导体器件的性能造成影响。
[0088]执行步骤206，图案化所述重布线层205，以去除位于所述硅通孔开口两侧的部分所述重布线层205。
[0089]具体地，如图2e所示，图案化所述重布线层205的方法包括:
[0090]步骤2061:在所述重布线层上形成图案化的掩膜层，以露出所述硅通孔开口两侧的部分所述重布线层205 ;
[0091]步骤2062:以所述掩膜层为掩膜，湿法蚀刻所述重布线层205 ;
[0092]步骤2063:去除所述掩膜层。
[0093]其中，在所述步骤2061中，所述掩膜层选用光刻胶层。
[0094]在所述步骤2062中，选用湿法蚀刻所述重布线层205，以露出位于所述硅通孔开口两侧的部分所述绝缘层204。
[0095]在该步骤中由于所述硅通孔开口中填充有临时填充材料，因此所述湿法蚀刻的蚀刻液不能进入所述硅通孔中，不会对所述硅通孔开口侧壁上的重布线层造成损坏，因此可以进一步提高所述半导体器件的性能和良率。
[0096]执行步骤207，在所述重布线层205上方形成钝化层207，以覆盖所述重布线层205和所述临时填充材料，并图案化所述钝化层207，以形成开口，露出部分所述重布线层205。
[0097]如图2f所示，在该步骤中，所述钝化层207选用聚对苯撑苯并双嗯唑(PBO)或聚酰亚胺(PD。
[0098]在该步骤中涂覆苯撑苯并双嗯唑(PBO)或聚酰亚胺(PI)的钝化层，以完全覆盖所述重布线层205和所述临时填充材料206。
[0099]然后在所述钝化层上形成图案化的掩膜层，所述掩膜层位于中形成有开口，所述开口位于所述重布线层205的上方，以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述钝化层，以将所述开口转移至所述钝化层中，露出所述部分所述重布线层205，如图2f所示。
[0100]图案化所述钝化层207之后，还进一步包括对所述钝化层207进行烘焙的步骤，例如选用紫外光(uv bake)烘焙或者微波烘焙(Oven bake)的方法对所述临时填充材料进行烘焙。
[0101]执行步骤208，在所述开口中形成焊料球208，以用于封装，如图2g所示；最后对所述晶圆进行切割。
[0102]在该步骤中可以选用本领域常用的方法，并不局限于某一种，在此不再赘述。
[0103]至此，完成了本发明实施例的晶圆封装过程的介绍。在上述步骤之后，还可以包括其他相关步骤，此处不再赘述。并且，除了上述步骤之外，本实施例的制备方法还可以在上述各个步骤之中或不同的步骤之间包括其他步骤，这些步骤均可以通过现有技术中的各种工艺来实现，此处不再赘述。
[0104]本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种晶圆级封装方法，所述方法通过在沉积重布线层(RDL Al PVD)之后，选用临时填充材料(例如Dry film)来填充所述硅通孔开口，先将TSV开口保护起来，然后在对所述重布线层RDL进行图案化，以防止在对重布线层RDL进行图案化的过程中蚀刻液进入所述硅通孔开口中对所述开口侧壁上的重布线层造成损坏，最后再使用PBO或者PI作为钝化层，并在所述钝化层中形成焊料球，以完成所述封装。
[0105]图3为本发明一具体地实施方式中所述半导体器件的制备工艺流程图，具体包括以下步骤:
[0106]步骤S1:提供晶圆，所述晶圆至少包括半导体衬底和位于所述半导体衬底正面上的金属焊盘；
[0107]步骤S2:对所述半导体衬底的背面进行背部研磨并图案化，以形成硅通孔开口，露出所述金属焊盘；
[0108]步骤S3:在所述半导体衬底的背面上和所述硅通孔开口的侧壁上形成绝缘层；
[0109]步骤S4:在所述绝缘层上形成重布线层，以覆盖所述绝缘层；
[0110]步骤S5:沉积临时填充材料，以填充所述硅通孔开口 ；
[0111]步骤S6:图案化所述重布线层，以去除位于所述硅通孔开口两侧的部分所述重布线层。
[0112]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种晶圆级封装方法，包括: 步骤S1:提供晶圆，所述晶圆至少包括半导体衬底和位于所述半导体衬底正面上的金属焊盘； 步骤S2:对所述半导体衬底的背面进行背部研磨并图案化，以形成硅通孔开口，露出所述金属焊盘； 步骤S3:在所述半导体衬底的背面上和所述硅通孔开口的侧壁上形成绝缘层； 步骤S4:在所述绝缘层上形成重布线层，以覆盖所述绝缘层； 步骤S5:沉积临时填充材料，以填充所述硅通孔开口 ； 步骤S6:图案化所述重布线层，以去除位于所述硅通孔开口两侧的部分所述重布线层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，所述临时填充材料包括负性光刻胶。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，所述临时填充材料的厚度为10-50微米。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤S5包括: 步骤S51:在所述重布线层上和所述硅通孔开口中贴敷所述临时填充材料； 步骤S52:图案化所述临时填充材料，以去除所述重布线层上方的所述临时填充材料； 步骤S53:烘焙所述临时填充材料，以固化临时填充材料。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步骤S51中，所述临时填充材料的贴敷压力为0.5-0.01个大气压，温度为50-150°C。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步骤S52中，所述图案化方法包括:选用硅通孔的光刻版对所述临时填充材料进行曝光。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S6之后，所述方法还进一步包括: 步骤S7:在所述重布线层上方形成钝化层，以覆盖所述重布线层和所述临时填充材料，所述钝化层选用聚对苯撑苯并双嗯唑或聚酰亚胺； 步骤S8:图案化所述钝化层，以形成开口，露出部分所述重布线层。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤S8中，图案化所述钝化层之后，还进一步包括对所述钝化层进行烘焙的步骤。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤S8之后，所述方法还进一步包括: 步骤S9:在所述开口中形成焊料球，以用于封装； 步骤SlO:对所述晶圆进行切割。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3包括: 步骤S31:在所述半导体衬底的背面上、所述硅通孔开口的侧壁和底部沉积绝缘材料层； 步骤S32:蚀刻所述绝缘材料层，以去除所述硅通孔开口底部的所述绝缘材料层，以形成所述绝缘层。11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S6包括: 步骤S61:在所述重布线层上形成图案化的掩膜层，以露出所述硅通孔开口两侧的部分所述重布线层； 步骤S62:以所述掩膜层为掩膜，湿法蚀刻所述重布线层； 步骤S63:去除所述掩膜层。
【专利摘要】本发明涉及一种晶圆级封装方法，所述方法包括步骤S1：提供晶圆，所述晶圆至少包括半导体衬底和位于所述半导体衬底正面上的金属焊盘；步骤S2：对所述半导体衬底的背面进行背部研磨并图案化，以形成硅通孔开口，露出所述金属焊盘；步骤S3：在所述半导体衬底的背面上和所述硅通孔开口的侧壁上形成绝缘层；步骤S4：在所述绝缘层上形成重布线层，以覆盖所述绝缘层；步骤S5：沉积临时填充材料，以填充所述硅通孔开口；步骤S6：图案化所述重布线层，以去除位于所述硅通孔开口两侧的部分所述重布线层。本发明在沉积重布线层(RDL？Al？PVD)之后，选用临时填充材料(例如Dry？film)来填充所述硅通孔开口，防止在对重布线层RDL造成损坏。
【IPC分类】H01L21/98
【公开号】CN105514047
【申请号】CN201410539146
【发明人】陈福成
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2014年10月13日