所沉积的BSG膜的厚度优选为大于50nmo
[0062](4)、如图4所示，将同时沉积有BSG膜2和PSG膜3的N型单晶硅基体I放入退火炉(本实施例优选管式的退火炉)中进行退火处理，退火的峰值温度优选为700?1100°C，优选为900?1000°C，退火时间为30?200min，优选为60?200min，环境气源优选为N2和02，退火处理使得要掺杂的硼杂质和磷杂质分别从BSG膜2和PSG膜3中扩散到N型单晶硅基体I中，从而在N型单晶硅基体I的前表面形成ρ+掺杂的发射极4，在N型单晶硅基体I的背表面形成η+掺杂的基极5。
[0063](5)、如图5所示，将退火后的N型单晶硅基体I置于HF溶液中，用于去除硅基体前后表面的BSG膜2和PSG膜3，然后按照RCA标准清洗法的清洗流程对硅片进行清洗。
[0064](6)、如图7所示，在N型单晶娃基体I的前表面采用ALD(原子层沉积，Atomic layer(^卩08；[1:;[011)的方式先沉积一层厚度为不小于2111]1的41203介质膜8，然后在41203介质膜8上利用PECVD技术再沉积一层SiNx介质膜7，SiNx介质膜7的厚度优选为60nm?lOOnm，在N型单晶硅基体I背表面同样采用PECVD技术沉积一层SiNx介质膜，SiNx介质膜7的厚度优选为大于20nm，N型单晶硅基体I前表面的Al2O3介质膜8和SiNx介质膜7组成的复合膜的作用为实现硅基体前表面的钝化和光的减反射，硅基体背表面SiNx介质膜7的作用为实现硅基体背表面的钝化。
[0065](7)、如图10所示，通过丝网印刷工艺和共烧结工艺在N型单晶硅基体I的前表面实现与P+掺杂的发射极欧姆接触的P+电极9，P+电极9包括金属细栅线和金属主栅线;在N型单晶硅基体I的背表面实现与η+掺杂的基极欧姆接触的N+电极10，N+电极10也包括金属细栅线和金属主栅线，完成N型双面电池的制作。
[0066]本实施例中通过丝网印刷和共烧结的方式制作金属电极并与ρ+掺杂的发射极和η+掺杂的基极形成欧姆接触，与P+掺杂的发射极相欧姆接触的金属电极为正极金属电极，其包括相垂直设置的正极金属细栅线和正极金属主栅线。与η+掺杂的基极相欧姆接触的金属电极为负极金属电极，其包括负极金属细栅线和负极金属主栅线，这两种金属电极通过丝网印刷的方式分别印刷在镀膜后的N型单晶硅基体I前后表面，印刷结束后经一次烧结形成欧姆接触，制备工艺简单。
[0067]需要说明的是，本实施例中步骤(2)和步骤(3)的顺序可以调换，不影响本实施例的实施，调换之后亦在本发明的保护范围。
[0068]参见图10所示，本实施例还提供了一种基于APCVD技术的N型双面太阳能电池，包括N型晶体硅基体，~型晶体硅基体的前表面包括依次从内到外的P+掺杂的发射极4、钝化减反膜和与P+掺杂的发射极4欧姆接触的P+电极9;Ν型晶体硅基体的背表面包括依次从内到外的η+掺杂的基极5、钝化膜和与η+掺杂的基极5欧姆接触的N+电极1; ρ+掺杂的发射极4和η+掺杂的基极5利用APCVD技术分别沉积一层掺硼的S12和掺磷的S12,然后退火处理的方式制备。本实施例中钝化减反膜是Al2O3介质膜8与SiNx介质膜7组成的双层复合介质膜，钝化减反膜的厚度为70?IlOnm;钝化膜是单层的SiNx介质膜，钝化膜的厚度大于或者等于20nm。优选地，N型晶体硅基体前表面的SiNx介质膜7的厚度为60nm?100nm，N型晶体硅基体背表面的SiNx介质膜7厚度大于或者等于20nm;Al203介质膜8的厚度大于或者等于2nm。
[0069]本实施例提供的一种基于APCVD技术的N型双面太阳能电池的制备方法，利用APCVD设备沉积BSG膜2和PSG膜3的方式来实现发射极和基极的掺杂，不仅可以省去掩膜的工艺，而且也不需要边缘刻蚀，工艺流程简单可靠，降低了生产成本。仅需要一步高温退火处理就可以实现发射极和基极的同时掺杂，因此对N型硅片的高温破坏影响较小，从而可以有效提高产品良率。制备得到的基于APCVD技术的N型双面太阳能电池发电效率高、性能稳定。
[0070]本实施例采用Al2O3介质膜8对前表面ρ+掺杂的发射极4进行钝化，可以有效降低表面复合速率，提高电池的开路电压和短路电流。
[0071]实施例3
[0072]参见图1至图5、图8以及图11所示，本实施例提供的一种基于APCVD技术的N型双面太阳能电池的制备方法，包括如下步骤:
[0073](I)、选择N型晶体硅基体，并对N型晶体硅基体的前表面作制绒处理;本实施例中，如图1所不，所选用的N型晶体娃基体为有〈100〉晶向的N型单晶娃基体I，本实施例的N型单晶硅基体I是N型CZ单晶硅基体(按照直拉生长的方法得到的单晶硅)，N型单晶硅基体I的电阻率为0.5?15Ω.cm;N型单晶娃基体I的厚度为50?300μηι，优选80?200μπι;制绒处理的具体方式为:将该N型单晶硅基体I置于碱性水溶液中进行表面腐蚀以形成金字塔小绒面，碱性水溶液优选为氢氧化钠或氢氧化钾水溶液，制绒后的N型单晶硅基体I用质量浓度为5?10%的盐酸浸泡I?3分钟，优选2分钟，再用去离子水将N型单晶硅基体I漂洗干净，进行下一步骤。
[0074](2)、如图2所示，将步骤(I)处理后的N型单晶硅基体I放入工业用APCVD(常压化学气相沉积)设备中，在N型晶体硅基体的前表面沉积掺硼的S12膜，形成BSG膜2(硼硅玻璃)，所使用的硼源优选为气态的B2H6,沉积膜所用环境气体为SiH4和02，所沉积的BSG膜的厚度优选为大于50nmo
[0075](3)、如图3所示，将N型单晶硅基体I放入工业用APCVD设备中，在N型单晶硅基体I的背表面沉积掺磷的S12膜，形成PSG膜3(磷硅玻璃)，所使用的磷源优选为气态的PH3,沉积膜所使用的环境气体为SiH4和O2，沉积的PSG膜3的厚度优选为大于50nm。
[0076](4)、如图4所示，将同时沉积有BSG膜2和PSG膜3的N型单晶硅基体I放入退火炉(本实施例优选管式的退火炉)中进行退火处理，退火的峰值温度优选为700?1100°C，优选为900?1000°C，退火时间为30?200min，优选为60?200min，环境气源优选为N2和02，退火处理使得要掺杂的硼杂质和磷杂质分别从BSG膜2和PSG膜3中扩散到N型单晶硅基体I中，从而在N型单晶硅基体I的前表面形成ρ+掺杂的发射极4，在N型单晶硅基体I的背表面形成η+掺杂的基极5。
[0077](5)、如图5所示，将退火后的N型单晶硅基体I置于HF溶液中，用于去除硅基体前后表面的BSG膜2和PSG膜3，然后按照RCA标准清洗法的清洗流程对硅片进行清洗。
[0078](6)、如图8所示，将清洗后N型单晶硅基体I置于工业用管式退火炉中进行热氧化，热氧化温度优选为600?900°C，通氧氧化时间一般不少于10分钟，环境气源为犯和02，氧化结束后，将会在娃基体的前后表面形成Si02介质膜6，Si02介质膜6的厚度优选为2?15nm，氧化结束后，再用ALD的方式在N型单晶硅基体I前表面沉积一层厚度为2nm?1nm的Al2O3介质膜8，然后在Al2O3介质膜8上用PECVD的方式再沉积一层SiNx介质膜7，SiNx介质膜7的厚度优选为50nm?90nm，在N型单晶硅基体I背表面同样采用PECVD的方式沉积一层SiNx介质膜7，SiNx介质膜7的厚度优选为大于20nm，N型单晶硅基体I前表面的S12介质膜，Al2O3介质膜8和SiNx介质膜7的共同实现硅基体前表面的钝化和光的减反射，硅基体背表面的S12膜与背表面的SiNx介质膜的作用为实现硅基体背表面的钝化。
[0079 ] (7 )、如图11所示，通过丝网印刷工艺和共烧结工艺在N型单晶硅基体I的前表面实现与P+掺杂的发射极欧姆接触的P+电极9，P+电极9包括金属细栅线和金属主栅线;在N型单晶硅基体I的背表面实现与η+掺杂的基极欧姆接触的N+电极10，N+电极10也包括金属细栅线和金属主栅线，完成N型双面电池的制作。
[0080]本实施例中通过丝网印刷和共烧结的方式制作金属电极并与ρ+掺杂的发射极和η+掺杂的基极形成欧姆接触，与P+掺杂的发射极相欧姆接触的金属电极为正极金属电极，其包括相垂直设置的正极金属细栅线和正极金属主栅线。与η+掺杂的基极相欧姆接触的金属电极为负极金属电极，其包括负极金属细栅线和负极金属主栅线，这两种金属电极通过丝网印刷的方式分别印刷在镀膜后的N型单晶硅基体I前后表面，印刷结束后经一次烧结形成欧姆接触，制备工艺简单。
[0081]本实施例还提供了一种基于APCVD技术的N型双面太阳能电池，包括N型晶体硅基体，N型晶体硅基体