这种电导率即使在能导电地层相对薄的情况下也实现充足的载流子运输，所述能导电的层具有在50nm和500nm之间的厚度，其中包括边界值。
[0041]根据至少一个实施方式，第一能导电的层和第二能导电的层包含金属、金属合金、半金属或半导体材料。第一能导电的层和第二能导电的层例如具有下述材料中的一种或由下述材料中的一种形成:n、钠、钾、铷、铯、铍、I丐、镁、锁、钡、钪、钛、招、娃、锗、锡、错、氧化锌、硫化锌、砸化锌、碲化锌、氧化锡。
[0042]根据至少一个实施方式，第二能导电的层的区域经由前侧可被电接触而第一能导电的层借助于穿过载体的至少一个贯通孔经由前侧或经由后侧可被电接触，其中第二能导电的层的所述区域在前侧上构成网格状的结构并且优选第一能导电的层局部岛状地设置在第二能导电的层的网格状的结构中，并且优选用于电接触第一能导电的层和第二能导电的层的电极设置在载体的相同的侧上，尤其优选设置在前侧上。通过第一和第二能导电层的在此所描述的设置能够制造转换小板的或多功能层的尤其均匀分布的转换光的和散射光的和/或吸收光的区域。此外，在此所描述的分割工艺能够基于网格状的结构来自动化，因为尤其填充材料均匀地设置在第一和第二能导电层之间的间距中。
[0043]根据至少一个实施方式，电泳衬底可再次应用。特别地，在此所描述的电泳沉底能够用于在此所描述的用于制造多个多功能层的方法。由此，在此所描述的用于制造转换小板或多功能层的方法是尤其成本有效的。
【附图说明】
[0044]在下文中，根据实施例借助与其相关的附图阐述在此所描述的用于制造多功能层的方法、转换小板、电泳衬底和光电子器件。
[0045]图1A、1B、2A、2B、3A、3B、4A、4B、5、6A和6B示出用于制造多功能层的各个方法步骤A至E的示意图。
[0046]图6A至6B还示出基于多功能层的分割工艺的小板。
[0047]图7A和7B示出转换小板的示意图，所述转换小板能够借助在此所描述的方法来制造。
[0048]图7C示出光电子器件的示意图。
[0049]图8和9示出电泳衬底的其它可行的实施方式的示意图。
[0050]相同的、相类的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图和在附图中示出的元件彼此间的大小关系不视为是合乎比例的。更确切地说，为了更好的可视性和/或为了更好的理解能够夸大地示出各个元件。
【具体实施方式】
[0051 ]图1A的实施例示出具有载体15的电泳衬底1的俯视图，所述载体具有前侧11和背离前侧的后侧12(参见图1B)。在图1A中示出的电泳沉底10在用于制造多功能层100的方法步骤A中提供。此外，该附图示出第一能导电的层13和第二能导电的层14，其中第一能导电的层13和第二能导电的层14设置在载体15的前侧11上。第二能导电层14的区域以可经由前侧11被电接触的方式构成，而第一能导电的层13借助于载体15的至少一个贯通孔16以可经由后侧12被电接触的方式构成。
[0052]第二能导电的层14的区域在载体15的前侧11上具有网格状的结构17并且第一能导电的层13局部岛状地设置在网格状的结构17中。用于电接触第一能导电的层13和第二能导电的层14的电极19在图1A中设置在载体15的前侧11上。第一能导电的层13和第二能导电的层14彼此电绝缘并且能够彼此不相关地加载有电压。
[0053]第一能导电的层13的岛状的区域在横向方向L上与第二能导电的层14的区域相邻地设置并且彼此间具有间距A。第一能导电的层13和第二能导电的层14之间的间距A例如为5μπι。将“横向方向L”理解为如下方向，所述方向平行于电泳衬底10的主延伸方向。第一能导电的层13和第二能导电的层14能够具有在50ηη和500nmn之间的厚度D，其中包括边界值。
[0054]载体15例如能够包括电绝缘材料18或由电绝缘材料18构成。第一能导电的层13和第二能导电的层14能够包含金属、金属合金、把金属或半导体材料或由这些材料中的一种构成。
[0055]图1B示出电泳衬底10的示意侧视图。衬底15的贯通孔16延伸穿过载体15。电极19要么与第一能导电的层13连接要么与第二能导电的层14连接。
[0056]在图1A或IB中示出的电泳衬底10能够用于在此所描述的用于制造多功能覆层100的方法。
[0057]图2A示出方法步骤B的俯视图，而图2B示出方法步骤B的侧视图。在图2A或2B中示出图1A和IB的电泳衬底，区别在于:在第一能导电的层13上电泳沉积第一材料I。第一材料I能够尤其包括发光材料7。
[0058]图3A示出方法步骤C的俯视图而图3B示出方法步骤C的侧视图，其中图3A和3B与图2A和2B的区别如下:第二材料2电泳已沉积到第二能导电的层14上。第二材料2能够包含散射光的颗粒8和/或吸收光的颗粒9或者由这些颗粒制成。载体15在前侧11上没有第一材料I和第二材料2。电泳沉积由此仅在能导电的层13和第二能导电的层14上进行。换而言之，在第一材料I和第二材料2之间构成缝隙。缝隙的横向扩展在此对应于第一能导电的层13和第二能导电的层14之间的在此所描述的间距A。
[0059]图4A示出方法步骤D的俯视图而图4B示出方法步骤D的侧视图。在图4A和4B中还示出填充材料3，所述填充材料设置在第一材料I和第二材料2之间，其中填充材料3与第一材料I和第二材料2构成共同的边界面4。通过填充材料3在第一材料I和第二材料2之间尤其填充在横向方向L上的间距A，使得构成连续的多功能层100。
[0060]在图5中示出方法步骤E。如在图5中所示出的那样，使多功能层100与电泳衬底1分离。由此，电泳衬底10能够再次用于制造另一多功能层。在图5中示出的多功能层100关于第一材料I能够包含发光材料7或多种发光材料7构成的混合物。第二材料2尤其能够包含散射光的材料8或吸收光的材料9。将发光材料7和例如散射光的颗粒8彼此材料配合地连接的填充材料能够是派瑞林或娃酮或者包含派瑞林或娃酮。由此，在图5中还示出多功能层100，所述多功能层例如能够包括多个单一的转换小板20。
[0061 ]图6A示出将多功能层100分割成各个小板5的分割工艺的侧视图而图6B示出其俯视图。在图6A和6B中，多功能层100被分割成各个小板，其中分割线6在进行分割时穿过填充材料3伸展。通过分割工艺能够制造小板5并且根据第一材料I和第二材料2的材料特性例如制造转换小板20。
[0062]在图7A和7B中示出转换小板20。图7A在此示出转换小板20的侧视图，而图7B示出其俯视图。在图7A和7B中示出的转换小板包括转换光区域21和散射光和/或吸收光区域22。转换光区域21和散射光和/或吸收光区域22在转换小板20之内在横向方向L上相邻地设置。在转换光区域21和散射光和/或吸收光区域22之间在横向方向L上存在填充材料3。在图7A和7B中示出的转转小板尤其基于在图1至6中示出的方法步骤A至E。由此，在此所描述的转换小板20的制造基于在此所描述的方法和在此示出的电泳衬底10。
[0063]转换小板20具有光出射面23和背离光出射面23的光入射面24以及侧面25。转换小板20的至少一个侧面25尤其能够具有物理的和/机械的材料剥离26的痕迹。借助于光入射面24尤其能够将转换小板施加到发射光的半导体本体的另一光出射面、例如发光二极管芯片(LED)上。散射光和/或吸收光区域22在此防止:来自进行转换的区域21的光尤其不在远场中叠加。
[0064]转换小板的厚度例如能够在15μπι和250μπι之间，其中包括边界值。进行转换的区域21的横向扩展能够在25μπι和150μπι之间，其中包括边界值