存在3个器件区域17a、17b、17c。
[0029]在各器件区域17a、17b、17c中划分形成有多个器件形成部23，该器件形成部23由以彼此垂直的方式纵横设置的第I和第2分割预定线21a、21b划分，在各个器件形成部23上形成有多个电极25。
[0030]各电极25彼此通过被模制的树脂而与电极基板13绝缘。通过对第I分割预定线21a和第2分割预定线21b进行切削，在其两侧出现各器件的电极25。
[0031]如图5所示，在器件区域17a、17b、17c的各器件形成部23的背面经由DAF(DieAttach Film:粘片膜)35粘接有器件27，各器件27所具有的电极与电极25连接。
[0032]并且，器件区域17a、17b、17c的各器件27被树脂密封，在各器件区域17a、17b、17c的背面形成有密封树脂层29。如图4所示，在电极基板13的四角形成有圆孔19。
[0033]下面对使用了以上述方式构成的切削装置2的本发明的封装基板的磨削方法进行说明。在本发明的封装基板的磨削方法中，首先，实施保护部件粘贴工序，将封装基板11的正面Ila侧粘贴到保护部件上，该保护部件一体地安装在环状的框架F上。
[0034]S卩，如图6所示，将封装基板11的正面Ila侧粘贴到作为保护部件的划片带T上，该划片带T的外周部被安装在环状框架F上。由此，封装基板11的密封树脂层29露出。
[0035]在保护部件粘贴工序实施后，利用卡盘工作台6隔着划片带T对粘贴有作为保护部件的划片带T的封装基板11的正面Ila侧进行吸引保持，利用夹具7夹紧并固定环状框架F。
[0036]接着，如图7所示，实施粗磨削工序(第I磨削工序)，使安装于第I切削单元16A的主轴36的进行高速旋转(例如20000rpm)的圆盘状的第I平磨削磨石44与封装基板11的背面Ilb侧的密封树脂层29接触，并且使第I平磨削磨石44与保持在卡盘工作台6上的封装基板11在磨削进给方向(X轴方向)上以规定的加工进给速度相对移动，利用第I平磨削磨石44将封装基板11的密封树脂层29磨削至第I厚度。这里，第I厚度是比封装基板11的最终厚度tl厚规定量的厚度。
[0037]粗磨削工序的磨削加工条件例如如下。
[0038]主轴36 的转速:20000rpm
[0039]加工进给速度(磨削进给速度):50mm/s
[0040]平磨削磨石44的指标量:7mm(重叠量为8mm)
[0041]在粗磨削工序(第I磨削工序)实施后，如图8所示，实施最终磨削工序(第2磨削工序)，使安装于第2切削单元16B的主轴36B的进行高速旋转(例如20000rpm)的圆盘状的第2平磨削磨石44B与实施了粗磨削工序的封装基板11的密封树脂层29接触，并且使平磨削磨石44B与保持在卡盘工作台6上的封装基板11在磨削进给方向(X轴方向)上以规定的加工进给速度相对移动，将封装基板11的密封树脂层29磨削至最终厚度tl。
[0042]最终磨削工序的加工条件例如如下。
[0043]主轴转速:20000rpm
[0044]加工进给速度(磨削进给速度):50mm/s
[0045]平磨削磨石44B的指标量:7mm(重叠量为8mm)
[0046]另外，在本实施方式中，粗磨削工序和最终磨削工序都是通过将平磨削磨石44、44B固定在X轴方向上、且在X轴方向上以规定的加工进给速度对卡盘工作台6进行加工进给而实施的。
[0047]首先利用平均磨粒直径较粗的第I平磨削磨石44进行粗磨削直至接近最终厚度tl的厚度，利用平均磨粒直径较细的第2平磨削磨石44B将剩余的厚度最终磨削至最终厚度tl，因此能够高效地磨削密封树脂层29，并且能够漂亮地完成磨削面。
【主权项】
1.一种封装基板的磨削方法，使用切削装置将封装基板的密封树脂层磨削至期望的厚度，其中，该切削装置包含:第I切削构件，该第I切削构件具有安装于第I主轴的末端的圆盘状的第I平磨削磨石；以及第2切削构件，该第2切削构件具有安装于第2主轴的末端的圆盘状的第2平磨削磨石，在该封装基板中，使具有多个电极的器件的正面与电极基板相对并隔着规定的间隔在该电极基板上配设有多个器件，且该封装基板具有利用树脂将配设在该电极基板上的多个器件的背面密封的所述密封树脂层，该封装基板的磨削方法的特征在于，具有如下的工序: 保护部件粘贴工序，将该封装基板的正面侧粘贴到一体地安装在环状框架上的保护部件上； 保持工序，利用切削装置的卡盘工作台对粘贴有该保护部件的该封装基板的正面侧进行吸引保持； 第I磨削工序，在实施该保持工序之后，使该第I平磨削磨石与该封装基板的背面侧的该密封树脂层接触，并且使该第I平磨削磨石与该封装基板在磨削进给方向上相对移动，而将该封装基板的该密封树脂层磨削至第I厚度；以及 第2磨削工序，在实施该第I磨削工序之后，使该第2平磨削磨石与该封装基板的背面侧的该密封树脂层接触，并且使该第2平磨削磨石与该封装基板在磨削进给方向上相对移动，而将该封装基板的该密封树脂层最终磨削至期望的厚度。2.根据权利要求1所述的封装基板的磨削方法，其中， 所述圆盘状的第I平磨削磨石和所述圆盘状的第2平磨削磨石由圆盘状的轮基座以及通过镀镍将磨粒固定在该轮基座的外周面上的电镀磨石层构成。3.根据权利要求1或2所述的封装基板的磨削方法，其中， 所述圆盘状的第2平磨削磨石的平均磨粒直径为所述圆盘状的第I平磨削磨石的平均磨粒直径以下。
【专利摘要】提供封装基板的磨削方法，不具备磨削装置也能够利用一台切削装置将封装基板的密封树脂层薄化到期望的厚度。切削装置包含具有第1平磨削磨石的第1切削构件以及具有第2平磨削磨石的第2切削构件，封装基板具有利用树脂将多个器件的背面密封的密封树脂层，该方法具有：保护部件粘贴工序；保持工序；实施保持工序之后使第1平磨削磨石与密封树脂层接触并且使第1平磨削磨石与封装基板在磨削进给方向上相对移动而将密封树脂层磨削至第1厚度的第1磨削工序；实施第1磨削工序之后使第2平磨削磨石与密封树脂层接触并且使第2平磨削磨石与封装基板在磨削进给方向上相对移动而将密封树脂层最终磨削至期望的厚度的第2磨削工序。
【IPC分类】H01L21/301
【公开号】CN105551950
【申请号】CN201510679594
【发明人】杉谷哲一, 堤义弘, 栗村茂也
【申请人】株式会社迪思科
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年10月19日