与芯片正面的圆区通过金属片连接，芯片正面的圆区和和金属框架的其他引脚设置有助焊剂，金属片放置的位置与金属框架的位置相对应，覆盖在芯片正面以及金属框架的其他引脚之上并与之桥接。
[0028]如图5所不，图5为尚引脚的金属框架I不意图。该金属框架I的引脚尚度明显高于传统引脚的高度，本实施例中的引脚高度大于芯片厚度，金属框架I材质为铜、铝、银或合金等金属。本实用新型的高引脚金属框架I设计并不限于本实施例。
[0029]芯片3的背面与金属框架I粘接。如附图6所示，图6为芯片3背面与金属框架I粘接后结构示意图，I为高引脚设计的金属框架，2是助焊剂，3是芯片。在金属框架I上粘接芯片3，金属框架I与芯片3的背面通过助焊剂2粘接。具体地，先在金属框架I表面刷一层助焊剂2，然后将芯片3置于金属框架I上，经过回流焊，芯片3背面即与金属框架I粘接。
[0030]芯片3正面的门极与金属框架I的第一引脚焊接。芯片表面的压区分为门极及圆区，门极为电源端，区为其他功能区。在本实用新型中，焊线焊接指门极通过焊线与金属框架的第一引脚焊接，圆区焊接指圆区通过金属片与其他引脚桥接。如图7所示，图7为门极与引脚连接后结构示意图，芯片3的门极(图中未示出)通过焊线4与金属框架I的引脚焊接。如图8所示，图8为图7中单独引脚焊线焊接部分放大图，a焊点为芯片的门极，b焊点为金属框架I引脚上的焊点。本实用新型使用倒打线的工艺将a焊点与b焊点焊接。本实用新型中，采用倒打线的方式焊接焊线，如图9所示，图9为倒打线焊接工艺单独引脚焊接顺序图，在倒打线工艺中，先焊接b焊点，然后拉出线段①后打弯，拉出线段②后打弯，再拉出线段③后打弯，再焊接a焊点。采用倒打线的工艺，与传统打线方式相比，可以有效降低焊线的弧高，解决了焊线焊接与金属片桥接相结合产品高度较大的工艺难题，避免了产品焊接后焊线与金属片触碰发生的短路，提尚广品的良率，保证广品的可靠性，也进一步降低金属片桥接的工艺难度，保证了后续金属片桥接工序的顺利进行，产品的可靠性得到保证。本领域技术人员应当知晓，在实际生产中焊线的线弧线型并不限于本实施例，本实施例仅对焊线的焊接顺序做了说明。
[0031]芯片3圆区与金属框架I的其他引脚桥接。如图10所示，图10为粘接金属片6后的结构剖面图。5是强介电材料，6是金属片。在本步骤中，先在金属片的下面涂一层强介电材料5。然后在芯片3的上面和金属框架I的其他引脚上面涂一层助焊剂2，再把金属片6盖在芯片3的正面的圆区与金属框架I的其他引脚上，金属片6的放置位置与金属框架I的位置相对应，覆盖在所述芯片3正面以及所述金属框架I的其他引脚之上，不覆盖已与晶圆表面的门极焊接的引脚。再进行回流焊，金属片即与芯片3和金属框架I完成桥接。金属片6、芯片3、焊线4以及金属框架I共同构成电路的连通。
[0032]随后进行产品的塑封，以及切割等工序，如图12，图12为产品结构示意图。
[0033]在本实用新型的第二实施例中，对第一实施例进行了改进。具体地，在该实施例中，对第一实施例中芯片3与金属框架I的粘接方式进行了改进，在该实施方式中，金属框架I上面刷有粘片胶7 ;芯片3与金属框架I粘接；芯片3与金属框架I粘接后烘烤。
[0034]图11为芯片与金属框架粘接后结构示意图，I为高引脚设计的金属框架，7是粘片胶，3是芯片。在金属框架I上粘接芯片3，金属框架I与芯片3通过粘片胶7粘接。
[0035]与现有技术相比，本实用新型法的有益效果是:高引脚的金属框架、芯片、焊线与平板状的金属片，构成了一种更为实用的半导体桥接封装结构。节省了生产成本，简化了生产流程，提高产品的良率，保证产品的可靠性，也进一步降低金属片桥接的工艺难度、降低了金属片的生产成本以及产品生产周期。也使芯片与金属框架之间的连接更为紧密，桥接后产品的导热、导电、以及可靠性大幅提高，本实用新型相比传统的打线以及植球焊接工艺，在提高产品封装良率、降低生产成本的同时满足了大功率、高能耗产品的性能要求。
[0036]上述说明示出并描述了本实用新型的优选实施例，如前所述，应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围，则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。
【主权项】
1.一种半导体封装结构，包括金属框架(1)，芯片(3)，焊线(4)和金属片(6)，其特征在于:所述芯片(3)位于金属框架(I)之上，焊线(4)连接金属框架(I)的引脚和芯片(3)，金属片(6)位于芯片(3)之上。2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，金属框架(I)的引脚高度大于芯片的厚度。3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述芯片(3)背面和金属框架(I)之间设置有助焊剂或粘合剂。4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属框架(I)的引脚与芯片(3)正面的门极通过焊线⑷连接。5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述芯片(3)和金属框架(I)的正面设置有助焊剂。6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属片(6)放置的位置与金属框架(I)的位置相对应，覆盖在所述芯片(3)正面以及所述金属框架(I)的引脚之上。7.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属片(6)的下方设置有强介电材料。8.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属片(6)通过助焊剂(2)所述金属框架(I)和芯片(3)连接。9.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属片(6)的形状为平板状。
【专利摘要】本实用新型提供了一种半导体封装结构，包括金属框架，芯片，焊线和金属片。芯片位于金属框架之上，芯片背面和金属框架之间设置有助焊剂或粘片胶等粘合剂，焊线连接金属框架的引脚和芯片，金属片位于芯片之上。金属框架的引脚与芯片正面的门极通过焊线连接，金属片放置的位置与金属框架的位置相对应，金属片通过助焊剂金属框架和芯片连接。本实用新型的有益效果是：该结构实现了芯片尺寸不同的情况下使用同样尺寸的金属片，降低生产成本。芯片与引脚通过倒打线的方式焊接，同时金属片下面涂高介电材料，使用焊线焊接和金属片桥接结合的焊接方法，芯片与金属框架之间的连接更为紧密，提高产品的良率，保证产品的可靠性，提高产品的电性能。
【IPC分类】H01L23/488, H01L23/495, H01L23/49
【公开号】CN204809212
【申请号】CN201520475374
【发明人】石磊
【申请人】南通富士通微电子股份有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年6月30日