光电子的半导体组件和用于机动车辆的自适应前照灯的制作方法
【专利摘要】在至少一个实施方式中，光电子的半导体组件(1)具有载体(2)。多个有源区(33)安置在载体上侧(23)上并且设立用于产生辐射。至少三个电接触部位(4)位于载体下侧(24)上。半导体组件(1)具有用于半导体组件(1)电寻址并且用于电控制有源区(33)的至少一个控制单元(5)。在俯视图中观察，有源区(33)以规则的网格安置。有源区(33)的辐射主侧(30)的几何中心(P)以如下公差位于网格的网格点上，所述公差为网格尺寸的至多20％。在俯视图中观察，边缘的有源区(33)的几何中心(P)距载体(2)的离得最近的棱边的距离(D)在此为网格尺寸的至多60％。
【专利说明】
光电子的半导体组件和用于机动车辆的自适应前照灯
技术领域
[0001]提出一种光电子的半导体组件。此外，提出一种用于机动车辆的自适应前照灯。
【发明内容】
[0002]待实现的目的在于:提出一种光电子的半导体组件，光电子的半导体组件可有效地控制和设置。
[0003]该目的还通过具有独立权利要求的特征的光电子的半导体组件并且通过自适应前照灯来实现。优选的改进形式是从属权利要求的主题。
[0004]根据至少一个实施方式，光电子的半导体组件具有载体。载体具有载体上侧和与该载体上侧相对置的载体下侧。载体上侧和载体下侧分别是主侧并且尤其是平坦的。载体优选为机械稳定半导体组件的部件，使得半导体组件在没有载体的情况下可能是机械不稳定的。载体例如是所谓的散热基板。
[0005]根据至少一个实施方式，半导体组件具有多个有源区。有源区在半导体组件运行时设立用于发射辐射。在有源区中例如产生可见光、尤其蓝光或白光或黄光或橙光或红光。
[0006]根据至少一个实施方式，有源区安置在载体上侧上。有源区能够与载体上侧接触，或者优选地与载体上侧间隔开地安置。
[0007]根据至少一个实施方式，有源区分别集成在半导体层序列中或光电子的半导体芯片中。有源区中的每一个例如都是半导体芯片中的、尤其发光二极管中的或激光二极管中的产生辐射的区域。有源区和/或半导体芯片在此优选具有至少一个半导体层序列或由其构成。
[0008]半导体层序列优选基于II1-V族化合物半导体材料。半导体材料例如是氮化物-化合物半导体材料如AlnIninGamN或是磷化物-化合物半导体材料如AlnIninGamPS者也为砷化物-化合物半导体材料如AlnIm-n—mGamAs，其中分别有O < η < 1,0 < m < I并且n+m< I。在此，半导体层序列能够具有掺杂剂以及附加的组成部分。然而，为了简单起见仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些主要组成部分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充时也如此。
[0009]根据至少一个实施方式，半导体组件在载体下侧上具有至少三个电接触部位。半导体组件例如具有刚好三个或刚好四个电接触部位。电接触部位至少设立用于电连接半导体组件。同样可行的是:电接触部位设立用于将半导体组件机械固定在外部部件上和/或用于将半导体组件热学联接在外部部件上。接触部位例如针对焊料或针对能导电的粘结剂来确定。
[0010]根据至少一个实施方式，半导体组件具有至少一个控制单元。控制单元优选设立用于对半导体组件进行电寻址和/或用于电控制有源区。特别地，控制单元为所谓的微控制器。
[0011]根据至少一个实施方式，在俯视图中观察，有源区以规则的网格安置在载体上侧上。有源区例如矩阵状地设置。网格能够为矩形网格或方形网格。网格具有至少一个网格尺寸。在方形栅格的情况下，网格尺寸对应于相邻的栅格点之间的沿着最短的连接线的间距。如果网格例如为矩形网格，那么网格能够具有两个网格尺寸。至少一个网格尺寸以及网格优选在整个载体上侧之上保持不变地延伸。
[0012]根据至少一个实施方式，在俯视图中观察，有源区在背离载体的辐射主侧上具有几何中心。在方形或矩形成形的辐射主侧中，几何中心尤其是辐射主侧的对角线的交点。
[0013]根据至少一个实施方式，在尤其在载体上侧和/或辐射主侧的俯视图中观察，辐射主侧的几何中心位于网格的网格点上。在俯视图中观察，几何中心以如下公差位于网格点上，所述公差优选为网格尺寸的或平均的网格尺寸的至多30%或20%或10%或5%。几何中心的位置与网格点的这种较小的偏差尤其归因于安装公差。尤其优选地，在几何中心的位置和网格点之间不产生有意的偏差。
[0014]根据至少一个实施方式，在俯视图中观察，边缘的有源区的几何中心距载体的离得最近的棱边的距离D至多为网格尺寸M的60 % ο优选地，该间距至多为50 %或45 %或40 %和/或为至少15%或25%或30%。在此，边缘表示:相应的有源区在朝向距离得最近的棱边的方向上不与另一有源区相邻，并且不邻接于任何朝向离得最近的棱边的有源区。替选地或附加地，对于与网格尺寸M有关的距离D适用的是:(M-0.3mm)/2 < D < (M-0.lmm)/20
[0015]在至少一个实施方式中，光电子的半导体组件具有载体，所述载体具有载体上侧和载体下侧。多个有源区安置在载体上侧上并且设立用于产生和发射辐射。至少三个电接触部位位于载体下侧上并且设立用于电地和/或机械地和/或热学地连接半导体组件。半导体组件还具有用于对半导体组件进行电寻址的并且用于电控制有源区的至少一个控制单元。在此，在俯视图中观察，有源区以具有网格尺寸的规则的网格安置在载体上侧上。有源区的辐射主侧的几何中心以如下公差位于网格的网格点上，所述公差为网格尺寸的至多20%。边缘的有源区的几何中点距载体的离得最近的棱边的距离在此为网格尺寸的至多60%、优选至多50%。
[0016]尤其在汽车制造中，具体在自适应前灯系统中观察到趋向越来越高的分辨率的趋势。如果各个发光二极管模块借助各两个端子、即用于阳极的以及用于阴极的端子矩阵状地设置，那么布线耗费是相对高的。此外，多个发光二极管模块的设置在安装时是易出错的。由于对于印制导线而言的所需要的空间还限制设置密度。印制导线的大小由于发光二极管模块的相对高的电流需求在此向下受到限制，印制导线必须具有相对大的横截面。
[0017]在此处所描述的半导体组件中，多个有源区或多个设立用于产生辐射的半导体芯片集成在共同的载体上并且可经由控制单元有针对性地响应。尤其通过几何中心朝向边缘的距离小于网格尺寸的方式，实现有源区在多个半导体组件之上的均匀的设置。
[0018]根据至少一个实施方式，网格是nXm矩阵。在此，n、m分别是大于或等于2的、大于或等于3的或大于或等于4的自然数。替选地或附加地，n、m至多为32或25或12或8或6。
[0019]根据至少一个实施方式，半导体组件是可表面安装的。换而言之，半导体组件因此可通过表面安装技术固定在外部载体上，表面安装技术英文为Surface Mount Technology或简称SMT。
[0020]根据至少一个实施方式，分别将一个或多个转换元件分配给有源区中的一些或全部。特别地，转换元件位于有源区的背离载体的一侧上。至少一个转换元件能够构成为小板或包封件，并且设立用于完全地或部分地转换在相应的有源区中产生的辐射。例如在有源区中产生的蓝光的一部分例如经由转换元件转换成黄光，使得产生白光。
[0021]根据至少一个实施方式，在载体上侧的俯视图中观察，转换元件分别完全地遮盖辐射主侧。在此，转换元件能够各自与相应的有源区全等地设置或者也环绕地超出相应的有源区。替选地，可行的是:在俯视图中观察，转换元件分别小于有源区并且被有源区超出。唯一的转换元件也能够遮盖全部有源区。
[0022]根据至少一个实施方式，在俯视图中观察，有源区和/或转换元件环绕地由反射器包封件包围。反射器包封件能够为如下材料，所述材料对于观察者而言显现为白色。优选地，反射器包封件形状配合地包围转换元件，并且在平行于载体上侧的方向上直接接触所述转换元件。
[0023]根据至少一个实施方式，相邻的有源区之间的和/或相邻的半导体芯片之间的平均间距为网格尺寸的至多70 %或45 %或30 %或20 %。平均间距在此优选沿平行于载体上侧的方向来确定。换而言之，半导体芯片和/或有源区彼此间以小的间距设置并且紧密地设置在载体上侧上。
[0024]根据至少一个实施方式，载体为硅载体或锗载体。也就是说，载体因此由半导体材料形成或包括半导体材料。在此，能够将另外的层、尤其电绝缘的层或金属的印制导线安置在载体上。
[0025]根据至少一个实施方式，控制单元单片地集成在载体中。这尤其表示:控制单元不是后续地施加到载体上的单独的部件。因此，在载体和控制单元之间不存在连接机构。控制单元因此例如在载体中或借助载体生长和/或借助于植入离子在载体中产生。
[0026]根据至少一个实施方式，控制单元具有一个或多个晶体管和/或电开关。开关和/或晶体管在此能够基于硅或锗并且具有相应的掺杂部。
[0027]根据至少一个实施方式，控制单元通过由重结晶的硅构成的层形成或者包括至少一个这种层。晶体管和/或开关能够构成到所述层中。
[0028]根据至少一个实施方式，控制单元、尤其由重结晶的硅构成的至少一个层位于载体上侧或载体下侧上。优选地，控制单元因此安置在载体和有源区之间。可行的是:有源区唯一地经由控制单元与载体电地和/或机械地接触。
[0029]根据至少一个实施方式，控制单元包括或者是串行的移位寄存器。移位寄存器优选具有一个、尤其刚好一个数据输入端和一个或多个信号输出端。信号输出端优选与有源区和/或半导体芯片电连接。特别地，信号输出端与开关导电连接，其中开关中每一个都与有源区和/或半导体芯片中的一个电并联。
[0030]根据至少一个实施方式，在载体下侧上安置有用于电压线路的或电压供应的或电流供应的刚好一个电接触面。替选地或附加地，在载体下侧上存在用于接地线路或接地接触部的刚好一个电接触面。此外，用于数据线路的一个或两个或多于两个的接触面能够位于载体下侧上。优选地，刚好两个用于数据线路的接触面、即一个用于数据输入端的接触面和一个用于数据输出端的接触面安置在载体下侧上。
[0031]根据至少一个实施方式，不同的有源区和/或不同的半导体芯片设计用于产生具有彼此不同的光谱组分的辐射。以这种方式，可调节由半导体组件发射的辐射的色彩印象。
[0032]根据至少一个实施方式，半导体组件的全部有源区和/或半导体芯片设立用于:在运行时放射相同颜色的光。在此，优选确定由特定的有源区和/或由特定的半导体芯片放射的光的颜色进而使其是不可调节的。半导体组件例如因此仅设立用于:作为前照灯发射白光或作为闪光器仅发射橙光或作为刹车光仅发射红光。
[0033]根据至少一个实施方式，半导体组件中尤其基于半导体层序列的有源区中的至少多个具有共同的生长衬底。在生长衬底上生长半导体层序列。有源区随后分别在半导体层序列中具有相同的材料组分和相同的层厚度。
[0034]根据至少一个实施方式，构造有源区的半导体材料在相邻的有源区之间完全地或部分地被移除。在此，关于有源区的结构化例如通过刻蚀进行。在生长半导体层序列之后，因此优选不后续地改变有源区彼此间的相对位置。
[0035]此外，提出一种自适应前照灯。前照灯尤其为用于机动车辆的前照灯，例如汽车前灯。前照灯包括多个如结合上述实施方式中的至少一个所说明的半导体组件。因此，半导体组件的特征也针对前照灯公开并且反之亦然。
[0036]在至少一个实施方式中，半导体组件安置在安装平台上，尤其安置在共同的且一件式的安装平台上。在此，半导体组件设置在安装平台上，使得全部半导体组件的全部有源区或半导体组件中的至少多个半导体组件的全部有源区以如下公差位于规则的网格的网格点上，所述公差为网格尺寸的至多20 %或1 %或5 %。在此，优选使用辐射主侧的几何中心作为相应的有源区的位置。在此，网格在全部半导体组件之上或在半导体组件中的至少多个半导体组件之上保持不变地延伸。在此不强制性地需要安装平台平坦地成形。
[0037]根据至少一个实施方式，多个或全部半导体组件经由至少一个共同的数据线路彼此连接。特别地，半导体组件中的多个经由刚好一个共同的数据线路彼此连接。术语共同的数据线路不排除:数据线路穿过半导体组件中的单一的半导体组件或穿过全部半导体组件中的所有半导体组件。也就是说，数据线路不是唯一的、在物理意义上连续的数据线路或印制导线。
[0038]根据至少一个实施方式，经由控制单元可彼此无关地控制前照灯的有源区中的单一的有源区或者控制有源区的组。这优选在相应的半导体组件之内也是适用的。由此在电子方面可有针对性地调节和改变如下照明范围，前照灯放射辐射到所述照明范围中。
[0039]根据至少一个实施方式，半导体组件中的多个半导体组件或半导体组件中的全部半导体组件经由共同的电压线路和/或经由共同的接地线路彼此连接。尤其不需要的是，对于半导体组件中的每个半导体组件而言存在自身的电压线路。
【附图说明】
[0040]在下文中，参照附图根据实施例详细阐述在此所描述的光电子的半导体组件以及在此所描述的前照灯。在此，相同的附图标记在各个附图中说明相同的元件。然而，在此示出不以合乎比例的关系示出，更确切地说，为了更好的理解能够夸大地示出各个元件。
[0041 ] 附图示出:
[0042]图1和3示出在此所描述的光电子的半导体组件的实施例的示意图，
[0043]图2、4和5示出在此所描述的自适应前照灯的实施例的示意图，以及
[0044]图6示出半导体芯片的设置的变型形式。
【具体实施方式】
[0045]在图1A中示出光电子的半导体组件I的一个实施例的示意俯视图，在图1B中示出其示意剖面图。
[0046]半导体组件I具有载体2。在载体下侧24上安置有多个电接触部位4。在与载体下侧24相对置的载体上侧23上设置有分别具有刚好一个用于产生可见光的有源区33的多个光电子的半导体芯片3。接触部位4和半导体芯片3之间的电通孔以及电路为了简化视图未被示出。
[0047]半导体芯片3以2X2矩阵设置。为了对半导体组件I寻址以及为了有针对性地控制半导体芯片3中的各个半导体芯片，在载体2中单片地集成有控制单元5。控制单元5尤其为微控制器。对此，载体2例如是硅载体。控制单元5因此优选包括寄存器、多个晶体管和开关。控制单元5以娃工艺制造。
[0048]在俯视图中观察，半导体芯片3的辐射主侧30分别具有几何中心P。中心P位于网格的网格点上。网格通过点划线来表征。在俯视图中观察，对应于相邻的网格点之间的最短间距的网格尺寸M在此对应于几何中心P距载体2的分别离得最近的棱边的间距D的最大两倍。由此，在俯视图中观察，半导体组件I之内的相邻的半导体芯片3之间的间距显著大于边缘的半导体芯片3朝向棱边的距离。
[0049]由此可行的是，由多个半导体组件构造较大的装置，其中网格在全部半导体组件I之上保持恒定，参见图2中的自适应前照灯10的俯视图。因为半导体芯片3中的多个组合成共同的半导体组件1，所以半导体组件I的电接触面4与在单一的半导体芯片I中这种情况相比也能够更大地成形。
[0050]即使在半导体组件I中的半导体芯片3中的多个半导体芯片还没有控制单元5的情况下，也能够由此得到降低数量的接触部位4，因为对于半导体组件I中的i个半导体芯片3仅需要i+Ι个接触部而不是2i个接触部。就此关于半导体组件I所进行的描述因此能够相应地转用于没有控制单元的变型形式，尤其关于半导体芯片3和/或有源区33的设置。
[0051]可选地，如也在全部其他的实施例中那样，根据图1的半导体芯片3和/或有源区33以及转换元件6在平行于载体上侧23的方向上以反射器包封件7包围。反射器包封件7例如为硅酮，所述硅酮被添加有例如由二氧化钛构成的反射颗粒。反射性的包封件7能够在平行于载体上侧23的方向上与载体2齐平。在远离载体2的方向上，转换元件6和反射器包封件7优选同样彼此齐平。用于接触半导体芯片3和/或有源区33的键合线能够完全地嵌入反射器包封件7中。
[0052]替选于图1的壳体构型，也能够使用基于陶瓷的壳体。同样地，能够使用具有引线框、英语为Leadf rame的壳体，所述引线框例如是“卷带”或简称ABF或者AdvancedPatterning Film(先进的图膜)类型的导体框或者还有基于薄膜的导体框类型的导体框，例如基于铜薄膜、尤其QFN壳体构型类的导体框。此外，能够考虑尤其具有以电镀的方式产生的金属化部的注射的壳体形式，具体而言是呈CiF构型或芯片框架封装(Chip in-Frame)构型形式的壳体形式。这些替选的壳体形式也能够给在所有其他的实施例中使用。
[0053]在根据图3A的俯视图中和在根据图3B的下视图中可见半导体组件I的另一实施例。半导体芯片3在此以2X3矩阵设置。由此六个半导体芯片3具有用于接地接触部GND的共同的接触部位以及用于电压线路VCC的共同的接触部位。此外，设有用于数据线路8的两个接触部位4，所述两个接触部位被划分成用于数据输入端的接触部位Din和用于数据输出端的接触部位Dout ο与根据图3B的视图不同，接触部位4也能够不同地定位，使得例如接触部位Din和Dout不位于接触部位GND和VCC之间。
[0054]在图4中的示意性的下视图中图解说明具有半导体组件I中的多个半导体组件的前照灯10的相应的设置，所述半导体组件尤其如在图3中所示出的那样。
[0055]在此，用于相邻的半导体组件I的数据输入端Din和数据输出端Dout的相邻的接触部位总是位于相同的电势上。由此能够降低相邻的半导体组件I之间的间距，因为不必须遵守安装平台11上的因电势引起的距离。电压线路VCC以及接地线路GND也能够不同于根据图4的视图经由半导体组件I中的多个半导体组件组成。
[0056]借以控制各个半导体组件I的数据组的处理、分级的布线平面以及安装平台11上的印制导线为了简化分别没有图解说明。可选地，在图4中未示出的控制单元5中，也能够处理或接收其他的信息或控制数据，例如运行电压的与使用寿命相关的校正或者温度相关的保护。也能够在安装平台11上或在各个半导体组件I中执行短路的检测。
[0057]如也在全部其他实施例中那样可行的是:数据线路8为具有一个或多个线路的数据总线。接触面4的数量能够相应地匹配于数据总线的线路的数量。数据总线例如具有用于输入数据的线路、用于输出数据的线路和用于时间信号、英文为Clock的线路。同样地，能够借助用于输出数据的线路和/或借助用于输入数据的线路传输时间信号。此外，时间信号、输入数据和可选的输出数据能够借助仅一个唯一的线路传输。
[0058]用于控制单元5的电路排布和用于控制半导体组件I的设计理念例如可从DE102012 111 247 Al中得出。该文献的公开内容通过参引并入本文。
[0059]在图5示出前照灯10的其他实施例。根据图5A中的剖视图，半导体组件I具有各一个载体2，所述载体设有通孔。P型侧的接触部例如与电压线路VCC连接而η型侧的接触部与接地线路GND连接。
[0060]在有源区33和载体2之间分别存在控制单元5。控制单元5由一个或多个重结晶的硅层形成。硅在此例如借助于气相沉积无定形地产生并且通过例如借助于密集激光束进行的扫描引起重结晶。这种硅层能够具有提高的载流子迀移率、尤其在400cm2/VS和500cm2/VS之间的载流子迀移率。此外，这种硅层在例如能够低于400°C的相对温和的温度下沉积。由此可行的是:仅在产生用于有源区33的结构之后才能够产生控制单元5。与所示出的不同，也可行的是:有源区33的电接触至少部分地经由印制导线和经由辐射主侧30上的电接触部位进行。
[0061]根据图5B中的剖视图，在相邻的有源区33之间分别安置绝缘部9。绝缘部9优选不是电绝缘部而且是光学绝缘部。与所示出不同，这种绝缘部9也能够在有源区33的外部的侧面上用于对相应的半导体组件I横向限界。控制单元5在有源区33的背离有源区33的生长衬底32的一侧上形成，例如通过重结晶的硅层形成，如结合图5A所阐述的那样。通过绝缘部9可在有源区33之间朝向控制单元5实现平坦化部。
[0062]载体功能根据图5B例如从控制单元5连同共同的生长衬底32的组合中得出。但是可选地，同样可行的是，生长衬底32完全地从有源区33处移除，如在全部其他实施例中也是这样。
[0063]这种有源区33结合这种控制单元5例如能够如结合文献DE 10 2012 109 460 Al或DE 10 2012 112 302 Al所提出的那样构造和制造。这些参考文献的公开内容在将有源区33安置到控制单元5上的方面通过参引并入本文。
[0064]在前照灯10的示意俯视图中，简略示出光电子的半导体组件I的电布线，参见图5C。与所示出不同，也可行的是:全部半导体组件I分别施加在用于电压VCC的、用于接地GND的以及用于数据信号8的唯一的、连续的线路上。
[0065]在图6中示出一个变型形式。对于半导体芯片3中的每个半导体芯片而言都存在自身的电压线路VCC。由此，例如与图4相比，在这种设置中需要提高的电路耗费。
[0066]本发明不受限于根据所述实施例进行的描述。相反，本发明包括每个新的特征以及特征的每个组合，这尤其包含权利要求中的特征的每个组合，即使该特征或该组合本身没有在权利要求或实施例中明确地说明时也是如此。
[0067]本申请要求德国专利申请10 2013 114 691.0的优先权，其公开内容通过参引并入本文。
[0068]附图标记列表
[0069]10 前照灯
[0070]11 安装平台
[0071]I 光电子的半导体组件
[0072]2 载体
[0073]23 载体上侧
[0074]24 载体下侧
[0075]3 光电子的半导体芯片
[0076]30 辐射主侧
[0077]32 生长衬底
[0078]33 有源区
[0079]4 电接触部位
[0080]5 控制单元[0081 ] 6 转换元件
[0082]7 反射器包封件
[0083]8 数据线路
[0084]9 绝缘部
[0085]D 半导体芯片的中心至载体棱边的距离
[0086]M 网格尺寸
[0087]P 辐射主侧的几何中心
[0088]GND接地线路
[0089]VCC电压线路
【主权项】
1.一种光电子的半导体组件(I)，所述光电子的半导体组件具有: -载体(2)，所述载体具有载体上侧(23)和载体下侧(24); -多个有源区(33)，所述有源区安置在所述载体上侧(23)上并且所述有源区设立用于发射辐射； -位于所述载体下侧(24)上的至少三个电接触部位(4)，所述电接触部位至少设立用于电连接所述半导体组件(I);以及 -至少一个控制单元(5)，所述控制单元用于对所述半导体组件(I)电寻址并且用于电控制所述有源区(33)，其中 -在俯视图中观察，所述有源区(33)以规则的网格安置在所述载体上侧(23)上， -所述网格具有网格尺寸(M)， -在俯视图中观察，所述有源区(33)的辐射主侧(30)的几何中心(P)以如下公差位于所述网格的网格点上，所述公差为所述网格尺寸(M)的至多20%，以及 -边缘的有源区(33)的几何中心(P)距所述载体(2)的离得最近的棱边的距离(D)为所述网格尺寸(M)的至多50%。2.根据上一项权利要求所述的光电子的半导体组件(I)， 所述光电子的半导体组件是能表面安装的，其中 -所述有源区(33)中的每个有源区通过刚好一个光电子的半导体芯片(3)形成， -在俯视图中观察，光电子的所述半导体芯片(3)根据所述网格设置， -所述网格是直角的n Xm矩阵并且具有网格尺寸(M)， -η和m是在2和12之间的自然数，其中包括边界值， -在俯视图中观察，所述有源区(33)分别具有刚好一个几何中心(P)，以及-全部几何中心(P)以如下公差位于所述网格的网格点上，所述公差为所述网格尺寸(M)的至多5%。3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体组件(I)， 其中用于部分地进行辐射转换的转换元件(6)在远离所述载体(2)的方向上分别设置在所述有源区(33)的下游，其中在俯视图中观察，所述转换元件(6)分别完全地覆盖所述辐射主侧(30)，并且 其中在俯视图中观察，所述转换元件(6)分别环形地由反射包封件(7)包围。4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体组件(I)， 其中相邻的有源区(33)和/或半导体芯片(3)之间的平均间距为所述网格尺寸(M)的至多 50%。5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体组件(I)， 其中所述载体(2)是硅载体或锗载体，在所述载体中单片地集成有控制单元(5)， 其中所述控制单元(5)包括多个基于硅或锗的晶体管。6.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子的半导体组件(I)， 其中在所述载体上侧(23)上安置有由重结晶的硅构成的层，所述由重结晶的硅构成的层形成所述控制单元(5)，并且所述由重结晶的硅构成的层位于所述载体(2)和所述有源区(33)之间。7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体组件(I)， 其中所述控制单元(5)包括具有数据输入端和多个信号输出端的串行的移位寄存器，其中所述信号输出端导电地与开关连接，并且所述开关中每一个开关都与所述有源区(33)中的一个有源区电并联。8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体组件(I)， 所述光电子的半导体组件在所述载体下侧(24)上具有刚好一个用于电压线路(VCC)的电接触面、刚好一个用于接地线路(GND)的电接触面以及一个或两个用于数据线路(8)的接触面。9.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体组件(I)， 其中全部有源区(33)和/或半导体芯片(3)在运行时放射相同颜色的光， 其中颜色是确定的而且是无法调节的。10.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体组件(I)， 其中所述有源区(33)中的多个有源区具有共同的生长衬底(32)， 其中在相邻的有源区(33)之间完全地或部分地移除构成所述有源区(33)的半导体材料。11.一种用于机动车辆的自适应前照灯(10)，所述自适应前照灯具有: _安装平台(11);和 -多个根据上述权利要求中至少一项所述的半导体组件(I)， 其中 -所述半导体组件设置在所述安装平台(11)上，使得所述半导体组件(I)的全部有源区(33)以如下公差位于规则的网格的网格点上，所述公差为所述网格尺寸(M)的至多20%，以及 -所述网格在全部半导体组件(I)之上保持不变地延伸。12.根据上一项权利要求所述的自适应前照灯(10)，其中所述半导体组件(I)中的多个或全部半导体组件经由至少一个共同的数据线路(8)彼此连接， 其中 -所述前照灯(10)的所述有源区(33)中的单一的有源区或者有源区(33)的组是能够经由所述控制单元(5)彼此独立地控制的， -所述半导体组件(I)具有共同的电压线路(VCC)和共同的接地线路(GND)， -在俯视图中观察，所述有源区(33)的辐射主侧(30)的几何中心(P)分别以如下公差位于所述网格的网格点上，所述公差为所述网格尺寸(M)的至多20%， -边缘的有源区(33)的几何中心(P)距所述载体(2)的离得最近的棱边的距离(D)为所述网格尺寸(M)的至多50%， -所述半导体组件(I)设置在所述安装平台(11)上，使得所述半导体组件(I)的全部有源区(33)以如下公差位于规则的网格的网格点上，所述公差为所述网格尺寸(M)的至多20%，以及 -所述网格在全部半导体组件(I)之上保持不变地延伸。
【文档编号】H01L33/50GK105830215SQ201480069853
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2014年12月4日
【发明人】斯特凡·格勒奇, 诺贝特·黑夫纳
【申请人】欧司朗光电半导体有限公司