专利名称：物理气相沉积部件和线圈的重新磨光方法
技术领域：
本发明涉及物理气相沉积(PVD)部件和线圈的重新磨光方法。
背景技术：
包括物理气相沉积线圈的物理气相沉积部件在其用于物理气相沉积过程中在部件表面上可积聚被沉积出的材料层。该材料层可能包含通过物理气相沉积而沉积出的材料，或者有可能包含其一些衍生物。所述材料层的积聚可能会增加物理气相沉积过程中污染物颗粒的产生和/或可能会损害物理气相沉积设备的操作。因此，所述材料层的积聚可受到监控以使得部件在达到其使用极限之后可被去除和丢弃。此时，可用新部件更换被去除的部件。由昂贵材料例如钽制成的更换部件增加了实施物理气相沉积的成本。
通常，对用过的部件进行重新磨光的尝试在充分去除积聚层方面遇到了困难。充分去除积聚层的方法通常会损伤底层原始部件或为实现充分去除而需要进行长时间的处理。可能的损伤包括破坏了所希望的表面光洁度和/或使部件尺寸减少至公差范围之外。珠光处理表示一种已公知的技术，如果将所述技术施加到足以充分去除积聚层的程度，那么该技术通常会损伤底层原始部件。化学蚀刻表示一种已公知的技术，该技术通常需要进行长时间的处理以充分去除积聚层。
其它已公知的技术包括在珠光处理后进行化学蚀刻以仅去除置于部件中的喷射颗粒或仅在简短(1min(分钟)或更短)的处理循环中从表面上清洗去除积聚层以外的污染物。其它组合技术不进行化学蚀刻以改进珠光处理去除积聚层的程度。
对物理气相沉积的一种可能的改进包括通过在更高效的工艺中充分去除积聚层和/或限制对原始部件的损伤而对部件进行重新磨光以进一步使用，由此延长了物理气相沉积部件的寿命并降低了与物理气相沉积相关联的成本。
发明内容
在本发明的一个方面中，一种经过使用的物理气相沉积部件的重新磨光方法包括提供在部件表面上具有沉积层的经过使用的物理气相沉积部件并且使用第一种含酸蚀刻剂对所述沉积层进行一次蚀刻。在所述一次蚀刻后，所述方法包括使磨料颗粒夹带在气体流中、使所述颗粒撞击所述蚀刻层并对所述蚀刻层进行磨蚀。在磨蚀后，所述方法包括使用第二种含酸蚀刻剂对所述磨蚀层进行二次蚀刻。
在本发明的另一个方面中，一种经过使用的物理气相沉积部件的重新磨光方法包括提供具有在物理气相沉积应用过程中沉积在部件表面上的TaN层的钽物理气相沉积部件并且使用包含HF的蚀刻剂对所述沉积层进行1分钟以上至15分钟的一次蚀刻。在所述一次蚀刻后，所述方法包括使磨料颗粒夹带在气体流中、使所述颗粒撞击所述蚀刻层并利用足以产生大于300μin(8μm)的粗糙度Ra的工艺条件对所述蚀刻层进行磨蚀。在所述磨蚀后，所述方法包括使用蚀刻剂对所述磨蚀层进行二次蚀刻并产生达到最大速度的鼓泡。所述二次蚀刻继续进行直至所述鼓泡速度降至小于所述最大速度的约10％。
在本发明的又一个方面中，一种经过使用的物理气相沉积线圈的重新磨光方法包括提供用作进行等离子体溅射的直流(DC)磁控管真空物理气相沉积反应器中的射频(RF)线圈的钽物理气相沉积线圈，所述线圈具有由于物理气相沉积而积聚在线圈表面上的TaN层。所述方法包括使用蚀刻剂对所述沉积层进行1分钟至15分钟的一次蚀刻，所述蚀刻剂除对杂质进行处理外，包括等体积份数的去离子水、HF和HNO3的混合物。在所述一次蚀刻后，所述方法包括使1∶1混合的粒度为16和24(平均直径为1.1和0.69mm)的氧化铝夹带在空气流中、使所述氧化铝撞击所述蚀刻层并利用足以产生大于300μin(8μm)的粗糙度Ra的工艺条件对所述蚀刻层进行磨蚀。在所述磨蚀后，所述方法包括使用蚀刻剂对所述磨蚀层进行二次蚀刻并产生达到最大速度的鼓泡。所述二次蚀刻继续进行直至所述鼓泡速度降至小于所述最大速度的约1％。
下面结合附图对本发明的优选实施例进行描述，其中图1是用于直流磁控管真空物理气相沉积反应器的射频线圈的透视图；图2是图1所示射频线圈的安装凸部的侧视图；图3是图2所示安装凸部的剖视图；图4是图2所示安装凸部的剖视图，所述安装凸部的内表面受到保护；图5是经过使用的钽射频线圈剖面的扫描电镜(SEM)照片，图中示出了沉积在线圈的滚花表面上的TaN；和图6是经过使用的钽射频线圈剖面的扫描电镜照片，图中示出了重新磨光的表面。
具体实施例方式
根据本发明的一个方面，一种经过使用的物理气相沉积部件的重新磨光方法包括提供在部件表面上具有沉积层的经过使用的物理气相沉积部件并且使用第一种含酸蚀刻剂对所述沉积层进行一次蚀刻。在所述一次蚀刻后，所述方法包括使磨料颗粒夹带在气体流中、使所述颗粒撞击所述蚀刻层并对所述蚀刻层进行磨蚀。在磨蚀后，所述方法包括使用第二种含酸蚀刻剂对所述磨蚀层进行二次蚀刻。
根据本发明的多个方面可进行重新磨光的典型部件包括金属部件，例如经过使用的物理气相沉积线圈。该线圈可具有一定尺寸以安装在用于进行200毫米(mm)和300mm晶片物理气相沉积的物理气相沉积设备中。该线圈可以是用于在进行等离子体溅射的直流(DC)磁控管真空物理气相沉积反应器中的射频(RF)线圈。该线圈可以是钽线圈且沉积层可包括在物理气相沉积使用过程中沉积在线圈表面上的TaN。在沉积层达到约1至约450微米(μm)的厚度后，可从操作中拆除线圈以进行重新磨光。在沉积层厚度达到指定公差极限前进行重新磨光可能是所希望的。采用在此所述的重新磨光方法，可从钽线圈上除去TaN且线圈随后至少可再用一次，也可能再用多次。
此外，线圈可包括用以将线圈安装在物理气相沉积设备中的安装凸部，所述安装凸部还已公知为线圈柱。当安装凸部被安装在物理气相沉积设备中时，如本领域的技术人员已公知地，安装凸部可提供曲径通道。所述通道帮助保持线圈与其安装的表面之间的电绝缘。可以理解，尽管存在初始电绝缘，但是沉积的导电材料可导致跨过该电绝缘部分产生短路。因此，曲径通道允许导电材料沉积在凸部的外表面上以及沉积在线圈安装的表面上，而不会使电绝缘部分短路。安装凸部因此包括内表面且本发明的多个方面可进一步包括在一次蚀刻和磨蚀过程中保护内表面。
安装凸部的内表面可被制造以具有紧公差从而提供所需的曲径通道和电绝缘。因此，内表面在一次蚀刻和磨蚀过程中与安装凸部的外表面和物理气相沉积线圈的其它部分相比可更易于产生材料损失。由于存在材料层沉积在内表面上的可能性，尽管与外表面相比程度更小，所以本方法的多个方面包括在二次蚀刻过程中不保护安装凸部的内表面。按照这种方式，潜在地沉积在安装凸部的内表面上的材料层的一些部分可被去除，且改变安装凸部的内表面和超过公差的风险较小。
可根据在此所述的本发明的多个方面进行重新磨光的直流磁控管真空物理气相沉积反应器中的射频线圈的一个实例包括加利福尼亚圣克拉拉(Santa Clara，California)的Applied Materials生产的EnduraEncore物理气相沉积设备中的射频线圈。在于2003年6月26日公开的美国专利申请No.2003/0116427和于2003年5月15日公开的No.2003/0089597中描述了Endura Encore物理气相沉积设备。在感应耦合等离子体(ICP)溅射过程中，Endura Encore物理气相沉积设备中的射频线圈可积聚沉积层。观察表明，在利用钽线圈进行TaN沉积的过程中，沉积层包含TaN。根据本发明的多个方面通过去除TaN而对钽射频线圈进行重新磨光提供了在公差范围内的线圈，所述线圈与原始线圈相比据报导具有足够良好的功能。
图1是线圈组件100的透视图，图中示出了可用于200mm晶片的Endura Encore物理气相沉积设备中的线圈组件。线圈组件100包括用于安装在附接到线圈120上的物理气相沉积设备中的多个凸部110。用于对300毫米晶片进行物理气相沉积的线圈组件大体上相同且具有更大的直径以及两个附加的用于进行安装的凸部110。正如本领域的技术人员已公知地，凸部110可通过多种方式，包括但不限于，焊接、螺栓连接和在铸造过程中使凸部110与线圈120一体形成等方式而被附接到线圈120上。图2是一个凸部110和一部分线圈120的侧视图。图3是沿线3-3截取的凸部110和线圈120的剖视图凸部110包括在其间限定出井槽130的外杯160和内座140。在图1一图3中可观察到井槽130相对于凸部110的外表面包括内表面。凸部110还包括座140中的螺纹孔150，所述螺纹孔提供了凸部110的附加内表面。由于希望保持螺纹孔150和井槽130的公差，因此这些部件的内表面在一次蚀刻和磨蚀过程中可受到保护。图4示出了安装在井槽130上的垫圈170和将垫圈170紧固在适当位置处的螺钉180。垫圈170和/或螺钉180可含有聚四氟乙烯(PTFE)、聚乙烯、铝或耐受第一种含酸蚀刻剂和/或阻滞磨料颗粒的另一种材料。例如，垫圈170和螺钉180在蚀刻过程中均可包括聚四氟乙烯。在磨蚀过程中，垫圈170可包括铝且螺钉180可包括聚乙烯。正如所述，在二次蚀刻过程中可除去垫圈170和螺钉180。
在本发明的多个方面中，第一和第二种蚀刻剂可包括HF水溶液。第一和第二种蚀刻剂可以是相同的蚀刻剂，所述蚀刻剂除了对杂质进行处理外，包括等体积份数的去离子(D1)水、HF和HNO3的混合物。对于1至450μm的平均沉积层厚度来说，一次蚀刻可持续1分钟以上至15分钟。对于更厚的沉积层可保证更长的蚀刻时间。通常情况下，厚度可为约100至约300μm；因此，一次蚀刻可优选持续4至8分钟。
二次蚀刻可产生达到最大速度的鼓泡，且二次蚀刻可继续进行直至鼓泡速度降至小于最大速度的约10％或小于最大速度的约1％。二次蚀刻优选继续进行直至鼓泡停止。观察表明在二次蚀刻过程中产生鼓泡表明存在剩余的TaN。因此，鼓泡的停止表明完全或基本上完全除去了TaN。然而，可以想到，在二次蚀刻过程中，线圈本身也可产生鼓泡，尽管速度较低。因此，另一种可选的终点可以是如上所述鼓泡速度的降低直至鼓泡大体上停止。
磨蚀可包括利用粒度为16至36(平均直径为1.1至0.48mm)的氧化铝进行珠光处理。粒度为16和24(平均直径为1.1和0.69mm)的氧化铝按照1∶1进行混合被证明是有效的。其它适当的磨料颗粒包括碳化硅、石榴石、玻璃珠等。夹带磨料颗粒的气体流可包括在25至100psi(磅/英寸2)(0.17至0.69MPa(兆帕斯卡))的压力下的空气、氩气、氮气等的一种或多种。在进行二次蚀刻前，可利用足以产生大于300μin(微英寸)(8μm)的粗糙度Ra的工艺条件进行磨蚀。在磨蚀之前，部件可包括滚花表面。滚花通常促进了物理气相沉积层结合在部件上以减少旨在沉积到基体上的层产生剥落和脱落。因此，期望保持一些原始粗糙度。
在此描述的重新磨光方法的一个优点包括与仅依靠化学蚀刻的常规技术相比增大了沉积层的去除速度。一次蚀刻、磨蚀和二次蚀刻可在大于在没有磨蚀情况下实施的相同的一次蚀刻和相同的二次蚀刻的速度下去除沉积层。假设蚀刻剂和实际蚀刻时间相同，那么本发明的多个方面可通过尤其将蚀刻分成两次蚀刻并在蚀刻之间进行磨蚀而增大去除速度。
另一个优点包括，对于相等的沉积层去除程度而言，与仅依靠珠光处理或依靠进行初始珠光处理随后仅进行蚀刻以除去喷射颗粒和/或清洗污染物的常规技术相比，本发明对物理气相沉积部件的损伤程度降低。与在除去相等的沉积层厚度过程中发生的除去物理气相沉积部件表面的情况相比，一次蚀刻、磨蚀和二次蚀刻可通过在没有一次蚀刻的情况下延长磨蚀和实施相同的二次蚀刻而去除更少的物理气相沉积部件表面。假设第二种蚀刻剂和实际的二次蚀刻时间相同，那么本发明的多个方面除去了更少的物理气相沉积部件表面，这是因为施加了附加的珠光处理以实现等效的沉积层去除。在利用珠光处理和蚀刻的常规技术中，蚀刻时间通常非常短，因此对于相等的沉积层去除程度而言，物理气相沉积部件表面的去除甚至更为明显。
在此所述的本发明的多个方面包括对沉积层进行一次蚀刻、对蚀刻层进行磨蚀以及对磨蚀层进行二次蚀刻。应该意识到，可在三个所述步骤之前或在这些步骤之间进行附加的清洗或其它处理步骤。例如，在一次蚀刻之前可使用例如碱皂对部件进行脱脂并漂洗脱脂部件。在一次蚀刻后和磨蚀之前，可进行水洗并随后利用例如干燥的N2气流进行干燥。在二次蚀刻之前可进行水洗，且在二次蚀刻之后和最终封装之前可进行水洗并随后进行干燥。
根据本发明的另一个方面，经过使用的物理气相沉积部件的重新磨光方法包括提供具有在物理气相沉积应用过程中沉积在部件表面上的TaN层的钽物理气相沉积部件并且使用包含HF的蚀刻剂对沉积层进行1分钟以上至15分钟的一次蚀刻。在一次蚀刻后，该方法包括使磨料颗粒夹带在气体流中、使颗粒撞击蚀刻层以及利用足以产生大于300μin(8μm)的粗糙度Ra的工艺条件对蚀刻层进行磨蚀。在磨蚀后，该方法包括使用蚀刻剂对磨蚀层进行二次蚀刻并产生达到最大速度的鼓泡。二次蚀刻继续进行直至鼓泡速度降至小于最大速度的约10％。
根据本发明的又一个方面，经过使用的物理气相沉积线圈的重新磨光方法包括提供用作进行等离子体溅射的直流(DC)磁控管真空物理气相沉积反应器中的射频(RF)线圈的钽物理气相沉积线圈，所述线圈具有由于物理气相沉积而积聚在线圈表面上的TaN层。所述方法包括使用蚀刻剂对所述沉积层进行1分钟至15分钟的一次蚀刻，所述蚀刻剂除对杂质进行处理外，包括等体积份数的去离子水、HF和HNO3的混合物。在所述一次蚀刻后，所述方法包括使1∶1混合的粒度为16和24(平均直径为1.1和0.69mm)的氧化铝夹带在空气流中、使所述氧化铝撞击所述蚀刻层并利用足以产生大于300μin(8μm)的粗糙度Ra的工艺条件对所述蚀刻层进行磨蚀。在所述磨蚀后，所述方法包括使用蚀刻剂对所述磨蚀层进行二次蚀刻并产生达到最大速度的鼓泡。所述二次蚀刻继续进行直至所述鼓泡速度降至小于所述最大速度的约1％。
实例1对用于在Endura Encore物理气相沉积设备中进行TaN沉积的300mm钽线圈进行清洗、脱脂和彻底漂洗。利用扫描电镜对从线圈上取下来的代表性试样样品进行分析且发现在所述试样的滚花表面上具有TaN层。图5是试样的显微照片，照片中示出了滚花表面的灰峰和灰谷，所述灰峰和灰谷具有在其上形成的浅灰色TaN层。图5中的TaN层呈现出约144.9μm的最大厚度和约18.9μm的最小厚度，然而，测量厚度高达0.01132英寸(287.5μm)。
实例2
实例1中的试样通过浸没在等体积份数的去离子水、HF和HNO3浴中12分钟、简单排干、浸没在去离子水中2.5分钟并且利用去离子水进行30秒钟(sec)的喷射而进行蚀刻和漂洗。试样被简单排干、浸没在包含去离子水的超声漂洗槽中3分钟并简单排干。利用设置在70-85psi(0.48-0.59MPa)压力下的氮气喷枪吹干试样。接下来，利用80psi(0.6MPa)的空气与1∶1混合的粒度为16和24(平均直径为1.1和0.69mm)的氧化铝在珠光处理室中进行珠光处理。珠光处理继续进行以在线圈试样的内径表面上产生483.2μin(12.27μm)的表面粗糙度Ra且在线圈试样的外径表面上产生413.6μin(10.51μm)的表面粗糙度Ra。相应的初始内和外表面粗糙度Ra为474.4和1383μin(12.05和35.13μm)。其后，重复进行蚀刻。在漂洗和干燥后，如图6所示通过扫描电镜进行的分析显示没有残留的TaN层。
初始和最终质量测量表明质量损失为8.22％。厚度测量表明尺寸改变小于0.01265in(0.3213mm)，处于公差范围内。即便如此，应该相信，对试样的蚀刻超过了需要。随后的测评发现，对于300mm的钽线圈，6分钟的一次蚀刻和进行二次蚀刻直至鼓泡停止(约6至8分钟)足以实现等效于图6所示的那些结果的结果。
实例3除了仅进行24分钟的一次蚀刻的情况之外，在不进行珠光处理的情况下对实例1中的试样进行如图2所述的蚀刻、漂洗和干燥。通过扫描电镜进行的分析显示残留TaN具有高达0.00569in(145μm)的厚度。
按照规定，本发明已经以或多或少具体的语言对结构和方法特征进行了描述。然而，应该理解，本发明不限于所示和所述的具体特征，这是因为在此披露的装置包括使本发明生效的优选形式。因此，本发明在根据等效原则适当解释的所附权利要求的适当范围内要求对其任一形式或变型进行保护。
权利要求
1.一种经过使用的物理气相沉积部件的重新磨光方法，包括以下步骤提供在部件表面上具有沉积层的经过使用的物理气相沉积部件；使用第一种含酸蚀刻剂对所述沉积层进行一次蚀刻；在所述一次蚀刻后，使磨料颗粒夹带在气体流中、使所述颗粒撞击所述蚀刻层并对所述蚀刻层进行磨蚀；以及在磨蚀后，使用第二种含酸蚀刻剂对所述磨蚀层进行二次蚀刻。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述一次蚀刻、所述磨蚀和所述二次蚀刻在大于在没有所述磨蚀情况下实施的相同的所述一次蚀刻和相同的所述二次蚀刻的速度下去除所述沉积层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中与在除去相等的沉积层厚度过程中发生的除去物理气相沉积部件表面的情况相比，一次蚀刻、磨蚀和二次蚀刻通过在没有一次蚀刻的情况下延长磨蚀和实施相同的二次蚀刻而去除更少的物理气相沉积部件表面。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述部件包括线圈。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述线圈被用作进行等离子体溅射的直流磁控管真空物理气相沉积反应器中的射频线圈。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述线圈是钽线圈且所述沉积层包括在所述物理气相沉积应用过程中沉积在所述线圈表面上的TaN。
7.根据权利要求4所述的方法，其中所述线圈包括具有内表面的安装凸部且所述方法进一步包括在所述一次蚀刻和所述磨蚀过程中，但不在所述二次蚀刻过程中保护所述内表面。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述部件是金属部件。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二种蚀刻剂包括HF水溶液。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二种蚀刻剂是相同的蚀刻剂，所述蚀刻剂除了对杂质进行处理外，包括等体积份数的去离子水、HF和HNO3的混合物。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述一次蚀刻持续1分钟以上至15分钟。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述二次蚀刻产生达到最大速度的鼓泡，且所述二次蚀刻继续进行直至所述鼓泡速度降至小于所述最大速度的约10％。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述二次蚀刻继续进行直至所述鼓泡停止。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述磨蚀包括利用粒度为16至36的氧化铝进行珠光处理。
15.根据权利要求1所述的方法，其中在所述二次蚀刻前，所述磨蚀采用足以产生大于300μin的粗糙度Ra的工艺条件。
16.一种经过使用的物理气相沉积部件的重新磨光方法，包括以下步骤提供具有在物理气相沉积应用过程中沉积在部件表面上的TaN层的钽物理气相沉积部件；使用包含HF的蚀刻剂对所述沉积层进行1分钟以上至15分钟的一次蚀刻；在所述一次蚀刻后，使磨料颗粒夹带在气体流中、使所述颗粒撞击所述蚀刻层并利用足以产生大于300μin的粗糙度Ra的工艺条件对所述蚀刻层进行磨蚀；以及在所述磨蚀后，使用蚀刻剂对所述磨蚀层进行二次蚀刻并产生达到最大速度的鼓泡，所述二次蚀刻继续进行直至所述鼓泡速度降至小于所述最大速度的约10％。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述一次蚀刻、所述磨蚀和所述二次蚀刻在大于在没有所述磨蚀情况下实施的相同的所述一次蚀刻和相同的所述二次蚀刻的速度下去除所述沉积层。
18.根据权利要求16所述的方法，其中与在除去相等的沉积层厚度过程中发生的除去物理气相沉积部件表面的情况相比，一次蚀刻、磨蚀和二次蚀刻通过在没有一次蚀刻的情况下延长磨蚀和实施相同的二次蚀刻而去除更少的物理气相沉积部件表面。
19.根据权利要求16所述的方法，其中所述部件包括线圈。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述线圈被用作进行等离子体溅射的直流磁控管真空物理气相沉积反应器中的射频线圈。
21.根据权利要求19所述的方法，其中所述线圈包括具有内表面的安装凸部且所述方法进一步包括在所述一次蚀刻和所述磨蚀过程中，但不在所述二次蚀刻过程中保护所述内表面。
22.根据权利要求16所述的方法，其中除了对杂质进行处理外，所述蚀刻剂包括等体积份数的去离子水、HF和HNO3的混合物。
23.根据权利要求16所述的方法，其中所述二次蚀刻继续进行直至所述鼓泡停止。
24.根据权利要求16所述的方法，其中所述磨蚀包括利用粒度为16至36的氧化铝进行珠光处理。
25.一种经过使用的物理气相沉积线圈的重新磨光方法，包括以下步骤提供用作进行等离子体溅射的直流磁控管真空物理气相沉积反应器中的射频线圈的钽物理气相沉积线圈，所述线圈具有由于物理气相沉积而积聚在线圈表面上的TaN层；使用蚀刻剂对所述沉积层进行1分钟以上至15分钟的一次蚀刻，所述蚀刻剂除对杂质进行处理外，包括等体积份数的去离子水、HF和HNO3的混合物；在所述一次蚀刻后，使1∶1混合的粒度为16和24的氧化铝夹带在空气流中、使所述氧化铝撞击所述蚀刻层并利用足以产生大于300μin的粗糙度Ra的工艺条件对所述蚀刻层进行磨蚀；在所述磨蚀后，使用蚀刻剂对所述磨蚀层进行二次蚀刻并产生达到最大速度的鼓泡，所述二次蚀刻继续进行直至所述鼓泡速度降至小于所述最大速度的约1％；所述一次蚀刻、所述磨蚀和所述二次蚀刻在大于在没有所述磨蚀情况下实施的相同的所述一次蚀刻和相同的所述二次蚀刻的速度下去除所述沉积层；以及与在除去相等的所述沉积层厚度过程中发生的除去所述物理气相沉积部件表面的情况相比，所述一次蚀刻、所述磨蚀和所述二次蚀刻通过在没有所述一次蚀刻的情况下延长所述磨蚀和实施相同的所述二次蚀刻而除去更少的所述物理气相沉积部件表面。
26.根据权利要求25所述的方法，其中所述线圈包括具有内表面的安装凸部且所述方法进一步包括在所述一次蚀刻和所述磨蚀过程中，但不在所述二次蚀刻过程中保护所述内表面。
27.根据权利要求25所述的方法，其中所述二次蚀刻继续进行直至所述鼓泡停止。
全文摘要
一种经过使用的物理气相沉积部件的重新磨光方法包括提供在部件表面上具有沉积层的经过使用的物理气相沉积部件例如射频线圈(120)并且使用第一种含酸蚀刻剂对所述沉积层进行一次蚀刻。在所述一次蚀刻后，所述方法包括使磨料颗粒夹带在气体流中、使所述颗粒撞击所述蚀刻层并对所述蚀刻层进行磨蚀。在磨蚀后，所述方法包括使用第二种含酸蚀刻剂对所述磨蚀层进行二次蚀刻。
文档编号B08B3/08GK1816644SQ200480018752
公开日2006年8月9日 申请日期2004年9月24日 优先权日2003年9月25日
发明者J·D·米泽 申请人:霍尼韦尔国际公司