半导体装置的制造方法以及制造装置的制造方法_4

文档序号:9789048阅读:来源:国知局
接合部件13的情况下,照射紫外线或热能而使接合部件13固化,在由控制装置100判定为未填充有接合部件13的情况下,分类为次品。利用该工序,能够抑制次品向后续工序流出,能够高精度地确保安装部件11与基板12之间的间距。
[0117]利用第I实施方式中的制造方法,使用上述部件制作了半导体装置。将安装部件11与基板12之间的间距设定为15 μ??,即g21 = 22.4 μm,使用上述方法进行了制作。在接合部件13的检查中,利用直径为50 μ m的激光6,对位于安装部件11的对角线Ilb上、且与垂直相交的2条边分别相距150 μπι的位置的I点进行了测定。确认了在安装部件11的吸附孔2a的直径为500 μπκ并且最大吸附位置偏移量为±200 μπι的情况下,即使接合部件13相对于吸附孔2a的中心具有位置偏移,也能够检查接合状态,由控制装置100判定接合状态是否良好。另外,安装部件11与基板12之间的接合间距G为15±2 μπι。
[0118]如上述所示,根据第I实施方式,在安装部件11的粘贴工序内,能够抑制次品向后续工序的流出,能够高精度地确保安装部件11与基板12之间的间距。
[0119](第2实施方式)
[0120]本发明的第2实施方式与第I实施方式的不同之处在于:使用比第I实施方式的安装部件11小的安装部件31 ;作为距离测定装置的一个例子以及粘合状态检查装置的一个例子起作用的非接触距离测定机构24的非接触距离测定部24a被固定,并且反射镜移动;以及检查工序中的激光26的测定部位有2点。
[0121]图4A?图4F分别是依次表示本发明的第2实施方式中的半导体装置的制造方法的概略剖视图、以及半导体装置的俯视图。
[0122]对图4A及图4B所示的、第2实施方式的半导体装置的制造装置的结构进行说明。第2实施方式的半导体装置的制造装置具备:工作台27、作为吸附工具的一个例子起作用的安装头21、安装头驱动机构90、作为距离测定装置的一个例子起作用的非接触距离测定机构24、测定机构驱动机构91、位置信息取得装置92、以及控制装置100。
[0123]此外,在第2实施方式中,对与第I实施方式相同的结构标注相同标号,省略说明。
[0124]工作台27与第I实施方式的工作台7相对应,对形成有接合部件33的基板32进行固定。
[0125]安装头21与第I实施方式的安装头I相对应,但形状以及结构不同。即,安装头21具备透明吸附板22、透明板28、侧壁21a、以及真空室3,该透明吸附板22具有能够对安装部件31进行吸附的吸附孔22a。透明吸附板22构成矩形筒状的侧壁21a的下端面(底部),并且在中央部贯穿形成有能够对安装部件11进行吸附的吸附孔2a。透明板8在侧壁21a的上端与透明吸附板22平行地进行固定。由此,真空室23由透明吸附板22、透明板28、以及侧壁21a包围而形成。真空室23与真空栗5连接,真空室3如果变为真空,则能够经由吸附孔2a将安装部件31吸附在透明吸附板22的下表面。
[0126]安装头驱动机构90与第I实施方式相同地,能够相对于工作台27的平面将安装头21向垂直方向(在图4A中是上下方向)、以及与垂直方向正交的横向(在图4A中是左右方向)移动。
[0127]安装部件31例如由光学玻璃构成,例如其折射率为1.51,光透过率为98%,尺寸为边长0.45?0.55mm的正方形,厚度为380?420 μπι。另外,基板32例如是固体摄像元件等半导体元件,尺寸为0.7mmX 1.0mm,厚度为280?320 μπι。此外,接合部件33例如是紫外线固化粘合剂,例如其折射率为1.49,光透过率为90%。
[0128]此外,非接触距离测定机构24以下述方式构成。将非接触距离测定部24a固定得与真空室23的外部的一个侧面21c相邻。在从该非接触距离测定部24a向上下方向的下方输出的激光26的光轴上,设置有相对于非接触距离测定部24a具有45°的倾角的固定反射镜34a。另外,在与固定反射镜34a具有相同的高度并且相对于透明板28在上下方向上相距一定距离的位置处,设置有反射角为45°的驱动反射镜34b。驱动反射镜34b利用驱动反射镜驱动机构95能够在来自固定反射镜34a的横向的光轴上沿横向移动。非接触距离测定部24a例如是分光干涉式激光位移计,利用经由固定反射镜34a和驱动反射镜34b反射的激光26,能够测定安装部件31与基板32之间的距离G。
[0129]控制装置100中输入由位置信息取得装置92取得的位置信息、以及由非接触距离测定机构24测定的测定值,基于所输入的信息,独立地控制安装头驱动机构90的驱动、测定机构驱动机构91的驱动、位置信息取得装置92的驱动、驱动反射镜驱动机构95的驱动、真空栗5的驱动(或者在真空栗5与真空室23之间设置的控制阀的开关动作)的各自的动作。
[0130]接着,对第2实施方式中的半导体装置的制造方法进行描述。下面的制造方法的工序也全部在控制装置100的控制下进行。
[0131]首先,在控制装置100的控制下,与第I实施方式相同地,利用安装头驱动机构90对安装头21进行移动控制,利用真空吸附由安装头21对在不图示的托盘上搭载的安装部件31进行吸附固定。
[0132]然后,在控制装置100的控制下,利用识别照相机14(参照第I实施方式),测定安装部件31的平面方向(安装头21的、与上下方向正交的平面内的位置)的吸附位置,由运算部44计算安装部件31的中心坐标相对于透明吸附板22的吸附孔2a的中心的相对坐标,即位置偏移量。
[0133]接着,在控制装置100的控制下,利用安装头驱动机构90将安装头I进行平面移动,从而使由安装头21固定的安装部件31与基板32对置,然后使安装头21下降以接近基板32。如图4A及图4B所示,在接合部件33与安装部件31紧贴时,在控制装置100的控制下,利用非接触距离测定机构24测定安装部件31与基板32之间的距离G。由非接触距离测定机构24测定的测定值从非接触距离测定机构24输出至控制装置100,用于距离G的控制。即,例如,在安装部件31的中心部处,测定安装部件31与基板32之间的距离G,基于测定值,控制装置100经由安装头驱动机构90控制安装头21的下降量。S卩,在控制装置100的控制下,利用安装头驱动机构90使安装头21接近基板32,以使得利用非接触距离测定机构24测定的测定值达到期望值。这样,接合部件33在安装部件31与基板32之间被挤压,朝向安装部件31的周缘,沿着安装部件31的表面濡湿扩展。在此,从非接触距离测定部24a发出的激光26由固定反射镜34a和位于中央部的驱动反射镜34b反射之后,按照透明板28、吸附孔22a和安装部件31的顺序透过这些部件,由基板32的表面反射,按照上述部件的相反的顺序返回至非接触距离测定部24a,能够直接测定安装部件31与基板32之间的距离G。此外,将驱动反射镜34b的横向的位置设为使激光26通过吸附孔22a的内侧的、中央部的位置为佳。这是因为,在激光26照射到吸附孔22a的外周部的情况下,或者在吸附时发生位置偏移而照射到安装部件31的周缘部的情况下,由于漫反射,距离G的测定精度降低。
[0134]接着,在控制装置100的控制下,如图4C及图4D所示,在保持规定的间距G的状态下,利用驱动反射镜驱动机构95使驱动反射镜34b从中央部的位置向安装部件31的I个角部Ila的近旁附近移动。然后,从非接触距离测定部24a发出激光26,检查角部31a处的粘合状态,将检查结果从非接触距离测定部24a输出至控制装置100,由控制装置100判定粘合状态是否良好。
[0135]在此,第2实施方式的安装部件31是第I实施方式的安装部件11的一半左右的小的部件,小的安装部件31与基板32之间的短边方向的尺寸差较小,因而必须微量地供给接合部件33的涂敷量,使得接合部件33不会从基板32漫出。但是,在接合部件33为微量的情况下,往往受到供给方向的影响,使涂敷形状变得并非点对称,最好对安装部件31的对角线31b上的角部31a、31c的近旁部的至少2个部位进行检查。
[0136]此外,如图4E及图4F所示,在保持规定的间距G的状态下,将驱动反射镜34b移动至安装部件31的角部31a的近旁附近、和呈点对称的另I个角部31c的近旁附近,发出激光26而在各个角部31a、31c处检查粘合状态,由控制装置100判定粘合状态是否良好。在这2次检查中控制装置100均判定为合格品的情况下,由控制装置100判定为合格品。
[0137]利用第2实施方式中的制造方法,使用上述部件制作了半导体装置。将安装部件31与基板32之间的间距设定为20 μπι,即g21 = 22.4 μ m,使用上述方法进行了制作。在接合部件33的检查中,利用直径为50 μπι的激光26,对位于安装部件31的对角线31b上、且与垂直相交的2条边分别相距100 μπι的、点对称的位置的2点31a、31c进行了测定。确认了在安装部件31的吸附孔22a的直径为300 μπκ并且最大吸附位置偏移量为±100 μπι的情况下,即使接合部件33相对于吸附孔2a的中心具
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