专利名称：基板结构及基板切割方法
技术领域：
本发明涉及一种基板结构及基板切割方法，特别是涉及一种用以进行双 面切割的基板结构及基板切割方法。
背景技术：
目前，基板或基材可用以制造各种电子产品，例如玻璃基板等透光基板
可用以制造显示面板。以大尺寸的薄型液晶显示(Liquid Crystal Display, LCD) 基板为例，其可切割成多个显示单元。
请参阅图1A和图1B，其绘示现有基板切割过程的剖面示意图。当切割 一基板900时，首先，在基板900的一表面910上利用切刀轮901(或钻石刀 笔)来切割画线，藉以使基板的一表面910上形成一第一切割裂痕911。接着， 在基板的另一相对表面920上形成第二切割裂痕921 ，其中第二切割裂痕921 是对准于第一切割裂痕911。然后，再使用一橡胶裂片棒(未绘示)来裂断分开 基板900,而达成基板切割效果。
然而，当形成第二切割裂痕921时，由于基板900的底部(表面910)具有 第一切割裂痕911，面板容易受力而产生挠曲情形(Bending)，使得第一切割 裂痕911扩大。因此，当形成第二切割裂痕921时，基板900的底部是呈现 悬空状态，因而容易发生压裂或刀纹太浅等切割不稳定的现象，影响基板的 切割质量。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种基板切割方法，其特征在于该方法包括 如下步骤
对一基板结构的一第一表面进行一第一切割步骤，以形成一第一切割线；
以及
对该基板结构的一第二表面进行一第二切割步骤，以形成一第二切割线， 其中该第一切割线与该第二切割线之间具有一预设偏移距离。
本发明的目的之二在于提供一种基板结构，其特征在于该基板结构包 括 '
第一表面，具有一第一切割标记；以及
第二表面，相对于该第一表面，并具有一第二切割标记，其中该第一切 割标记与该第二切割标记之间具有一预设偏移距离。
本发明的基板结构及基板切割方法可减少基板在切割时的挠曲情形，因 而确保基板切割质量，进而提高产品的制程良率。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所 附图式，作详细说明如下
图1A和图1B显示现有基板切割过程的剖面示意图2显示依据本发明的一实施例的基板结构的上视图3显示依据本发明的一实施例的基板切割方法的方法流程图；以及
图4A及图4B显示依据本发明的一实施例的基板切割方法的示意图。
具体实施例方式
请参照图2，其显示依据本发明的一实施例的基板结构的上视图。本实施 例的基板切割方法可用以对一基板结构100来进行切割，基板结构100可为 脆性基板(例如玻璃基板或晶圆基材)或可挠性基板(例如塑料基板)，其厚度可 约小于0.2mm。以基板结构IOO为显示基板来举例说明，显示基板可被切割 成复数个显示面板，例如液晶显示面板。此时，基板结构100可由第一基板 110和第二基板120所组成。当基板结构100例如为一液晶显示基板时，第 一基板110例如为彩色滤光片(Color Filter, CF)基板，第二基板120例如为薄 膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)数组基板，基板结构100更包括一液晶 层(未绘示)，其形成于第一基板110和第二基板120之间。
如图2所示，本实施例的基板结构IOO包含第一表面111和第一表面121， 第一表面111具有一第一切割标记112，第二表面121是相对于第一表面111， 并具有一第二切割标记122，其中第一切割标记112与第二切割标记122之 间具有一预设偏移距离d。以显示基板结构为例，第一表面111是形成于第一 基板110的一侧，第二表面121是形成于第二基板120的一侧。第一切割标 记112和第二切割标记122是分别形成于基板结构100的相对两侧，用以作 切割对位的标记。
请参照图3、图4A及图4B，图3绘示依照本发明的一实施例的基板切 割方法的方法流程图，图4A及图4B绘示依照本发明的一实施例的基板切割 方法的示意图。当进行本实施例的基板切割方法时，首先，如图4A所示， 对基板结构100的第一表面111进行第一切割步骤(步骤S201)，以形成第一 切割线113(或切割裂痕)于第一表面111上。在进行第一切割步骤时，可利用
一切割工具101来对准于第一表面111的第一切割标记112，以进行切割，因 而形成第一切割线113。切割工具101例如为切刀轮、钻石刀笔、雷射或高 压水刀。在本实施例中，第一切割线113的切割深度例如为小于第一基板110 的厚度。接着，如图4B所示，对基板结构100的第二表面121进行一第二切 割步骤(步骤S202)，以形成一第二切割线123于第二表面121上，其中第一 切割线113与第二切割线123之间具有预设偏移距离d。在进行第二切割步 骤时，可先翻转基板结构IOO，以对位切割工具101于第二表面121，接着， 利用切割工具101来对准于第二表面121的第一切割标记122，以进行切割， 因而形成第二切割线123。在本实施例中，第二切割线123的切割深度例如 为小于第二基板120的厚度。
如图4B所示，由于切割工具101是对准于第一切割标记112和第二切割 标记122,以形成第一切割线113和第二切割线123,因而第一切割线113和 第二切割线123之间亦具有预设偏移距离d，其中预设偏移距离d约大于30 um，较佳介于30um与300um之间。在本实施例中，切割工具101例如 为切刀轮，在第二切割步骤后，可使用一橡胶裂片棒(未绘示)来裂断分开基板 结构IOO，达到基板切割功效。
如图4B所示，由于第一切割线113和第二切割线123之间具有预设偏移 距离d，亦即第一切割线113未重迭于第二切割线123，因此，在切割工具 101对于第二切割标记122来进行切割时，基板结构100的底部(第一表面111) 可提供一支撑力，以减少基板在切割时的挠曲情形，因而可避免压裂或刀纹 太浅等切割不稳定情形，确保基板在切割边缘的质量。
由上述本发明的实施例可知，本发明的基板结构及基板切割方法可适用 于大尺寸薄型基板的双面切割过程，以减少基板在切割时的挠曲情形，确保
基板切割质量，进而提高产品的制程良率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但所述优选实施例并 非用以限制本发明，所述领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范 围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范 围为准。
权利要求
1.一种基板切割方法，其特征在于该方法包括如下步骤对一基板结构的一第一表面进行一第一切割步骤，以形成一第一切割线；以及对该基板结构的一第二表面进行一第二切割步骤，以形成一第二切割线，其中该第一切割线与该第二切割线之间具有一预设偏移距离。
2. 根据权利要求1所述的基板切割方法，其特征在于该预设偏移距离大于30u m。
3. 根据权利要求2所述的基板切割方法，其特征在于该预设偏移距离 是介于30 u m与300 u m之间。
4. 根据权利要求1所述的基板切割方法，其特征在于该方法更包括如下在该第一切割步骤后，翻转该基板结构。
5. 根据权利要求1所述的基板切割方法，其特征在于该方法更包括如下 裂断分开该基板结构。
6. 根据权利要求1所述的基板切割方法，其特征在于该方法更包括如下 步骤利用一切割工具来对准于该第一表面的一第一切割标记，以进行切割；以及利用该切割工具来对准于该第二表面的一第二切割标记，以进行切割， 其中该第一切割标记与该第二切割标记之间具有该预设偏移距离。
7. —种基板结构，其特征在于该基板结构包括 第一表面，具有一第一切割标记；以及第二表面，相对于该第一表面，并具有一第二切割标记，其中该第 一切割标记与该第二切割标记之间具有一预设偏移距离。
8. 根据权利要求7所述的基板结构，其特征在于该基板结构 的厚度是小于0.2mm。
9. 根据权利要求7所述的基板结构，其特征在于该基板结构是一显示基板o
10. 根据权利要求7所述的基板结构，其特征在于该基板结构是由一第一基板和一第二基板所组成。
全文摘要
本发明提供一种基板结构及基板切割方法。基板切割方法包括如下步骤对一基板结构的一第一表面进行一第一切割步骤，以形成一第一切割线；以及对该基板结构的一第二表面进行一第二切割步骤，以形成一第二切割线，其中该第一切割线与该第二切割线之间具有一预设偏移距离。
文档编号C03B33/02GK101372391SQ200810170118
公开日2009年2月25日 申请日期2008年9月26日 优先权日2008年9月26日
发明者储中文, 刘昱辰, 吴哲耀, 王书志 申请人:友达光电股份有限公司