1.一种检测元件，具备：
多个光电转换元件，输出与入射光相应的电信号；及
多个滤波电路，与所述多个光电转换元件分别对应地设置，或者与分别包含所述多个光电转换元件中的规定个数的所述光电转换元件的多个元件组分别对应地设置，从由所述多个光电转换元件输出的所述电信号中，使具有规定频率的信号衰减。
2.根据权利要求1所述的检测元件，其中，
所述多个光电转换元件设于第一基板，
所述多个滤波电路设于层叠于所述第一基板的第二基板。
3.根据权利要求1或2所述的检测元件，其中，
所述滤波电路使与所述入射光中包含的背景光对应的频率成分从所述电信号中衰减。
4.根据权利要求2所述的检测元件，其中，
所述滤波电路具有电阻元件，所述电阻元件设于在所述第二基板形成的凹部或贯通孔内。
5.根据权利要求4所述的检测元件，其中，
所述第二基板具有基板和设在所述基板上的配线层，
所述凹部或所述贯通孔形成于所述基板。
6.根据权利要求4或5所述的检测元件，其中，
所述电阻元件具有比从所述光电转换元件接收所述电信号的配线高的电阻值。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的检测元件，其中，
所述电阻元件具有比从所述光电转换元件接收所述电信号的配线的直径大的直径。
8.根据权利要求4～7中任一项所述的检测元件，其中，
所述电阻元件的至少一部分由多晶硅形成。
9.根据权利要求4～8中任一项所述的检测元件，其中，
所述第二基板具有沿厚度方向贯通所述第二基板而进行电连接的导通过孔，所述电阻元件具有比所述导通过孔高的电阻值。
10.根据权利要求4～9中任一项所述的检测元件，其中，
所述电阻元件在所述第一基板的面方向上配置于所述光电转换元件的中心。
11.根据权利要求2、4～10中任一项所述的检测元件，其中，
所述滤波电路具有电容元件，所述电容元件设于在所述第二基板形成的凹部或贯通孔内。
12.根据权利要求11所述的检测元件，其中，
所述第二基板具有沿厚度方向贯通所述第二基板而进行电连接的导通过孔，
所述电容元件具有比所述导通过孔大的电容量。
13.根据权利要求11或12所述的检测元件，其中，
所述电容元件包括相对于贯通所述第二基板的中心轴呈同轴状地形成的一对电极和被所述一对电极夹着的环状的电介质，并沿所述第二基板的厚度方向延伸。
14.根据权利要求11～13中任一项所述的检测元件，其中，
所述电容元件包括形成于所述第一基板的电极和形成于所述第二基板的电极。
15.根据权利要求2、4～14中任一项所述的检测元件，其中，
所述第二基板具有电阻电路，所述电阻电路包含在饱和区域进行动作的场效应晶体管。
16.根据权利要求15所述的检测元件，其中，
所述电阻电路包含控制电路，在所述光电转换元件未受光的情况下，所述控制电路将所述场效应晶体管的漏极与源极之间的电流切断。
17.根据权利要求15或16所述的检测元件，其中，
所述电阻电路具有电容元件，所述电容元件保持向所述场效应晶体管的控制端子施加的控制电压。
18.根据权利要求15～17中任一项所述的检测元件，其中，
所述电阻电路包含单独导通的多个场效应晶体管。
19.根据权利要求18所述的检测元件，其中，
在所述电阻电路中变化的电特性包括gm值、电阻值及电容值中的至少一个。
20.根据权利要求18或19所述的检测元件，其中，
所述多个场效应晶体管具有彼此相同的特性。
21.根据权利要求19或20所述的检测元件，其中，
所述多个场效应晶体管具有彼此不同的特性。
22.根据权利要求1～21中任一项所述的检测元件，其中，
所述滤波电路的截止频率为100Hz以上且100KHz以下。
23.根据权利要求2、4～21中任一项所述的检测元件，其中，
所述检测元件具备多个所述光电转换元件，所述第二基板具有与所述多个光电转换元件分别对应的多个所述滤波电路。
24.根据权利要求2所述的检测元件，其中，
所述第二基板具有多个基板，所述滤波电路具有电阻元件和电容元件，所述电阻元件和所述电容元件分别设于彼此不同的所述基板。
25.一种检测元件，具备：
光电转换元件，输出与入射光相应的电信号；
降低部，从由所述光电转换元件输出的所述电信号中，使与所述入射光中包含的背景光对应的背景光成分降低；及
乘法部，将由所述降低部降低了所述背景光成分的所述电信号与进行了强度调制的参考信号相乘。
26.一种检测元件，具备：
第一基板，具有输出与入射光相应的电信号的光电转换元件；及
第二基板，具有降低部，所述降低部从由所述光电转换元件输出的所述电信号中使与所述入射光中包含的背景光对应的成分降低，所述第二基板层叠于所述第一基板。
27.根据权利要求26所述的检测元件，其中，
所述降低部具有滤波电路。
28.一种锁定检测装置，具备权利要求1～27中任一项所述的检测元件。
29.一种基板，具有基板和配置于在所述基板形成的凹部或贯通孔内的电容元件。
30.一种检测元件的制造方法，包括：
第一步骤，形成输出与入射光相应的电信号的多个光电转换元件；及
第二步骤，与所述多个光电转换元件分别对应地、或者与分别包含所述多个光电转换元件中的规定个数的所述光电转换元件的多个元件组分别对应地形成多个滤波电路，所述多个滤波电路从由所述多个光电转换元件输出的所述电信号中使具有规定频率的信号衰减。
31.根据权利要求30所述的检测元件的制造方法，其中，
所述第一步骤包括将所述多个光电转换元件形成于第一基板的步骤，
所述第二步骤包括将所述多个滤波电路形成于第二基板的步骤，
所述检测元件的制造方法包括将所述第一基板与所述第二基板相互层叠的第三步骤。
32.根据权利要求31所述的检测元件的制造方法，其中，
包括如下步骤：
在所述第二基板形成凹部或贯通孔；及
在所述凹部或所述贯通孔内形成作为所述滤波电路的电阻元件发挥功能的电阻过孔。
33.根据权利要求31或32所述的检测元件的制造方法，其中，
包括在将所述第一基板和所述第二基板层叠之后在所述第二基板形成导通用的导通过孔的步骤。
34.一种检测元件的制造方法，包括如下步骤：
在第一基板形成输出与入射光相应的电信号的光电转换元件；
在第二基板形成降低部，所述降低部从由所述光电转换元件输出的所述电信号中使与所述入射光中包含的背景光对应的成分降低；及
将所述第一基板与所述第二基板相互层叠。