数不相同。更具体来说，框架100的线路层数可小于各子电路板200的线路层数，以节省材料成本。在本实施例中，子电路板200可为多层板结构，而框架100则可为双层板结构。
[0046]图4是依照本发明的一实施例的一种移植电路板的方法的示意图。请同时参照图2以及图4，详细而言，在本实施例中，提供具有卡合口 140的框架100的方法包括下列步骤:首先，如图4所示先形成多个准卡合口 142于上边框110及下边框120的内缘112上，且各准卡合口 142的尺寸小于各卡合部220的尺寸。详细而言，如图4所示，各准卡合口142在一基准面上的正投影范围约小于各卡合部220在同一基准面的正投影范围，亦即，准卡合口 142在一基准面上的正投影会落在卡合部220在同一基准面的正投影的范围内。在此需说明的是，为了图面简洁，图4仅绘示子电路板200的卡合部220与上边框110的局部放大示意图来呈现准卡合口 142与卡合部220之间的关系。
[0047]之后，依据第一对位点150以及第二对位点230将卡合部220对应至框架100上，以得到如图4所示的多个待移除区域170，其中，待移除区域170分别对应卡合部220，且位于准卡合口 142的周围。详细而言，本实施例可例如通过光学/影像定位装置侦测第一对位点230的位置，并侦测各卡合部220的一外轮廓以及外轮廓分别至对应的第一对位点230的距离，并可依据此距离以及第一对位点230与第二对位点150的相对位置将此外轮廓分别对应于上边框110及下边框120的准卡合口 142处，以得到卡合部220应分别设置于上边框110及下边框120的位置。此时，由于准卡合口 142的尺寸约小于卡合部220的尺寸，因此卡合部220的外轮廓可如图4中的虚线所示地涵盖准卡合口 142的一周围区域，而卡合部220的外轮廓与准卡合口 142的周围所重叠的区域(如图4所示的斜线区域)即为本实施例所述的待移除区170。在本实施例中，光学/影像定位装置例如为一电荷耦合元件，而移除待移除区域170的方法包括紫外线激光(UV laser)切割。此外，若卡合部220为圆形，且第一对位点230位于对应的卡合部220的圆心，即可以预设的卡合部220的圆形半径值作为「外轮廓分别至对应的第一对位点230的距离」，并可使对位更为精确。
[0048]接着，即可移除位于准卡合口 142周围的待移除区域170，以形成如图2所示的卡合口 140，其中，各卡合口 140的一尺寸可实质上大于或等于各卡合部220的一尺寸。如此，即可形成如图2所示的框架100，其具有与卡合部220嵌合的卡合口 140，使子电路板200可通过卡合部220与卡合口 140的嵌合而固定于框架100上。在本实施例中，若卡合口 140的尺寸略大于卡合部220的一尺寸，可控制各卡合部220的一边缘至对应的卡合口 140的一边缘的最短距离实质上小于400微米。更详细来说，各卡合部220的边缘至对应的卡合口 140的边缘的最短距离实质上可介于50微米至400微米之间。
[0049]承上述，在将各卡合部220与对应的卡合口 140嵌合之后，可再选择性地填充胶体于各卡合部220与对应的卡合口 140之间。接着，可再进行一固化制作工艺以固化此胶体，以更稳固地将子电路板200固定于框架100上。在此，胶体的种类可依其固化成形方式不同而不同，其固化方式有光固化、热固化与快干型固化等方式。当然，本发明并不以此为限。须说明的是，由于本实施例的电路板移植方法所形成的卡合口 140可与卡合部220紧密嵌合，因此，填充胶体以及固化胶体并非为必要步骤而可选择性地实施。
[0050]图5是依照本发明的一实施例的一种子电路板的局部剖面示意图。在此须说明的是，在本实施例中，各子电路板200可包括一基材240以及两图案化线路层250a、250b，其中，图案化线路层250a、250b如图5所示分别位于对应的基材240的上下两表面。在本实施例中，于基材240的上下两表面形成图案化线路层250a、250b的方法可包括激光直接成像(Laser Direct Image, LDI)或直接成像(Direct Image, DI)技术,而前述的层偏测试的步骤可例如先以上述的激光直接成像或直接成像技术分别形成图案化线路层250a、250b于各子电路板200的基材240的上下两表面，再侦测两图案化线路层250a、250b之间的层偏。具体来说，激光直接成像技术例如是采用激光直接在已涂覆光致抗蚀剂层的覆铜板面上扫描出欲成像的图形，而无须应用照相底片经曝光转移图像，因而能避免底片所带来的变形走样的问题。因此，利用此种技术于基材240的上下两表面形成图案化线路层250a、250b，可有效减小图案化线路层250a、250b之间的层偏，进而可减少子电路板200因其对应上下两表面的图案化线路层250a、250b之间的层偏过大而被视为不良品的情形。在本实施例中，采用激光直接成像或直接成像技术所形成的图案化线路层250a、250b，其两者之间的层偏约可小于10微米。当然，任何所属技术领域中具有通常知识者应了解，本实施例的附图仅用以举例说明，本实施例并不限定子电路板200的基材以及图案化线路层的层数，只要位于子电路板200的相对两表面上的图案化线路层由激光直接成像或直接成像技术所形成，即为本实施例所欲保护的范围。
[0051]综上所述，本发明利用一框架来容置并固定多个子电路板，以形成包括多个子电路板的多联电路板，其中，框架具有上边框、下边框以及两侧边框，以共同定义出多个移植缺口，再将经层偏测试与电性测试后确定为良品的多个子电路板卡合于此框架内，以组装成多联电路板，且此多联电路板上的子电路板皆为可用的良品。由于本发明的框架是由上边框、下边框以及两侧边框所组成，因此结构刚性较强，不易于设置子电路板于框架上的过程中受到弯折或损坏。并且，由于框架可为一体成型，故各框架的边框之间较不易产生制作公差，因而可增加框架的制作良率，进而可增加子电路板与框架卡合时的精准度及后续制作工艺的可靠度。
[0052]再者，本发明更利用于框架上形成一准卡合口，其尺寸小于卡合部的尺寸，再依据框架与子电路板上的对位点定位出卡合部对应于框架上的设置位置，再依据卡合部的尺寸细修准卡合口，以形成与卡合部的外轮廓重合的卡合口。依此方法所形成的卡合口可与卡合部紧密嵌合，因而可增加子电路板与框架之间的结合力。此外，本发明所提供的方法更可于框架上批量形成与卡合部嵌合的卡合口，因而可简化生产制作工艺以及增进生产效率。
[0053]虽然已结合以上实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应以附上的权利要求所界定的为准。
【主权项】
1.一种移植电路板的方法，包括: 提供多个经层偏测试与电性测试确认为良品的子电路板，各该子电路板包括一本体、多个可折连杆、多个卡合部以及多个第一对位点，各该可折连杆突出于该本体且连接对应的卡合部； 提供一框架，该框架包括一上边框、一下边框、两侧边框、多个卡合口以及多个第二对位点，该些卡合口分别位于该上边框以及该下边框的内缘，该些第二对位点分别设置于该上边框及该下边框上，各该侧边框连接该上边框以及该下边框，以共同定义出多个移植缺口 ；以及 将该些第一对位点以及该些第二对位点进行对位，以将该些子电路板分别设置于该些移植缺口内，并将各该卡合部与对应的卡合口嵌合而固定该些子电路板于该框架上。
2.如权利要求1所述的移植电路板的方法，其中该层偏测试的步骤包括: 以激光直接成像或直接成像技术分别形成两图案化线路层于各该子电路板的上下两表面；以及 侦测该两图案化线路层之间的层偏。
3.如权利要求1所述的移植电路板的方法，其中该些卡合部为圆形，且该些第一对位点位于对应的该卡合部的圆心。
4.如权利要求1所述的移植电路板的方法,还包括: 在固定该些子电路板于该框架上之后，移除该两侧边框。
5.如权利要求1所述的移植电路板的方法，其中该框架为一双层板结构。
6.如权利要求1所述的移植电路板的方法，其中该框架的一线路层数等于各该子电路板的一线路层数。
7.如权利要求1所述的移植电路板的方法，其中该框架为一体成型。
8.如权利要求1所述的移植电路板的方法，其中提供该框架的方法还包括: 形成多个准卡合口于该上边框及该下边框的内缘上，各该准卡合口的尺寸小于各该卡合部的尺寸； 侦测各该卡合部的一外轮廓以及各该外轮廓至对应的第一对位点的一距离； 依据该距离以及该些第一对位点与该些第二对位点的相对位置，得到该框架上对应于该些卡合部的多个待移除区域，该些待移除区域分别位于该些准卡合口的周围；以及 移除位于该些准卡合口周围的该些待移除区域，以形成该些卡合口，各该卡合口的一尺寸实质上大于或等于各该卡合部的一尺寸。
9.如权利要求8所述的移植电路板的方法，其中形成该些卡合口的步骤还包括: 控制各该卡合部的一边缘至对应的卡合口的一边缘的最短距离实质上小于400微米。
10.如权利要求1所述的移植电路板的方法,还包括: 在将各该卡合部与对应的卡合口嵌合之后，填充一胶体于各该卡合部与对应的卡合口之间；以及 固化该胶体。
【专利摘要】本发明公开一种移植电路板的方法，其包括下列步骤。提供多个经层偏测试与电性测试确认为良品的子电路板。各子电路板包括一本体、多个可折连杆、多个卡合部以及多个第一对位点。各可折连杆突出于本体且连接对应的卡合部。提供一框架。框架包括一上边框、一下边框、两侧边框、多个卡合口以及多个第二对位点。卡合口分别位于上边框及下边框的内缘。第二对位点分别设置于上边框及下边框上。各侧边框连接上边框以及下边框，以共同定义出多个移植缺口。将第一对位点以及第二对位点进行对位，以将子电路板分别设置于移植缺口内，并将各卡合部与对应的卡合口嵌合而固定子电路板于框架上。
【IPC分类】H05K3-36
【公开号】CN104640374
【申请号】CN201310548186
【发明人】林哲永, 张阿松, 杨伟雄
【申请人】健鼎（无锡）电子有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月7日