清洁片、清洁构件、清洁方法以及导通测试装置的制作方法

专利名称：清洁片、清洁构件、清洁方法以及导通测试装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有用于除去附着在导通测试(“导通测试”的日语導通梭查；英语continuity test)用探针卡的探针上的异物的清洁层的清洁片。另外，涉及在输送构件上设有这种清洁片的清洁构件。另外，还涉及使用这种清洁构件清洁导通测试装置的方法。进而，涉及利用这种清洁方法进行清洁的导通测试装置。
背景技术：
形成于半导体晶片上的芯片的导通测试所使用的是探针卡。在这种导通测试中，使探针卡的探针与形成于芯片的表面的电极片(electrode pad )接触,测定该接触电阻值，从而判断是良品或是不良品。例如在使探针与由铝形成的电极片接触时，施加一定的按 压，探针的尖端刮掉形成于电极片表面的由氧化铝等形成的自然氧化膜，使探针与电极片可靠地进行电连接，从而进行晶片的检查。这样，若由探针刮掉的、具有绝缘性的氧化铝等作为异物附着在探针的尖端上，则探针与电极片接触时的接触电阻值发生变化，有时会对其后的导通测试造成妨碍。因而，需要定期地除去附着在探针的尖端上的异物。作为除去附着在探针的尖端上的异物的方法，例如提出了使探针的尖端与将金刚石粉、氧化铝、碳化硅、玻璃等研磨材料分散在树脂中而形成的层进行接触的方法，或者使探针的尖端与利用粘接剂对金刚石粉、氧化铝、碳化硅、玻璃等研磨材料进行固定而形成的层进行接触的方法(例如参照专利文献I 3)。但是，在通过使含有金刚石粉等研磨材料的清洁层与探针的尖端接触而除去异物的方法中，在清洁时因研磨材料而导致探针自身摩擦磨损，因此，探针卡的寿命变短。尤其是近年来，伴随着芯片的精密化，已在逐步使用具有数万根探针的探针卡，因而，探针卡变得十分昂贵。因此，强烈地需求不磨耗探针就可有效地除去附着在探针上的异物的清洁装置。专利文献I :日本特开平7-244074号公报专利文献2 日本特开平10-300777号公报专利文献3 日本特开平10-339766号公报

发明内容
本发明所要解决的课题本发明的课题在于提供一种清洁装置，其特征在于，是用于除去附着在导通测试用探针卡的探针上的异物的清洁装置，且所述清洁装置不磨耗探针就可有效地除去附着在探针上的异物。解决课题的手段本发明提供清洁片。本发明的清洁片是具有用于除去附着在导通测试用探针卡的探针上的异物的清洁层的清洁片，所述清洁层的按照JIS-B-0601求出的算数平均粗糙度Ra为IOOnm以下。
在优选的实施方式中，上述清洁层的动态硬度为O. 0001 O. I。在优选的实施方式中，本发明的清洁片在支承体的单面具有上述清洁层。在优选的实施方式中，在上述支承体的、上述清洁层的相反侧的面具有胶粘剂层。本发明还提供清洁构件。本发明的清洁构件在输送构件上设有本发明的清洁片。本发明还提供导通测试装置的清洁方法。本发明的导通测试装置的清洁方法是将本发明的清洁构件输送到具有导通测试用探针卡的导通测试装置内，除去附着在该导通测试用探针卡的探针上的异物。 本发明还提供导通测试装置。本发明的导通测试装置是利用本发明的清洁方法进行清洁的装置。发明效果根据本发明，可提供清洁片，其特征在于，其具有用于除去附着在导通测试用探针卡的探针上的异物的清洁层，所述清洁片不磨耗探针就可有效地除去附着在探针上的异物。另外，可提供在输送构件上设有这种清洁片的清洁构件。还可提供使用这种清洁构件清洁导通测试装置的方法。进而，可提供被利用这种清洁方法清洁的导通测试装置。


图I是本发明的清洁片的实施方式中的一种的示意剖面图的一例。图2是本发明的清洁片的实施方式中的一种的示意剖面图的一例。图3是本发明的清洁片的实施方式中的一种的示意剖面图的一例。图4是本发明的清洁片的实施方式中的一种的示意剖面图的一例。图5是本发明的清洁片的实施方式中的一种的示意剖面图的一例。图6是本发明的清洁片的实施方式中的一种的示意剖面图的一例。图7是本发明的清洁构件的实施方式中的一种的示意剖面图的一例。图8是本发明的清洁构件的实施方式中的一种的示意剖面图的一例。图9是本发明的清洁构件的实施方式中的一种的示意剖面图的一例。图10是本发明的导通测试装置的清洁方法的实施方式中的一种的示意剖面图的一例。符号说明I.清洁片2.清洁层3.胶粘剂层4.支承体5.隔离层6.输送构件7.清洁构件21.探针22.探针的最尖端部23.异物
具体实施例方式《I.清洁片》本发明的清洁片是具有用于除去附着在导通测试用探针卡的探针上的异物的清洁层的清洁片。只要本发明的清洁片具有清洁层，则可采用任意适合的实施方式。如图I所示，清洁片I可以仅由清洁层2构成。如图2所示，清洁片I可以由清洁层2和胶粘剂层3构成。如图3所示，清洁片I可以由清洁层2、胶粘剂层3和支承体4构成。本发明的清洁片可以具有隔离层。如图4所示，在由清洁层2构成的清洁片I的双面可以具有隔离层5。如图5所示，在由清洁层2和胶粘剂层3构成的清洁片I的双面可以具有隔离层5。如图6所示，在由清洁层2、胶粘剂层3和支承体4构成的清洁片I的双 面可以具有隔离层5。<1-1.清洁层 >本发明的清洁片中的清洁层的按照JIS-B-0601求出的算数平均粗糙度Ra为IOOnm以下，优选为90nm以下，较优选为80nm以下，更优选为50nm以下，特别优选为30nm以下。上述算数平均粗糙度Ra的下限值优选为Inm以上。在本发明的清洁片中，如果清洁层的上述算数平均粗糙度Ra在上述范围内，则可形成不磨耗探针就可有效地除去附着在探针上的异物的清洁片。本发明的清洁片中的清洁层的动态硬度优选为O. 0001 O. I，较优选为O. 0002 O. 05，更优选为O. 0003 O. 03，特别优选为O. 004 O. 02。在本发明的清洁片中，只要清洁层的动态硬度在上述范围内，就可形成不磨耗探针就可更有效地除去附着在探针上的异物的清洁片。特别地，在本发明的清洁片中，若清洁层的动态硬度不足O. 0001，则清洁层过于柔软，清洁层的成分有可能附着在探针上，进而产生粘聚力，因此，使探针陷于清洁层中，有可能导致破损。另外，在本发明的清洁片中，若清洁层的动态硬度超过O. 1，则清洁层变硬，探针没有扎入到清洁层中，因此，有可能无法发挥除去异物的性能。本发明的清洁片中的清洁层可由任意适合的材料构成。作为这种材料，例如可举出热塑性树脂、热固性树脂、光固性树脂、硅树脂等。这种材料可以仅为I这种，也可以为2种以上。作为热塑性树脂，例如可举出天然橡胶、丁基橡胶、异戊橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙或6，6_尼龙等聚酰胺树脂、苯氧树脂、丙烯酸树脂、PET或PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂等。这些热塑性树脂可以仅为I种，也可为2种以上。在这些热塑性树脂中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、可确保半导体元件的可靠性的树脂。作为丙烯酸树脂，可采用任意适合的丙烯酸树脂。作为用于形成这种丙烯酸树脂的单体，例如可举出具有碳数30以下的直链或支链的烷基的(甲基)丙烯酸的酯，优选可举出具有碳数4 18的直链或支链的烷基的(甲基)丙烯酸的酯。这种丙烯酸树脂可以仅为I种，也可以为2种以上。作为上述烷基，例如可举出甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基环己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、十二烷基等。应予说明，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸。作为用于形成丙烯酸树脂的其他单体，例如可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、羧乙基丙烯酸酯、羧戊基丙烯酸酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基的单体；马来酸酐、无水衣康酸等酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、(4-羟基甲基环己基)甲基丙烯酸酯等含羟基的单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、磺丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基的单体；2_羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等的含磷酸基的单体等。作为热固性树脂，例如可举出环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂等。这些热固性树脂可以仅为一种或者为2种以上。在这些热固性树脂中，优选为含腐蚀半导体元件的离子性杂质等少的树脂。 作为环氧树脂，可采用任意适合的环氧树脂。作为这种环氧树脂，例如可举出双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四酚基乙烷型等二官能环氧树脂或多官能环氧树脂；乙内酰脲型、三缩水甘油异氰脲酸酯型、缩水甘油胺型等环氧树脂；等。这样的环氧树脂可以仅为I种，也可以为2种以上。在这样的环氧树脂中，特别优选为酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四酚基乙烷型环氧树脂。这是因为这些环氧树脂与作为固化剂的酚醛树脂的反应性高、耐热性等优异的原因。作为环氧树脂，可并用在常温下为固体的环氧树脂和在常温下为液体的环氧树脂这2种。通过并用在常温下为固体的环氧树脂和在常温下为液体的环氧树脂，可改善得到的环氧树脂的脆弱性，提高操作性。酚醛树脂可作为环氧树脂的固化剂发挥作用。作为酚醛树脂，可采用任意适合的酚醛树脂。作为这种酚醛树脂，例如可举出苯酚酚醛清漆树脂，苯酚芳烷基树脂，甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂，Resol型酚醛树脂，聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯等。这种酚醛树脂可以仅为I种，也可以为2种以上。在这种酚醛树脂中，特别优选为苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是因为可提高半导体装置的连接可靠性的原因。在使用环氧树脂和酚醛树脂的情况下，就它们的配合比例而言，例如相对于环氧树脂成分中的环氧基I当量，酚醛树脂中的羟基优选为O. 5 2. O当量，较优选以达到O. 8 I. 2当量的方式进行配合。若上述配合比例不处于上述范围，则有可能无法进行充分的固化反应，环氧树脂的固化物的特性容易变差。作为聚酰亚胺树脂，可采用任意适合的聚酰亚胺树脂。作为这种聚酰亚胺树脂，例如可举出热固性聚酰亚胺树脂、热塑性聚酰亚胺树脂等。这样的聚酰亚胺树脂可以仅为一种，也可为2种以上。一般而言，聚酰亚胺树脂是使作为其前体的聚酰胺酸进行脱水缩合(酰亚胺化)而得的耐热性树脂。聚酰胺酸可通过实质上使二胺成分和酸酐成分以等摩尔比在任意适合的有机溶剂中进行反应而制得。作为二胺，可采用任意适合的二胺。作为这样的二胺，例如可举出脂肪族二胺、芳香族ニ胺。这样的ニ胺可以仅为ー种，也可为2种以上。作为脂肪族ニ胺，例如可举出こニ胺、己ニ胺、1，8_ ニ氨基辛烷、1，10- ニ氨基癸烷、1，12- ニ氨基十二烷、4，9_ ニ氧杂-1，12-ニ氨基十二烷、1，3-双(3-氨基丙基)-1，1，3，3-四甲基ニ硅氧烷(a、Co-双氨基丙基四甲基ニ硅氧烷)等。作为芳香族ニ胺，例如可举出4，4’-ニ氨基ニ苯基醚、3，4’-ニ氨基ニ苯基醚、3，3’-ニ氨基ニ苯基醚、间苯ニ胺、对苯ニ胺、4，4’-ニ氨基ニ苯基丙烷、3，3’-ニ氨基ニ苯基甲烷、4，4’ - ニ氨基ニ苯基硫醚、3，3’ - ニ氨基ニ苯基硫醚、4，4’ -ニ氨基ニ苯基砜、3，3’ -ニ氨基ニ苯基砜、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3_双(4-氨基苯氧基)苯、1，3_双(3-氨基苯氧基)苯、1，3_双(4-氨基苯氧基)-2，2_ ニ甲基丙烷、4，4’_ ニ氨基ニ苯甲酮等。作为酸酐，可采用任意适合的酸酐。作为这样的酸酐，例如可举出四羧酸ニ酐。作为这种四羧酸ニ酐，例如可举出3，3’，4，4’ -联苯四羧酸ニ酐、2，2’，3，3’ -联苯四羧酸ニ酐、3，3’，4，4’-ニ苯甲酮四羧酸ニ酐、2，2’，3，3’-ニ苯甲酮四羧酸ニ酐、4，4’-氧双邻苯ニ甲酸ニ酐、2，2_双(2，3_ ニ羧基苯基)六氟丙烷ニ酐、2，2_双(3，4_ ニ羧基苯基)六氟丙 烷ニ酐^FDA)、双(2，3-ニ羧基苯基)甲烷ニ酐、双(3，4-ニ羧基苯基)甲烷ニ酐、双(2，3-ニ羧基苯基)砜ニ酐、双(3，4-ニ羧基苯基)砜ニ酐、苯均四酸ニ酐、こニ醇双苯偏三酸ニ酐等。这种酸酐可以仅为ー种，也可为2种以上。作为使ニ胺与酸酐进行反应的溶剂，可采用任意适合的溶剤。作为这种溶剂，例如可举出N，N-ニ甲基こ酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-ニ甲基甲酰胺、环戊酮等。这种溶剂可以仅为ー种，也可为2种以上。为了对原材料、树脂的溶解性进行调整，可将这种溶剂与甲苯、ニ甲苯等非极性溶剂进行混合后再使用。作为使聚酰胺酸进行脱水缩合(酰胺化)的方法，可采用任意适合的方法。作为这种方法，例如可举出加热酰亚胺化法、共沸脱水法、化学酰亚胺化法等。在这样的方法中，优选为加热酰亚胺化法，加热温度优选为150°C以上。另外，在加热酰亚胺化法中，为了防止树脂的氧化劣化，优选在氮气氛下或在真空中等惰性气氛下进行处理。由此，可完全除去残留在树脂中的挥发成分。另外，在使四羧酸ニ酐与ニ胺进行反应的情况下，特别是在使用含有丁ニ烯丙烯腈共聚物骨架的ニ胺的情况下，优选在100°C以上的温度下进行反应。由此，可防止凝胶化。本发明的清洁片中的构成清洁层的材料可含有热固化催化剂。作为热固化催化剂的含有比例，例如相对于作为构成清洁层的材料的树脂100重量份，优选为0. 01 5重量份，较优选为0. 05 3重量份，更优选为0. I I重量份。相对于作为构成清洁层的材料的树脂100重量份，将热固化催化剂的含有比例设为0. 01重量份以上，从而可良好地显示出清洁层的清洁效果。相对于作为构成清洁层的材料的树脂100重量份，将热固化催化剂的含有比例设为5重量份以下，从而可抑制清洁层的保存性的降低。作为这种热固化催化齐U，可采用任意适合的热固化催化剂。作为这种热固化催化剂，例如可举出咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、三苯基硼烷系化合物、三卤硼烷系化合物等。这种热固化催化剂可仅为I种，也可为2种以上。作为咪唑系化合物，可采用任意适合的咪唑系化合物。作为这种咪唑系化合物，例如可举出2-甲基咪唑、2-i^ —烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1，2-ニ甲基咪唑、2-こ基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、I-苄基-2-甲基咪唑、I-苄基-2-苯基咪唑、I-氰基こ基-2-甲基咪唑、I-氰基こ基-2- i^一烷基咪唑、I-氰基こ基-2-苯基咪唑ft偏苯三酸盐、2，4_ ニ氨基-6-[2’ -甲基咪唑基-(I’ )]-こ基-S-三嗪、2，4_ ニ氨基-6-[2’ ^ 一烷基咪唑基-(I’ )]-こ基-S-三嗪、2，4_ ニ氨基-6-[2’ -こ基-4’ -甲基咪唑基-(I’ )]-こ基-S-三嗪、2，4_ ニ氨基-6-[2’ -甲基咪唑基-(I’ )]-こ基-S-三嗪异氰脲酸加成物、2_苯基_4，5- ニ羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等。这样的咪唑系化合物可仅为ー种，也可为2种以上。作为三苯基膦系化合物，可采用任意适合的三苯基膦系化合物。作为这种三苯基膦系化合物，例如可举出三苯基膦、三丁基膦、三(对甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、ニ苯基甲苯基勝等ニ有机勝；四苯基鱗漠化物；甲基ニ苯基鱗;甲基ニ苯基鱗氣化物；甲氧基甲基三苯基鱗;苄基三苯基鱗氯化物；等。这种三苯基膦系化合物可以仅为I种，也可为2种以上。作为三苯基膦系化合物，优选为实质上对环氧树脂显示出不溶解性的化合物。若实质上对环氧树脂为不溶解性，则可抑制热固化过度地进行。作为具有三苯基膦结构且实 质上对环氧树脂显示出不溶解性的热固化催化剂，例如可举出甲基三苯基鱗等。应予说明，上述“不溶解性”是指由三苯基膦系化合物形成的热固化催化剂在由环氧树脂形成的溶剂中是不溶的，更详细而言，是指在温度10 40°C的范围内，10重量％以上不溶解。作为三苯基硼烷系化合物，可采用任意适合的三苯基硼烷系化合物。这样的三苯基硼烷系化合物可以仅为ー种，也可为2种以上。另外，作为三苯基硼烷系化合物，还包括具有三苯基膦结构的化合物。作为这种具有三苯基膦结构和三苯基硼烷结构的化合物，可采用任意适合的化合物。作为这种具有三苯基膦结构和三苯基硼烷结构的化合物，例如可举出四苯基_四苯基硼酸盐、四苯基_四对三硼酸盐、苄基三苯基_四苯基硼酸盐、三苯基勝ニ苯基砸烧等。作为氨基系化合物，可采用任意适合的氨基系化合物。作为这种氨基系化合物，例如可举出单こ醇胺三氟硼酸酷、双氰胺等。这样的氨基系化合物可仅为I种，也可为2种以上。作为三卤硼烷系化合物，可采用任意适合的三卤硼烷系化合物。作为这种三卤硼烷系化合物，例如可举出三氯硼烷等。这种三卤硼烷系化合物可仅为I种，也可为2种以上。本发明的清洁片中的构成清洁层的材料可含有交联剂。通过含有交联剂，可提高高温下的清洁效果，实现耐热性的改善。作为这种交联剂，可采用任意适合的交联剂。作为这种交联剂，例如可举出甲苯ニ异氰酸酯、ニ苯基甲烷ニ异氰酸酯、对苯ニ异氰酸酷、1，5-萘ニ异氰酸酯、多元醇与ニ异氰酸酯的加成物等聚异氰酸酯化合物等。这种交联剂可仅为ー种，也可为2种以上。作为这种交联剂的含有比例，相对于作为构成清洁层的材料的树脂100重量份，优选为0. 05 7重量份。相对于作为构成清洁层的材料的树脂100重量份，若交联剂的量多于7重量份，则清洁层的清洁效果有可能降低。相对于作为构成清洁层的材料的树脂100重量份，若交联剂的量少于0. 05重量份，则清洁层的凝聚カ有可能不足。作为光固性树脂，只要是具有利用活性能量进行固化而使分子结构形成三次元网状的性质的光固性树脂即可，可采用任意适合的光固性树脂。作为这种光固性树脂，例如优选含有压カ敏感粘合性聚合物、分子内具有I个以上不和饱和双键的聚合性不饱和化合物、和聚合引发剂。在此，作为分子内具有I个以上不饱和双键的化合物(以下称为聚合性不饱和化合物)，优选为不挥发性且重均分子量为10000以下的低分子量体，较优选为重均分子量为5000以下的低分子量体以使固化时的三维网状化可有效地进行。作为这种聚合性不饱和化合物，例如可举出苯氧基聚こニ醇(甲基)丙烯酸酷、e -己内酯(甲基)丙烯酸酷、聚こニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯、聚丙ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、ニ季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、低聚酯(甲基)丙烯酸酯等。这种聚合性不饱和化合物可仅为I种，也可为2种以上。作为压カ敏感粘合性聚合物，例如可举出以选自丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸酯的(甲基)丙烯酸和/或(甲基)丙烯酸酯为主要単体的丙烯酸系聚合物。在合成这样的丙烯酸系聚合物时，可使用分子内具有2个以上不饱和双键的化合物作为共聚单体；或者，还可利用官能团之间的反应使合成后的丙烯酸系聚合物与分子内具有不饱和双键的化合物进行化合成键等，这样以预先在丙烯酸系聚合物的分子内导入不饱和双键，从而可利用活性能量使其固化。 本发明的清洁片中的构成清洁层的材料可含有聚合引发剂。作为这种聚合引发齐U，可采用任意适合的聚合引发剂。作为这种聚合引发剂，例如在使用热作为活性能量的情况下，可举出过氧化苯甲酰、偶氮ニ异丁腈等热聚合引发剂；在使用光作为活性能量的情况下，可举出苯甲酰、苯偶姻こ醚、ニ苄基(dibenzyl)、异丙基苯偶姻醚、ニ苯甲酮、米希勒氏酮(Michler’s ketone)、氯噻吨酮、十二烧基噻吨酮、ニ甲基噻吨酮、苯こ酮ニこ基缩酮、节基ニ甲基缩酮、a -羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷、2，2- ニ甲氧基-2-苯基苯こ酮等光聚合引发剂。这样的聚合引发剂可仅为I种，也可为2种以上。作为硅树脂，可采用任意适合的硅树脂。这样的硅树脂可仅为I种，也可为2种以上。作为本发明的清洁片中的构成清洁层的材料，若采用硅树脂，则耐热性变高，高温下的弾性储能模量、粘合力可达到适合的值。作为这种硅树脂，例如可举出过氧化物交联型硅系胶粘剂、加成反应型硅系胶粘剂、脱氢反应型硅系胶粘剂、湿气固化型硅系胶粘剂等。在这些硅树脂中，从杂质少的观点出发，优选加成反应型硅系胶粘剂。本发明的清洁片中的构成清洁层的材料根据需要可含有任意适合的其他的添加齐U。作为这种其他的添加剤，例如可举出阻燃剂、硅烷偶联剂、离子阱剂等。作为阻燃剂，例如可举出三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。作为硅烷偶联剂，例如可举出0-(3、4-环氧环己基)こ基三甲氧基硅烷、Y-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-环氧丙氧基丙基甲基ニこ氧基硅烷等。作为离子阱剂，例如可举出水滑石类、氢氧化铋等。这样的其他添加剂可仅为I种，也可为2种以上。本发明的清洁片中的构成清洁层的材料优选不含研磨剂。若含有研磨剂，则有可能使探针受到研磨，使探针的使用寿命变短。本发明的清洁片中的清洁层的厚度优选为50 300 u m。若清洁层的厚度比50 y m薄，则例如在将探针扎入清洁层吋，探针有可能扎到输送构件，可能会导致探针的破损。另夕卜，若清洁层的厚度为300 y m以上，则清洁层的厚度的精度变差，有可能产生清洁层接触不到应与清洁层接触的探针的情況。〈ト2.胶粘剂层>本发明的清洁片中的胶粘剂层相对于硅片(镜面)的90度剥离强度(剥离カ)优选为o. 01 10N/10mm宽，较优选为0. 03 8N/10mm宽，更优选为0. 005 5N/10mm宽。若这种90度剥离强度(剥离力)过高，则在从基板等剥离除去清洁片时，有可能会破裂。若这种90度剥离强度(剥离カ)过低，则有可能无法显示出足够的粘合力。本发明的清洁片中的胶粘剂层可由任意适合的材料构成。作为这种材料，例如可举出丙烯酸系胶粘剂、橡胶系胶粘剂等普通的胶粘剂。这种材料可仅为I种，也可为2种以上。在这种材料中，优选为丙烯酸系胶粘剂，较优选为以丙烯酸系聚合物为主剂的丙烯酸系胶粘剂，所述丙烯酸系聚合物含有重均分子量为10万以下的成分10重量％以下。这种丙烯酸系聚合物能够通过如下方法进行合成以(甲基)丙烯酸烷基酯作为主要単体，根据需要向所述主要单体中加入可共聚的其他的単体，使由此得到的単体混合物进行聚合反应，从而合成所述的丙烯酸系聚合物。本发明的清洁片中的胶粘剂层的厚度优选为I 100 ii m，较优选为3 50 ii m。<1-3.支承体〉 本发明的清洁片中的支承体可由任意适合的材料构成。作为这样的材料，例如可举出低密度聚こ烯、直链状聚こ烯、中密度聚こ烯、高密度聚こ烯、超低密度聚こ烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃，こ烯-こ酸こ烯共聚物、离聚物树脂、こ烯_(甲基)丙烯酸共聚物、こ烯_(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、こ烯-丁烯共聚物、こ烯-己烯共聚物、聚氨酷、聚对苯ニ甲酸こニ醇酯、聚萘ニ甲酸こニ醇酯等聚酯，聚碳酸酷，聚酰亚胺，聚醚醚酮，聚酰亚胺，聚醚酰亚胺，聚酰胺，全芳香族聚酰胺，聚苯硫醚，芳纶(纸)，玻璃，玻璃布，氟树脂，聚氯こ烯，聚偏ニ氯こ烯，纤维素系树月旨，硅树脂，金属(箔)，纸等。这种材料可仅为I种，也可为2种以上。为了提高本发明的清洁片中的支承体的表面与所邻接的层的密合性、保持性等，可实施任意适合的表面处理。作为这样的表面处理，例如可举出铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、电离放射线处理等化学性或物理性处理；利用底层涂料的涂布处理；
坐寸o本发明的清洁片中的支承体的厚度优选为5 200 ii m。<1-4.隔离层〉本发明的清洁片中的隔离层可由任意适合的材料构成。作为这种材料，例如可举出用剥离剂等进行剥离处理的塑料膜等。作为剥离剂，例如可举出有机硅系、长链烷基系、氟系、脂肪酰胺系、ニ氧化硅系的剥离剂等。作为塑料膜，可举出聚こ烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁ニ烯、聚甲基戊烯等聚烯烃；聚氯こ烯；氯こ烯共聚物；聚对苯ニ甲酸こニ醇酯；聚对苯ニ甲酸丁ニ醇酯；聚氨酷；こ烯こ酸こ烯共聚物；离聚物树脂；こ烯 (甲基)丙烯酸共聚物；こ烯 (甲基)丙烯酸酯共聚物；聚苯こ烯；聚碳酸酯；等。本发明的清洁片中的隔离层的厚度优选为5 200 ii m。《2.清洁构件》本发明的清洁构件在输送构件上设有本发明的清洁片。如图7所示，本发明的清洁构件7可以在输送构件6上设置仅由清洁层2构成的清洁片I。如图8所示，本发明的清洁构件7可以在输送构件6上设置由清洁层2和胶粘剂层3构成的清洁片I。如图9所示，本发明的清洁构件7可以在输送构件6上设置由清洁层2、胶粘剂层3和支承体4构成的清洁片I。
作为输送构件，只要是可通过在所述输送构件上设置本发明的清洁片，并将所述清洁片输送到具有导通测试用探针卡的导通测试装置内，从而除去附着在该导通测试用探针卡的探针上的异物的输送构件，就可采用任意适合的输送构件。作为这样的输送构件，例如可举出半导体晶片(例如硅片)，LCD、PDP等的平板显示器用基板，光盘、磁阻磁头等的基板。输送构件的厚度可根据需要适当选择。《3.导通测试装置的清洁方法》本发明的导通测试装置的清洁方法如下将本发明的清洁构件输送到具有导通测试用探针卡的导通测试装置内，除去附着在该导通测试用探针卡的探针上的异物。本发明的导通测试装置的清洁方法的实施方式的一种如图10所示。图10是本发明的清洁构件7依次具有清洁层2、支承体4、胶粘剂层3、输送构件6的例子。首先，将本发明的清洁构件7载置于任意适合的固定用台座上，以与导通测试装置的探针卡相対的方 式配置本发明的清洁构件7。然后，如图10(a)所示，探针21的最尖端部22扎入到清洁层2中后，如图10(b)所示，将探针21拔出。通过该动作，附着在探针21的最尖端部22的氧化铝等异物23残留在清洁层2中，从而将异物23从探针21的最尖端部22除去。通常重复该动作规定次数(例如10 30次)；可以使探针21的最尖端部22扎入到清洁层2中的位置毎次移动少许，例如，使固定用台座沿水平方向毎次移动少许，从而使探针21的最尖端部22依次扎入到未残留异物23的部分的清洁层2中。《4.导通测试装置》本发明的导通测试装置可利用本发明的清洁方法进行清洁。即，本发明的导通测试装置利用上述所说明这种清洁方法来有效地除去附着在导通测试装置的探针卡的探针上的异物。利用本发明的清洁方法，可不磨耗探针就有效地除去附着在探针上的异物，因此，伴随着近年来的芯片的精密化，针对逐渐普及的具有含数万根探针的探针卡的导通测试装置，能够极其有效地除去附着在该探针卡的探针上的异物，能够进行良好的管理和保养。《5.本发明的清洁片的制造方法》本发明的清洁片可利用任意适合的方法进行制造。例如，可通过将构成清洁层的材料涂布在任意适合的基板或片上，再通过固化等形成清洁层，从而制造所述清洁片。作为上述基板，例如可举出支承体、输送构件等。作为上述片，可举出经剥离处理的片等。作为上述涂布的方法，可采用任意适合的方法。作为这种涂布的方法，例如可举出浇铸、旋涂、辊涂等。作为上述固化的方法，可采用任意适合的方法。作为这种固化的方法，可举出基于自然固化、活性能量线照射的固化、热固化等。在本发明的清洁片具有胶粘剂层的情况下，例如可通过将构成胶粘剂的材料涂布在任意适合的基板或片上，再通过固化等形成胶粘剂层，从而制造清洁片。作为上述基板，例如可举出本发明的清洁层、支承体、输送构件等。作为上述片，可举出经剥离处理的片等。作为上述涂布的方法，可采用任意适合的方法。作为这种涂布的方法，例如可举出浇铸、旋涂、辊涂等。作为上述固化的方法，可采用任意适合的方法。作为这种固化的方法，可举出基于自然固化、活性能量线照射的固化、热固化等。《6.本发明的清洁构件的制造方法》本发明的清洁构件可利用任意适合的方法进行制造。例如，可通过利用任意适合的方法使本发明的清洁片贴附在输送构件上而进行制造。另外，可通过在输送构件上依次构筑构成本发明的清洁片的层而进行制造。[实施例]以下，基于实施例对本发明进行更详细地说明，但本发明并不受这些实施例的限定。《算数平均粗糙度Ra》按照JIS-B-0601求出的算数平均粗糙度Ra是使用触针式表面粗糙度測定装置(Veeco公司制、DECTAK8)进行测定的。以测定速度I U m/s、按压压力Img使触针进行运动。将测定范围设为500i!m。该触针的尖端部的曲率为2pm，触针是使用金刚石制成的。 《动态硬度》动态硬度是使用微型硬度计(岛津制作所制、DUH-210)进行測定的。将载荷设为0. 98mN0《拉伸弹性储能模量》用割刀将测定对象切割为宽IOmm的长方形，利用固体粘弾性測定装置(RSA-III、Rheometric Scientific公司制),在频率IHz下,对所述长方形测定对象测定-50 250°C的拉伸弹性储能模量，对23°C下的拉伸弹性储能模量进行评价。《90°剥离强度》用胶带(日东电エ(株)制、商品名BT-315)裱合测定对象,按照IOmmX IOOmm的尺寸切割测定对象，然后，在50°C的热板上，通过往复一次2kg的辊，而将经切割后的材料贴附在硅片(镜面)上。直接在常温环境下放置20分钟，制作试验片。接着，以90°固定贴附后的半导体晶片，利用拉伸试验机(岛津制作所制、AGS-H)測定90°剥离强度。《清洁评价试验》在探针器中，使探针卡(探针数20根)与铝蒸镀晶片以超过量(“超过量”的日语ォーバードラィブ；英语overdrive)60 ii m连续触碰I万次。在I万次的触碰结束后，使探针卡与载置在平台上的清洁片以超过量50 y m触碰3次，进行探针的清洁。应予说明，在使探针卡的探针的尖端与清洁片接触时，移动平台，以不与相同的地方触碰的方式进行清洁。清洁结束后，用光学显微镜观察探针的尖端，确认附着在针上的异物是否残留。进而，在光学显微镜观察中，还要确认清洁层的一部分是否附着在探针的尖端上，即，确认清洁层是否转印在探针上。〔实施例I〕(清洁层溶液A)将聚异氰酸酯化合物(日本聚氨酯エ业制、商品名Coronate L) I. 0份均匀地混合在丙烯酸酯系聚合物(Nagase ChemteX(株)制、商品名SG_70L) 100份中，得到清洁层溶液A。(粘接剂层溶液A)以总量为200g的方式配合丙烯酸2-こ基己酯73份、丙烯酸正丁酯10份、N，N’_ニ甲基丙烯酰胺15份、丙烯酸5份、作为聚合引发剂的2，2’-偶氮ニ异丁腈0. 15份和こ酸こ酷100份，并将它们投入到具有温度计、搅拌机、氮导入管和回流冷却管的、内容量为500ml的三ロ烧瓶型反应器内，在导入氮气约I小时的同时进行搅拌，用氮置换内部的空气。然后，使内部的温度达到58°C，在这种状态下保持约4小吋，进行聚合，得到胶粘剂聚合物溶液。将聚异氰酸酯化合物(日本聚氨酯エ业制、商品名CoronateL) 3. O份均勻地混合在胶粘剂聚合物溶液100份中，得到胶粘剂层溶液A。(清洁片A)在单面由聚丙烯膜(三菱化学制、商品名MRF25)形成的隔离层的剥离处理面上涂布胶粘剂层溶液A以使得干燥后的厚度达到7 ym，在所形成的胶粘剂层上层叠长尺状聚酷膜(三菱化学制、商品名N100C25)，进ー步在该膜上涂布清洁层溶液A以使得干燥后的厚度达到150 ym，使该表面与单面由经有机硅烯剥离剂处理的长链聚酯膜形成的保护膜(三菱化学制、商品名MRF50)的有机硅处理面贴合，得到清洁片A。(清洁构件A)剥离清洁片A的胶粘剂层侧的剥离膜，以手推辊贴附至200mm硅片的镜面上，然 后，剥离清洁层侧的隔离层，制作清洁构件A。(清洁层A)在单面由经有机硅系剥离剂处理的长链聚酯膜形成的保护膜(三菱化学制、商品名MRF50)的剥离处理面上涂布清洁层溶液A以使得干燥后的厚度达到150iim，使该表面与单面由经有机硅系剥离剂处理的长链聚酯膜形成的保护膜(三菱化学制、商品名MRF50)的剥离处理面贴合，得到清洁片AA。从该清洁片AA中剥离双面的保护膜，得到清洁层A0(评价)针对清洁构件A的清洁层表面，測定算数平均粗糙度Ra和动态硬度；针对清洁层A，測定拉伸弹性储能模量和90°剥离强度；针对清洁构件A的清洁层表面，进行清洁评价试验。结果如表I所示。〔实施例2〕(清洁层溶液A)与实施例I相同地得到清洁层溶液A。(清洁构件B)用旋涂器在8英寸的硅片的镜面上涂布清洁层溶液A以使得干燥后的厚度达到150 u m,得到具有清洁层B的清洁构件B。(清洁层B)从清洁构件B中剥离清洁层，得到清洁层B。(评价)针对清洁构件B的清洁层表面，測定算数平均粗糙度Ra和动态硬度；针对清洁层B，測定拉伸弹性储能模量和90°剥离强度；针对清洁构件B的清洁层表面，进行清洁评价试验。结果如表I所示。〔实施例3〕(清洁层溶液C)将聚异氰酸酯化合物(日本聚氨酯エ业制、商品名Coronate L) I. 6份均匀地混合在丙烯酸酯系聚合物(Nagase ChemteX(株)制、商品名SG_600TEA) 100份中，得到清洁层溶液C。(清洁片C)
在单面由聚丙烯膜(三菱化学制、商品名MRF25)形成的隔离层的剥离处理面上涂布在实施例I中得到的胶粘剂层溶液A以使得干燥后的厚度达到7 ym，在所形成的胶粘剂层上层叠长尺状聚酯膜(三菱化学制、商品名N100C25)，进ー步在该膜上涂布清洁层溶液C以使得干燥后的厚度达到150 ym，使该表面与单面由经有机硅系剥离剂处理后的长链聚酯膜形成的保护膜(三菱化学制、商品名MRF50)的有机硅处理面贴合，得到清洁片C。(清洁构件C)剥离清洁片C的胶粘剂层侧的剥离膜，以手推辊贴附至200mm硅片的镜面，然后，剥离清洁层侧的隔离层，作清洁构件C。(清洁层C)在单面由经有机硅系剥离剂处理的长链聚酯膜形成的保护膜(三菱化学制、商 品名MRF50)的剥离处理面上涂布清洁层溶液C以使得干燥后的厚度达到150iim，使该表面与单面由经有机硅系剥离剂处理的长链聚酯膜形成的保护膜(三菱化学制、商品名MRF50)的剥离处理面贴合，得到清洁片CC。从该清洁片CC中剥离双面的保护膜，得到清洁
层Co(评价)针对清洁构件C的清洁层表面，測定算数平均粗糙度Ra和动态硬度；针对清洁层C，測定拉伸弹性储能模量和90°剥离强度；针对清洁构件C的清洁层表面，进行清洁评价试验。结果如表I所示。〔实施例4〕(清洁层溶液D)将催化剂(Toray Dow制、商品名SRX212 CATALYST) I. 5份均匀地混合在加成反应型的有机硅胶粘剂(Toray Dow制、商品名SD_4587L) 100份中，向其中添加2种加成反应型的硅橡胶(Toray .Dow 制、商品名SILASC0N RTV4086A、SILASCON RTV4086B)各 I 份，进行均匀地混合，得到清洁层溶液D。(清洁片D)在单面由聚丙烯膜(三菱化学制、商品名MRF25)形成的隔离层的剥离处理面上涂布在实施例I中得到的胶粘剂层溶液A以使得干燥后的厚度达到7 ym，在形成的胶粘剂层上层叠长尺状聚酯膜(三菱化学制、商品名N100C25)，进ー步在该膜上涂布清洁层溶液D以使得干燥后的厚度达到150 ym，使该表面与单面由经氟系剥离剂处理后的长链聚酯膜形成的保护膜(Nippa制、商品名SS4C)的氟处理面贴合，得到清洁片D。(清洁构件D)剥离清洁片D的胶粘剂层侧的剥离膜，以手推辊贴附至200mm硅片的镜面，然后，剥离清洁层侧的隔离层，制作清洁构件D。(清洁层D)在单面由经氟系剥离剂处理的长链聚酯膜形成的保护膜(Nippa制、商品名SS4C)的剥离处理面上涂布清洁层溶液D以使得干燥后的厚度达到150 ym，使该表面与单面由经氟系剥离剂处理的长链聚酯膜形成的保护膜(Nippa制、商品名SS4C)的剥离处理面贴合，得到清洁片DD。从该清洁片DD中剥离双面的保护膜，得到清洁层D。(评价)
针对清洁构件D的清洁层表面，測定算数平均粗糙度Ra和动态硬度；针对清洁层D，測定拉伸弹性储能模量和90°剥离强度，针对清洁构件D的清洁层表面，进行清洁评价试验。结果如表I所示。〔实施例5〕(清洁层溶液E)将催化剂(Toray Dow制、商品名SRX212CATALYST) I. 5份均匀地混合在加成反应型的有机硅胶粘剂(Toray Dow制、商品名SD_4587L) 100份中，得到清洁层溶液E。(清洁片E)在单面由聚丙烯膜(三菱化学制、商品名MRF25)形成的隔离层的剥离处理面上 涂布在实施例I中得到的胶粘剂层溶液A以使得干燥后的厚度达到7 ym，在所形成的胶粘剂层上层叠长尺状聚酯膜(三菱化学制、商品名N100C25)，进ー步在该膜上涂布清洁层溶液E以使得干燥后的厚度达到150 ym，使该表面与单面由经氟系剥离剂处理的长链聚酯膜形成的保护膜(Nippa制、商品名SS4C)的氟处理面贴合，得到清洁片E。(清洁构件E)剥离胶粘剂层侧的剥离膜，以手推辊贴附至200mm硅片的镜面上，然后，剥离清洁层侧的隔离层，制作清洁构件E。(清洁层E)在单面由经氟系剥离剂处理的长链聚酯膜形成的保护膜(Nippa制、商品名SS4C)的剥离处理面上涂布清洁层溶液E以使得干燥后的厚度达到150 ym，使该表面与单面由经氟系剥离剂处理的长链聚酯膜形成的保护膜(Nippa制、商品名SS4C)的剥离处理面贴合，得到清洁片EE。从该清洁片EE中剥离双面的保护膜，得到清洁层E。(评价)针对清洁构件E的清洁层表面，測定算数平均粗糙度Ra和动态硬度；针对清洁层E，測定拉伸弹性储能模量和90°剥离强度；针对清洁构件E的清洁层表面，进行清洁评价试验。结果如表I所示。〔比较例I〕(清洁片F)在单面由聚丙烯膜(三菱化学制、商品名MRF25)形成的隔离层的剥离处理面上涂布在实施例I中得到的胶粘剂层溶液A以使得干燥后的厚度达到7 ym，在所形成的胶粘剂层上层叠长尺状聚酯膜(三菱化学制、商品名N100C25)，进ー步在该膜上涂布在实施例I中得到的清洁层溶液A以使得干燥后的厚度达到150 ym，使该表面与单面由经压花加工处理后的长链聚酯膜形成的保护膜(出光兴产制、PBT)的压花加工处理面贴合，得到清洁片F。(清洁构件F)剥离清洁片F的胶粘剂层侧的剥离膜，以手推辊贴附至200mm硅片的镜面上，然后，剥离清洁层侧的隔离层，制作清洁构件F。(清洁层F)在单面由经压花加工处理后的长链聚酯膜形成的保护膜(出光兴产制、PBT)的压花加工处理面上涂布清洁层溶液F以使得干燥后的厚度达到150 ym，使该表面与单面由经压花加工处理后的长链聚酯膜形成的保护膜(出光兴产制、PBT)的压花加工处理面贴合，得到清洁片FF。从该清洁片FF中剥离双面的保护膜，得到清洁层F。(评价)针对清洁构件F的清洁层表面，測定算数平均粗糙度Ra和动态硬度；针对清洁层F，測定拉伸弹性储能模量和90°剥离强度；针对清洁构件F的清洁层表面，进行清洁评价试验。结果如表I所示。[表 I]
权利要求
1.一种清洁片，其特征在于，其具有用于除去附着在导通测试用探针卡的探针上的异物的清洁层，所述清洁层的按照JIS-B-0601求出的算数平均粗糙度Ra为IOOnm以下。
2.根据权利要求I所述的清洁片，其中，所述清洁层的动态硬度为0.0001 0. I。
3.根据权利要求I所述的清洁片，其中，在支承体的单面具有所述清洁层。
4.根据权利要求3所述的清洁片，其中，在所述支承体的、所述清洁层的相反侧面具有胶粘剂层。
5.一种清洁构件，其特征在于，在输送构件上设有权利要求I 4中任一项所述的清洁片。
6.一种导通测试装置的清洁方法，其特征在于，将权利要求5所述的清洁构件输送到具有导通测试用探针卡的导通测试装置内，除去附着在所述导通测试用探针卡的探针上的异物。
7.—种导通测试装置，其为利用权利要求6所述的清洁方法进行清洁的导通测试装置。
全文摘要
本发明提供用于除去附着在导通测试用探针卡的探针上的异物的清洁装置，其特征在于，其不磨耗探针就可有效地除去附着的异物。本发明的清洁片具有用于除去附着在导通测试用探针卡的探针上的异物的清洁层，其特征在于，该清洁层的按照JIS-B-0601求出的算数平均粗糙度Ra为100nm以下。
文档编号B08B1/00GK102768966SQ20121013488
公开日2012年11月7日 申请日期2012年4月28日 优先权日2011年5月6日
发明者宇圆田大介, 并河亮, 松村健 申请人:日东电工株式会社