄膜电极。
[0014]根据本发明的第二个方面，提供一种制作阵列基板的方法，包括下面的步骤:在衬底基板上形成公共电极和像素电极，位于公共电极与像素电极之间的钝化层，其中像素电极为包括多条子像素电极的栅状结构，子像素电极包括在第一方向上延伸的主体结构，以及在其至少一端的端部处形成的向第二方向延伸的弯折结构；在主体结构和弯折结构的连接处形成有凸起。
[0015]在子像素电极的主体结构和弯折结构的连接处形成有凸起，这些形成凸起的区域常常对应于附近存在有薄膜晶体管的区域，这样在阵列基板的驱动电压升高、或驱动条件变化例如高温、或手指按压液晶屏幕的情况下，由于阵列基板的结构已经稳定，在子像素电极的边缘没有发生液晶分子的旋转位移或者反扭曲，从而在包含像素电极和公共电极的像素区域内液晶层中的液晶分子没有因液晶分子的旋转位移或者反扭曲导致的压痕现象，保证了阵列基板和液晶面板的显示效果。
[0016]在本发明的一个实施例中，其中多条子像素电极是相互平行的。
[0017]在本发明的另一个实施例中，其中弯折结构包括在主体结构的一端端部处形成的向第二方向延伸的第一弯折结构，和在主体结构的另一端端部处形成的向第二方向延伸的第二弯折结构，其中在主体结构和弯折结构的连接处形成有凸起的步骤包括:
在至少一个子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧形成凸起，和/或在至少一个子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧形成凸起，主体结构和弯折结构的连接处的外侧为连接处与弯折结构的弯折方向相反的一侧。
[0018]在本发明的再一个实施例中，其中在主体结构和弯折结构的连接处形成有凸起的步骤包括:
在每个子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧以及在每个子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧都形成凸起。
[0019]在本发明的一个实施例中，其中设置于每个子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧的凸起朝着一个方向，设置于每个子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧的凸起朝着另一方向，且子像素电极的主体结构和第一弯折结构的连接处的外侧的凸起，与子像素电极的主体结构和第二弯折结构的连接处的外侧的凸起朝着相反的方向。
[0020]备选的，凸起的轮廓是Λ字形或者是弧形。
[0021]备选的，其中在衬底基板上形成公共电极和像素电极的步骤包括:在衬底基板上形成公共电极以及在公共电极上方形成像素电极。
[0022]备选的，其中公共电极和像素电极都是透明导电薄膜电极。
[0023]根据本发明的第三个方面，提供一种液晶显示面板，包括如上的阵列基板，还包括对向基板以及位于阵列基板和对向基板之间的液晶层，像素电极和公共电极用于形成电场驱动液晶层的液晶分子旋转。
[0024]根据本发明的第四个方面，提供一种显示装置，包括上述的液晶显示面板。
【附图说明】
[0025]图1A示意性示出了一种阵列基板中使用的公共电极；图1B示意性示出了一种阵列基板中使用的像素电极；图1C示意性示出了一种阵列基板的结构图。
[0026]图2示意性示出了对于如图1所示电极布置情况下，在使用3V、4V、5V和6V驱动电压进行模拟的情况下，液晶层的液晶分子状态图。
[0027]图3A示意性示出了根据本发明一个实施例的阵列基板中使用的公共电极；图3B示意性示出了根据本发明一个实施例的阵列基板中使用的改进的像素电极；图3C示意性示出了根据本发明一个实施例的阵列基板的结构图。
[0028]图4A示意性示出了根据本发明一个实施例