阵列基板及其制造方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
【背景技术】
[0002] 随着显示技术的不断发展，诸如液晶显示器(英文:Liquid Crystal Display;简 称:IXD)等显示装置广泛应用于显示领域。
[0003] LCD通常包括阵列基板，阵列基板包括衬底基板以及依次形成在衬底基板上的栅 极、栅绝缘层、有源层、源漏极金属层、钝化层和像素电极。其中，有源层通过一次构图工艺 形成，在形成源漏极金属层时，可以先在形成有有源层的衬底基板上形成金属材质层，然后 通过一次构图工艺对该金属材质层进行处理形成源漏极金属层，在通过一次构图工艺对金 属材质层进行处理的过程中，需要对该金属材质层进行刻蚀。相关技术中，为了避免刻蚀过 程损伤有源层，在形成源漏极金属层之前，可以通过一次构图工艺在有源层上形成阻挡层 对有源层进行保护，然后在形成阻挡层的衬底基板上形成源漏极金属层。
[0004] 但是，由于相关技术通过一次构图工艺形成阻挡层(也即是，有源层和阻挡层分别 通过一次构图工艺形成），因此阵列基板的制造过程额外增加了一次构图工艺(额外增加了 阻挡层的形成工艺），影响了生产效率，导致阵列基板的产能较低。
【发明内容】
[0005] 为了解决相关技术中存在的问题，本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示 装置。所述技术方案如下：
[0006] 第一方面，提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：
[0007] 在衬底基板上依次形成栅极和栅绝缘层；
[0008] 在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上依次形成有源层薄膜和阻挡层薄膜；
[0009] 通过一次构图工艺对所述有源层薄膜和所述阻挡层薄膜进行处理，形成有源层和 阻挡层。
[0010] 可选地，所述通过一次构图工艺对所述有源层薄膜和所述阻挡层薄膜进行处理， 形成有源层和阻挡层，包括：
[0011]在形成有所述阻挡层薄膜的衬底基板上形成光刻胶层；
[0012] 对形成有所述光刻胶层的衬底基板依次进行曝光、显影、刻蚀，形成依次叠加的有 源层、阻挡层图形和光刻胶图形，所述有源层、所述阻挡层图形和所述光刻胶图形的形状相 同；
[0013] 对所述光刻胶图形进行灰化处理，露出所述阻挡层图形的待刻蚀区域；
[0014] 对所述待刻蚀区域进行刻蚀，形成所述阻挡层，露出所述有源层上用于与待形成 的源极和漏极搭接的台阶结构的台阶面；
[0015] 剥离所述光刻胶层上剩余的光刻胶。
[0016] 可选地，所述对所述光刻胶图形进行灰化处理，露出所述阻挡层图形的待刻蚀区 域，包括：
[0017] 采用至少两种气体，在预设灰化功率、预设气体压力、预设灰化速率下，对所述光 刻胶图形灰化预设时长，露出所述阻挡层图形的待刻蚀区域。
[0018] 可选地，所述至少两种气体包括:氧气和六氟化硫气体。
[0019] 可选地，所述预设灰化功率的取值范围为:4500瓦特~5500瓦特。
[0020] 可选地，所述预设气体压力的取值范围为：150毫托~200毫托。
[0021 ] 可选地，所述预设灰化速率为:140埃每秒。
[0022 ] 可选地，所述预设时长的取值范围为:51秒~74秒。
[0023] 可选地，所述台阶结构的台阶面的宽度的取值范围为:1.0微米~1.2微米。
[0024] 可选地，在所述通过一次构图工艺对所述有源层薄膜和所述阻挡层薄膜进行处 理，形成有源层和阻挡层之后，所述方法还包括：
[0025] 在形成有所述阻挡层的衬底基板上依次形成源漏极金属层、钝化层和像素电极；
[0026] 其中，所述有源层包括用于与待形成的源极和漏极搭接的台阶结构，所述源漏极 金属层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别搭接在所述台阶结构上，且所述源极和 所述漏极不接触，所述钝化层上形成有过孔，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极接触。 [0027]可选地，所述源漏极金属层的厚度的取值范围为:2000埃~3500埃；
[0028]所述钝化层的厚度的取值范围为:2500埃~6000埃。
[0029] 第二方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括:衬底基板，
[0030] 所述衬底基板上依次形成有栅极、栅绝缘层、有源层、阻挡层、源漏极金属层、钝化 层和像素电极；
[0031] 其中，所述有源层包括台阶结构，所述源漏极金属层包括源极和漏极，所述源极和 所述漏极分别搭接在所述台阶结构上，且所述源极和所述漏极不接触，所述钝化层上形成 有过孔，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极接触；
[0032] 所述台阶结构的台阶面的宽度的取值范围为:1.0微米~1.2微米；
[0033]所述源漏极金属层的厚度的取值范围为:2000埃~3500埃；
[0034]所述钝化层的厚度的取值范围为:2500埃~6000埃。
[0035]第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括:第二方面所述的阵列基板。
[0036] 本发明提供的技术方案带来的有益效果是：
[0037] 本发明提供的阵列基板及其制造方法、显示装置，该方法包括:在衬底基板上依次 形成栅极和栅绝缘层;在形成有栅绝缘层的衬底基板上依次形成有源层薄膜和阻挡层薄 膜;通过一次构图工艺对有源层薄膜和阻挡层薄膜进行处理，形成有源层和阻挡层。本发明 通过将有源层与阻挡层采用一次构图工艺形成，减少了 mask的使用次数，提升了产能，且通 过灰化工艺形成有源层的台阶形状，使得有源层与源极和漏极通过台阶结构紧密搭接，减 少了有源层与源极和漏极搭接的不良。
[0038] 应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本 发明。
【附图说明】
[0039] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于 本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他 的附图。
[0040]图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0041 ]图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的方法流程图；
[0042]图3-1是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的方法流程图；
[0043] 图3-2是图3-1所示实施例提供的一种在衬底基板上形成栅极后的结构示意图；
[0044] 图3-3是图3-1所示实施例提供的一种在形成有栅极的衬底基板上形成栅绝缘层 后的结构不意图；
[0045] 图3-4是图3-1所示实施例提供的一种在形成有栅绝缘层的衬底基板上形成有源 层薄膜后的结构示意图；
[0046] 图3-5是图3-1所示实施例提供的一种在形成有有源层薄膜的衬底基板上形成阻 挡层薄膜后的结构示意图；
[0047] 图3-6是图3-1所示实施例提供的一种通过一次构图工艺对有源层薄膜和阻挡层 薄膜进行处理形成有源层和阻挡层后的结构示意图；
[0048] 图3-7是图3-1所示实施例提供的一种通过一次构图工艺对有源层薄膜和阻挡层 薄膜进行处理形成有源层和阻挡层的方法流程图；
[0049]图3-71是图3-1所示实施例提供的一种在形成有阻挡层薄膜的衬底基板上形成光 刻胶层后的结构示意图；
[0050] 图3-72是图3-1所示实施例提供的一种对形成有光刻胶层的衬底基板依次进行曝 光、显影、刻蚀，形成依次叠加的有源层、阻挡层图形和光刻胶图形后的结构示意图；
[0051] 图3-72a是图3-72所示实施例提供的一种对形成有光刻胶层的衬底基板依次进行 曝光、显影后的结构示意图；
[0052]图3-72b是图3-72所示实施例提供的一种对阻挡层薄膜进行刻蚀后的结构示意 图；
[0053]图3-73是图3-1所示实施例提供的一种对光刻胶图形进行灰化处理后的结构示意 图；
[0054]图3-74是图3-1所示实施例提供的一种对光刻胶图形进行灰化处理前后的对照 图；
[0055]图3-75是图3-1所示实施例提供的一种对待刻蚀区域