由具有高逸出功的金属材料制 成。为了表现出反射性质，阳极241可由反射材料制成或者可在其底表面上包括反射板。阳 极241处的电压对应于借助漏极224显示图像的图像信号。
[0072]堤244设置在像素111的非发光区之间的平整层228上并且可具有减缩的形状。堤 244重叠(或覆盖）阳极241的边缘的至少一部分。堤244的高度介于例如Ιμπι和2μπι之间。 [0073]间隔体245可形成在堤244上。间隔体245可由与堤244相同的材料制成。例如，堤 244和间隔体245可由聚酰亚胺制成。间隔体245可保护有机发光元件240不因在其上接触且 用于将有机发光层242图案化的细小金属掩模(FMM)而受损。间隔体245的高度介于例如1.5 μπι和2.5μπι之间。这个构造允许在使用FMM的过程期间有机发光元件240受损减少。然而，间 隔体245是可选的，因此可不形成在堤244上。这种间隔体可用于保持基板之间所需的间隙 或距离。
[0074]当堤244和间隔体245由有机材料制成时，氧气和湿气可不费力地渗透它们。因此， 如果在形成在堤244和间隔体245上的阴极243中出现裂缝(或其它不规则体），则有机发光 元件240靠近裂缝的那些部分可被渗透堤244和间隔体245的氧气氧化。然而，间隔体245可 以是可选的，因此可根据有机发光元件240的有机发光层242的类型来除去间隔体245。 [0075]有机发光层242形成在阳极241上。阴极243被设置成面对阳极241，使有机发光层 242在阴极243和阳极241之间。有机发光层242可由磷光材料、荧光材料、其组合、或某种其 它发光材料制成，并且包括电子传输层(ETL)、空穴传输层(HTL)和电荷产生层(CGL)。可实 现与电子、空穴和电荷特性相关的额外层。另外，各种功能可被组合成或一体形成为单层。
[0076]阴极243由具有低逸出功的极薄金属材料或透明导电氧化物(TCO)制成。对于由金 属材料制成的阴极243,其厚度可以是150:0 A或更小、或400Α或更小。当厚度在以上范围内 时，阴极243是大体透反射层，因此是大体透明层。公共电压Vss被施加到阴极243。
[0077]覆盖层246(或某种其它等同功能层)设置在阴极243上。采用覆盖层246来改进有 机发光元件240的光学性质。覆盖层246可由具有高折射率的材料制成。例如，当覆盖层246 具有从1.7至2.5的折射率时，可提高有机发光元件240的发光效率和视角。覆盖层246的厚 度可介于100 A和1000 A之间。覆盖层246可由诸如48^11&、附、(：11、211和0的过渡金属制 成。尽管在图2中覆盖层246被包括在OLED装置100中，但根据特定的OLED装置或显示应用的 特性可从中除去覆盖层246。
[0078] 选通驱动器113包括多个薄膜晶体管。选通驱动器113的这多个薄膜晶体管在同一 过程期间随着像素区Α/Α中的薄膜晶体管220-起形成。因此，为了避免冗余，将不描述选通 驱动器113的薄膜晶体管。
[0079] 公共电压线116可由与选通线112和/或数据线114相同的金属制成，成为单层或多 层。
[0080] 公共电压线116向阴极243施加公共电压Vss。薄膜晶体管绝缘层227可设置在公共 电压线116上。相比于选通驱动器113,公共电压线116被更多设置于外部。
[0081 ] 连接部件260可设置在选通驱动器113上方的平整层228上。连接部件260将公共电 压线116连接到阴极243。连接部件260可由与阳极241相同的材料制成。
[0082] 连接部件260沿着平整层228-端的倾斜表面连接到公共电压线116。如果在连接 部件260和公共电压线116之间存在绝缘层，则连接部件260经由接触孔连接到公共电压线 116〇
[0083]阴极243设置在堤244和/或间隔体245上，延伸到边框区B/A的部分。阴极243连接 到其中没有形成堤的边框区B/A中的连接部件260。
[0084] 将简要描述上述结构的操作。薄膜晶体管220的栅极222借助选通线112接收在栅 极113中产生的驱动信号。另外，有源层221的导电性响应于施加到栅极222的信号而变化。 然后，经由有源层221施加到源极223的图像信号被施加到阳极241。然后，公共电压Vss被施 加到阴极243并且有机发光层242发光，从而显示图像。
[0085] 迄今为止，描述了相对于设置在边框区B/A和像素区A/A中的薄膜晶体管220和有 机发光元件240的横截面的结构。
[0086]下文中，将描述根据本公开的示例性实施方式的OLED装置100的透明包封单元 130。透明包封单元130包括抗氧化层134、无机氧化物包封层131、第一有机层132和第一无 机包封层133。
[0087]抗氧化层134形成在像素区A/A中的覆盖层246上。具体地，抗氧化层134覆盖(或重 叠)至少像素区A/A中的覆盖层246。
[0088]如果在阴极243上没有形成覆盖层，则抗氧化层134直接设置在阴极243上并且覆 盖(或重叠）阴极243。
[0089]抗氧化层134阻断因阴极243中的裂缝形成的氧气和湿气渗透路径，从而抑制有机 发光元件240被氧化。使用诸如氮气(N2)、氩气(Ar)和氦气(He)的惰性气体形成抗氧化层 134，使有机发光元件240不被氧化。通过这样做，在形成抗氧化层134的过程期间，有机发光 元件240没有被氧化。
[0090]在形成抗氧化层134的过程中，使用氮化硅（SiNx)或氮氧化硅（SiON)。抗氧化层 134抑制在阴极243中出现裂缝时有机发光元件240被氧化。因此，抗氧化层134可被构造得 尽可能薄，只要氧〇2等离子体(或由于其它源)造成的氧化可被抑制。例如，抗氧化层134可 具有Iym或更小的厚度。例如，抗氧化层134可具有介于Ο.?μπι和0.9μπι之间的厚度。特别地， 如果抗氧化层134具有0.9μπι或更大的厚度，则抗氧化层134具有较小柔性并且在抗氧化层 134中更容易出现裂缝。因此，为了实现柔性显示装置，期望的是，使抗氧化层134的厚度尽 可能小，只要可有效抑制有机发光元件240被氧化。可根据最终产品中的OLED装置的所需特 性，依据性能权衡，设置特定厚度。例如，具有可折叠形状因子的智能电话或台可需要更好 的柔性，而最低抗氧化水平将是充分的。另选地，更容易被氧气渗透的环境中的OLED产品 (例如，室外广告显示器、车辆显示屏等)可被构造有相对较厚的抗氧化层，尽管将损失一定 量的柔性。可通过化学气相沉积(CVD)形成抗氧化层134。特别地，当在短时段沉积时间内执 行CVD时，可以减少OLED装置100的制造时间。
[0091]通过在形成抗氧化层134之后形成无机氧化物包封层131，可以抑制有机发光元件 240被沉积无机氧化物包封层131的过程期间使用的氧(O2)等离子体或其它源氧化。
[0092]无机氧化物包封层131由氧化铝(Al2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化钛(TiO)制成。可通过 原子层沉积(ALD)形成无机氧化物包封层131。
[0093] 无机氧化物包封层131的厚度可介于200A至1500A之间。特别地，通过ALD形成的 无机氧化物包封层131可有效地抑制湿气渗透，即使无机氧化物包封层131相对薄。另外，因 为无机氧化物包封层131可被制得相对薄，所以它有利于在薄的柔性显示装置中实现。此 外，因为无机氧化物包封层131可实现高可视透光率，所以它适于顶部发射型OLED装置。 [0094]第一有机层132设置在无机氧化物包封层131上。第一有机层132可由聚合物树脂 制成。例如，可使用丙烯酸树脂或环氧树脂。这种聚合物树脂能流动（由于一定表面张力和 流体特性)并且可将因堤244或间隔体245造成的水平（或层高度)差异变平整(或平坦）。可 通过丝网印刷、狭缝涂覆、喷墨印刷或电子喷涂形成第一有机层132。
[0095]第一有机层132可具有介于3μπι和20μπι之间的厚度。例如，第一有机层132可具有介 于5μηι和1 Ομπι之间的厚度。如果第一有机层13 2的厚度是3μηι或更小，则在丝网印刷过程期间 可能不正确地涂敷某个部分，因此出现不期望的针孔。如果第一有机层132的厚度是ΙΟμπι或 更大，则柔性显示装置的柔性减小，从而造成当装置被弯曲或挠曲时更容易出现裂缝。 [0096] 第一有机层132可由碳氧化硅(SiOC)制成。碳氧化硅的碳含量是1%至50%。因碳 含量较高，碳氧化硅变得更能流动，使得它可容易地覆盖(或补偿)异物或碎肩颗粒，因此表 现出更佳的平整。如果第一有机层132由碳氧化硅制成，则它的厚度是1.5μπι至3μπι。
[0097]第一无机包