的 以RnR12Si02/2表示的硅氧烷单元即D单元、1. 000~0. 001摩尔％的以R 13R14R15Si01/2表示 的硅氧烷单元即Μ单元、以及0. 000~0. 500摩尔％的以R16Si03/2表示的硅氧烷单元即T 单元，并且，R11、R 12、R13、R14、R15、R16各自表示无取代或取代的1价烃基，并且重均分子量为 200, 000~1，000, 000,并且，分子量为740以下的低分子量成分为0. 5质量％以下。5. 如权利要求1至4中的任一项所述的晶片加工体，其中，前述热固化性硅氧烷改性聚 合物层（B)是组合物的层，所述组合物是相对于含硅氧烷键聚合物100质量份，含有0. 1~ 50质量份的选自氨基缩合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂、酚类化合物及环氧化合物中的任意 1种以上作为交联剂，所述含硅氧烷键聚合物是具有由下述通式（1)表示的重复单元且重 均分子量为3, 000~500, 000,所述氨基缩合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂是经福尔马林或 福尔马林-醇类改性，所述酚类化合物在1分子中平均具有2个以上羟甲基或烷氧羟甲基， 所述环氧化合物在1分子中平均具有2个以上环氧基； ^ ca (? 1 Γ r1 / r3\ 1 、I "严\ I ^ | I | \ I CH-?·]?~Si^~~SiΗ - Si?jrX~i I I I 1 \ ! I I " ch3 (? Ja L r 2 \ R4/551 IB 式（1)中，R1~R4表示可相同或不同的碳原子数1~8的1价烃基；此外，m是1~ 100的整数，B是正数，A是0或正数；X是由下述通式⑵表示的2价有机基团， OH OH r^i r<T1 (R5)k (R6)k 式（2)中，Z是选自下述基中的任一种的2价有机基团， ?H3 f 3 nu I l /ΓΧ ?······* I t~s| Ullllll, ········' g 、._·······!； ]?······?-丨 .?······? 4Γ. * If V\ 2，f，iXJ CI13 cf3 N是0或1 ;此外，R5、R6分别是碳原子数1~4的烷基或烷氧基，可以彼此相同或不同； k是0、1、2中的任一者。6.如权利要求1至4中的任一项所述的晶片加工体，其中，前述热固化性硅氧烷改性聚 合物层（B)是组合物的层，所述组合物是相对于含硅氧烷键聚合物100质量份，含有0. 1~ 50质量份的选自酚类化合物及环氧化合物中的任意1种以上作为交联剂，所述含硅氧烷键 聚合物是具有由下述通式（3)表示的重复单元且重均分子量为3, 000~500, 000,所述酚类 化合物在1分子中平均具有2个以上酚基，所述环氧化合物在1分子中平均具有2个以上 环氧基； f (? ___ (? 1 f / ；R3\ ' 4(cB，~(cft CH, )^ii4〇~Si^CHs -一 (a) L ?ι, 6? J L E2 \ Jb 式（3)中，R1~R4表示可相同或不同的碳原子数1~8的1价烃基；此外，m是1~ 100的整数，B是正数，A是0或正数；并且，Y是由下述通式⑷表示的2价有机基团， r^i γΤ^ _ _ ⑷ p (R7)h (R8)h 式（4)中，V是选自下述基中的任一种的2价有机基团， 严 f3 ? I ^ I ? \^\^J ch3 cf3 P是0或1 ;此外，R7、Rs分别是碳原子数1~4的烷基或烷氧基，可以彼此相同或不同； h是0、1、2中的任一者。7. 如权利要求1至4中的任一项所述的晶片加工体，其中，在前述热塑性有机聚硅氧烷 聚合物层（A)上积层有前述热固化性硅氧烷改性聚合物层（B)的状态下，将前述聚合物层 (A)和前述聚合物层（B)剥离时，热固化后的揭膜剥离力，以宽25_的试片的180°揭膜剥 离力计，为lgf以上且50gf以下。8. -种薄型晶片的制造方法，其特征在于，其包含以下步骤： 步骤（a)，是在将晶片的电路形成面隔着复合暂时粘着材料层来接合于支撑体时，在真 空下将形成有热固化性硅氧烷改性聚合物层（B)的支撑体与形成有聚合物层（A)的附有电 路的晶片进行贴合，所述晶片的表面具有电路形成面且背面具有非电路形成面，所述复合 暂时粘着材料层是由权利要求1至4中的任一项所述的晶片加工体中所使用的前述热塑性 有机聚硅氧烷聚合物层（A)及前述热固化性硅氧烷改性聚合物层（B)构成； 步骤（b)，是使前述聚合物层（B)热固化； 步骤（c)，是对与前述支撑体接合的前述晶片的非电路形成面进行磨削或研磨； 步骤（d)，是对前述晶片的非电路形成面实施加工；以及， 步骤（e)，是将前述支撑体和积层于前述支撑体上的前述热固化性硅氧烷改性聚合物 层（B)在成为一体的状态下从实施前述加工后的晶片剥离。9. 一种薄型晶片的制造方法，其特征在于，其包含以下步骤： 步骤（a)，是在将晶片的电路形成面隔着复合暂时粘着材料层来接合于支撑体时，在真 空下将附有电路的晶片与前述支撑体进行贴合，所述晶片的表面具有电路形成面且背面具 有非电路形成面，所述复合暂时粘着材料层是由权利要求1至4中的任一项所述的晶片加 工体中所使用的前述热塑性有机聚硅氧烷聚合物层（A)及前述热固化性硅氧烷改性聚合 物层（B)构成，所述附有电路的晶片在前述电路形成面上形成有前述热塑性有机聚硅氧烷 聚合物层（A)且在该聚合物层（A)上形成有前述热固化性硅氧烷改性聚合物层（B); 步骤（b)，是使前述聚合物层（B)热固化； 步骤（c)，是对与前述支撑体接合的前述晶片的非电路形成面进行磨削或研磨； 步骤（d)，是对前述晶片的非电路形成面实施加工；以及， 步骤（e)，是将前述支撑体和积层于前述支撑体上的前述热固化性硅氧烷改性聚合物 层（B)在成为一体的状态下从实施前述加工后的晶片上剥离。10. -种晶片加工用暂时粘着材料，其特征在于，所述晶片加工用暂时粘着材料是用于 将晶片暂时粘着于支撑体，所述晶片的表面具有电路面且背面需要加工，并且， 所述晶片加工用暂时粘着材料具备复合暂时粘着材料层，所述复合暂时粘着材料层具 有以下的两层结构：第一暂时粘着层，是由膜厚不足l〇〇nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物 层（A)构成，并且是以能够剥离的方式积层于前述晶片的表面；以及，第二暂时粘着层，是 由热固化性硅氧烷改性聚合物层（B)构成，并且是以能够剥离的方式积层于该第一暂时粘 着层，并且以能够剥离的方式积层于前述支撑体上。11. 如权利要求10所述的晶片加工用暂时粘着材料，其中，前述第一暂时粘着层的膜 厚为1~80nm。12. 如权利要求10所述的晶片加工用暂时粘着材料，其中，前述热塑性有机聚硅氧烷 聚合物层（A)是非反应性有机聚硅氧烷层，所述非反应性有机聚硅氧烷层含有99. 000~ 99. 999摩尔％的以RnR12Si02/2表示的硅氧烷单元即D单元、1. 000~0. 001摩尔％的以 R13R14R15Si01/2表示的硅氧烷单元即Μ单元、以及0. 000~0. 500摩尔％的以R 16Si03/2表示 的硅氧烷单元即T单元，并且，R11、R 12、R13、R14、R15、R16各自表示无取代或取代的1价烃基， 并且重均分子量为200, 000~1，000, 000,并且，分子量为740以下的低分子量成分为0. 5 质量％以下。13. 如权利要求11所述的晶片加工用暂时粘着材料，其中，前述热塑性有机聚硅氧烷 聚合物层（A)是非反应性有机聚硅氧烷层，所述非反应性有机聚硅氧烷层含有99. 000~ 99. 999摩尔％的以RnR12Si02/2表示的硅氧烷单元即D单元、1. 000~0. 001摩尔％的以 R13R14R15Si01/2表示的硅氧烷单元即Μ单元、以及0. 000~0. 500摩尔％的以R 16Si03/2表示 的硅氧烷单元即T单元，并且，R11、R 12、R13、R14、R15、R16各自表示无取代或取代的1价烃基， 并且重均分子量为200, 000~1，000, 000,并且，分子量为740以下的低分子量成分为0. 5 质量％以下。14. 如权利要求10至13中的任一项所述的晶片加工用暂时粘着材料，其中，前述热固 化性硅氧烷改性聚合物层（B)是组合物的层，所述组合物是相对于含硅氧烷键聚合物100 质量份，含有〇. 1~50质量份的选自氨基缩合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂、酚类化合物及 环氧化合物中的任意1种以上作为交联剂，所述含硅氧烷键聚合物是具有由下述通式（1) 表示的重复单元且重均分子量为3, 000~500, 000,所述氨基缩合物、三聚氰胺树脂、尿素 树脂是经福尔马林或福尔马林-醇类改性，所述酚类化合物在1分子中平均具有2个以上 羟甲基或烷氧羟甲基，所述环氧化合物在1分子中平均具有2个以上环氧基； f 0? (? 1 f R1 / I 1 ch3 h [ Jb 式（1)中，R1~R4表示可相同或不同的碳原子数1~8的1价烃基；此外，m是1~ 100的整数，B是正数，A是0或正数；X是由下述通式⑵表示的2价有机基团， OH OH ?ιΝ -!JL· ：~~Γ9"? ._*i_ 1- t. 2 ) V^1 N Va^1 (R5)k (R6)k 式（2)中，Z是选自下述基中的任一种的2价有机基团， ch3 cf3 V I I .........T Y . .................. jT \ fi 'vc -L -L，- \\ V // 、） …i ? i ? ch3 cf3 N是0或1 ;此外，R5、R6分别是碳原子数1~4的烷基或烷氧基，可以彼此相同或不同； k是0、1、2中的任一者。15.如权利要求10至13中的任一项所述的晶片加工用暂时粘着材料，其中，前述热 固化性硅氧烷改性聚合物层（B)是组合物的层，所述组合物是相对于含硅氧烷键聚合物 100质量份，含有〇. 1~50质量份的选自酚类化合物及环氧化合物中的任意1种以上作 为交联剂，所述含硅氧烷键聚合物是具有由下述通式（3)表示的重复单元且重均分子量为 3, 000~500, 000,所述酚类化合物在1分子中平均具有2个以上酚基，所述环氧化合物在 1分子中平均具有2个以上环氧基； f 0? - 9? 1 Γ R 1 / S5\ * )rf^ ~^CH2----kcH^Si^O-SH-f0^)τΥ-~ (3) i ch, ta3 Ja L r2 \ s4/^ 式（3)中，R1~R4表示可相同或不同的碳原子数1~8的1价烃基；此外，m是1~ 100的整数，B是正数，A是0或正数；并且，Y是由下述通式⑷表示的2价有机基团， r^i fV1 rr\ (R7)h (R8)h 式（4)中，V是选自下述基中的任一种的2价有机基团， ch3 cf3 X ru I I k ? I， \， ch3 cf3 P是0或1 ;此外，R7、Rs分别是碳原子数1~4的烷基或烷氧基，可以彼此相同或不同； h是0、1、2中的任一者。16.如权利要求10至13中的任一项所述的晶片加工用暂时粘着材料，其中，在前述热 塑性有机聚硅氧烷聚合物层（A)上积层有前述热固化性硅氧烷改性聚合物层（B)的状态 下，将前述聚合物层（A)和前述聚合物层（B)剥离时，热固化后的揭膜剥离力，以宽25_的 试片的180°揭膜剥离力计，为lgf以上且50gf以下。
【专利摘要】本发明提供一种对于超过300℃的高温热工序具有耐受性且容易进行暂时粘着及剥离的晶片加工用暂时粘着材料、以及可以提高薄型晶片的生产性的晶片加工体。为此，本发明提供一种晶片加工体，其是在支撑体上形成暂时粘着材料层，且将晶片积层在暂时粘着材料层上而成，晶片的表面具有电路面且背面需要加工，并且，粘着材料层是具有以下的两层结构的复合暂时粘着材料层：第一暂时粘着层，是由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成，且是以能够剥离的方式积层于晶片的表面；以及，第二暂时粘着层，是由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成，且是以能够剥离的方式积层于第一暂时粘着层，并且以能够剥离的方式积层于支撑体上。
【IPC分类】C09J183/04, H01L21/683, C09J7/02
【公开号】CN105470188
【申请号】CN201510624839
【发明人】田上昭平, 菅生道博, 田边正人, 加藤英人
【申请人】信越化学工业株式会社
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年9月25日
【公告号】EP3000596A1, US20160093522