专利名称：半自动晶片后洗装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及石英晶体振荡器、谐振器加工设备中的石英晶片后洗装置，特别是一 种半自动晶片后洗装置。
背景技术：
现有的石英晶片后洗装置，采用的是单个超声波清洗槽逐个进行手动超声波清 洗，这样的手动操作强度增大、出错几率大，同时由于不易控制清洗液体的流量造成了很大 的资源浪费或者影响了清洗效果。甚至有的工厂鉴于手动操作的复杂性直接取消了这一个 加工流程，引起了后几道工序的良率偏低。目前国内尚无一种专门用于此加工工艺的设备。
发明内容
本发明旨在解决上述晶片后洗工序存在的技术问题，而提供一种在降低员工操作 强度和避免资源浪费的同时，又能提升生产效率和加工良率的半自动晶片后洗装置。本发明解决其技术问题采用的技术方案是一种半自动晶片后洗装置，包括超声 波清洗槽，所述超声波清洗槽至少包括依次排列布置的初洗槽、喷淋槽、净洗槽、甩干槽和 脱水槽，该初洗槽配置有初洗水存储箱，该喷淋槽配置有喷淋水存储箱，该脱水槽分别配置 有脱水液体存储箱和脱水液体回收箱，清洗水分别引入净洗槽和喷淋水存储箱，该净洗槽 通过其上部的溢流管道与该初洗水存储箱连接，该初洗水存储箱通过供水管路与该初洗槽 连接，该喷淋水存储箱的供水管路与设置在该喷淋槽上方的喷头连接；脱水液体输入管路 与该脱水液体存储箱连接，该脱水液体存储箱的供液管路与该脱水槽连接，该脱水槽与该 脱水液体回收箱之间分别通过输液管路和溢流管路连接。与现有技术相比，本发明既能更换清洗液体又不浪费资源，同时在脱水液体脱水 前设置有将被清洗的晶片高速旋转甩干的工序，提高了脱水液体的脱水效果，脱水后的液 体自动回收，可以用于其它方面，节省了资源。本发明便于员工操作，员工只需将上一槽位 的晶片移到下一槽位同时打开相应的电源开关即可，降低了员工的操作难度和强度。
图1为本发明的结构示意图。图中初洗槽1，喷淋槽2，净洗槽3，甩干槽4，脱水槽5，初洗水存储箱6，喷淋水存储箱7，脱水液体回收箱8，脱水液体存储箱9，水泵10，过滤器11，供水管路12，电磁阀13， 手动排液阀14，排液管路15，溢流管道16，喷头17，脱水液回收桶18，脱水液体输入管路 19，清洗水供水管路20。
具体实施例方式以下结合附图及实施例详本发明。见图1，本实施例所述半自动晶片后洗装置，其超声波清洗槽由依次排列布置的初洗槽1、喷淋槽2、净洗槽3、甩干槽4和脱水槽5组成，该初洗槽1配置有初洗水存储箱9，该喷淋槽配置有喷淋水存储箱8，该脱水槽4分别配置有脱水液体存储箱6和脱水液体回 收箱7，清洗水分别引入净洗槽3和喷淋水存储箱8，该净洗槽3通过其上部的溢流管道16 与该初洗水存储箱9连接，该初洗水存储箱9通过供水管路12与该初洗槽1连接，该喷淋 水存储箱8的供水管路12与设置在该喷淋槽2上方的喷头17连接；脱水液体输入管路19 与该脱水液体存储箱6连接，该脱水液体存储箱6的供液管路与该脱水槽5连接，该脱水槽 5与该脱水液体回收箱7之间分别通过输液管路和溢流管路连接。本实施例中，该初洗槽1内设置有放置晶片的清洗支架。本实施例中，该初洗水存储箱9内装有加热管。本实施例中，该初洗水存储箱9与该初洗槽1之间的供水管路12上装有水泵10、 过滤器11和电磁阀13，该初洗槽1底部的排液管路15上分别设置有电磁阀13和手动排液 阀14，所述电磁阀13与该初洗槽1的超声波清洗定时器电连接。本实施例中，该净洗槽3其清洗水供水管路20上装有水泵10、过滤器11和电磁阀 13，其排液管路15上分别设置有电磁阀13和手动排液阀14，所述电磁阀13与该净洗槽3 的超声波清洗定时器电连接。本实施例中，该喷淋水存储箱8与喷头17之间的供水管路12上装有水泵10和过 滤器Ilo本实施例中，该甩干槽4中装有甩干装置及净化风罩。本实施例中，该脱水槽5中设置有液位计。本实施例中，该脱水液体存储箱6与该脱水槽5之间的供液管路上装有水泵10和 过滤器11，该脱水槽5与该脱水液体回收箱7之间的输液管路上装有电磁阀13，该电磁阀 13与该脱水槽5的超声波清洗脱水定时器电连接。以下是本发明的工作过程晶片首先放置在初洗槽1内的清洗支架上，然后打开超声波电源进行超声波清 洗。超声波内有定时器可以设置超声波开启时间，同时加入定时器定期排液时间(在底部 排液，将清洗完成后残留在槽内密度大于去离子水的杂质排出槽内)，初洗槽1中的去离子 水满后会溢流到排水管路15中(将清洗完成后残留在槽内密度小于去离子水的杂质排出 槽内)。其中初洗槽1中的去离子水是采用初洗水存储箱9中存储的去离子水由水泵10抽 取再经过过滤器11得到的，初洗水存储箱9中有加热管对存储的去离子水进行加热。晶片在初洗槽1中超洗完成后，取出放入喷淋槽2，由喷头17对其进行喷淋，喷头 17采用喷淋水存储箱8中存储的水由水泵10抽取再经过过滤器11得到的，喷淋完成后，去 离子水落于槽底流入排水管路15中。喷淋完成后，将晶片从喷淋水存储箱8中取出，放入净洗槽3中，打开其超声波电 源进行超声波清洗，超声波内有定时器可以设置超声波开启时间，同时加入定时器定期排 液时间(在底部排液，将清洗完成后残留在槽内密度大于去离子水的杂质排出槽内)，净洗 槽3中的去离子水满后会溢流到初洗水存储箱9中(将清洗完成后残留在槽内密度小于去 离子水的杂质排出槽内)。其中净洗槽3中的去离子水是直接从清洗水供水管路20由水泵 10抽取再经过过滤器11得到的。晶片在净洗槽3中超洗完成后，取出并放入甩干槽4中，打开甩干开关进行甩干，甩干时间由定时器控制。甩干前放下的净化风罩，以防晶片甩出，同时起到槽内净化、增强 清洗效果的作用。甩干槽4中的去离子水落于槽底流入排水管路15中。甩干完成后，将晶片取出放入脱水槽5内进行脱水，打开超声波电源进行超洗，增 加脱水效果。超声波内有定时器可以设置超声波开启时间与定期排液时间。脱水槽5内的 脱水液体是采用脱水液体存储箱6存储的液体经过过滤得到的，由于脱水液体一般容易挥 发，脱水槽5应设计上盖以减少脱水液体的挥发，同时由液位计检测脱水槽5内的液位，一 旦液位低于检测位置，由水泵10直接从脱水槽5中补充液体。脱水槽5内脱水液体到设定 时间后会自动排放到脱水液体回收箱7中进行回收，排放完成后再由脱水液体存储箱6补 充液体。脱水液体回收箱7液位满后会报警提示操作员工回收至脱水液回收桶18。脱水槽 5内的液体满后会溢流到脱水液体回收箱7中回收。晶片在脱水槽5内脱水完成后，再次取出放入甩干槽4中进行甩干，防止在以后的 晶片烘干过程中有太多的脱水液体导致燃烧或者爆炸。由于脱水液体回收箱7中的液体能回收，同时初洗水存储箱9中的液体实现二次利用从而大大减少了资源的浪费，降低了成本。
权利要求
一种半自动晶片后洗装置，包括超声波清洗槽，其特征在于，所述超声波清洗槽至少包括依次排列布置的初洗槽、喷淋槽、净洗槽、甩干槽和脱水槽，该初洗槽配置有初洗水存储箱，该喷淋槽配置有喷淋水存储箱，该脱水槽分别配置有脱水液体存储箱和脱水液体回收箱，清洗水分别引入净洗槽和喷淋水存储箱，该净洗槽通过其上部的溢流管道与该初洗水存储箱连接，该初洗水存储箱通过供水管路与该初洗槽连接，该喷淋水存储箱的供水管路与设置在该喷淋槽上方的喷头连接；脱水液体输入管路与该脱水液体存储箱连接，该脱水液体存储箱的供液管路与该脱水槽连接，该脱水槽与该脱水液体回收箱之间分别通过输液管路和溢流管路连接。
2.根据权利要求1所述的半自动晶片后洗装置，其特征在于，该初洗槽内设置有放置 晶片的清洗支架。
3.根据权利要求1所述的半自动晶片后洗装置，其特征在于，该初洗水存储箱内装有 加热管。
4.根据权利要求1所述的半自动晶片后洗装置，其特征在于，该初洗水存储箱与该初 洗槽之间的供水管路上装有水泵、过滤器和电磁阀，该初洗槽底部的排液管路上分别设置 有电磁阀和手动排液阀，所述电磁阀与该初洗槽的超声波清洗定时器电连接。
5.根据权利要求1所述的半自动晶片后洗装置，其特征在于，该净洗槽其清洗水供水 管路上装有水泵、过滤器和电磁阀，其排液管路上分别设置有电磁阀和手动排液阀，所述电 磁阀与该净洗槽的超声波清洗定时器电连接。
6.根据权利要求1所述的半自动晶片后洗装置，其特征在于，该喷淋水存储箱与喷头 之间的供水管路上装有水泵和过滤器。
7.根据权利要求1所述的半自动晶片后洗装置，其特征在于，该甩干槽中装有甩干装 置及净化风罩。
8.根据权利要求1所述的半自动晶片后洗装置，其特征在于，该脱水槽中设置有液位计。
9.根据权利要求1所述的半自动晶片后洗装置，其特征在于，该脱水液体存储箱与该 脱水槽之间的供液管路上装有水泵和过滤器，该脱水槽与该脱水液体回收箱之间的输液管 路上装有电磁阀，该电磁阀与该脱水槽的超声波清洗脱水定时器电连接。
全文摘要
本发明涉及石英晶体振荡器、谐振器加工设备中的石英晶片后洗装置，特别是一种半自动晶片后洗装置。该装置包括初洗槽、喷淋槽、净洗槽、甩干槽和脱水槽，初洗槽配置有初洗水存储箱，喷淋槽配置有喷淋水存储箱，脱水槽配置有脱水液体存储箱和脱水液体回收箱，清洗水分别引入净洗槽和喷淋水存储箱，净洗槽通过溢流管道与初洗水存储箱连接，初洗水存储箱通过供水管路与初洗槽连接，喷淋水存储箱的供水管路与设置在喷淋槽上方的喷头连接；脱水液体输入管路与脱水液体存储箱连接，脱水液体存储箱的供液管路与脱水槽连接，脱水槽与脱水液体回收箱之间分别通过输液管路和溢流管路连接。本发明便于员工操作，降低了员工的操作难度和强度。
文档编号B08B3/12GK101837355SQ20101016399
公开日2010年9月22日 申请日期2010年4月30日 优先权日2010年4月30日
发明者李军, 袁永生, 郝建军 申请人:唐山晶源裕丰电子股份有限公司