一种新型半导体放电管的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种新型半导体放电管，它包括两个相对称的电极，一半导体芯片，所述，在二个电极的内置端分别设有一个凸台，半导体芯片放置在二个凸台之间，所述，电极由成型的Cu金属构件构成，整体结构由软焊料焊成一体，并通过模塑封装，仅露出两个电极的焊接端，用于贴面焊接安装。新型半导体放电管从外形上看，半导体放电管仅有对称的两个引线端，又类同于二极管，但是因没有阴阳极之分，完全对称，所以，无需区分极性，其内部结构类同于双向三极闸流晶体管，只是没有触发控制极。此实用新型结构的设计，具有精确的导通电压，浪涌吸收能力强特点，可以有效地降低过电压，从而保护了敏感的线路免受脉冲电流的冲击。
【专利说明】
一种新型半导体放电管
技术领域
[0001]本实用新型涉及放电管，特别涉及一种新型半导体放电管。【背景技术】
[0002]现有的半导体放电管，其外部连接方式为管芯两端金属电极夹持导通，或管芯两端金属丝引线焊接。此种半导体放电管封装机械强度较差，不能适合机械化、自动化高速连续安装焊接。现代通信设备中放电管是常用的过压保护器件，它能使通信设备避免雷击和电涌而损坏。目前我国通信设备的过压保护基本采用气体放电管作为保护器件，但气体放电管存在着响应速度慢、寿命短、参数离散性大、脉冲点火电压高、失效后为开路状态、维修成本高、保护不可靠等缺点，使得其保护功能大打折扣。与气体放电管相对应的还有固态放电管，常见的为钮扣式固态放电管，其性能与气体放电管相比有很大提高，但它尺寸太小， 安装不便，不适于各种尺寸要求，于是就有把它再次封装在与气体放电管相似尺寸的壳体内的，但是这样一来，因附加了二次封装成本，且成品率低，使得放电管成本高。
【发明内容】
[0003]为了解决上述不足，本实用新型的目的在于提供一种既能方便地替代气体放电管，又保持了现有固态放电管的良好性能，并能克服现有固态放电管的上述缺点的半导体放电管。
[0004]—种新型半导体放电管它包括两个相对称的电极，一个半导体芯片，所述，在二个电极的内置端分别设有一个凸台，半导体芯片放置在二个凸台之间，所述，电极由成型的铜金属构件构成，整体结构由软焊料焊成一体，并通过树脂模塑封装，仅露出两个电极的焊接端，用于贴面焊接安装。新型半导体放电管从外形上看，半导体放电管仅有对称的两个引线端，又类同于二极管，但是因没有阴阳极之分，完全对称，所以，无需区分极性，其内部结构中没有触发控制极。
[0005]本实用新型的得益效果:一种新型半导体放电管具有结构简单、安装操作便捷、精确的导通电压、浪涌吸收能力强、低的寄生电容、快速的响应速度、无极性、双向对称、可靠性高的特点，可实现线路的多路保护，能有效地降低过电压，从而保护了敏感的线路免受脉冲电流的冲击。【附图说明】
[0006]图1:半导体放电管结构示意图。
[0007]图2:半导体放电管内部结构图。
[0008]图3:半导体放电管等效示意图。
[0009](1)电极；(2)凸台；(3)半导体芯片；(4)树脂模塑。【具体实施方式】
[0010]下面结合附图和实施例，对本实用新型的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
[0011]如图1所示，一种新型半导体放电管它包括两个相对称的电极(I)，一半导体芯片
(3)，所述，在二个电极(I)的内置端分别设有一个凸台(2)，半导体芯片(3)放置在二个凸台(2 )之间，所述，电极(I)由成型的铜金属构件构成，整体结构由软焊料焊成一体，并通过树脂模塑(4)封装，仅露出两个电极(I)的焊接端，用于贴面焊接安装。
[0012]如图2所示，一种新型半导体放电管从外形上看，半导体放电管仅有对称的两个引线端，没有阴阳极之分，完全对称，无需区分极性。其内部结构类同于双向三极闸流晶体管，只是没有触发控制极。所述，当放电管使用在敏感线路中，两端所加的电压高于VS时，放电管就由阻断状态转换到导通状态，通过的电流迅速增加，形成一个低阻通路，有效地降低过电压，从而保护了敏感的线路免受脉冲电流的冲击。当放电管中通过的电流低于维持电流时，器件又从导通状态恢复到阻断状态。
[0013]为了便于说明，下面选定当Tl加正电压、T2加负电压的情形，来阐述本实用新型导通和阻断，如图3所示，当Tl加正电压、T2加负电压时，jl结处于正偏，j2结处于反偏，j3结处于正偏，当Tl、T2之间所施加的电压在未达到VDRM之前，由于j2结处于反偏，T1T2之间的电流很小，但随着T1T2之间的电压的进一步上升，j2结达到雪崩击穿后，漏电流开始增加，随着主回路电流的逐步上升，P1N1P2和N1P2N2两个等效三极管的电流放大系数I和电流放大系数2也逐步提高，当满足电流放大系数I与电流放大系数2之和大于等于I时，T1T2就进入导通状态，即图2中由VS回折到IH的导通状态，此时，jl结、j2结、j3结均处于正偏。如果主回路的电流一旦低于IH(维持电流)，电流放大系数I与电流放大系数2之和大于等于I的条件不满足，T1T2就会又回到阻断状态，此时j2结由正偏回到反偏。
【主权项】
1.一种新型半导体放电管，它包括两个相对称的电极，一半导体芯片，所述，在二个电 极的内置端分别设有一个凸台，半导体芯片放置在二个凸台之间，所述，电极由成型的Cu金 属构件构成，整体结构由软焊料焊成一体，并通过模塑封装，仅露出两个电极的焊接端，用 于贴面焊接安装。2.根据权利要求1所述的一种新型半导体放电管，其特征在于:半导体放电管仅有对称 的两个引线端。3.根据权利要求2所述的一种新型半导体放电管，其特征在于:没有阴阳极之分，完全 对称性。
【文档编号】H01L29/74GK205595338SQ201620402530
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2016年5月6日
【发明人】朱世良
【申请人】杭州东沃电子科技有限公司