器202内进行清洁处理的工序，接着参照图4进行说明。
[0155](清洁工序:S112)
[0156]在衬底处理装置100，在每次衬底搬出工序(S110)结束时，即每次对规定片数的晶片200实施了成膜工序(S104)、其后成为处理容器202内不存在晶片200的状态时，进行清洁工序(S112)。
[0157]在此，在无衬底的状态下打开阀248d，向缓冲空间232、处理空间201、排气缓冲室209供给清洁气体。所供给的清洁气体将在形成缓冲空间232的壁、形成处理空间201的壁、或排气缓冲室209的壁上附着的膜除去，其后经由第二排气管222被排气。
[0158]在本实施方式中，在排气缓冲室209的壁附着了致密的膜。因此，即使清洁气体通过了排气缓冲室209，也不会存在将排气缓冲室209的壁过度蚀刻的情况。
[0159]然而，形成处理空间201的壁上的附着物是与排气缓冲室209内的附着物相比更难剥离的膜。这是由于，在排气缓冲室209的内壁附着的膜，只不过是控制了温度条件，与如处理室这样控制了压力、温度来制膜的情况相比，膜厚、膜密度等不稳定。另一方面，处理空间201内的附着物是在温度、压力与成膜条件相同的条件下附着的，因此成为膜厚、膜密度等稳定的膜。
[0160]因此，在供给对形成处理空间201的壁上的附着物进行清洁这样的高能量的清洁气体的情况下，考虑到缓冲室的内壁被过度蚀刻的情况。然而，经由缓冲空间232、处理空间201被供给到排气缓冲室209的清洁气体，在其过程中进行处理容器202、气体引导件235、分散板234、衬底载置台212等的表面或壁的蚀刻，因此清洁能量逐渐失活。因此，不会出现在缓冲室209过度蚀刻的情况。
[0161](本发明的优选方案)
[0162]以下，附记本发明的优选方案。
[0163]〔附记1〕
[0164]一种衬底处理装置，包括:
[0165]处理空间，对载置于衬底载置台的衬底载置面上的衬底进行处理；
[0166]气体供给系统，从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给气体；
[0167]排气缓冲室，其至少具有连通孔和气流阻断壁，所述连通孔在所述处理空间的侧方与该处理空间连通，所述气流阻断壁在将通过所述连通孔的气流阻断的方向上延伸；以及
[0168]第一加热部，对所述排气缓冲室进行加热。
[0169]〔附记2〕
[0170]附记1所述的衬底处理装置，其中，
[0171]在所述排气缓冲室连接有将排气缓冲室的气氛排出的排气系统。
[0172]〔附记3〕
[0173]附记1或2所述的衬底处理装置，其中，
[0174]所述缓冲室具有将所述气流阻断壁作为一个侧壁的空间，在与该一个侧壁相对的另一侧壁形成所述连通孔，所述空间以将所述处理空间的侧方外周包围的方式延伸地构成。
[0175]〔附记4〕
[0176]附记1?3中的任一项所述的衬底处理装置，其中，
[0177]所述第一加热部至少设于所述气流阻断壁上。
[0178]〔附记5〕
[0179]附记1?4中的任一项所述的衬底处理装置，其中，
[0180]所述衬底载置台具有第二加热部，
[0181]在向所述处理空间内供给处理气体的期间，以对所述第一加热部和所述第二加热部进行加热的方式进行控制。
[0182]〔附记6〕
[0183]附记5所述的衬底处理装置，其中，
[0184]所述第一加热部被控制为比所述第二加热部高的温度。
[0185]〔附记7〕
[0186]附记6所述的衬底处理装置，其中，
[0187]所述第二加热部的温度是气体不会分解的温度。
[0188]〔附记8〕
[0189]附记2?7中的任一项所述的衬底处理装置，其中，
[0190]所述排气系统包括具有第三加热部的排气配管，在向所述处理空间内供给处理气体的期间，所述第一加热部被控制为比所述第三加热部高的温度。
[0191]〔附记9〕
[0192]一种半导体器件的制造方法，包括如下工序:
[0193]在内置于处理空间的衬底载置台的衬底载置面上载置衬底；
[0194]一边对排气缓冲室加热，一边从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给气体，所述排气缓冲室具有连通孔和气流阻断壁，所述连通孔在所述处理空间的侧方与该处理空间连通，所述气流阻断壁在将通过所述连通孔的气流阻断的方向上延伸。
[0195]〔附记10〕
[0196]一种程序，执行如下工序:
[0197]在内置于处理空间的衬底载置台的衬底载置面上载置衬底；
[0198]一边对排气缓冲室加热，一边从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给气体，所述排气缓冲室具有连通孔和气流阻断壁，所述连通孔在所述处理空间的侧方与该处理空间连通，所述气流阻断壁在将通过所述连通孔的气流阻断的方向上延伸。
[0199]〔附记11〕
[0200]一种计算机可读取的记录介质，存储有执行如下工序的程序:
[0201]在内置于处理空间的衬底载置台的衬底载置面上载置衬底；
[0202]—边对排气缓冲室加热，一边从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给气体，所述排气缓冲室具有连通孔和气流阻断壁，所述连通孔在所述处理空间的侧方与该处理空间连通，所述气流阻断壁在将通过所述连通孔的气流阻断的方向上延伸。
【主权项】
1.一种衬底处理装置，包括: 处理空间，对载置于衬底载置台的衬底载置面上的衬底进行处理； 气体供给系统，从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给气体； 排气缓冲室，其构成为至少具有连通孔和气流阻断壁，所述连通孔在所述处理空间的侧方与该处理空间连通，所述气流阻断壁在将通过所述连通孔的气流阻断的方向上延伸；以及 第一加热部，设于所述气流阻断壁。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，包括: 设于所述衬底载置台的第二加热部；以及 控制部，其被构成为:在向所述处理空间内供给处理气体的期间，以对所述第一加热部和所述第二加热部进行加热的方式控制所述气体供给系统、所述第一加热部和所述第二加热部。3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，包括: 设于所述衬底载置台的第二加热部；以及 控制部，其被构成为:以使所述第一加热部被加热为比所述第二加热部高的温度的方式，控制所述第一加热部和所述第二加热部。4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中， 所述控制部以使所述第二加热部的温度成为所述处理气体不会被分解的温度的方式控制所述第二加热部。5.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中， 所述控制部以使所述第一加热部的温度成为所述处理气体会分解的温度的方式控制所述第一加热部。6.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中， 所述控制部以使所述第一加热部的温度成为所述处理气体会分解的温度的方式控制所述第一加热部。7.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中， 所述排气系统包括具有第三加热部的排气配管， 所述控制部在向所述处理空间内供给处理气体的期间，将所述第一加热部控制为比所述第三加热部高的温度。8.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中， 所述排气系统包括具有第三加热部的排气配管， 所述控制部在向所述处理空间内供给处理气体的期间，以达到在所述排气管中流动的气体不会附着于所述排气配管内的温度的方式控制所述第三加热部。9.一种半导体器件的制造方法，包括如下工序: 在内置于处理空间的衬底载置台的衬底载置面上载置衬底； 一边用设于气流阻断壁的第一加热部对排气缓冲室加热，一边从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给气体，所述排气缓冲室被构成为具有连通孔和气流阻断壁，所述连通孔在所述处理空间的侧方与该处理空间连通，所述气流阻断壁在将通过所述连通孔的气流阻断的方向上延伸。10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中， 在所述衬底载置台设有第二加热部， 所述半导体器件的制造方法包括如下工序:在向所述处理空间内供给处理气体的期间，使所述第一加热部加热为比所述第二加热部高的温度。11.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中， 在所述衬底载置台设有第二加热部， 所述半导体器件的制造方法包括如下工序: 所述第一加热部以使所述气流阻断部的温度成为所述处理气体会分解的温度的方式进行加热；以及 所述第二加热部以成为所述衬底上的处理气体不会被分解的温度的方式进行加热。12.—种计算机可读取的记录介质，存储有执行如下工序的程序: 在内置于处理空间的衬底载置台的衬底载置面上载置衬底； 一边用设于气流阻断壁的第一加热部对排气缓冲室加热，一边从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给气体，所述排气缓冲室被构成为具有连通孔和气流阻断壁，所述连通孔在所述处理空间的侧方与该处理空间连通，所述气流阻断壁在将通过所述连通孔的气流阻断的方向上延伸。13.根据权利要求12所述的计算机可读取的记录介质，记录有使计算机执行如下步骤的程序:在所述衬底载置台设有第二加热部， 在向所述处理空间内供给处理气体的期间，使所述第一加热部加热为比所述第二加热部高的温度。14.根据权利要求12所述的计算机可读取的记录介质，记录有使计算机执行如下步骤的程序:在所述衬底载置台设有第二加热部， 所述第一加热部以使所述气流阻断部的温度成为所述处理气体会分解的温度的方式进行加热；以及 所述第二加热部以成为所述衬底上的处理气体不会被分解的温度的方式进行加热。
【专利摘要】本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。提供一种即使在利用排气缓冲室进行气体排气的情况下也能形成良好特性的膜的技术。衬底处理装置，包括：处理空间，对载置于衬底载置台的衬底载置面上的衬底进行处理；气体供给系统，从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给气体；排气缓冲室，其构成为至少具有连通孔和气流阻断壁，所述连通孔在所述处理空间的侧方与该处理空间连通，所述气流阻断壁在将通过所述连通孔的气流阻断的方向上延伸；以及第一加热部，设于所述气流阻断壁。
【IPC分类】H01L21/67, H01L21/02
【公开号】CN105374705
【申请号】CN201510090136
【发明人】镰仓司
【申请人】株式会社日立国际电气
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年2月27日
【公告号】US20160060755