属层(M6)形成，而金属图案300可利用第二层金属层(M2)、第三层金属层(M3)或第四层金属层(M4)形成。在本发明一些实施例中，金属图案300做为电感250的接地遮蔽金属图案(groundshield metal pattern)。且如图1所示，上述多个金属图案300所占据区域的面积大于电感250所占据区域的面积，因而会使电感250的占据区域的边界会位于上述多个金属图案300所占据区域的边界内。
[0036]图2为图1的局部600的放大示意图，其显示设置于电感元件下方的接地遮蔽金属图案300，和设置于接地遮蔽金属图案下方的用以耦接电容的电极的金属图案的布局示意图。如图2所示，上述多个金属图案300为多个形状实质相同的金属条组成。请同时参考图1、图2，沿通过电感250的相对转角部分的对角线A1-A1’和A2-A2’可将金属图案300划分为四个区域，各个区域内的金属图案300彼此隔开，以降低金属图案300与电感250的转角部分之间的耦合效应。并且，各个区域内的金属图案300以相同间距S平行设置。另外，分别位于相邻区域的两个相邻的金属图案300彼此垂直设置，且彼此以相同间距S隔开。因此，位于两个彼此相对区域的金属图案300并不相连。在本发明一实施例中，上述金属图案300可通过位于相同金属层别的金属连接部分300-1、300-2彼此相连，并親接至独立接地节点(groundnode)或一电源网络的一接地节点。换句话说，金属图案300为电性接地。金属连接部分300-
1、300-2可具有实质上沿着上述多个金属图案300的外侧边界延伸的环状部分以与上述多个金属图案300连接。上述金属图案300可将电感250与基板200电性隔离，以避免涡电流损耗(eddy current loss)，且降低电感250与设置于基板200的其他电子元件之间产生不想要的串音(crosstalk)和親合(coupling)等现象。
[0037]对本领域技术人员而言，基于本发明的实施例所教示的内容对接地遮蔽金属图案300略加变化，使接地遮蔽金属图案对因电感250的磁场感应而生成涡电流的垂直方向切害J，而达到有效降低涡电流的影响，提高电感250的品质因子。
[0038]接着，利用图3?图4说明本发明一实施例的集成电路装置500a的剖面示意图。集成电路装置500a包括设置于电感及接地遮蔽金属图案(金属图案300)的正下方的金属-氧化物-半导体电容(以下简称MOS电容)400a。图3为沿图2的C-C’切线的剖面示意图，图4为沿图2的D-D’切线的剖面示意图。并且，如图3的剖面示意图显示设置于不同接地遮蔽金属图案下方的数个MOS电容400a的剖面示意图，图4显示本发明另一实施例的设置于相同接地遮蔽金属图案下方的数个MOS电容400a的剖面示意图。为了清楚显示集成电路装置500a的位于内连线结构中的电感、接地遮蔽金属图案、MOS电容电极接线的层别关系，以及MOS电容400a和基板200的层别关系，在图3?图4中增加金属图案300(接地遮蔽金属图案)上方的不同层别金属层(包括电感250)，并标示内连线结构350的位置。
[0039]如图3、图4所示，在本发明一实施例中，MOS电容400a设置于P型(p-type)基板200上，且位于金属图案300的正下方。MOS电容400a包括一阱区202、一栅极结构208、一源极210和一漏极212。阱区202从基板200的一表面201延伸至部分基板200中，且阱区202掺杂P型(p-type)材料。在本发明一些实施例中，讲区202可为电性浮接(electrically floating)。MOS电容400a的栅极结构208设置于阱区202上，其包括一栅极氧化层204和位于栅极氧化层204上的一栅极206。源极210和漏极212分别形成于阱区202上，且从基板200的一表面201延伸至部分基板200中。源极210和漏极212位于栅极结构208的二个相对侧。源极210和漏极212掺杂η型(n-type)材料。在本发明一些实施例中，栅极结构208做为MOS电容400a的一电极，且源极210和漏极212—起做为MOS电容400a的另一电极。
[0040]配合以上实施例的说明，在本发明的另一实施例以金属氧化物半导体变容器(M0SVaractor)或是以P型(p-type )M0S电容设置于基板200上，且位于金属图案300的正下方，也可达到相同的技术效果。
[0041]在现有的半导体制作工艺技术中，不同类的讲区中间经由STI(shallow trenchisolat1n)制作工艺配置绝缘区，避免相临却不同类的阱区之间的漏电电流。另一方面，现有的半导体制作工艺技术是经由离子注入方式与扩散制作工艺形成阱区，然而受限半导体制作工艺技术，在阱区的离子注入浓度均匀度控制不易，特别是在阱区的边缘处离子注入浓度较阱区其它地区的离子注入浓度为高，使得阱区边缘处上形成的晶体管特性与阱区内其它地区上形成的晶体管特性产生差异，这又被称为是阱邻近效应(well proximityeffect)。为降低阱邻近效应的影响并且对布局空间利用最佳化，现有技术会将多个相同类型的晶体管配置同一阱区。
[0042]请再参考图3，设置于不同接地遮蔽金属图案(金属图案300)下方的不同MOS电容400a的阱区202的边界可分别对齐金属图案300的边界或位于金属图案300的边界的外侧。值得注意的是，不同接地遮蔽金属图案(金属图案300)下方的不同MOS电容400a的阱区202彼此隔开而不互连，以确保金属图案300对MOS电容400a的接地遮蔽效果不受影响。另外，如图3所示，位于每一条金属图案300的正下方的MOS电容400a的栅极206、源极210和漏极212的延伸方向可实质上平行金属图案300的延伸方向。值得注意的是，电感250在对基板投影方向所视，P-type阱区202被金属图案300所覆盖，而基板200则位于未被金属图案300所覆盖的区域。
[0043]请再参考图4，在本发明的另一实施例中各个MOS电容400a的栅极206、源极210和漏极212的延伸方向可实质上垂直金属图案300的延伸方向。设置于相同接地遮蔽金属图案(金属图案300)下方的不同MOS电容400a的阱区202可彼此隔开而不互连，或者可彼此相连。或者，可于同一条金属图案300的正下方设置数个不同的MOS电容400a。
[0044]请再参考图2?图4，金属图案300与电感250之间可相隔至少两层以上的金属层。如图3、图4所示，举例来说，金属图案300形成于第二层金属层M2，电感250形成于第六层金属层M6与第七层金属层M7，金属图案300与电感250之间可通过位于第三层金属层M3的金属层310、位于第四层金属层M4的金属层312和位于第五层金属层M5的金属层314的三层金属层彼此隔开，且金属图案300与电感250之间垂直投影在金属层310(第三层金属层M3)、312(第四层金属层M4)、314(第五层金属层M5)的区域未有线路布置。另外，金属图案300的正下方可设置至少两条彼此平行的金属图案302-1、302-2。上述金属图案302-1、302-2分别耦接至MOS电容400a的两个电极，举例来说，金属图案302-1耦接至至MOS电容400a的源极210和漏极212，而金属图案302-2耦接至至MOS电容400a的栅极206。上述金属图案302-1、302-2可视为MOS电容400a的电极导线，金属图案302-1耦接至一电源网络的一接地节点(groundnode)或者親接至金属图案300，且金属图案302-2親接至一电源网络的一电源