专利名称：：一种氮化硅复合陶瓷发热体的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种氮化硅复合陶瓷发热体。
背景技术：
：99113534.2公开了一种氮化硅发热体及其制造方法，采用氮化硅作为发热本体，以钨丝作为发热源，经热压烧结而成，其发热本体的配方如下(重量百分数)氮化硅82%93%,三氧化二铝O.1%5%，三氧化二钇4%8%，氮化铝3%5%。这种发热体彌鹏,爐，繊輔^^m;点i^a^诚，總鹏諧^^m
发明内容本发明的目的在于提供一种发热体导热性能更好的氮化硅复合陶瓷发热体。本发明的技术方案是由发热源及氮化硅复合陶瓷发热基体经热压烧结而成，所述的发热源为钨合金丝或钨合金印刷导电膜，所述氮化硅复合陶瓷发热基体由以下组分及重量百分数组成Si美7187.05%，MgAl204:0.756%，Y203:310%，Ta205:0.12%，La203:0.l4%,A1N:1.56%,BN:512%，Ba0:0.15%。本发明与现有技术相比，本发明产品导热性更好，导热系数可提高1117%，耐高温、热震性更好，耐腐蚀，强度高，寿命长，使用安全可靠。具体实施例方式实施例1-4:(1)原料的配制按表1的量比称配料，经振动磨球磨8小时，卸料、过筛、恒温烘烤，和蜡制成蜡饼，密封保存。(2)素坯制备按发热体外形要求加工金属模具，采用热压铸制备素坯。(2)烧结制备好的素坯装模，装炉、脱蜡、在流动氮气保护下热压，匀速升温，烧成温度为1720土3。C;同时压力也缓慢增加，压力控制在200—250kg/cm2。达到烧成温度后恒温、恒压l小时，随后降温保压至1550'C时断电停炉。在断电停炉后2.5小时至3小时出炉脱模，初检、送检，进下一工序。四个实施例的产品测出的导热系数列于表1中表1四个实施例发热本体配方(wt%)及产品导热系数<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>说明产品导热系数采用HOTDISK热常数分析仪测试，测试室温25。C。权利要求1.一种氮化硅复合陶瓷发热体，其特征在于，由发热源及氮化硅复合陶瓷发热基体经热压烧结而成，所述的发热源为钨合金丝或钨合金印刷导电膜，所述氮化硅复合陶瓷发热基体由以下组分及重量百分数组成Si3N471～87.05％，MgAl2O40.75～6％，Y2O33～10％，Ta2O50.1～2％，La2O30.1～4％，AlN1.5～6％，BN5～12％，BaO0.1～5％。全文摘要本发明公开了一种氮化硅复合陶瓷发热体。由发热源及氮化硅复合陶瓷发热基体经热压烧结而成，所述的发热源为钨合金丝或钨合金印刷导电膜，所述氮化硅复合陶瓷发热基体由以下组分及重量百分数组成Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>71～87.05％，MgAl<sub>2</sub>O<sub>4</sub>0.75～6％，Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>3～10％，Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>0.1～2％，La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>0.1～4％，AlN1.5～6％，BN5～12％，BaO0.1～5％。本发明产品导热性更好，导热系数可提高11～17％，耐高温、热震性更好，耐腐蚀，强度高，寿命长，使用安全可靠。文档编号C04B35/584GK101318822SQ200810031670公开日2008年12月10日申请日期2008年7月4日优先权日2008年7月4日发明者胡铁武申请人:冷水江市明玉陶瓷工具有限责任公司