专利名称：可挠性基板结构的制作方法
技术领域：
可挠性基板结构技术领域[0001]本实用新型涉及一种基板结构，且特别是涉及一种可挠性基板结构。
背景技术：
[0002]现有的可挠性基板结构是由两个覆盖层、一个核心层以及一个电磁屏蔽层所构 成。一般来说，覆盖层是由一粘着层以及一介电层所组成，而核心层是由一介电层以及二分 别配置于此介电层相对两侧的导电层所组成。电磁屏蔽层的组成则可为由一异方性导电胶 层、一金属沉积层及一绝缘层依序堆叠所构成的一银薄膜；或者是，由一粘着层、一金属层 以及一介电层依序堆叠所组成的一单面板；或者是，由一粘着层以及印刷一银浆于此粘着 层上所组成的一银浆层。其中，核心层配置于两个覆盖层之间，且这些覆盖层通过粘着层而 固定于核心层上，而电磁屏蔽层位于其中一个覆盖层上[0003]若采用银薄膜来作为电磁屏蔽层，则此电磁屏蔽层可通过异方性导电胶层而固定 于其中一个覆盖层上。然而，由于银薄膜的价钱较高，因此整体可挠性基板结构所需的生产 成本也会提高。再者，若采用单面板来作为电磁屏蔽层，则此电磁屏蔽层可通过粘着层而固 定于其中一个覆盖层上。然而，由于单面板具有一定的厚度，因此整体的可挠性基板结构的 厚度无法有效降低，进而导致弯折效果不佳。此外，采用银浆层做为电磁屏蔽层，则此电磁 屏蔽层可通过粘着层而固定于其中一个覆盖层上。虽然银浆层的价钱低于银薄膜，但由于 银浆层是采用印刷的方式将银浆印刷至粘着层上，因此易因为印刷不均而产生阻抗漂移的 问题。因此，如何有效降低生产成本与整体可挠性基板结构的厚度以及提升整体结构的可 靠度，实为目前研发者亟欲解决的问题之一。实用新型内容[0004]本实用新型的目的在于提供一种可挠性基板结构，具有较薄的厚度与较低的生产 成本且可节省制造工时。[0005]为达上述目的，本实用新型提出一种可挠性基板结构，包括一核心层、一覆盖层以 及一电磁屏蔽层。核心层包括一核心介电层、一第一核心导电层以及一第二核心导电层。第 一核心导电层与第二核心导电层分别配置于核心介电层的相对两侧。覆盖层包括一第一粘 着层以及一覆盖介电层。覆盖层通过第一粘着层而固定于核心层的第一核心导电层上。电 磁屏蔽层包括一第二粘着层、一屏蔽介电层以及一屏蔽金属层。电磁屏蔽层通过第二粘着 层固定于核心层的第二核心导电层上。[0006]在本实用新型的一实施例中，上述的屏蔽介电层配置于第二粘着层与屏蔽金属层 之间。[0007]在本实用新型的一实施例中，上述的屏蔽金属层配置于第二粘着层与屏蔽介电层 之间。[0008]在本实用新型的一实施例中，上述的电磁屏蔽层还包括一第三粘着层。第二粘着 层、第三粘着层、屏蔽介电层以及屏蔽金属层交替堆叠。[0009]在本实用新型的一实施例中，上述的第二粘着层位于第二核心导电层与屏蔽介电层之间，而第三粘着层位于屏蔽介电层与屏蔽金属层的间。[0010]在本实用新型的一实施例中，上述的第二粘着层位于第二核心导电层与屏蔽金属层之间，而第三粘着层位于屏蔽金属层与屏蔽介电层之间。[0011]基于上述，本实用新型的优点在于，由于本实用新型的可挠性基板结构仅由核心层、覆盖层以及电磁屏蔽层三层结构所构成，因此相较于现有由四层结构(包括两个覆盖层、一个核心层以及一个电磁屏蔽层)所构成的可挠性基板结构而言，本实用新型的可挠性基板结构除了可具有较薄的厚度与较佳的可挠曲性外，也可有效节省制造工时。此外，由于本实用新型的电磁屏蔽层是由第二粘着层、屏蔽介电层以及屏蔽金属层所组成，相比较于现有采用银薄膜或银浆层作为电磁屏蔽层的可挠性基板结构而言，本实用新型的可挠性基板结构可有效降低生产成本且可具有较佳的结构可靠度。[0012]为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
[0013]图1为本实用新型的一实施例的一种可挠性基板结构的剖面示意图。[0014]图2为本实用新型的另一实施例的一种可挠性基板结构的剖面示意图。[0015]图3为本实用新型的又一实施例的一种可挠性基板结构的剖面示意图。[0016]图4为本实用新型的再一实施例的一种可挠性基板结构的剖面示意图。[0017]主要元件符号说明[0018]100a、100b、100c、100d；:可挠性基板结构[0019]110 ；:核心层[0020]112 ；:核心介电层[0021]114 ；:第一核心导电层[0022]116 ；:第二核心导电层[0023]120 ；:覆盖层[0024]122 ；:第一粘着层[0025]124 ；:覆盖介电层[0026]130a、130b、130c、130d；:电磁屏蔽层[0027]132a、132b、132c、132d；:第二粘着层[0028]134a、134b、134c、134d；:屏蔽介电层[0029]136a、136b、136c、136d；:屏蔽金属层[0030]138c、138d :第三粘着层具体实施方式
[0031]图1绘示为本实用新型的一实施例的一种可挠性基板结构的剖面示意图。请参考图1，在本实施例中，可挠性基板结构IOOa包括一核心层110、一覆盖层120以及一电磁屏蔽层130a。[0032]详细来说，核心层110包括一核心介电层112、一第一核心导电层114以及一第二核心导电层116。第一核心导电层114与第二核心导电层116分别配置于核心介电层112 的相对两侧。覆盖层120包括一第一粘着层122以及一覆盖介电层124。覆盖层120可通 过第一粘着层122而固定于核心层110的第一核心导电层114上。电磁屏蔽层130a包括 一第二粘着层132a、一屏蔽介电层134a以及一屏蔽金属层136a,其中屏蔽介电层134a配 置于第二粘着层132a与屏蔽金属层136a之间。电磁屏蔽层130a通过第二粘着层132a固 定于核心层110的第二核心导电层116上。[0033]在本实施例中，核心介电层112的材质例如是聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯 二 甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚酸胺亚胺(polyamide-1mide)、聚 醚(Poly-ether)酸亚胺、聚嗍讽(Poly-sulfon)、聚苯撑硫醚(Poly-phenylene-sulfide)、 聚醚醚酮(Poly-ether-ether-ketone)、聚碳酸盐(Poly-carbonate)、聚丙烯酸酯 (Poly-acrylatc)、聚醚嗍砜、液晶高分子、氟素树脂、环氧树脂等等之类的玻璃转移温 度(Tg)在150°C以上、可利用铸造(cast)、挤出成形等方法而薄膜化的树脂所构成的 树脂膜等。第一核心导电层114的材质与第二核心导电层116的材质例如是铜箔，如 电解铜箔、压延铜箔或不锈铜箔，或者是铝箔。覆盖介电层124的材质例如是聚酰亚 胺(polyimide, PI )、聚对苯二 甲酸乙二 酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚酸 胺亚胺(polyamide-1mide)、聚 Bi (Poly-ether)酰亚胺、聚嗍砜(Poly-sulfon)、聚苯 撑硫醚(Poly-phenylene-sulf ide)、聚醚醚酮(Poly-ether-ether-ketone)、聚碳酸盐 (Poly-carbonate)、聚丙烯酸酯(Poly-acrylatc)、聚醚嗍砜、液晶高分子、氟素树脂、环氧 树脂等等之类的玻璃转移温度(Tg)在150°C以上、可利用铸造(cast)、挤出成形等方法而 薄膜化的树脂所构成的树脂膜等。第一粘着层122的材质例如是环氧树脂。上述环氧树脂 复合材料由环氧树脂复合材料组成，其中环氧树脂复合材料的粘度为25000厘泊至50000 厘泊，且环氧树脂复合材料包括端羧基聚合物改性的环氧树脂、复合导热颗粒、硬化剂、催 化剂、溶剂、增韧剂、添加剂及消泡剂。[0034]所述端羧基聚合物改性的环氧树脂为环氧树脂与端羧基聚合物发生共聚合反 应的产物，即环氧树脂末端的环氧基与端羧基聚合物的末端的羧基发生反应而生成一个 酯基，从而得到包括交替的环氧树脂重复单元及端羧基聚合物的重复单元的聚合物。其 中，环氧树脂可为双酚A型环氧树脂，端羧聚合物可为液态聚丁二烯丙腈(CTBN)。屏蔽 介电层134a的材质例如是聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)、 聚酰亚胺(polyimide, PI)、聚酰胺亚胺(polyamide-1mide)、聚 Bi (Poly-ether)酰 亚胺、聚嗍砜(Poly-sulfon)、聚苯撑硫醚(Poly-phenylene-sulfide)、聚醚醚酮 (Poly-ether-ether-ketone)、聚碳酸盐(Poly-carbonate)、聚丙烯酸酯(Poly-acrylatc)、 聚醚嗍砜、液晶高分子、氟素树脂、环氧树脂等等之类的玻璃转移温度(Tg)在150°C以上、 可利用铸造(cast)、挤出成形等方法而薄膜化的树脂所构成的树脂膜等。屏蔽金属层136a 的材质例如是铜箔，如电解铜箔、压延铜箔或不锈铜箔，或者是铝箔。第二粘着层132a的材 质例如是环氧树脂。上述的环氧树脂复合材料由环氧树脂复合材料组成，其中环氧树脂复 合材料的粘度为25000厘泊至50000厘泊，且环氧树脂复合材料包括端羧基聚合物改性的 环氧树脂、复合导热颗粒、硬化剂、催化剂、溶剂、增韧剂、添加剂及消泡剂。[0035]由于本实施例的可挠性基板结构IOOa仅由三层结构，即核心层110、覆盖层120以 及电磁屏蔽层130所构成，因此相较于现有由四层结构(包括两个覆盖层、一个核心层以及一个电磁屏蔽层)所构成的可挠性基板结构而言，本实施例的可挠性基板结构IOOa除了可具有较薄的厚度与较佳的可挠曲性外，也可有效节省制造(组装)工时。再者，由于本实施例的电磁屏蔽层130a是由弟_■粘着层132a、屏蔽介电层134a以及屏蔽金属层136a所组成， 相比较于现有采用银薄膜或银浆层作为电磁屏蔽层的可挠性基板结构而言，本实施例的可挠性基板结构IOOa可有效降低生产成本且可具有较佳的结构可靠度。此外，由于本实施例是以一个电磁屏蔽层130a来取代现有一个覆盖层加上一个电磁屏蔽层的功能，因此相较于现有可挠性基板结构而言，本实施例的可挠性基板结构IOOa可具有低成本、薄型化及少工序等优势。[0036]在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。[0037]图2绘示为本实用新型的另一实施例的一种可挠性基板结构的剖面示意图。请同时参考图1与图2，图2的可挠性基板结构IOOb与图1的可挠性基板结构IOOa相似，其不同之处在于图2的电磁屏蔽层130b的屏蔽金属层136b配置于第二粘着层132b与屏蔽介电层134b之间。[0038]图3绘示为本实用新型的又一实施例的一种可挠性基板结构的剖面示意图。请同时参考图1与图3，图3的可挠性基板结构IOOc与图1的可挠性基板结构IOOa相似，其不同之处在于图3的电磁屏蔽层130c还包括一第三粘着层138c，其中第二粘着层132c、第三粘着层138c、屏蔽介电层134c以及屏蔽金属层136c交替堆叠。更具体来说，第二粘着层 132c位于第二核心导电层116与屏蔽介电层134c之间，而第三粘着层138c位于屏蔽介电层134c与屏蔽金属层136c之间。[0039]图4绘示为 本实用新型的再一实施例的一种可挠性基板结构的剖面示意图。请同时参考图3与图4，图4的可挠性基板结构IOOd与图3的可挠性基板结构IOOc相似，其不同之处在于图4的电磁屏蔽层130d的第二粘着层132d位于第二核心导电层116与屏蔽金属层136d之间，而第三粘着层138d位于屏蔽金属层136d与屏蔽介电层134d之间。[0040]综上所述，由于本实用新型的可挠性基板结构仅由核心层、覆盖层以及电磁屏蔽层三层结构所构成，因此相比较于现有由四层结构(包括两个覆盖层、一个核心层以及一个电磁屏蔽层)所构成的可挠性基板结构而言，本实用新型的可挠性基板结构除了可具有较薄的厚度与较佳的可挠曲性外，也可有效节省制造工时。再者，由于本实用新型的电磁屏蔽层是由第二粘着层、屏蔽介电层以及屏蔽金属层所组成，相较于现有采用银薄膜或银浆层作为电磁屏蔽层的可挠性基板结构而言，本实用新型的可挠性基板结构可有效降低生产成本且可具有较佳的结构可靠度。此外，由于本实用新型是以一个电磁屏蔽层来取代现有一个覆盖层加上一个电磁屏蔽层的功能，因此相比较于现有可挠性基板结构而言，本实用新型的可挠性基板结构可具有低成本、薄型化及少工序等优势。
权利要求1.一种可挠性基板结构，包括 核心层，包括核心介电层、第一核心导电层以及第二核心导电层，其中该第一核心导电层与该第二核心导电层分别配置于该核心介电层的相对两侧； 覆盖层，包括第一粘着层以及覆盖介电层，其中该覆盖层通过该第一粘着层而固定于该核心层的该第一核心导电层上；以及 电磁屏蔽层，包括第二粘着层、屏蔽介电层以及屏蔽金属层，其中该电磁屏蔽层通过该第二粘着层固定于该核心层的该第二核心导电层上。
2.如权利要求1所述的可挠性基板结构，其特征在于，该屏蔽介电层配置于该第二粘着层与该屏蔽金属层之间。
3.如权利要求1所述的可挠性基板结构，其特征在于，该屏蔽金属层配置于该第二粘着层与该屏蔽介电层之间。
4.如权利要求1所述的可挠性基板结构，其特征在于，该电磁屏蔽层还包括第三粘着层，该第二粘着层、该第三粘着层、该屏蔽介电层以及该屏蔽金属层交替堆叠。
5.如权利要求4所述的可挠性基板结构，其特征在于，该第二粘着层位于该第二核心导电层与该屏蔽介电层之间，而该第三粘着层位于该屏蔽介电层与该屏蔽金属层之间。
6.如权利要求4所述的可挠性基板结构，其特征在于，该第二粘着层于该第二核心导电层与该屏蔽金属层之间，而该第三粘着层位于该屏蔽金属层与该屏蔽介电层之间。
专利摘要本实用新型公开一种可挠性基板结构，其包括一核心层、一覆盖层以及一电磁屏蔽层。核心层包括一核心介电层、一第一核心导电层以及一第二核心导电层。第一核心导电层与第二核心导电层分别配置于核心介电层的相对两侧。覆盖层包括一第一粘着层以及一覆盖介电层。覆盖层通过第一粘着层而固定于核心层的第一核心导电层上。电磁屏蔽层包括一第二粘着层、一屏蔽介电层以及一屏蔽金属层。电磁屏蔽层通过第二粘着层固定于核心层的第二核心导电层上。
文档编号H05K1/03GK202873178SQ20122047964
公开日2013年4月10日 申请日期2012年9月19日 优先权日2012年9月19日
发明者李长明, 赖永伟, 张宏麟, 李少谦, 宋尚霖 申请人:欣兴电子股份有限公司