同的第一短路配线部131、连接另一个电极部129b、130b，在共用配线125不进行电连接。由此，在将形成第二金属膜38前的阶段，静电被引导至静电引导部152的情况下，能够降低该被引导的静电对各二极管129、130产生电的影响的可能性，使得在各二极管129、130更不易产生不良。详细而言，在静电保护电路部126，各二极管129、130的一个电极部129a、130a与第一短路配线部131连接，而且另一个电极部129b、130b与第二短路配线部133连接，进一步，该第二短路配线部133在与X轴方向(第一方向)正交的Y轴方向、和与图19所示的上述上侧相邻的第一短路配线部131连接。第二短路配线部133与俯视时重叠的第二短路配线部侧连接部144相比向图19所示的上述上侧延伸设置，其延伸设置前端部与相邻的第一短路配线部131相连。另一方面，在与第二短路配线部133相连的第二短路配线部侧连接部144，如图20和图21所示，通过在第二短路配线部侧绝缘部145形成的第二短路配线部侧开口部145a连接第二短路配线部133。该第二短路配线部侧连接部144不与共用配线125相连，省略上述实施方式I中所述的共用配线侧连接部46。
[0119]此处，使用图22所示的电路图，对静电保护电路部126所具有的各二极管129、130的连接方式进行说明。如图22所示，第一二极管129的一个第一电极部129a、第一栅极电极部129e和第二二极管130的一个等级二电极部130a通过第一短路配线部131被短路并与栅极配线119连接。另一方面，第一二极管129的另一个第一电极部12%、第二二极管130的另一个第二等级部130b和第二短路配线部133通过第二短路配线部133被短路，并且与在连接有一个第一电极部129a、130a、和第一栅极电极部129e的第一短路配线部131相反侧相邻的第一短路配线部131连接。因此，沿Y轴方向排列的大量第一短路配线部131和栅极配线119通过各二极管129、130相互连接。而且，例如在对规定的栅极配线119施加静电的情况下，各二极管129、130进行动作，从而能够将静电释放至其它所有栅极配线119。
[0120]如上所述，根据本实施方式，包括:第二二极管130，其至少具有2个第二电极部30a、30b、第二保护部30c和第二半导体部30d，并且在令2个第二电极部30a、30b的排列方向为第一方向(X轴方向)时，沿基板GS的板面且在与第一方向正交的第二方向(Y轴方向)与第一二极管129排列配置，其中，该2个第二电极部130a、130b由第二金属膜38构成，该第二保护部130c由保护膜37构成，具有在与2个第二电极部130a、130b重叠的位置分别贯通形成的2个第二二极管侧开口部130cl、130c2，该第二半导体部130d由半导体膜36构成，通过2个第二二极管侧开口部130cl、130c2与2个第二电极部130a、130b分别连接；第一短路配线部131，其由第二金属膜38构成，使2个第一电极部129a、129b中的一个电极部与2个第二电极部130a、130b中的一个电极部短路，且与二极管侧连接部150相连；和第二短路配线部133，其由第二金属膜38构成，使2个第一电极部129a、129b中的另一个电极部与2个第二电极部130a、130b中的另一个电极部短路，第一二极管129、第二二极管130、接触部332、栅极配线119、静电保护部151、第一短路配线部131和第二短路配线部133沿第二方向排列配置有多组，第二短路配线部133与在第二方向构成相邻的组的第一短路配线部131短路。这样，在第一二极管129和第二二极管130，一个第一电极部129a与一个第二电极部130a通过第一短路配线部131被短路，而且另一个第一电极部129b与另一个第二电极部130b通过第二短路配线部133被短路。第一短路配线部131和与栅极配线119连接的二极管侧连接部150相连，而且第二短路配线部133与在第二方向构成相邻的组的第一短路配线部131短路。因此，在栅极配线119被施加静电的情况下，能够将该静电释放至通过第二短路配线部133和构成相邻的组的第一短路配线部131连接的、构成相邻的组的栅极配线119，因此能够抑制伴随静电而产生不良。而且，因为第二短路配线部133为不与共用配线侧连接部146连接，所以与假设第二短路配线部133采用与共用配线侧连接部146连接的结构的情况相比，在将形成第二金属膜38前的阶段静电被引导至静电引导部152时，不易由于被引导的静电而在第一二极管129和第二二极管130产生不良。
[0121]〈实施方式3>
[0122]使用图23至图25对本发明的实施方式3进行说明。在本实施方式3中，说明分别地设置第二短路配线部侧连接部244和共用配线侧连接部246的结构。另外，对与上述实施方式I相同的结构、作用和效果，省略重复的说明。
[0123]在本实施方式中，如图23至图25所示，与第二二极管230所具有的第二栅极电极部230e相连的第二短路配线部侧连接部244通过在第二短路配线部侧绝缘部(第二绝缘部)245贯通形成的第二短路配线部侧开口部245a与第二短路配线部233连接，但是与不直接相连。以从共用配线225中静电保护电路部226侧的侧边突出的方式设置有共用配线侧连接部246，该共用配线侧连接部246以与第二短路配线部233中不与第二短路配线部侧连接部244重叠的部分俯视时重叠的方式配置。设置在共用配线侧连接部246与第二短路配线部233之间的共用配线侧绝缘部(第四绝缘部)247，贯通形成由共用配线侧开口部(第二的第二短路配线部侧开口部)247a，因此第二短路配线部233通过该共用配线侧开口部247a与静电保护电路部226连接。这样，在第二栅极电极部230e，第二短路配线部侧连接部244通过第二短路配线部233与共用配线225间接连接，因此，在将形成第二金属膜38前的阶段、静电被引导至静电引导部252的情况下，能够降低该被引导的静电对各二极管
229、230产生电的影响的可能性，能够使得在各二极管229、230更不易产生不良。
[0124]如以上说明的那样，根据本实施方式，包括:第一短路配线部侧绝缘部243，其由保护膜37和栅极绝缘膜35构成，具有在与第一短路配线部231重叠的位置贯通形成的第一短路配线部侧开口部243a ;栅极电极部229e，其设置在第一二极管229，由第一金属膜34构成，以俯视时与2个第一电极部229a、229b、第一半导体部229d和第一短路配线部231重叠的方式配置，并且通过第一短路配线部侧开口部243a与第一短路配线部231连接；共用配线侧绝缘部(第四绝缘部)247，其由保护膜37和栅极绝缘膜35构成，具有在与第二短路配线部233重叠的位置贯通形成的第二的第二短路配线部侧开口部245a ;和第二栅极电极部230e，其设置在第二二极管230，由第一金属膜34构成，以俯视时与2个第二电极部230a、230b、第二半导体部230d和第二短路配线部233重叠的方式配置，并且通过第二的第二短路配线部侧开口部245a与第二短路配线部233连接。这样，第一栅极电极部229e通过第一短路配线部231与一个第一电极部229a和一个第二电极部230a短路，而且第二栅极电极部230e通过第二短路配线部233和第二短路配线部33与另一个第一电极部229b和另一个第二电极部230b短路。因此，可以说第一二极管229和第二二极管230分别构成晶体管型的二极管，通过使其阈值电压例如虽然比与被输送至栅极配线219的信号相关的电压值高但是比产生静电时被施加的电压值低，能够仅在产生静电的情况下将该静电释放至共用配线225。而且，因为第二栅极电极部230e为通过第二短路配线部233与共用配线侧连接部246间接连接的结构，所以与假设第二栅极电极部采用与共用配线侧连接部246直接相连的结构的情况相比，在将形成第二金属膜38前的阶段、静电被引导至静电引导部252时，不易由于被引导的静电而在第一二极管229和第二二极管230产生不良。
[0125]〈实施方式4>
[0126]根据图26至图29对本发明的实施方式4进行说明。在本实施方式4中，说明以与共用配线325相连的共用配线侧连接部346为静电引导部352的结构。另外，对与上述的实施方式I相同的结构、作用和效果，省略重复的说明。
[0127]如图26和图27所示，在本实施方式中，从共用配线325的侧边向静电保护电路部326突出的共用配线侧连接部346构成静电引导部352。另外，在本实施方式中，省略上述实施方式I中记载的由半导体膜36构成的静电引导部52和由第二金属膜38构成的引导部连接部54。共用配线侧连接部346俯视时与第二短路配线部333重叠，并且通过在设置在与第二短路配线部333之间的共用配线侧连接部346贯通形成的共用配线侧开口部347a与第二短路配线部333连接。因此，共用配线侧连接部346构成引导部保护部353，并且共用配线侧开口部347a构成静电引导开口部353a。共用配线侧开口部347a沿Y轴方向排列设置有三个。而且，在阵列基板311b的制造过程中、将形成第二金属膜38前的阶段，成为由第一金属膜34构成的共用配线侧连接部346 (静电引导部352)如图28和图29所示那样通过共用配线侧连接部346 (引导部保护部353)的共用配线侧开口部347a (静电引导开口部353a)向外部露出的状态。因此即使在静电保护电路部326所具有的各二极管329、330的各半导体部329a、330d和接触部332所具有的栅极配线侧连接部348中的任一方侧产生静电的情况下，也能够将该静电在去向另一方侧的途中通过共用配线侧开口部347a(静电引导开口部353a)引导至共用配线侧连接部346(静电引导部352)。由此，能够使得在静电保护电路部326或接触部332不易产生静电破坏。
[0128]如以上说明的那样，本实施方式的阵列基板311b包括:玻璃基板GS ;在玻璃基板GS上形成的第一金属膜34 ;至少在第一金属膜34上形成的栅极绝缘膜35 ;在栅极绝缘膜35上形成的半导体膜36 ;至少在半导体膜36上形成、保护半导体膜36的保护膜37 ;在保护膜37上形成的第二金属膜38 ;第一二极管329，其至少具有2个第一电极部329a、329b、保护部329c和第一半导体部329d，该2个第一电极部329a、329b由第二金属膜38构成，该保护部329c由保护膜37构成，具有在与2个第一电极部329a、329b重叠的位置分别贯通形成的2个第一二极管侧开口部329cl、329c2，该第一半导体部329d由半导体膜36构成，通过2个第一二极管侧开口部329cl、329c2与2个第一电极部329a、329b分别连接；由第一金属膜34构成的栅极配线319 ;接触部332，其至少具有栅极配线侧连接部348、接触部侧绝缘部349和二极管侧连接部350，该栅极配线侧连接部348由第一金属膜34构成，在栅极配线319的端部形成，该接触部侧绝缘部349由保护膜37和栅极绝缘膜35构成，具有在与栅极配线侧连接部348重叠的位置贯通形成的接触部侧开口部349a，该二极管侧连接部350由第二金属膜38构成，与第一二极管329所具有的2个第一电极部329a、329b中的任一电极部相连，并且通过接触部侧开口部349a与栅极配线侧连接部348连接；和静电保护部351，其至少具有静电引导部352和引导部保护部353，该静电引导部352由第一金属膜34构成，俯视时配置在第一二极管329与接触部332之间，并且用于引导在将形成第二金属膜38前的阶段在第一二极管329和接触部332中的任一方产生的静电，该引导部保护部353由保护膜37和栅极绝缘膜35构成，具有在与静电引导部352俯视时重叠的位置贯通形成的静电引导开口部353a。
[0129]这样，在由第一金属膜34构成的栅极配线319，在接触部332形成于端部的栅极配线侧连接部348通过贯通接触部侧绝缘部349的接触部侧开口部349a与由第二金属膜38构成、与第一二极管329所具有的第一电极部329a、329b中的任一电极部相连的二极管侧连接部350连接，由此，来自第一二极管329侧的信号被供给至栅极配线319侧。此处，在该阵列基板311b的制造过程中，在将形成第二金属膜38前的阶段，在第一二极管329形成有贯通由保护膜37构成的保护部的第一二极管侧开口部329cl、329c2，而且在接触部332形成有贯通由保护膜37和栅极绝缘膜35构成的接触部侧绝缘部349的接触部侧开口部349a，成为由半导体膜36构成的第一半导体部329d通过第一二极管侧开口部329cl、329c2露出、由第一金属膜34构成的栅极配线侧连接部348通过接触部侧开口部349a露出的状态。在该状态，如果在第一二极管329和接触部332中的任一方产生静电，则要担心该静电被施加至另一侧的第一二极管329或栅极配线侧连接部348，在第一二极管329或接触部332产生不良。
[0130]关于这一点，因为包括至少具有静电引导部352和引导部保护部353的静电保护部351，该静电引导部352由第一金属膜34构成，俯视时配置在第一二极管329与接触部332之间，该引导部保护部353由保护膜37和栅极绝缘膜35构成，具有在与静电引导部352俯视时重叠的位置贯通形成的静电引导开口部353a，所以，在该阵列基板311b的制造过程中，在将形成第二金属膜38前的阶段，静电引导部352通过贯通引导部保护部353的静电引导开口部353a露出。因此，即使在将形成第二金属膜38前的阶段、在第一二极管329和接触部332中的任一方产生静电的情况下，也能够将该静电通过在到达另一侧的途中存在的静电引导开口部353a向静电引导部352引导。由此，能够使得在第一二极管329或接触部332不易产生起因于静电的不良。
[0131]而且，静电引导部352由与接触部332的栅极配线侧连接部348相同的第一金属膜34构成，所以在第一二极管329的第一半导体部329d侧产生静电的情况下能够有效地引导该静电，能够更好地防止静电被施加至栅极配线侧连接部348。
[0132]〈实施方式5>
[0133]根据图30对本发明的实施方式5进行说明。在本实施方式5，说明从上述的实施方式I省略引导部连接部54的结构。另外，对与上述实施方式I相同的结构、作用和效果，省略重复的说明。
[0134]如图30所示，本实施方式的静电保护部451包括由半导体膜36构成的静电引导部452和由保护膜37构成、具有静电引导开口部453a的引导部保护部453，与第二金属膜38俯视时不重叠。第一层间绝缘膜39以进入到静电引导开口部453a中的方式设置。在这样的结构中，在将形成第二金属膜38前的阶段静电引导部452也通过静电引导开口部453a向外部露出，因此能够适当地引导在制造过程中产生的静电。
[0135]〈实施方式6>
[0136]根据图31对本发明的实施方式6进行说明。在本实施方式6，说明在上述的实施方式I令第二短路配线部533与引导部连接部554相连的结构。另外，对与上述实施方式I相同的结构、作用和效果，省略重复的说明。
[0137]如图31所示，本实施方式的第二短路配线部533以俯视时与共用配线525重叠的方式、在X轴方向扩展形成范围，与共用配线525的重叠部位构成引导部连接部554。与第二短路配线部533相连的引导部连接部554通过静电引导开口部553a与静电引导部552连接。
[0138]〈实施方式7>
[0139]使用图32或图33对本发明的实施方式7进行说明。在本实施方式7，说明从上述的实施方式I改变静电引导部652和引导部连接部654的结构后的结构。另外，对与上述实施方式I相同的结构、作用和效果，省略重复的说明。
[0140]如图32和图33所示，本实施方式的静电引导部652和引导部连接部654按四个静电引导开口部653a被分割。静电引导部652和引导部连接部654配置在与共用配线625俯视时重叠的位置，并且沿共用配线625的延伸设置方向(Y轴方向)间歇地各排列四个地配置。静电引导部652和引导部连接部654俯视时大致为正方形。各静电引导部652与各引导部连接部654相比俯视时的大小大一圈。
[0141]〈其它实施方式〉
[0142]本发明并不限定于根据上述记述和【附图说明】的实施方式，例如以下那样的实施方式也包含在本发明的技术范围内。
[0143](I)在上述各实施方式中，作为设置在静电保护电路部的静电保护电路元件(半导体功能元件)例示了 TFT型的二极管，除此以外，例如还能够使用稳压二极管和压敏电阻等。在这种情况下，能够令静电保护电路元件(稳压二极管或压敏电阻)为具有2个电极部、保护部和半导体部但是不具有栅极电极部的结构，其中，该保护部具有2个半导体功能部侧开口部，该半导体部通过各半导体功能部侧开口部与各电极部连接。
[0144](2)在上述各实施方式以外，静电引导部、静电引导开口部和引导部连接部的设置数、俯视时的大小(形成范围)和形状等还能够适当地进行变更。
[0145](3)在上述各实施方式中，对令在