节点(powernode)。换句话说，金属图案302-1为电性接地。如图3所示，MOS电容400a的等效电容以Cl标不O
[0045]配合以上实施例的说明，在本发明的另一实施例中，电感250还可形成于第六层金属层M6，第七层金属层M7以及位于第三层金属层M3的金属层310、位于第四层金属层M4的金属层312和位于第五层金属层M5的金属层314，用于形成三圈或更多闸圈的电感。
[0046]请再参考图2?图4，在本发明一些实施例中，金属图案302-1、302_2属于相同的金属层别，且分别与金属图案300属于不同的金属层别。换句话说，金属图案302-1、302-2分别与金属图案300占据内连线结构350的不同层金属层。金属图案300、金属图案302-1、302-2可通过上述内连线结构350的介电层(图未显示)彼此隔开且彼此平行。举例来说，当金属图案300利用第二层金属层M2形成时，金属图案302-1、302-2可利用第一层金属层Ml形成。并且，MOS电容400a位于金属图案302-1、302-2的正下方。金属图案302-1、302-2可具有与金属图案300相同或相似的形状(轮廓)，举例来说，金属图案302-1、302-2可为与金属图案300形状相同或相似的金属条。并且，金属图案302-1、302-2的宽度可设计小于金属图案300的宽度的二分之一。因此，在一俯视图(图2)中，金属图案302-1的一边界和金属图案302-2的一边界分别位于金属图案300的一边界内。意即金属图案302-1和金属图案302-2分别被金属图案300完全覆盖，以确保金属图案300对金属图案302-1、302-2和MOS电容400a的接地遮蔽效果不受影响。
[0047]图5为沿图2的C-C’切线的剖面示意图，其显示本发明另一实施例的集成电路装置500b的剖面示意图。集成电路装置500b包括设置于不同接地遮蔽金属图案下方的数个金属-氧化物-金属电容(MOM capacitor)400b。上述附图中的各元件如有与图1?图4所示相同或相似的部分，则可参考前面的相关叙述，在此不做重复说明。
[0048]如图5所不，在本发明一实施例中，金属-氧化物-金属电容(以下简称MOM电容)400b设置于基板200上。MOM电容400b的主要元件包括金属图案300、金属图案302-1、302-2，以及设置于金属图案300与金属图案302-1、302-2的一氧化层214。氧化层214可为内连线结构350中的一介电层。另外，金属图案302-1、302-2可为内连线结构350中相同层别的金属层，且分别与金属图案300为内连线结构350中相邻层别的金属层。举例来说，当金属图案300利用第二层金属层M2形成时，金属图案302-1、302-2可利用第一层金属层Ml形成。在本发明其他实施例中，金属图案302-1、302-2可通过两层以上垂直堆叠的氧化层与金属图案300相隔，仅需注意上述氧化层中不包括任何金属图案内嵌于其中。在本实施例中，上述金属图案302-1、302-2可视为MOM电容400b的电极，金属图案302-1耦接至一电源网络的一接地节点(ground node)或者親接至金属图案300，且金属图案302-2親接至一电源网络的一电源节点(power node)。换句话说，金属图案302-1为电性接地。如图5所示，MOM电容400b的等效电容为金属图案302-1、302-2之间的等效电容C2和金属图案302-2与金属图案300之间的等效电容C3的总合。
[0049]图6为沿图2的C-C’切线的剖面示意图，其显示本发明又一实施例的集成电路装置500c的剖面示意图。集成电路装置500c包括设置于不同接地遮蔽金属图案下方的数个金属-氧化物-金属电容(MOM capacitor)400c。上述附图中的各元件如有与图1?图5所示相同或相似的部分，则可参考前面的相关叙述，在此不做重复说明。图6所示的集成电路装置500c与图5所示的集成电路装置500b的不同处为，集成电路装置500c包括设置于金属图案300与金属图案302-1、302-2之间的金属图案304-1、304-2，设置于金属图案304-1、304-2与金属图案302-1、302-2之间的氧化层216，以及设置于金属图案300与金属图案304-1、304-2之间的氧化层218。氧化层216、218可属于内连线结构350中的一介电层。另外，金属图案302-1、302-2可属于内连线结构350中相同层别的金属层。金属图案304-1、304-2可属于内连线结构350中相同层别的金属层。金属图案302-1、302-2分别与金属图案304-1、304-2、金属图案300属于内连线结构350中不同层别的金属层。举例来说，当金属图案300利用第三层金属层M3形成时，金属图案304-1、304-2可利用第二层金属层M2形成，且金属图案302-1、302-2可利用第一层金属层Ml形成。在本发明其他实施例中，金属图案304-1、304-2可通过两层以上垂直堆叠的氧化层与金属图案300及/或金属图案302-1、302-2相隔，仅需注意上述氧化层中不包括任何金属图案内嵌于其中。
[0050]在本实施例中，上述金属图案302-1、302-2、304-1、304-2可视为MOM电容400c的电极。并且，上述金属图案302-1、302-2、304-1、304-2中彼此相邻的金属图案分别耦接至不同的节点。举例来说，金属图案302-1耦接至接地节点，相邻于金属图案302-1的金属图案302-
2、304-1耦接至电源节点，且相邻于金属图案302-2、304-1的金属图案304-2耦接至接地节点。换句话说，金属图案302-1、304-2为电性接地。如图6所示，MOM电容400c的等效电容为金属图案302-1、302-2之间的等效电容C4、金属图案302-1与金属图案304-1之间的等效电容C5、金属图案302-2与金属图案304-2之间的等效电容C6、金属图案304-1与金属图案300之间的等效电容C7和金属图案304-2与金属图案304-1、304-2之间的等效电容C8的总合。
[0051]图7为沿图2的C-C’切线的剖面示意图，其显示本发明其他实施例的集成电路装置500d的剖面示意图。图7所示的集成电路装置500d与图6所示的集成电路装置500c的不同处为，集成电路装置500d包括设置于不同接地遮蔽金属图案下方的数个MOM电容400c和设置于MOM电容400c下方的MOS电容400a。上述附图中的各元件如有与图1?图6所示相同或相似的部分，则可参考前面的相关叙述，在此不做重复说明。在本实施例中，上述金属图案302-
1、302-2、304-1、304-2可视为皿麗电容400(:的电极，且金属图案302-1、302-2可视为皿)3电容400a的电极。并且，上述金属图案302-1、302-2、304-1、304-2中彼此相邻的金属图案分别耦接至不同的节点。举例来说，金属图案302-1耦接至接地节点，相邻于金属图案302-1的金属图案302-2、304-1耦接至电源节点，且相邻于金属图案302-2、304-1的金属图案304-2耦接至接地节点。如图7所示，集成电路装置500d的等效电容为MOM电容400c和MOS电容400a的总口 O
[0052]本发明实施例提供一种集成电路装置，其将一MOS电容及/或一 MOM电容设置于芯片上电感元件的正下方，且位于用以屏蔽芯片上电感元件的接地遮蔽金属图案和基板之间的区域中。上述MOS电容利用设置于接地遮蔽金属图案的正下方，且利用位于MOS电容和接地遮蔽金属