一种简易低压栅极驱动电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种简易低压栅极驱动电路，包括：信号输入端、信号输出端、电源端、接地端、两二极管、两电阻、一功率场效应管、一沟道MOS管，所述信号输入端连接一二极管正极，二极管负极连接功率场效应管，功率场效应管一端连接到电源端；信号输入端连接另一二极管负极，二极管正极连接沟道MOS管，沟道MOS管一端连接接地端；功率场效应管与沟道MOS管相连接并作为信号输出端，其中每一个二极管两端分别并联一电阻。本发明的有益效果是：该电路结构简单、芯片成本低、易于大规模开发推广使用。
【专利说明】一种简易低压栅极驱动电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电路，特别涉及一种简易低压栅极驱动电路。
【背景技术】
[0002]随着电子集成发展，集成小芯片的应用也越来越适用于电子技术各个领域，低成本简易的电路设计可以大大减少电子器件的开发成本。一般功率场效应管的最高栅源电压为20V左右，所以在24V应用中要保证栅源电压不能超过20V，增加了电路的复杂程度。但在12V或更低电压的应用中，电路就可以大大简化。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是:提供一种电路简单、开发成本低、便于推广使用的低压栅极驱动电路。
[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种简易低压栅极驱动电路，包括:信号输入端、信号输出端、电源端、接地端、两二极管、两电阻、一功率场效应管、一沟道MOS管，所述信号输入端连接一二极管正极，二极管负极连接功率场效应管，功率场效应管一端连接到电源端；信号输入端连接另一二极管负极，二极管正极连接沟道MOS管，沟道MOS管一端连接接地端；功率场效应管与沟道MOS管相连接并作为信号输出端，其中每一个二极管两端分别并联一电阻。
[0005]作为优选方案，所述功率场效应管为IRF9540。
[0006]作为优选方案，所述沟道MOS管为IRF540N沟道MOS管。
[0007]作为优选方案，所述二极管为IN4148高频开关二极管。
[0008]作为优选方案，信号输入端前端连接一施密特触发器。所述施密特触发器为555施密特触发器。
[0009]本发明的有益效果是:通过R3，R4向栅极电容充电使场效应管延缓导通；而通过二极管直接将栅极电容放电使场效应管立即截止，从而避免了共态导通。该电路结构简单、芯片成本低、易于大规模开发推广使用。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是本发明的结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]现在结合附图和具体实施例，对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。这些实施例应理解为仅用于说明本发明而不用限制本发明的保护范围。在阅读了本发明的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种修改，这些等效的变化和修饰同样落入本发明所限定的保护范围。[0012]如图1所示的具体实施例，包括:信号输入端IN、信号输出端OUT、电源端POWER、接地端、两二极管Dl，D2、两电阻R3，R4、一功率场效应管Q2、一沟道MOS管Q1，所述信号输入端连接一二极管正极，二极管负极连接功率场效应管，功率场效应管一端连接到电源端；信号输入端连接另一二极管负极，二极管正极连接沟道MOS管，沟道MOS管一端连接接地端；功率场效应管与沟道MOS管相连接并作为信号输出端，其中每一个二极管两端分别并联一电阻。由于场效应管栅极电容的存在，通过R3, R4向栅极电容充电使场效应管延缓导通；而通过二极管直接将栅极电容放电使场效应管立即截止，从而避免了共态导通。这个电路要求在信号输入端IN输入的是边缘陡峭的方波脉冲，因此控制信号从单片机或者其他开路输出的设备接入后，要经过施密特触发器(比如555)或者输出的高速比较器才能接到信号输入端IN。如果输入边缘过缓，二极管延时电路也就失去了作用。R3，R4的选取与IN信号边沿升降速度有关，信号边缘越陡峭，R3，R4可以选的越小，开关速度也就可以做的越快。
[0013]以上显示仅描述了本发明的主要特征和发明点。本领域的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制。在不脱离本发明点和保护范围的前提下，本发明还会有各种变化，这些变化和改进都将落入本发明要求保护的范围内。本发明要求保护的范围由所附的权利要求书及其等效物限定。
【权利要求】
1.一种简易低压栅极驱动电路，其特征在于:包括:信号输入端、信号输出端、电源端、接地端、两二极管、两电阻、一功率场效应管、一沟道MOS管，所述信号输入端连接一二极管正极，二极管负极连接功率场效应管，功率场效应管一端连接到电源端；信号输入端连接另一二极管负极，二极管正极连接沟道MOS管，沟道MOS管一端连接接地端；功率场效应管与沟道MOS管相连接并作为信号输出端，其中每一个二极管两端分别并联一电阻。
2.根据权利要求1所述的简易低压栅极驱动电路，其特征在于:所述功率场效应管为IRF9540。
3.根据权利要求1所述的简易低压栅极驱动电路，其特征在于:所述沟道MOS管为IRF540N 沟道 MOS 管。
4.根据权利要求1所述的简易低压栅极驱动电路，其特征在于:所述二极管为IN4148闻频开关极管。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的简易低压栅极驱动电路，其特征在于:信号输入端前端连接一施密特触发器。
6.根据权利要求5所述的简易低压栅极驱动电路，其特征在于:所述施密特触发器为555施密特触发器。
【文档编号】H02M1/088GK104009617SQ201410209593
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2014年5月17日 优先权日:2014年5月17日
【发明者】胡天吉 申请人:苏州蓝萃电子科技有限公司