显示装置及其驱动方法

显示装置及其驱动方法
【专利摘要】本发明提供削减了发射驱动器的电路规模的有机EL显示装置。发射驱动器(50)包括与各发射线对应设置的导通控制晶体管(T1e)和关断控制晶体管(T2e)。第i行导通控制晶体管(T1e)，其栅极端子和漏极端子与第i+1行扫描线(Si+1)连接，其源极端子与第i行发射线(EMi)连接。第i行关断控制晶体管(T2e)，其栅极端子与第i－1行扫描线(Si－1)连接，其漏极端子与第i行发射线(EMi)连接，其源极端子与低电平逻辑电源线(VSS)连接。
【专利说明】
显示装置及其驱动方法

【技术领域】
[0001]本发明涉及显示装置，更详细而言，涉及具备包含有机EL(Electa)Luminescence)元件等电光学元件的像素电路的显示装置及其驱动方法。

【背景技术】
[0002]作为薄型、高画质、低耗电的显示装置，有机EL显示装置被广为人知。有机ELM示装置中呈矩阵状地配置有多个像素电路，像素电路包括作为利用电流来驱动的自发光型电光学元件的有机EL元件和驱动晶体管等。
[0003]另外，为了抑制在对像素电路写入数据电压时可能发生的有机EL元件的异常发光等，在像素电路内设置了对有机EL元件的发光/非发光进行控制的晶体管(以下称“发光控制晶体管”)的有机EL显示装置也已为人所众知。这样的有机EL显示装置中，与多根扫描线和多根发射线对应地设置有多个像素电路。与各像素电路对应的扫描线控制数据电压的写入时序。与各像素电路对应的发射线控制有机EL元件的发光/非发光的时序。多根扫描线由扫描驱动器(扫描驱动部)驱动。多根发射线由发射驱动器(发光控制驱动部)驱动。
[0004]作为与本发明有关的文献，专利文献1中公开了一种将扫描驱动器与发射驱动器构成为一体的有机EL显示装置。图15是用于说明专利文献1中公开的扫描驱动器和发射驱动器(以下将二者总称为“扫描/发射驱动器”，用标记300表示)的结构和电路图。此处，扫描线和发射线各自为η根(η为2以上的整数)。扫描/发射驱动器300包括移位寄存器310,η 个第一 NAND 门 NAND11 ?1η、η 个 N0R 门 N0R11 ?In 和 η 个第二 NAND 门 NAND21 ?2η。第i级的第一 NAND门NANDli (i是1以上η以下的整数)以移位寄存器310的第i级的输出SRi和第i+Ι级的输出SRi+Ι为输入,将基于该输入而得的输出供给到第i行发射线EMi。第i级的N0R门NORli以移位寄存器310的第i级的输出SRi和第i+Ι级的输出SRi+Ι为输入。第i级的第二 NAND门NAND2i以第i级的N0R门li的输出OUTi和限幅信号CLIP为输入,将基于该输入而得的输出供给到第i行扫描线Si。扫描/发射驱动器300中，由移位寄存器310、η个N0R门N0R11?In和η个第二 NAND门NAND21?2η实现扫描驱动器，由移位寄存器310和η个第一 NAND门NAND11?In实现发射驱动器。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本国特开2005 - 346025号公报
[0008]专利文献2:日本国专利第4637070号公报


【发明内容】

[0009]发明要解决的问题
[0010]在上述专利文献1所公开的有机EL显示装置中，为了实现发射驱动器必需使用NAND门(第一 NAND门)。第i行的第一 NAND门NANDli例如是图16所示的CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)电路。更详细而言，第 i 行的第一 NAND门NANDli包括在供给高电平逻辑电源电压VDD的电源线(以下称“高电平逻辑电源线”，与高电平逻辑电源电压用相同的标记VDD表示)和供给低电平逻辑电源电压VSS的电源线(以下称“低电平逻辑电源线”，与低电平逻辑电源电压用相同的标记VSS表示)之间彼此并联设置的2个p沟道型晶体管TP1、TP2，和在高电平逻辑电源线VDD和低电平逻辑电源线VSS之间与2个p沟道型晶体管TP1、TP2分别串联设置的2个η沟道型晶体管TN1、ΤΝ2。因此，上述专利文献1所公开的有机EL显示装置中，对于各发射线需要有4个晶体管，发射驱动器的电路规模增大。
[0011]因此，本发明之目的在于，提供一种削减了发射驱动器(发光控制驱动部)的电路规模的有机EL显示装置等显示装置及其驱动方法。
[0012]解决问题的手段
[0013]本发明第一技术方案的有源矩阵型显示装置的特征在于，包括:
[0014]显示部，其包括多个数据线、多个扫描线、分别沿着上述多个扫描线配置的多个发光控制线和与上述多个数据线、上述多个扫描线和上述多个发光控制线对应配置的多个像素电路；
[0015]依次选择上述多个扫描线的扫描驱动部；和
[0016]驱动上述多个发光控制线的发光控制驱动部，
[0017]上述像素电路包括:
[0018]由电流驱动的电光学元件；
[0019]第一输入晶体管，该第一输入晶体管的控制端子与对应的扫描线连接，在该扫描线被选择时成为导通状态；
[0020]驱动晶体管，其与上述电光学元件串联设置，根据经由对应的数据线和上述第一输入晶体管供给的数据电压，对要供给到上述电光学元件的驱动电流进行控制；和
[0021]发光控制晶体管，该发光控制晶体管的控制端子与对应的发光控制线连接，上述发光控制晶体管与上述电光学元件串联设置，
[0022]上述发光控制驱动部包括:
[0023]关断控制开关元件，其与各发光控制线对应设置，用于根据沿着该发光控制线配置的扫描线之前的任一扫描线的状态或沿着该发光控制线配置的扫描线的状态，使该发光控制线的电位变化为使得上述发光控制晶体管成为关断状态的关断电平；和
[0024]导通控制开关元件，其与各发光控制线对应设置，用于根据沿着该发光控制线配置的扫描线之后的任一扫描线的状态，使该发光控制线的电位变化为使得上述发光控制晶体管成为导通状态的导通电平。
[0025]本发明第二技术方案的特征在于，在本发明第一技术方案中，
[0026]上述关断控制开关元件，在沿着对应的发光控制线配置的扫描线之前的任一扫描线或沿着对应的发光控制线配置的扫描线变化为选择状态时，使该发光控制线的电位变化为上述关断电平，
[0027]上述导通控制开关元件，在沿着对应的发光控制线配置的扫描线之后的任一扫描线变化为选择状态时，使该发光控制线的电位变化为上述导通电平。
[0028]本发明第三技术方案的特征在于，在本发明第二技术方案中，
[0029]上述关断控制开关元件的控制端子与沿着对应的发光控制线配置的扫描线之前的任一扫描线或沿着对应的发光控制线配置的扫描线连接，上述关断控制开关元件的第一导通端子与该发光控制线连接，
[0030]上述导通控制开关元件的控制端子与沿着对应的发光控制线配置的扫描线之后的任一扫描线连接，上述导通控制开关元件的第一导通端子与该发光控制线连接。
[0031]本发明第四技术方案的特征在于，在本发明第三技术方案中，
[0032]上述第一输入晶体管和上述发光控制晶体管彼此为相同的导电类型，
[0033]上述关断控制开关元件的第二导通端子被供给上述关断电平的电压，
[0034]上述导通控制开关元件的第二导通端子与上述控制端子的连接对象的扫描线连接。
[0035]本发明第五技术方案的特征在于，在本发明第三技术方案中，
[0036]上述关断控制开关元件的上述控制端子与沿着对应的发光控制线配置的扫描线的前一个扫描线连接。
[0037]本发明第六技术方案的特征在于，在本发明第三技术方案中，
[0038]上述导通控制开关元件的上述控制端子与沿着对应的发光控制线配置的扫描线的后一个扫描线连接。
[0039]本发明第七技术方案的特征在于，在本发明第一技术方案中，
[0040]还包括用于使各发光控制线终结的终端部。
[0041 ] 本发明第八技术方案的特征在于,在本发明第一技术方案中，
[0042]上述像素电路还包括:
[0043]保持用于控制上述驱动晶体管的电压的驱动电容元件；和
[0044]第二输入晶体管，该第二输入晶体管的控制端子与上述对应的扫描线之前的扫描线连接，
[0045]上述第一输入晶体管和上述第二输入晶体管并联设置在上述对应的数据线与上述驱动电容元件之间。
[0046]本发明第九技术方案的特征在于，在本发明第八技术方案中，
[0047]上述第一输入晶体管是沟道层由氧化物半导体、微晶硅或非晶硅形成的薄膜晶体管。
[0048]本发明第十技术方案的特征在于，在本发明第一技术方案中，
[0049]上述扫描驱动部和上述发光控制驱动部各自配置在上述显示部的一端侧。
[0050]本发明第i 技术方案的特征在于，在本发明第一技术方案中，
[0051 ] 上述数据电压表示多个原色中的任一原色，
[0052]上述像素电路形成上述多个原色中的任一原色的子像素，
[0053]上述显示装置还包括将表示上述多个原色中的任一原色的数据电压分时供给到上述多个数据线的分时数据电压供给部，
[0054]上述扫描驱动部在要对形成各原色的子像素的像素电路供给表示该原色的数据电压时，使与该像素电路对应的扫描线为选择状态。
[0055]本发明第十二技术方案的有源矩阵型显示装置的驱动方法，其特征在于:上述显示装置包括显示部，该显示部包括多个数据线、多个扫描线、分别沿着上述多个扫描线配置的多个发光控制线和与上述多个数据线、上述多个扫描线和上述多个发光控制线对应配置的多个像素电路，上述像素电路包括:第一输入晶体管，该第一输入晶体管的控制端子与对应的扫描线连接，在该扫描线被选择时成为导通状态；驱动晶体管，其与上述电光学元件串联设置，根据经由对应的数据线和上述第一输入晶体管供给的数据电压，对要供给到上述电光学元件的驱动电流进行控制；和发光控制晶体管，该发光控制晶体管的控制端子与对应的发光控制线连接，上述发光控制晶体管与上述电光学元件串联设置，上述驱动方法包括:
[0056]依次选择上述多个扫描线的扫描步骤；和
[0057]驱动上述多个发光控制线的发光控制步骤，
[0058]上述发光控制步骤包括:
[0059]关断控制步骤，通过控制与各发光控制线对应设置的关断控制开关元件，来根据沿着该发光控制线配置的扫描线之前的任一扫描线的状态或沿着该发光控制线配置的扫描线的状态，使该发光控制线的电位变化为使得上述发光控制晶体管成为关断状态的关断电平；和
[0060]导通控制步骤，通过控制与各发光控制线对应设置的导通控制开关元件，来根据沿着该发光控制线配置的扫描线之后的任一扫描线的状态，使该发光控制线的电位变化为使得上述发光控制晶体管成为导通状态的导通电平。
[0061]发明的效果
[0062]根据本发明第一技术方案，利用发光控制驱动部内的关断控制开关元件和导通控制开关元件来控制对应的发光控制线的电位，由此控制多个发光控制线。发光控制驱动部中针对各发光控制线设置了关断控制开关元件和导通控制开关元件这共计2个开关元件(例如晶体管)，所以与以往相比能够削减发光控制驱动部的电路规模。
[0063]根据本发明第二技术方案，通过在扫描线的选择状态发生变化时改变发光控制线的电位，从而能够驱动发光控制线。
[0064]根据本发明第三技术方案，利用沿着对应的发光控制线的扫描线之前的任一扫描线或沿着该发光控制线的扫描线的电位来控制关断控制开关元件，利用沿着对应的发光控制线的扫描线之后的任一扫描线的电位来控制导通控制开关元件，从而能够控制发光控制线的电位。
[0065]根据本发明第四技术方案，在使发光控制线的电位变化为导通电平时，利用了扫描线的电位。因此，能够削减用于使发光控制线的电位变化为导通电平的电源线。
[0066]根据本发明第五技术方案，能够在沿着与关断控制开关元件对应的发光控制线的扫描线的前一个扫描线的选择状态发生变化时，使该发光控制线的电位变化为关断电平。
[0067]根据本发明第六技术方案，能够在沿着与导通控制开关元件对应的发光控制线的扫描线的后一个扫描线的选择状态发生变化时，使该发光控制线的电位变化为导通电平。
[0068]根据本发明第七技术方案，由于设置有终端部，所以能够可靠地维持发光控制线的电位。
[0069]根据本发明第八技术方案，在经由第一输入晶体管从数据线对驱动电容元件供给电压之前，经由第二输入晶体管从数据线对驱动电容元件供给电压，即，在与像素电路对应的扫描线之前的扫描线被选择时进行预充电。由此，即使在第一输入晶体管的迁移率较低的情况下，或者无法充分确保各扫描线的选择期间的情况下，驱动电容元件也能够充电至期望的电压，所以能够维持显示质量。
[0070]根据本发明第九技术方案，将沟道层由氧化物半导体、微晶硅或非晶硅形成的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下简称“TFT”)用作第一输入晶体管，能够获得与本发明第八技术方案相同的效果。
[0071]根据本发明第十技术方案，扫描驱动部和发光控制驱动部相对于显示部被配置于彼此相同的一侧。因此，发光控制驱动部利用的扫描线的信号波形失真较小。由此，发光控制驱动部能够正确地驱动多个发光控制线。
[0072]根据本发明第十一技术方案，表示多个原色之任一的数据电压分时供给到多个数据线，所以能够削减用于输出数据电压的电路规模。
[0073]根据本发明第十二技术方案，显示装置的驱动方法能够获得与本发明第一技术方案相同的效果。

【专利附图】

【附图说明】
[0074]图1是表示本发明第一实施方式的有机EL显示装置的结构的框图。
[0075]图2是表示图1所示的像素电路的结构的电路图。
[0076]图3是用于说明图1所示的发射驱动器的结构的电路图。
[0077]图4是用于说明上述第一实施方式中的发射线的端部的其它结构的电路图。
[0078]图5是用于说明上述第一实施方式中的发射线的端部的其它结构的电路图。
[0079]图6是用于说明图2所示的像素电路和图3所示的发射驱动器的动作的时序图。
[0080]图7是表示NAND门的布局的图。
[0081]图8是表示第i行的导通控制晶体管和关断控制晶体管的布局的图。
[0082]图9是表示本发明第二实施方式的有机EL显示装置的结构的框图。
[0083]图10是用于说明图9所示的发射驱动器的结构的电路图。
[0084]图11是表示本发明第三实施方式的有机EL显示装置的结构的框图。
[0085]图12是表示上述第三实施方式中像素电路与各种配线的连接关系的电路图。
[0086]图13是用于说明图11所示的发射驱动器的结构的电路图。
[0087]图14是用于说明图12所示的像素电路和图13所示的发射驱动器的动作的时序图。
[0088]图15是用于说明扫描/发射驱动器的结构的电路图。
[0089]图16是表示NAND门的结构的电路图。

【具体实施方式】
[0090]以下参照附图对本发明第一?第三实施方式进行说明。以下说明中，令m、n、k、l是2以上的整数，i是1以上η以下的整数。并且，令j在第一、第二实施方式中为1以上m以下的整数，在第三实施方式中为1以上k以下的整数。另外，各实施方式中的像素电路中的晶体管是场效应晶体管，有代表性的是薄膜晶体管。
[0091]< 1.第一实施方式>
[0092]< 1.1整体结构>
[0093]图1是表示本发明第一实施方式的有源矩阵型的有机EL显示装置1的结构的框图。有机EL显示装置1包括显示部10、显示控制电路20、源极驱动器30、扫描驱动器40和发射驱动器50。本实施方式中，源极驱动器30相当于数据驱动部，扫描驱动器40相当于扫描驱动部，发射驱动器50相当于发光控制驱动部。源极驱动器30、扫描驱动器40和发射驱动器50中的任一个、任二个或全部也可以与显示部10形成为一体。扫描驱动器40和发射驱动器50分别配置在显示部10的一端侧(以下称“左侧”)和另一端侧(以下称“右侦Γ )。另外，扫描驱动器40和发射驱动器50也可以分别配置在显示部10的右侧和左侧。
[0094]显示部10中设置有m根数据线D1?Dm和与它们正交的η根扫描线S1?Sn。以下令数据线的延伸方向为列方向，扫描线的延伸方向为行方向。另外，下文有时也将沿着列方向的结构元件称为“列”，将沿着行方向的结构元件称为“行”。显示部10中还与m根数据线D1?Dm和η根扫描线S1?Sn对应地设置有mXη个像素电路11。各像素电路11形成红色(R)子像素(以下称“R子像素”)、绿色(G)子像素(以下称“G子像素”)和蓝色(Β)子像素(以下称“Β子像素”)中的任一个，沿行方向排列的像素电路11例如从扫描驱动器40 —侧起依次形成R子像素、G子像素和Β子像素。另外，子像素的种类不限于红色、绿色和蓝色，也可以是青、品红和黄色等。另外，显示部10中还设置有未图示的供给高电平像素电源电压ELVDD的电源线(以下称“高电平像素电源线”，与高电平像素电源电压由相同标记ELVDD表示)和供给低电平像素电源电压ELVSS的电源线(以下称“低电平像素电源线”，与低电平像素电源电压由相同标记ELVSS表示)。高电平像素电源电压ELVDD和低电平像素电源电压ELVSS各自为固定电压。
[0095]显示控制电路20对源极驱动器30发送影像数据DA和源极控制信号CT1，对扫描驱动器40发送扫描控制信号CT2，由此控制源极驱动器30和扫描驱动器40。源极控制信号CT1例如包括源极启动脉冲、源极时钟和锁存选通信号。扫描控制信号CT2例如包括扫描启动脉冲和扫描时钟。
[0096]源极驱动器30与m根数据线D1?Dm连接，对它们进行驱动。更详细而言，源极驱动器30包括未图示的移位寄存器、采样电路、锁存电路、m个D/A转换器、m个缓存等。移位寄存器通过与源极时钟同步地依次传送源极启动脉冲而依次输出采样脉冲。采样电路依照采样脉冲的时序而依次存储一行量的影像数据DA。锁存电路根据锁存选通信号而导入采样电路所存储的一行量的影像数据DA并保持该数据，同时将该一行量的影像数据中包含的各子像素的影像数据DA(以下称“灰度等级数据”)提供给对应的D/A转换器。D/A转换器将接收到的灰度等级数据转换为数据电压后输出。从D/A转换器输出的数据电压经由对应的缓存而被供给到对应的数据线。
[0097]扫描驱动器40与η根扫描线S1?Sn连接，对它们进行驱动。更详细而言，扫描驱动器40包括未图示的移位寄存器和η个缓存等。移位寄存器与扫描时钟同步地依次传送扫描启动脉冲。从移位寄存器的各级输出的信号，经对应的缓存而被供给到对应的扫描线。这样，扫描驱动器40从扫描线S1起依次选择η根扫描线S1?Sn。
[0098]发射驱动器50与η根发射线ΕΜ1?ΕΜη连接，对它们进行驱动。发射驱动器50设置有未图示的低电平逻辑电源线VSS。发射驱动器50的详细结构将在后文中说明。
[0099]<1.2像素电路〉
[0100]图2是表示图1所示的第i行第j列的像素电路11的结构的电路图。像素电路11包括1个有机EL元件0LED、4个晶体管T1?T4和1个电容器C1。晶体管T1是驱动晶体管，晶体管T2是第一输入晶体管，晶体管T3是第二输入晶体管，晶体管T4是发光控制晶体管。电容器C1相当于驱动电容元件，有机EL元件OLED相当于由电流驱动的电光学元件。晶体管T1?T4均为η沟道型TFT。
[0101]晶体管T1与有机EL元件0LED串联设置，其作为第一导通端子的漏极端子与高电平像素电源线ELVDD连接。晶体管T2设置于数据线Dj与晶体管T1的栅极端子之间，其栅极端子(相当于控制端子，这一点关于其它晶体管的栅极端子也是同样的)连接在第i行扫描线Si上。晶体管T3设置于数据线Dj与晶体管T1的栅极端子之间，其栅极端子连接在第i行扫描线Si的前一个扫描线——即第i 一 1行扫描线Si — 1上。此处，“前一个扫描线”意味着按被选择的顺序而言位于前一个的扫描线。晶体管T4设置于晶体管T1的作为第二导通端子的源极端子与有机EL元件0LED的阳极端子之间，其栅极端子连接在第i行发射线EMi上。电容器C1的一端和另一端被分别连接于晶体管T1的栅极端子和源极端子。电容器C1保持晶体管T1的栅极一源极间电压Vgs。有机EL元件0LED的阴极端子连接在低电平像素电源线ELVSS上。为方便起见，本实施方式中将晶体管T1的栅极端子、电容器C1的一端以及晶体管T2的位于晶体管T1的栅极端子一侧的导通端子的连接点称为“栅极节点VG，，。
[0102]<1.3发射驱动器>
[0103]图3是用于说明图1所示的发射驱动器50的结构的电路图。图3中为了图示的方便，表示了第i 一 2行?第i行的结构。如上所述，扫描驱动器40配置在显示部10的左侦牝发射驱动器50配置在显示部10的右侧。发射驱动器50包括与各发射线对应设置的导通控制(0N控制)晶体管Tie和关断控制(OFF控制)晶体管T2e。导通控制晶体管Tie相当于导通控制开关元件，关断控制晶体管T2e相当于关断控制开关元件。导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e是η沟道型TFT。为了说明上的方便，以下仅关注第i行发射线EMi和与其相关的构成要素进行说明，有时会省略其它行的发射线及与其相关的构成要素的说明。
[0104]与第i行发射线EMi对应设置的导通控制晶体管Tie (以下称“第i行导通控制晶体管Tie”)进行工作，使得在沿着第i行发射线EMi的第i行扫描线Si的下一个扫描线即第i+Ι行扫描线Si+Ι变化为选择状态时，第i行发射线EMi的电位变化为导通电平(0N电平)。此处，“下一个扫描线”意味着按被选择的顺序而言位于下一个的扫描线。另外，“扫描线为选择状态”意味着扫描线的电位为导通电平(指的是使像素电路11内的晶体管为导通状态的电平)。而“扫描线为非选择状态”意味着扫描线的电位为关断电平(指的是使像素电路11内的晶体管为关断状态的电平)。本实施方式中，导通电平和关断电平分别为高电平(VDD)和低电平(VSS)。更详细地说，第i行导通控制晶体管Tie的栅极端子和作为第二导通端子的漏极端子与第i+Ι行扫描线Si+Ι连接，作为第一导通端子的源极端子与第i行发射线EMi连接。
[0105]与第i行发射线EMi对应设置的关断控制晶体管T2e(以下称“第i行关断控制晶体管T2e”)进行控制，使得在沿着第i行发射线EMi的第i行扫描线Si的前一个扫描线即第i 一 1行扫描线S1- 1变化为选择状态时，第i行发射线EMi的电位变化为关断电平(OFF电平)。更详细地说，第i行关断控制晶体管T2e的栅极端子与第i 一 1行扫描线Si — 1连接，作为第一导通端子的漏极端子与第i行发射线EMi连接，作为第二导通端子的源极端子与低电平逻辑电源线VSS连接。低电平逻辑电源线VSS的电位相当于上述的低电平。
[0106]另外，图3所示的Cem表示各行的发射线的总电容(配线电容和寄生电容)。另夕卜，在各行发射线的扫描驱动器40 —侧的端部设置有终端晶体管T3e作为用于使该发射线终结的终端部。各终端晶体管T3e为η沟道型晶体管，栅极端子与发射线的端部连接。另夕卜，各终端晶体管T3e也可以是p沟道型晶体管。各终端晶体管T3e的源极端子和漏极端子例如为电浮置状态。设置终端晶体管T3e的目的在于，在导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e均为关断状态时将发射线维持在电浮置状态，可靠地维持发射线的电位。不过，也可以代替终端晶体管T3e而如图4所示，设置一端与发射线连接，另一端例如与低电平逻辑电源线VSS连接的终端电容器C3e。这样，也能够在导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e均为关断状态时将发射线维持在电浮置状态，可靠地维持发射线的电位。另外，也可以如图5所示不设置终端晶体管T3e或终端电容器C3e这样的终端部。该情况下，利用发射线的电容Cem，也能够在导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e均为关断状态时将发射线维持在电浮置状态，可靠地维持发射线的电位。此外，在各行发射线的电容Cem不足够的情况下，与设置终端晶体管T3e相比，优选设置作为电容Cem的附加电容发挥作用的终端电容器C3e。
[0107]<1.4动作>
[0108]图6是用于说明图2所示的像素电路11和图3所示的发射驱动器50的动作的时序图。首先参照图2和图6对图2所示的像素电路11的动作进行说明。图6中，时刻11?t2是第i 一 1行扫描线S1- 1的选择期间，时刻t2?t3是第i行扫描线Si的选择期间，时刻t3?t4是第i+Ι行扫描线Si+Ι的选择期间。以下将第i行扫描线Si的选择期间称作“第i行的选择期间”。如图6所示，第i行发射线EMi在第i 一 1行、第i行扫描线S1-
l、Si的选择期间为低电平，成为低电平的期间与第i 一 1行发射线EMi — 1重复1个水平期间(1H期间)。
[0109]在时刻tl以前，第i 一 1行?第i+Ι行扫描线Si — 1?Si+Ι为低电平，第i行发射线EMi为高电平。此时，晶体管T2、T3为关断状态，所以栅极节点VG的电位维持初始电平。另外，也可以在全部扫描线完成扫描后的回描期间中，通过使全部扫描线为选择状态并且使全部数据线为接地电位，而将初始电平设定为接地电位。并且，由于晶体管T4为导通状态，所以晶体管T1的源极端子与有机EL元件0LED的阳极端子彼此电连接。因此，晶体管T1对有机EL元件0LED供给与初始电平相应的驱动电流，有机EL元件0LED以与该驱动电流相应的亮度发光。
[0110]当到达时刻tl时，第i行发射线EMi变化为低电平，所以晶体管T4关断。因此，晶体管T1的源极端子与有机EL元件0LED的阳极端子被彼此电分离。由此，晶体管T1停止对有机EL元件0LED供给驱动电流，有机EL元件0LED成为非发光状态。因而，能够抑制在将数据电压供给到栅极节点VG时可能发生的有机EL元件0LED的异常发光。另外，在到达时刻t3之前，第i行发射线EMi维持低电平。并且，当到达时刻tl时，第i 一 1行扫描线Si — 1变化为高电平，所以晶体管T3导通。因此，第i 一 1行的数据电压Vdatai — 1经由数据线Dj和晶体管T3被供给到栅极节点VG。之后，在到达时刻t2前的期间，栅极节点VG的电位按照第i 一 1行的数据电压Vdatai — 1而变化。此时，电容器C1被充电至栅极节点VG的电位与晶体管T1的源极电位的差，即栅极一源极间电压Vgs。这样，本实施方式在第i 一 1行的选择期间中，在第i行像素电路11进行预充电。通过进行这样的预充电，栅极节点VG的电位接近在第i行的选择期间应当到达的目标电平(Vdatai)。
[0111]当到达时刻t2时，第i 一 1行扫描线Si — 1变化为低电平，所以晶体管T3关断。并且，由于第i行扫描线Si变化为高电平，所以晶体管T2导通。因此，第i行的数据电压Vdatai经由数据线Dj和晶体管T2被供给到栅极节点VG。之后，在到达t3前的期间，栅极节点VG的电位按照第i行的数据电压Vdatai而变化。此时，电容器C1被充电至栅极节点VG的电位与晶体管T1的源极电位的差，即栅极一源极间电压Vgs。更详细而言，由于上述的预充电，栅极节点VG的电位预先成为接近第i行的数据电压Vdatai的电平，所以在第i行的选择期间，栅极节点VG的电位可靠地成为Vdatai。由此，在第i行的选择期间中，电容器C1被充电至由下式⑴给出的栅极一源极间电压Vgs。
[0112]Vgs = VG - VS
[0113]= Vdatai — VS...(1)
[0114]此处，VS表示晶体管Tl的源极电位，为便于说明令其为常数。
[0115]当到达时刻t3时，第i行扫描线Si变化为低电平，所以晶体管T2关断。因此，电容器C1所保持的栅极一源极间电压Vgs确定为上述式(1)表示的值。并且，当到达時刻t3时，第i行发射线EMi变化为高电平，所以晶体管T1的源极端子与有机EL元件0LED的阳极端子彼此电连接。由此，晶体管T1依照电容器C1所保持的栅极一源极间电压Vgs对有机EL元件0LED供给驱动电流1led。更详细而言，晶体管T1对有机EL元件0LED供给由下式(2)给出的驱动电流1led。
[0116]1led = ( β/2) * (Vgs — Vth)2
[0117]= ( β/2) * (Vdatai — VS — Vth)2...(2)
[0118]此处，β表示晶体管Tl的增益，与晶体管T1的迁移率等成比例。如式⑵所示，由于驱动电流1led为与第i行的数据电压Vdatai相应的值，所以有机EL元件0LED以与第i行的数据电压Vdatai相应的亮度发光。另外，在时刻t4以后，晶体管T1也对有机EL元件0LED供给由式(2)给出的驱动电流1led。
[0119]接着，参照图3和图6对发射驱动器50的动作进行说明。在时刻tl以前，第i 一1行、第1+1行扫描线Si — l、Si+l为低电平，所以第i行的导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e均为关断状态。因此，第i行发射线EMi为电浮置状态，其电位被维持在高电平。
[0120]当到达时刻tl时，第i 一 1行扫描线S1- 1变化为高电平，所以第i行关断控制晶体管T2e导通。因此，第i行发射线EMi的电位被拉低至低电平(VSS)。
[0121]当到达时刻t2时，第i — 1行扫描线Si — 1变化为低电平，所以第i行关断控制晶体管T2e关断。此时，第i行的导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e均为关断状态。因此，第i行发射线EMi成为电浮置状态，其电位被维持在低电平。
[0122]当到达时刻t3时，第i+Ι行扫描线Si+Ι变化为高电平，所以第i行导通控制晶体管Tie导通。因此，第i行发射线EMi的电位被拉高至高电平(VDD)。
[0123]当到达时刻t4时，第i+Ι行扫描线Si+Ι变化为低电平，所以第i行导通控制晶体管Tie关断。此时，第i行的导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e均为关断状态。因此，第i行发射线EMi成为电浮置状态，其电位被维持在高电平。如上所述，使用导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e实现发射线的电浮置状态，通过利用这样的电浮置状态来维持高电平或低电平，实现了本实施方式中的发射驱动器50的动作。
[0124]<1.5布局>
[0125]图7是表示上述专利文献1所公开的有机EL显示装置中的第i行的第一 NAND门NANDli的布局的图。图7所示的点划线表示第i行的第一 NAND门NANDli的大致的布局范围。为便于说明，设图7所示的各种配线的宽度相等。以下在关于布局的说明中，为便于说明而略去了绝缘层等的说明，并且设各晶体管为顶栅型晶体管。不过，各晶体管也可以是底栅型晶体管。
[0126]如图7所示，在与p型沟道层(指的是由p型半导体形成的沟道层)PL相对的位置(更具体而言，在P型沟道层PL上)，设置有第i行发射线EM1、供给移位寄存器310的第i级的输出SRi的配线(以下称“第i行输出线”，与第i级的输出由相同标记SRi表示)、供给移位寄存器310的第i+Ι级的输出SRi+Ι的配线(以下称“第i+Ι行输出线”，与第i+1级的输出由相同标记SRi+Ι表示)以及高电平逻辑电源线VDD。p型沟道层PL在其一端(图7中为左端)附近经由接触孔CT与第i行发射线EMi连接，在其中央附近经由接触孔CT与高电平逻辑电源线VDD连接，在其另一端(图7中为右端)附近经由接触孔CT与第i行发射线EMi连接。在p型沟道层PL上，第i行输出线SRi位于经由接触孔CT连接在P型沟道层PL的左端附近的第i行发射线EM与高电平逻辑电源线VDD之间，第i+Ι行输出线SRi+Ι位于高电平逻辑电源线VDD与经由接触孔CT连接在p型沟道层PL的右端附近的第i行发射线EMi之间。p型沟道层PL与该p型沟道层PL上的第i行发射线EM1、高电平逻辑电源线VDD和第i行输出线SRi形成图16所示的p沟道型晶体管TP1。p型沟道层PL与该p型沟道层PL上的高电平逻辑电源线VDD、第i+Ι行输出线SRi+Ι和第i行发射线EMi形成图16所示的p沟道型晶体管TP2。
[0127]在与η型沟道层(指的是由η型半导体形成的沟道层)NL相对的位置(更具体而言，在η型沟道层上)，设置有第i行发射线EM1、第i行输出线SR1、第i+Ι行输出线SRi+1以及低电平逻辑电源线VSS。η型沟道层NL在其一端(图7为左端)附近经由接触孔CT与第i行发射线EMi连接，在其另一端(图7中为右端)附近经由接触孔CT与低电平逻辑电源线VSS连接。在η型沟道层NL上，第i行输出线SRi相对于第i行发射线EMi位于η型沟道层NL的中央一侧，第i+Ι行输出线SRi+Ι相对于低电平逻辑电源线VSS位于η型沟道层NL的中央一侧。η型沟道层NL与该η型沟道层NL上的第i行发射线EMi和第i行输出线SRi形成图16所示的η沟道型晶体管TNI。η型沟道层NL与该η型沟道层NL上的第i+Ι行输出线SRi+Ι和低电平逻辑电源线VSS形成图16所示的η沟道型晶体管ΤΝ2。
[0128]图8是表示第i行的导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e的布局的图。图8中所示的点划线表示第i行的导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e的大致的布局范围。为便于说明，设图8所示的各种配线的宽度与图7所示的各种配线的宽度相等。
[0129]如图8所示，在与η型沟道层NL相对的位置(更详细而言，在η型沟道层NL上)，设置有第i+Ι行扫描线Si+Ι、经由接触孔CT与第i+Ι行扫描线Si+Ι连接的栅极连接用配线SG、第i行发射线EM1、第i 一 1行扫描线S1- 1和低电平逻辑电源线VSS。η型沟道层NL在其一端(图8中为上端)附近经由接触孔CT与第i+Ι行扫描线Si+Ι连接，在其中央附近经由接触孔CT与第i行发射线EMi连接，在其另一端(图8中为下端)经由接触孔CT与第i 一 1行扫描线Si — 1连接。在η型沟道层NL上，栅极连接用配线SG位于第i+Ι行扫描线Si+Ι与第i行发射线EMi之间，第i 一 1行扫描线Si — 1位于第i行发射线EMi与低电平逻辑电源线VSS之间。η型沟道层NL与该η型沟道层NL上的第i+Ι行扫描线Si+Ι、栅极连接用配线SG和第i行发射线EMi形成第i行导通控制晶体管Tie。η型沟道层NL与该η型沟道层NL上的第i行发射线EM1、第i 一 1行扫描线Si — 1和低电平逻辑电源线VSS形成第i行关断控制晶体管T2e。
[0130]如图7和图8所示，第i行的导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e的布局范围为由4个晶体管构成的第i行的第一 NAND门NANDli的布局范围的大致一半。即，本实施方式中，发射驱动器50内针对每根发射线的电路规模为专利文献1所公开的有机EL显示装置中的电路规模的大致一半。
[0131]< 1.6 耗电量>
[0132]由CMOS电路实现的NAND门中，通常在2个输入各自由高电平转变为低电平或由低电平转变为高电平时会流通贯通电流(Flow — through current)Ip。具体而言，图16所示的第i行的第一 NAND门NANDli中，当移位寄存器310的第i级、第i+Ι级的输出SR1、SRi+Ι各自由高电平转变为低电平或由低电平转变为高电平时，p沟道型晶体管TP1、TP2(以下在不区别这二者时称“ρ沟道型晶体管TP”)以及η沟道型晶体管TN1、TN2(以下在不区别这二者时称“η沟道型晶体管TN”)会暂时同时成为导通状态。因此，从高电平逻辑电源线VDD向着低电平逻辑电源线VSS经由ρ沟道型晶体管ΤΡ和η沟道型晶体管ΤΝ流通贯通电流Ip。另外，贯通电流Ip由下式(3)给出。
[0133]Ιρ = ( β n/2) * [ (VDD+Vtp — Vtn) / [l+sqrt ( β η/β ρ) ] ]2...(3)
[0134]此处，β η、β ρ分别为η沟道型晶体管ΤΝ和ρ沟道型晶体管TP的增益，各自由η沟道型晶体管ΤΝ和ρ沟道型晶体管ΤΡ的特性(迁移率等)所决定。另外，Vtn、Vtp分别为η沟道型晶体管ΤΝ和ρ沟道型晶体管ΤΡ的增益，分别为正和负。并且，此处设VSS = 0。由于式⑶所给出的贯通电流Ip为比较大的值，所以上述专利文献1所公开的有机ELM示装置中的发射驱动器的耗电量较大。
[0135]另一方面，本实施方式的发射驱动器50中，不进行CMOS电路那样的并协性动作，第i行关断控制晶体管T2e在第i 一 1行扫描线S1- 1的选择期间成为导通，第i行导通控制晶体管Tie在第i+Ι行扫描线Si+Ι的选择期间成为导通状态。即，关断控制晶体管T2e和导通控制晶体管Tie不会同时成为导通状态。因此不会产生上述贯通电流Ip那样的电流。
[0136]<1.7効果>
[0137]根据本实施方式，利用发射驱动器50内的导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e来控制对应的发射线的电位，由此驱动η根发射线ΕΜ1?ΕΜη。更详细而言，使用导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e实现发射线的电浮置状态，通过利用这样的电浮置状态来维持高电平或低电平，由此驱动η根发射线ΕΜ1?ΕΜη。发射驱动器50中针对各发射线设置了导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e这共计2个晶体管，所以与上述专利文献1所公开的有机EL显示装置相比能够削减发射驱动器50的电路规模。
[0138]另外，根据本实施方式，第i行关断控制晶体管T2e在第i 一 1行扫描线Si — 1的选择期间成为导通，第i行导通控制晶体管Tie在第i+Ι行扫描线Si+Ι的选择期间成为导通状态。即，关断控制晶体管T2e和导通控制晶体管Tie不会同时成为导通状态。因此，不会产生上述贯通电流Ip那样的电流，发射驱动器50的耗电量与上述专利文献1所公开的有机EL显示装置相比得到降低。
[0139]另外，根据本实施方式，晶体管T2?T4是导电类型彼此相同的晶体管，在使发射线的电位变化为高电平时，通过被二极管连接的导通控制晶体管Tie来利用扫描线的电位。因此，在发射驱动器50中能够削减用于使发射线的电位变化为高电平的电源线(高电平逻辑电源线VDD)。
[0140]另外，根据本实施方式，在经由晶体管T2从数据线Dj对电容器C1供给第i行的数据电压Vdatai之前，经由晶体管T3从数据线Dj对电容器C1供给了第i 一 1行的数据电压Vdata1- 1，即，在前一个扫描线S1- 1的选择期间中进行了预充电。因此，即使在晶体管T2的迁移率较低的情况下，或者无法充分确保各扫描线的选择期间的情况下，电容器C1也够充电至期望的栅极一源极间电压Vgs。因而能够维持显示质量。本实施方式适用于晶体管T2为氧化物TFT(由氧化物半导体形成沟道层的TFT)、微晶硅TFT(由微晶硅形成沟道层的TFT)或非晶硅TFT(由非晶硅形成沟道层的TFT)等迁移率较低的TFT的情况。不过，即使晶体管T2为CGS (Continuous Grain silicon:连续晶粒娃)一 TFT等迁移率较高的TFT，在各扫描线的选择期间较短的情况下，通过进行预充电也能够可靠地维持显示质量。另外，作为氧化物TFT，例如能够列举由以铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(0)为主成分的氧化物半导体InGaZn0x(以下称“IGZ0”)形成沟道层的IGZ0 — TFT。
[0141]另外，根据本实施方式，在第i行扫描线Si的前一个扫描线即第i一 1行扫描线Si — 1的选择期间进行预充电。正式充电期间的前1H期间成为预充电期间。通常的图像中，相邻像素彼此类似，所以列方向上相邻的2个像素电路11的数据电压彼此类似。因此，通过在第i 一 1行扫描线S1- 1的选择期间进行预充电，充入电容器Cl的栅极一源极间电压Vgs更加接近期望的值。因而能够更可靠地维持显示质量。
[0142]< 2.第二实施方式>
[0143]< 2.1整体结构>
[0144]图9是表示本发明第二实施方式的有机EL显示装置1的结构的框图。对于本实施方式的构成要素中与上述第一实施方式相同的部分标注相同的参考标记并适当省略其说明。与上述第一实施方式不同的是，本实施方式的发射驱动器50与扫描驱动器40 —起被配置在显示部10的左侧。另外，扫描驱动器40和发射驱动器50也可以一起配置在显示部10的右侧。
[0145]< 2.2发射驱动器>
[0146]图10是用于说明图9所示的发射驱动器50的结构的电路图。图10中为了图示的方便，表示了第i 一 2行?第i行的结构。如上所述，扫描驱动器40和发射驱动器50 —起被配置在显示部10的左侧。更详细而言，在显示部10的左侧，发射驱动器50被配置在扫描驱动器40与显不部10之间。另外，本实施方式的发射驱动器50的结构与上述第一实施方式中的结构相同，故省略其说明。并且，与上述第一实施方式同样地，在各行发射线的扫描驱动器40 —侧的端部设置有终端晶体管T3e作为用于使该发射线终结的终端部。同样，也可以代替终端晶体管T3e设置终端电容器C3e，或不设置如终端晶体管T3e或终端电容器C3e这样的终端部。
[0147]<2.3 効果 >
[0148]根据本实施方式，扫描驱动器40和发射驱动器50相对于显示部10被配置于彼此相同的一侧(右侧)。因此，发射驱动器50中利用的扫描线的信号波形失真较小。由此，发射驱动器50能够准确地驱动η根发射线ΕΜ1?ΕΜη。
[0149]< 3.第三实施方式>
[0150]<3.1整体结构>
[0151]图11是表示本发明第三实施方式的有机EL显示装置1的结构的框图。对于本实施方式的构成要素中与上述第一实施方式相同的部分标注相同的参考标记(像素电路11内的构成要素除外)并适当省略其说明。本实施方式的有机EL显示装置1是使用RGB3原色进行彩色显示的有机EL显示装置。更详细而言，本实施方式的有机EL显示装置1是在上述第一实施方式的有机EL显示装置1上追加了解复用部60，采用了经解复用部60从源极驱动器30对数据线供给数据电压的SSD (Source Shared Driving:源极共享驱动)方式的有机EL显示装置。本实施方式中，源极驱动器30和解复用部60构成分时数据电压供给部70。
[0152]本实施方式的显示部10中设置有kXl根数据线。此处kXl =m。并且，1例如对应于原色数，本实施方式中1 = 3。各数据线被供给表示R的数据电压(以下称“R数据电压”)、表示G的数据电压(以下称“G数据电压”)和表示B的数据电压(以下称“B数据电压”)之任一。以下将供给R数据电压的数据线称作“R数据线”由标记Drj表示。将供给G数据电压的数据线称作“G数据线”由标记Dgj表示。并将供给B数据电压的数据线称作“B数据线”由标记Db j表示。更详细而言，显示部10中设置有k根R数据线Drl?Drk，k根G数据线Dgl?Dgk，和k根B数据线Dbl?Dbk。另外，在显示部10中还设置有kXIXn个像素电路11。本实施方式中，将形成R子像素的像素电路11称作“R像素电路”，由标记“llr”表示。将形成G子像素的像素电路11称作“G像素电路”，由标记“llg”表示。并将形成B子像素的像素电路11称作“B像素电路”，由标记“lib”表示。如图11所示，本实施方式中R像素电路llr、G像素电路llg和B像素电路lib从扫描驱动器40 —侧起依次排列。其中，R像素电路llr、G像素电路llg和B像素电路lib的排列顺序并不限定于此，并且，还可以使用形成其它子像素的像素电路11。另外，在显示部10还设置有(未图示的)为了执行后述的初始化动作而供给初始化电压Vini的初始化线(与初始化电压同样由标记Vini表示)。
[0153]显示控制电路20对解复用部60发送R用数据控制信号(以下称“R数据控制信号”，由标记SSDr表示)、G用数据控制信号(以下称“G数据控制信号”，由标记SSDg表示)和B用数据控制信号(以下称“B数据控制信号”，由标记SSDb表示)，从而控制解复用部60。
[0154]源极驱动器30包括未图示的k个输出端子，对与这些输出端子连接的k根输出线01?Ok供给数据电压。各输出线被依次供给R数据电压、G数据电压和B数据电压。解复用部60包括k个解复用器61。k个解复用器61的未图示的输入端子分别与k根输出线01?Ok连接。第j解复用器61的未图示的1 (1 = 3)个输出端子分别与R数据线Dr j、G数据线Dgj和B数据线Dbj连接。解复用器61将依次供给来的R数据电压、G数据电压和B数据电压分时供给到R数据线Drj、G数据线Dgj和B数据线Dbj。解复用器61的动作通过R数据控制信号SSDr、G数据控制信号SSDg和B数据控制信号SSDb控制。这样，本实施方式中，利用由源极驱动器30和解复用部60构成的分时数据电压供给部70，对R数据线、G数据线和B数据线分时供给R数据电压、G数据电压和B数据电压。在采用SSD方式的情况下，与不采用SSD方式的情况相比，与源极驱动器30连接的输出线的数量能够例如减小至 1/3。
[0155]如图11所示，本实施方式中扫描驱动器40和发射驱动器50分别配置在显示部10的左侧，但本发明并不限定于此。例如，扫描驱动器40和发射驱动器50也可以分别配置在显示部10的右侧和左侧，也可以将扫描驱动器40和发射驱动器50两者一起配置到显示部10的左侧或右侧。
[0156]< 3.2像素电路与各种配线的连接关系>
[0157]图12是表示本实施方式中第i行的R像素电路llr、G像素电路llg和B像素电路lib与各种配线的连接关系的电路图。其中，图12所示的像素电路的结构例如是专利文献2公开的结构。首先针对解复用器61的结构进行说明。如图12所示，解复用器61包括R用选择晶体管(以下称“R选择晶体管”，由标记Tr表示)、G用选择晶体管(以下称“G选择晶体管”，由标记Tg表示)和B用选择晶体管(以下称“B选择晶体管”，由标记Tb表示)。R选择晶体管Tr设置在输出线0j与R数据线Dr j之间，其栅极端子被供给R数据控制信号SSDr。G选择晶体管Tg设置在输出线0j与G数据线Dgj之间，其栅极端子被供给G数据控制信号SSDg。B选择晶体管Tb设置在输出线0j与B数据线Dbj之间，其栅极端子被供给B数据控制信号SSDb。
[0158]接着对像素电路的结构进行说明。如图12所示，R像素电路llr、G像素电路llg和B像素电路lib在行方向上依次排列配置。并且，R像素电路llr、G像素电路llg和B像素电路1 lb的结构基本相同，所以下文以R像素电路1 lr的结构为例进行说明，省略关于G像素电路1 lg和B像素电路1 lb的结构的说明。
[0159]R像素电路llr包括1个有机EL元件0LED、6个晶体管T1?T6和2个电容器C1、C2。晶体管T1是驱动晶体管，晶体管T2是第一输入晶体管，晶体管T3是补偿晶体管，晶体管T4是初始化晶体管，晶体管T5是第一发光控制晶体管，晶体管T6是第二发光控制晶体管。晶体管T1?T6均为ρ沟道型TFT。电容器Cl相当于驱动电容元件，电容器C2相当于升压电容兀件。
[0160]晶体管T1与有机EL元件0LED串联设置，第一导通端子经由晶体管T5与高电平像素电源线ELVDD连接。晶体管T2设置于R数据线Drj与晶体管T1的第二导通端子之间，其栅极端子连接在第i行扫描线Si上。晶体管T3设置于晶体管T1的栅极端子与第一导通端子之间，其栅极端子连接在第i行扫描线Si上。晶体管T4设置于晶体管T1的栅极端子与初始化线Vini之间，其栅极端子连接在第i 一 1行扫描线Si — 1上。晶体管T5设置于晶体管T1的第一导通端子与高电平像素电源线ELVDD之间，其栅极端子连接在第i行发射线EMi上。晶体管T6设置于晶体管T2的第二导通端子与有机EL元件0LED的阳极端子之间，其栅极端子连接在第i行发射线EMi上。电容器C1设置于晶体管T1的栅极端子与高电平像素电源线ELVDD之间。电容器C2设置于晶体管T1的栅极端子与R数据线Drj之间。有机EL元件OLED的阴极端子连接在低电平像素电源线ELVSS上。为方便起见，本实施方式中将晶体管T1的栅极端子、晶体管T3的位于晶体管T1的栅极端子一侧的导通端子、电容器C1、C2各自的位于晶体管T1的栅极端子一侧的一端、以及晶体管T4的位于晶体管T1的栅极端子一侧的导通端子的连接点称为“栅极节点VG”。
[0161]< 3.3发射驱动器>
[0162]图13是用于说明图11所示的发射驱动器50的结构的电路图。图13中为了图示的方便，表示了第i 一 2行?第i行的结构。本实施方式的发射驱动器50将上述第一实施方式的发射驱动器50内的导通控制晶体管Tie、关断控制晶体管T2e和终端晶体管T3e的导电类型改变为P沟道型。不过，终端晶体管T3e也可以是η沟道型晶体管。另外，也可以代替终端晶体管T3e设置上述的终端电容器C3e。或者，也可以不设置终端晶体管T3e或终端电容器C3e这样的终端部。
[0163]本实施方式与上述第一实施方式不同，导通电平和关断电平分别为低电平(VSS)和高电平(VDD)，在关断控制晶体管T2e的作为第二导通端子的源极端子上，代替低电平逻辑电源线VSS连接高电平逻辑电源线VDD。高电平逻辑电源线VDD的电位相当于上述的高电平。本实施方式的其它的连接与上述第一实施方式相同，故省略其说明。
[0164]<3.4 动作>
[0165]图14是用于说明图12所示的各像素电路11 (以下仅称“各像素电路11”)和图13所示的发射驱动器50的动作的时序图。首先参照图12和图13对各像素电路11的动作进行说明。图14中，时刻tl?t2是第i 一 1行的选择期间，时刻t2?t5是第i行的选择期间，时刻t5?t6是第i+Ι行的选择期间。第i行发射线EMi在第i 一 1行、第i行扫描线S1- 1、Si的选择期间为高电平，成为高电平的期间与第i 一 1行发射线EMi — 1重复1H期间。
[0166]在时刻tl以前，第i 一 1行?第i+Ι行扫描线Si — 1?Si+Ι为高电平，第i行发射线EMi为低电平。此时，各像素电路11中晶体管T2?T4为关断状态，晶体管T5、T6为导通状态。因此，晶体管T1对有机EL元件0LED供给与电容器C1所保持的栅极一源极间电压Vgs相应的驱动电流1led，有机EL元件0LED以与该驱动电流1led相应的亮度发光。
[0167]当到达时刻tl时，第i行发射线EMi变化为高电平，所以各像素电路11中晶体管T5、T6关断。因此，晶体管T1的第一导通端子与高电平像素电源线ELVDD彼此电分离，晶体管T1的第二导通端子与有机EL元件0LED的阳极端子彼此电分离。由此，晶体管T1停止对有机EL元件0LED供给驱动电流1led，有机EL元件0LED成为非发光状态。因而，能够抑制在将数据电压供给到栅极节点VG时可能发生的有机EL元件0LED的异常发光。另夕卜，第i行发射线EMi在到达时刻t5之前维持高电平，而到达时刻tl时第i 一 1行扫描线S1- 1变化为低电平，所以各像素电路11中晶体管T4导通。由此，栅极节点VG的电位被初始化为Vini。初始化电压Vini是在对各像素电路11写入第i行的数据电压Vdatai时能够将晶体管T1维持在导通状态的程度的电压，更详细而言满足以下式(4)。
[0168]Vini — Vdatai< — Vth...(4)
[0169]通过进行这样的初始化动作，能够可靠地对各像素电路11写入数据电压。
[0170]当到达时刻t2时，第i 一 1行扫描线Si — 1变化为高电平，所以晶体管T4关断。因此初始化动作结束。并且，当到达时刻t2时，第i行扫描线Si变化为低电平，所以晶体管T2、T3导通。而且，R数据控制信号SSDr变化为低电平，所以R选择晶体管Tr导通。由此，R数据线Drj被充电至第i行的R数据电压，第i行的R数据电压Vdatai经由晶体管T2、T1、T3被供给至晶体管Τ1的栅极端子。此时，晶体管Τ1的第一导通端子和第二导通端子分别作为漏极端子和源极端子发挥作用。并且，此时晶体管Τ1的第一导通端子与栅极端子彼此电连接，晶体管Τ1成为二极管接法。在时刻t2?t5的期间，栅极节点VG的电位向着由下式(5)给出的值变化。
[0171]VG = Vdatai — Vth...(5)
[0172]另外，严格来说，R数据线Drj所保持的电荷会被重新分配到R数据线Drj和电容器Cl、C2上，所以供给到栅极节点VG的电压可能会低于Vdatai。不过，在后述时刻t5时由于栅极节点VG的电位经由电容器C2而被升压，所以这样的影响得到了减轻。
[0173]当到达时刻t3时，R数据控制信号SSDr变化为高电平，所以R选择晶体管Tr关断。即使在R选择晶体管Tr关断后，R数据线Drj也能够利用自身的配线电容来保持第i行的R数据电压。不过，在配线电容不足够的情况下，也可以在R数据线Drj上附加连接电容器。在时刻t3?t4和时刻t4?t5的期间中，G像素电路1 lg和B像素电路1 lb分别进行与R像素电路llr在时刻t2?t3的动作相同的动作。另外，对于G数据线Dgj和B数据线Dbj也可以与R数据线Dr j同样地附加连接电容器。
[0174]当到达时刻t5时，第i行扫描线Si变化为高电平，所以各像素电路11中晶体管T2、T3关断。并且，第i行发射线EMi变化为低电平，所以晶体管Τ5、Τ6导通。因此，晶体管Τ1的第一导通端子与高电平像素电源线ELVDD彼此电连接，晶体管Τ1的第二导通端子与有机EL元件0LED的阳极端子彼此电连接。所以，晶体管Τ1对有机EL元件0LED供给由下式(6)给出的驱动电流1led。
[0175]1led = ( β/2) * (Vgs — Vth)2
[0176]= ( β /2) * (ELVDD — VG — Vth)2
[0177]= ( β /2) * (ELVDD — Vdatai)2…(6)
[0178]式(6)中不再存在阈值电压Vth的项。这样，本实施方式中晶体管Tl的阈值电压Vth的偏差就得到了补偿。另外，在时刻t5时，由于第i行扫描线Si变化为高电平，所以如上所述，栅极节点VG的电位经电容器C2被升压。因此，因电荷的重新分配而导致的实际供给到栅极节点VG的电压之降低得到抑制。在时刻t6之后，晶体管T1也对有机EL元件0LED供给由式(6)给出的驱动电流1led。
[0179]接着，参照图13和图14对发射驱动器50的动作进行说明。在时刻tl以前，第1- 1行、第i+Ι行扫描线S1- l、Si+l为高电平，所以第i行的导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e均为关断状态。因此，第i行发射线EMi为电浮置状态，其电位被维持在低电平。
[0180]当到达时刻tl时，第i 一 1行扫描线S1- 1变化为低电平，所以第i行关断控制晶体管T2e导通。因此，第i行发射线EMi的电位被拉高至高电平(VDD)。
[0181]当到达时刻t2时，第i 一 1行扫描线S1- 1变化为高电平，所以此时第i行的导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e均为关断状态。因此，第i行发射线EMi成为电浮置状态，其电位被维持在高电平。
[0182]当到达时刻t5时，第i+Ι行扫描线Si+Ι变化为低电平，所以第i行导通控制晶体管Tie导通。因此，第i行发射线EMi的电位被拉低至低电平(VSS)。
[0183]当到达时刻t6时，第i+Ι行扫描线Si+Ι变化为高电平，所以第i行导通控制晶体管Tie关断。此时，第i行的导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e均为关断状态。因此，第i行发射线EMi成为电浮置状态，其电位被维持在低电平。其它行的发射线也进行与这样的时刻tl?t6的动作同样的动作，由此实现本实施方式的发射驱动器50的动作。
[0184]<3.5 効果 >
[0185]根据本实施方式，由于采用了 SSD方式，所以能够削减用于输出数据电压的电路规模。
[0186]并且，根据本实施方式，通过使晶体管T3成为导通状态来使晶体管T1成为二极管连接，所以栅极节点VG的电位被设定为与晶体管T1的阈值电压Vth相应的值。因此，能够补偿晶体管T1的阈值电压Vth的偏差。
[0187]<4.其它 >
[0188]本发明并不限定于上述实施方式，能够在不脱离本发明主旨的范围内实施各种变形。例如，上述各实施方式中，第i行导通控制晶体管Tie的栅极端子与漏极端子的连接对象并不必须是第i+Ι行扫描线Si+Ι，它们的连接对象可以是第i行扫描线Si之后的扫描线中的任一个。此处，“之后的扫描线”意味着按被选择的顺序而言位于其后方的扫描线。另夕卜，上述各实施方式中，第i行关断控制晶体管T2e的栅极端子并不必须是第i 一 1行扫描线Si — 1，该连接对象也可以是第i行扫描线Si之前的扫描线中的任一个或第i行扫描线Si。此处，“之前的扫描线”意味着按被选择的顺序而言位于其前方的扫描线。并且，上述各实施方式中，也可以代替导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e使用其它的开关元件。另外，第i行导通控制晶体管Tie也并不必须采用二极管接法。例如，可以将第i行导通控制晶体管Tie的栅极端子连接到其它的控制用配线而不是连接到第i+Ι行扫描线Si+Ι，或者，将第i行导通控制晶体管Tie的漏极端子连接到供给导通电平的电压的配线而不是连接到第i+Ι行扫描线Si+1。
[0189]此外，上述第一实施方式中，晶体管T3的栅极端子的连接对象是前一个扫描线，但该连接对象也可以是前方的扫描线。并且，上述第一实施方式中，代替晶体管T4可以使用设置在晶体管T1的漏极端子与高电平像素电源线ELVDD之间、栅极端子与第i行发射线EMi连接的晶体管，或者将该晶体管与晶体管T4共同使用。另外，上述第一实施方式中使用了晶体管T3，但该晶体管T3对于本发明而言并不是必需的。另外，上述第一实施方式中，也可以设置2个以上的晶体管T3，使它们的栅极端子的连接对象的扫描线彼此不同。
[0190]另外，上述第一实施方式中，晶体管T2、T3与晶体管T4为彼此相同的导电类型，但本发明并不限定于此。例如，可以使晶体管T2、T3与晶体管T4为彼此不同的导电类型。该情况下，使导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e为彼此不同的导电类型，或根据晶体管T2?T4的导电类型相应地改变导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e的连接即可。同样地，上述第三实施方式中，晶体管T1、T2与晶体管T5、T6为彼此相同的导电类型，但本发明并不限定于此。例如，可以使晶体管Τ1、Τ2与晶体管Τ5、Τ6为彼此不同的导电类型。该情况下，使导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e为彼此不同的导电类型，或根据晶体管T2?T4的导电类型相应地改变导通控制晶体管Tie和关断控制晶体管T2e的连接即可。
[0191]工业可利用性
[0192]本发明能够适用于具备包含有机EL(Electro Luminescence)元件等电光学元件的像素电路的显示装置及其驱动方法。
[0193]附图标记说明
[0194]1…有机EL显示装置
[0195]10…显示部
[0196]11…像素电路
[0197]20…显示控制电路
[0198]30…源极驱动器(数据驱动部)
[0199]40…扫描驱动器(扫描驱动部)
[0200]50…发射驱动器(发光控制驱动部)
[0201]60…解复用部
[0202]70…分时数据电压供给部
[0203]D1?Dm…数据线
[0204]S1?Sn…扫描线
[0205]EM1?ΕΜη…发射线(发光控制线)
[0206]Τ1?Τ6…晶体管
[0207]Tie…导通控制晶体管(导通控制开关元件)
[0208]T2e…关断控制晶体管(关断控制开关元件)
[0209]T3e…终端晶体管(终端部)
[0210]C3e…终端电容器(终端部)
[0211]C1、C2…电容器
[0212]0LED...有机EL元件(电光学元件)
[0213]Vdata…数据电压
[0214]VG…栅极节点
【权利要求】
1.一种显示装置，其为有源矩阵型显示装置，其特征在于，包括: 显示部，其包括多个数据线、多个扫描线、分别沿着所述多个扫描线配置的多个发光控制线和与所述多个数据线、所述多个扫描线和所述多个发光控制线对应配置的多个像素电路； 依次选择所述多个扫描线的扫描驱动部；和 驱动所述多个发光控制线的发光控制驱动部， 所述像素电路包括: 由电流驱动的电光学元件； 第一输入晶体管，该第一输入晶体管的控制端子与对应的扫描线连接，在该扫描线被选择时成为导通状态； 驱动晶体管，其与所述电光学元件串联设置，根据经由对应的数据线和所述第一输入晶体管供给的数据电压，对要供给到所述电光学元件的驱动电流进行控制；和 发光控制晶体管，该发光控制晶体管的控制端子与对应的发光控制线连接，所述发光控制晶体管与所述电光学元件串联设置， 所述发光控制驱动部包括: 关断控制开关元件，其与各发光控制线对应设置，用于根据沿着该发光控制线配置的扫描线之前的任一扫描线的状态或沿着该发光控制线配置的扫描线的状态，使该发光控制线的电位变化为使得所述发光控制晶体管成为关断状态的关断电平；和 导通控制开关元件，其与各发光控制线对应设置，用于根据沿着该发光控制线配置的扫描线之后的任一扫描线的状态，使该发光控制线的电位变化为使得所述发光控制晶体管成为导通状态的导通电平。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于: 所述关断控制开关元件，在沿着对应的发光控制线配置的扫描线之前的任一扫描线或沿着对应的发光控制线配置的扫描线变化为选择状态时，使该发光控制线的电位变化为所述关断电平， 所述导通控制开关元件，在沿着对应的发光控制线配置的扫描线之后的任一扫描线变化为选择状态时，使该发光控制线的电位变化为所述导通电平。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于: 所述关断控制开关元件的控制端子与沿着对应的发光控制线配置的扫描线之前的任一扫描线或沿着对应的发光控制线配置的扫描线连接，所述关断控制开关元件的第一导通端子与该发光控制线连接， 所述导通控制开关元件的控制端子与沿着对应的发光控制线配置的扫描线之后的任一扫描线连接，所述导通控制开关元件的第一导通端子与该发光控制线连接。
4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于: 所述第一输入晶体管和所述发光控制晶体管彼此为相同的导电类型， 所述关断控制开关元件的第二导通端子被供给所述关断电平的电压， 所述导通控制开关元件的第二导通端子与所述控制端子的连接对象的扫描线连接。
5.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于: 所述关断控制开关元件的所述控制端子与沿着对应的发光控制线配置的扫描线的前一个扫描线连接。
6.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于: 所述导通控制开关元件的所述控制端子与沿着对应的发光控制线配置的扫描线的后一个扫描线连接。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于: 还包括用于使各发光控制线终结的终端部。
8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于: 所述像素电路还包括: 保持用于控制所述驱动晶体管的电压的驱动电容元件；和 第二输入晶体管，该第二输入晶体管的控制端子与所述对应的扫描线之前的扫描线连接， 所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管并联设置在所述对应的数据线与所述驱动电容元件之间。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于: 所述第一输入晶体管是沟道层由氧化物半导体、微晶硅或非晶硅形成的薄膜晶体管。
10.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于: 所述扫描驱动部和所述发光控制驱动部各自配置在所述显示部的一端侧。
11.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于: 所述数据电压表示多个原色中的任一原色， 所述像素电路形成所述多个原色中的任一原色的子像素， 所述显示装置还包括将表示所述多个原色中的任一原色的数据电压分时供给到所述多个数据线的分时数据电压供给部， 所述扫描驱动部在要对形成各原色的子像素的像素电路供给表示该原色的数据电压时，使与该像素电路对应的扫描线为选择状态。
12.—种驱动方法，其为有源矩阵型显示装置的驱动方法，其特征在于: 所述显示装置包括显示部，该显示部包括多个数据线、多个扫描线、分别沿着所述多个扫描线配置的多个发光控制线和与所述多个数据线、所述多个扫描线和所述多个发光控制线对应配置的多个像素电路，所述像素电路包括:第一输入晶体管，该第一输入晶体管的控制端子与对应的扫描线连接，在该扫描线被选择时成为导通状态；驱动晶体管，其与所述电光学元件串联设置，根据经由对应的数据线和所述第一输入晶体管供给的数据电压，对要供给到所述电光学元件的驱动电流进行控制；和发光控制晶体管，该发光控制晶体管的控制端子与对应的发光控制线连接，所述发光控制晶体管与所述电光学元件串联设置，所述驱动方法包括: 依次选择所述多个扫描线的扫描步骤；和 驱动所述多个发光控制线的发光控制步骤， 所述发光控制步骤包括: 关断控制步骤，通过控制与各发光控制线对应设置的关断控制开关元件，来根据沿着该发光控制线配置的扫描线之前的任一扫描线的状态或沿着该发光控制线配置的扫描线的状态，使该发光控制线的电位变化为使得所述发光控制晶体管成为关断状态的关断电平；和 导通控制步骤，通过控制与各发光控制线对应设置的导通控制开关元件，来根据沿着该发光控制线配置的扫描线之后的任一扫描线的状态，使该发光控制线的电位变化为使得所述发光控制晶体管成为导通状态的导通电平。
【文档编号】G09G3/20GK104380368SQ201380033460
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2013年7月24日 优先权日:2012年7月31日
【发明者】小原将纪, 野口登, 岸宣孝 申请人:夏普株式会社