透光性导电膜及含有透光性导电膜的触摸板的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种具有优异的蚀刻性的含有(A)透光性支持层及(B)含有氧化铟的透光性导电层的透光性导电膜。作为其解决方法，提供一种透光性导电膜，其含有：(A)含有高分子树脂的透光性支持层、及(B)含有氧化铟的透光性导电层，所述透光性导电层(B)直接或隔着一层上的其它层设置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其特征在于，由(Ibα-Ibα-0.025°)/(Iaα-Iaα-0.025°)表示的函数f(α)的平均值为0.08～5.00。
【专利说明】透光性导电膜及含有透光性导电膜的触摸板
【技术领域】
[0001] 本发明涉及透光性导电膜、其制造方法及其用途。
【背景技术】
[0002] 作为搭载于触摸板的透光性导电膜，大多使用下述透光性导电膜，在由聚酯等构 成的透光性支持层的至少一面直接或隔着其它层设置有含有氧化铟的透光性导电层。
[0003] 将透光性导电膜成形为例如格子状等的电极（所谓形成图案）时，设置透光性导 电膜后，通过化学药品处理仅将规定区域的膜去除，即进行所谓蚀刻处理，结果，形成希望 形状的电极。因此，难以通过蚀刻处理进行蚀刻或容易过度蚀刻的透光性导电膜存在难以 形成为希望形状的图案等问题。
[0004] 因此，对于搭载于触摸板的透光性导电膜，要求容易通过蚀刻处理成形为希望的 形状这一特性（所谓蚀刻性）优异的透光性导电膜。
[0005] 迄今为止，尝试通过控制含有氧化铟的透光性导电层的结晶性，提供蚀刻性优异 的透光性导电膜（专利文献1及2)。
[0006] 专利文献1:日本特开2000-129427号公报
[0007] 专利文献2:日本专利4269587号公报
【发明内容】
[0008] 本发明的技术问题在于，提供一种具有优异蚀刻性的透光性导电膜，其含有（A) 含有高分子树脂的透光性支持层及（B)含有氧化铟的透光性导电层。
[0009] 本发明人经反复潜心研究，首次发现在利用薄膜法的XRD测定中，聚酯的衍射强 度和氧化铟的衍射强度表现出指定关系的透光性导电膜可以解决所述技术问题。本发明基 于该新的见解，进一步通过反复进行各种研究而完成，下面阐述。
[0010] 第一项：
[0011] 一种透光性导电膜，包含：
[0012] (A)含有高分子树脂的透光性支持层；及
[0013] (B)含有氧化铟的透光性导电层，
[0014] 所述透光性导电层（B)直接或隔着一层以上的其它层设置于所述透光性支持层 (A)的至少一面上，其中，
[0015] 由（Iba -Iba-Q.Q25。V(Iaa -Iaa-Q.Q25。）表示的函数f(a)的平均值为〇.〇8? 5. 00，
[0016] 式中，a是由amin+nX0. 025°(n= 1、2、3、…）表示的变量，
[0017] 是在〇. 1〇〇°以上的范围内，在薄膜法XRD测定中可确认到（222)面的峰的 最小入射角，
[0018] a满足下式⑴及（II)，
[0019] a彡 〇? 600。? ? ? ?（I)
[0020]f(a)彡 〇.7Xf(a- 〇? 025。）? ? ? ?（II)
[0021]Iaa是在入射角为a的薄膜法XRD测定中来自聚酯的2 0 = 26°附近的峰强度， 且，
[0022] Iba是在入射角为a的薄膜法XRD测定中来自氧化铟的（222)面的峰强度。
[0023] 第二项：
[0024] 如第一项所述的透光性导电膜，其中，所述透光性支持层（A)的厚度为20? 200um。
[0025] 第三项：
[0026] 如第一或第二项所述的透光性导电膜，其中，所述高分子树脂是聚对苯二甲酸乙 二醇酯或聚碳酸酯。
[0027] 第四项：
[0028] 如第一?第三项中任一项所述的透光性导电膜，其中，透光性导电层（B)的厚度 为 15 ?30nm。
[0029] 第五项：
[0030] 如第一?第四项中任一项所述的透光性导电膜，其通过在大气中于90?160°C下 加热10?120分钟而得到。
[0031] 第六项：
[0032] 如第一?第五项中任一项所述的透光性导电膜，其中，透光性导电层（B)含有将 3?10%的Sn02添加到氧化铟中而得到的氧化铟锡。
[0033] 第七项：
[0034] 一种触摸板，其含有第一?第六项中任一项所述的透光性导电膜。
[0035] 发明效果
[0036] 根据本发明，可以提供一种具有优异的蚀刻性，且包含（A)透光性支持层及（B)含 有氧化铟的透光性导电层的透光性导电膜。
【专利附图】
【附图说明】
[0037] 图1是表示在透光性支持层（A)的单面邻接设置有透光性导电层（B)的本发明的 透光性导电膜的剖面图；
[0038] 图2是表示在透光性支持层（A)的两面邻接设置有透光性导电层（B)的本发明的 透光性导电膜的剖面图；
[0039] 图3是将源自高分子树脂的衍射强度作为横轴，且将源自氧化铟的衍射强度 作为纵轴时，分别对以相互相差0.025°的连续三种X射线入射角（a-〇.〇25°、a°、 a+0. 025° )分别测定的源自高分子树脂的衍射强度la及源自氧化铟的衍射强度lb进行 标绘而得到的坐标图的一个例子；
[0040] 图4是函数f(a)的坐标图的一个例子；
[0041] 图5是表示在透光性支持层（A)的单面依次相互邻接地设置有底涂层（C)及透光 性导电层（B)的本发明的透光性导电膜的剖面图；
[0042]图6是表示在透光性支持层（A)的两面依次相互邻接地设置有底涂层（C)及透光 性导电层（B)的本发明的透光性导电膜的剖面图；
[0043] 图7是表示在透光性支持层（A)的单面依次相互邻接地设置有硬涂层（D)、底涂层 (C)及透光性导电层⑶的本发明的透光性导电膜的剖面图；
[0044]图8是表示在透光性支持层（A)的一面依次相互邻接地设置有硬涂层（D)、底涂层 (C)及透光性导电层（B)，在另一面直接设置有另一硬涂层（D)的本发明的透光性导电膜的 剖面图；
[0045]图9是表示在透光性支持层（A)的两面依次相互邻接地设置有硬涂层（D)、底涂层 (C)及透光性导电层⑶的本发明的透光性导电膜的剖面图。
【具体实施方式】
[0046] 1、透光性导电膜
[0047] 本发明的透光性导电膜包含：
[0048] (A)含有高分子树脂的透光性支持层；及
[0049] (B)含有氧化铟的透光性导电层，
[0050] 所述透光性导电层（B)直接或隔着一层以上的其它层设置于所述透光性支持层 (A)的至少一面上，其中，
[0051] 由（Iba - Iba-Q.Q25。v(laa -Iaa-Q.Q25。）表示的函数f(a)的平均值为0.08? 5. 00，
[0052] 式中，a是由amin+nX0. 025°(n= 1、2、3、? ? ?）表示的变量，
[0053] 是在〇. 1〇〇°以上的范围内，在薄膜法XRD测定中可确认到（222)面的峰的 最小入射角，
[0054] a满足下式⑴及（II)，
[0055] a彡 〇? 600。? ? ? ?（I)
[0056] f(a)彡 〇.7Xf(a- 〇? 025。）? ? ? ?（II)
[0057] Iaa是在入射角为a的薄膜法XRD测定中来自高分子树脂的2 0 = 26°附近的 峰强度，且，
[0058] Iba是在入射角为a的薄膜法XRD测定中来自氧化铟的（222)面的峰强度。
[0059] 本发明中所谓"透光性"是指具有使光透过的性质（translucent)。"透光性"包括 透明（transparent)。所谓"透光性"是说例如总光线透过率为80%以上，优选85%以上， 更优选87%以上的性质。本发明中，总光线透过率是使用雾度仪（日本电色公司制造，商品 名：NDH-2000,或其同等品），基于JIS-K-7105进行测定。
[0060] 在本说明书中，说到设置于透光性支持层（A) -面的多层中的两层的相对位置关 系时，有时以透光性支持层（A)为基准，将距透光性支持层（A)的距离远的一层称为"上层" 或"位于上方"等，将距透光性支持层（A)的距离近的另一层称为"下层"或"位于下方"等。
[0061] 图1表不本发明的透光性导电膜的一个实施方式。在该实施方式中，在透光性支 持层（A)的单面上相互邻接地设置透光性导电层（B)。有时将这种透光性导电膜称为"单 面透光性导电膜"。
[0062] 图2表不本发明的透光性导电膜的另一个实施方式。在该实施方式中，在透光性 支持层（A)的两面上相互邻接地设置透光性导电层（B)。有时将这种透光性导电膜称为"两 面透光性导电膜"。
[0063] 1. 1诱光件支持层（A)
[0064] 本发明中，透光性支持层是指下述层：其在含有透光性导电层的透光性导电膜中， 起到支持包括透光性导电层在内的层的作用。作为透光性支持层（A)没有特别限定，例如， 可以使用在触摸板用透光性导电膜中通常作为透光性支持层使用的层。
[0065] 透光性支持层（A)含有高分子树脂。作为高分子树脂没有特别限定，例如，可以 列举，聚酯及聚碳酸酯（PC)等。作为高分子树脂可以优选列举：聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)及PC等。作为高分子树脂特别优选PET及PC。透光性 支持层（A)也可以含有两种以上的高分子树脂。
[0066] 透光性支持层（A)还可以含有其它成分。透光性支持层（A)可以不仅含有一种以 上的高分子树脂，而且还可以含有两种以上的其它成分。
[0067] 透光性支持层（A)的厚度没有特别限定，只要是20?200 即可，优选25? 200iim，更优选30?190iim，进一步优选50?150iim。透光性支持层的厚度使用厚度测 定机（株式会社尼康社制造的DIGMICROMF501+MFC101或其类似品）进行计量。
[0068] 1. 2诱光件导电层（B)
[0069] 透光性导电层（B)含有氧化铟，还可以含锡氧化物及/或锌氧化物等作为掺杂剂。 透光性导电层（B)优选氧化铟锡（tin-dopedindiumoxide(ITO))。
[0070] 透光性导电层（B)的材料没有特别限定，例如，可以列举，氧化铟、氧化锌、氧化锡 及氧化钛等。作为透光性导电层（B)，按照兼顾透明性和导电性的点而言，优选含有在氧化 铟中掺杂掺杂剂而得到的物质的透光性导电层。透光性导电层⑶可以是由在氧化铟中掺 杂掺杂剂而得到的物质构成的透光性导电层。作为掺杂剂没有特别限定，例如，可以列举， 氧化锡及氧化锌及其混合物等。
[0071] 透光性导电层（B)的材料使用在氧化铟中掺杂氧化锡而得到的物质时，优选在 氧化铟（III) (ln203)中掺杂氧化锡（IV) (Sn02)而得到的物质（tin-dopedindiumoxide; IT0)。该情况下，Sn02的添加量没有特别限定，例如，可以列举，1?15重量％，优选2?10 重量％，更优选3?8重量％等。另外，在掺杂剂的总量在不超过上述数值范围的范围内， 还可以使用在氧化铟锡中再添加其它掺杂剂而得到的物质作为透光性导电层（B)的材料。 上述中作为其它掺杂剂没有特别限定，例如，可以列举硒等。
[0072] 透光性导电层（B)可以是由上述各种材料中任一种单独构成的层，也可以是由多 种构成的层。
[0073] 透光性导电层（B)没有特别地限定，可以是晶体或非晶体、或其混合体。
[0074] 透光性导电层（B)直接或隔着一层以上的其它层设置于透光性支持层（A)的至少 一面上。
[0075] 透光性导电层（B)通过加热处理而结晶化。随着结晶化程度的发展，可使函数 fU)的值增加。换句话说，在加热处理前预先求出函数f(a)的平均值，根据需要进行加 热处理，由此通过调整结晶化的程度,可以调整函数f(a)的值。
[0076] 透光性导电层（B)优选在薄膜法XRD测定中（222)面的峰值与其它峰值相比最 大。
[0077] 透光性导电层（B)的厚度为15?30nm，优选16?28nm，更优选17?25nm。
[0078] 透光性导电层（B)的厚度如下测定。通过透射型电子显微镜观察进行测定。具体 而言，使用切片机或聚焦离子束等将透光性导电膜沿与膜面垂直方向薄薄地切断，观察其 剖面。
[0079] 形成透光性导电层（B)的方法可以是湿式及干式的任一种。
[0080] 作为形成透光性导电层（B)的方法没有特别限定，例如，可以列举，离子镀法、溅 射法、真空蒸镀法、CVD法及脉冲激光沉积法等。作为形成透光性导电层（B)的方法优选溅 射法。
[0081] 为了得到在利用薄膜法进行的入射角为a的XRD测定中，高分子树脂的衍射强度 和氧化铟的衍射强度表现出指定关系的本发明的透光性导电膜，虽然没有特别限定，但在 利用溅射法形成透光性导电层（B)时，例如适当调整氧分压、形成基底的层的平均表面粗 糙度（Ra)、水导入的分压、成膜温度及透光性导电层（B)的厚度的平衡即可。
[0082] 1. 3函数f(a)
[0083] 本发明的透光性导电膜的特征在于，函数f(a)的平均值为〇. 08?5. 00。
[0084] 函数f(a)用
【权利要求】
1. 一种透光性导电膜，其包含： (A) 含有高分子树脂的透光性支持层；及 (B) 含有氧化铟的透光性导电层， 所述透光性导电层（B)直接或隔着一层以上的其它层设置于所述透光性支持层（A)的 至少一面上，其中， 由（Iba - Iba _Q.Q25。V(Iaa - Iaa _Q.Q25。）表示的函数 f(a)的平均值为 〇.〇8 ? 5. 00， 式中，a 是由 amin+nX0.025° (n=l、2、3、- ? ?)表示的变量， a _是在0.100°以上的范围内，在薄膜法XRD测定中可确认到（222)面的峰的最小 入射角， a满足下式（I)及（II)， a 彡 〇? 600。? ? ? ?（I) f(a)彡 〇.7Xf(a - 0.025。）? ? ? ?（II) Iaa是在入射角为a的薄膜法XRD测定中来自聚酯的2 0 = 26°附近的峰强度，且， Iba是在入射角为a的薄膜法XRD测定中来自氧化铟的（222)面的峰强度。
2. 如权利要求1所述的透光性导电膜，其中， 所述透光性支持层（A)的厚度为20?200 y m。
3. 如权利要求1或2所述的透光性导电膜，其中， 所述高分子树脂为聚对苯二甲酸乙二醇脂或聚碳酸酯。
4. 如权利要求1?3中任一项所述的透光性导电膜，其中， 透光性导电层（B)的厚度为15?30nm。
5. 如权利要求1?4中任一项所述的透光性导电膜，其通过在大气中于90?160°C下 加热10?120分钟而得到。
6. 如权利要求1?5中任一项所述的透光性导电膜，其中， 透光性导电层（B)含有将3?10%的Sn02添加到氧化铟中而得到的氧化铟锡。
7. -种触摸板，其包含权利要求1?6中任一项所述的透光性导电膜。
【文档编号】B32B7/02GK104428844SQ201380036425
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2013年8月5日 优先权日:2012年8月6日
【发明者】滝泽守雄, 泽田石哲郎, 武藤胜纪, 田中治, 中谷康弘, 林秀树 申请人:积水纳米涂层科技有限公司, 积水化学工业株式会社