掩模处理装置、掩模处理方法、程序和掩模的制作方法

专利名称：掩模处理装置、掩模处理方法、程序和掩模的制作方法
技术领域：
近些年，随着半导体元件的小型化，为了克服光学系统的分辩率的限制，已经开发了使用电子束、离子束、和其他充电的粒子束来绘制电路图案的显微机械加工技术。
在传统的所谓直接绘制类型电子束曝光方法中，图案越精细，数据规模越大，绘制时间越长，并且因此生产率越低。为此，已知一种用于在具有预定图案的转移掩模(transfer mask)上聚焦电子束/离子束以在晶片上形成图案的电子束/离子束曝光装置。
作为这些技术，已知例子有电子束投影光刻法(electron beam projectionlithography，EPL)(参照例如H.C.Pfeiffer所著Jpn.J.Appl.Phys.34，6658(1995))、低能量电子束近似投影光刻法(low energy electron beam proximityprojection lithography(LEEPL)(参照例如T.Utsumi的1998年11月3日的美国专利No.5,831,272)、或离子投影光刻法(ion projection lithography，IPL)(参照例如H.Loeschner等人2001年的Vac.SciTechnol.B19 2520)。
在上述曝光装置中使用的电子束传送掩模(transmission mask)例如是漏印板(stencil)掩模，其由具有约100nm到10μm厚度并在其中形成有开口(opening)图案的薄膜(也被称为“膜”)组成。
但是，由于在膜中制备有孔，所以不能或难于形成一些图案，诸如环形形状的图案(其中心部分被除去)和(悬臂结构因而不稳定的)叶形图案。
而且，在使用非常薄的膜时，还要遭受在膜中形成孔而导致内部应力状态变化和图案形状变化的不利影响。
为此，为了准备在充电的粒子束曝光装置中使用的漏印板掩模，已经需要具有与使用光来掩模的传统数据处理不同的新功能的数据处理装置和方法。

发明内容
本发明是在这种情况下提出的，其目的是提供一种掩模处理装置、掩模处理方法、程序和掩模，其能够轻松地准备在充电粒子束曝光装置中使用的掩模。
为了达到上面目的，本发明第一个方面的掩模处理装置提供产生互补漏印板掩模数据的掩模处理装置，具有互补分割装置，用于为每个预定的处理单元互补地分割设计数据从而根据设计数据和至少指示互补漏印板掩模特征的掩模特征数据来产生互补分割的图案；以及掩模数据产生装置，用于根据掩模特征数据和由互补分割装置所产生的互补分割的图案来产生互补漏印板掩模数据。
根据本发明第一方面的掩模处理装置，互补分割装置为每个预定的处理单元互补地分割设计数据从而根据设计数据和至少指示互补漏印板掩模特征的掩模特征数据来产生互补分割的图案。
掩模数据产生装置根据掩模特征数据和由互补分割装置所产生的互补分割的图案来产生互补漏印板掩模数据。
而且，为了达到上面目的，根据本发明第二方面的掩模处理方法提供用于产生互补漏印板掩模数据的掩模处理装置的掩模处理方法，包括第一步骤，为每个预定的处理单元互补地分割设计数据，从而根据设计数据和至少指示互补漏印板掩模特征的掩模特征数据来产生互补分割的图案；第二步骤，根据掩模特征数据和在第一步骤中产生的互补分割的图案来产生互补漏印板掩模数据。
而且，为了达到上面目的，根据本发明第三方面的掩模处理方法提供用于产生互补漏印板掩模数据的掩模处理装置的掩模处理方法，该方法包括第一步骤，为每个预定的处理单元互补地分割设计数据，从而根据设计数据和掩模特征数据来产生互补分割的图案，所述掩模特征数据至少包括桁条的桁条位置数据和关于用于产生互补漏印板掩模的漏印板掩模产生装置特征的、、并且指示互补漏印板掩模特征的设备特性数据；第二步骤，根据设计数据和掩模特征数据在互补漏印板掩模中产生用于绘制膜的形状的膜数据；第三步骤，根据掩模特征数据和由第一步骤为每个预定处理单元产生的互补分割图案，在漏印板掩模的预定位置排列互补分割的图案；第四步骤，根据在第三步骤中排列的互补分割图案，验证是否在互补漏印板掩模上已经产生了缺陷图案；第五步骤，使用在互补漏印板掩模中的膜的内部应力，对互补分割的图案执行位移修正处理；第六步骤，使用互补漏印板掩模的掩模成员的机械特性，对互补分割的图案执行位移修正处理；第七步骤，通过多次曝光验证互补分割的图案是否与在设计数据中的图案吻合；第八步骤，使用互补漏印板掩模的前/后反转对互补分割的图案执行位移(displacement)修正处理以产生互补漏印板掩模数据；第九步骤，根据设计数据和由第八步骤产生的互补漏印板掩模数据，验证是否互补分割的图案与在设计数据中的图案吻合；和第十步骤，为使得漏印板掩模产生设备根据膜数据、互补漏印板掩模数据、和设备特性数据在膜中绘制互补分割的图案和绘制膜而产生绘制膜数据。
而且，为了达到上面目的，根据本发明第四方面的程序提供了由信息处理装置执行的程序，该程序包括第一例程，为每个预定的处理单元互补地分割设计数据从而根据设计数据和至少指示互补漏印板掩模特征的掩模特征数据来产生互补分割的图案；和第二例程，根据掩模特征数据和在第一例程中产生的互补分割的图案来产生互补漏印板掩模数据。
而且，为了达到上面目的，根据本发明第五方面的程序提供了由信息处理装置执行的程序，该程序包括第一例程，为每个预定的处理单元互补地分割设计数据，从而根据设计数据和掩模特征数据来产生互补分割的图案，所述掩模特征数据至少包括桁条的桁条位置数据和关于用于产生互补漏印板掩模的漏印板掩模产生装置特征的、、并且指示互补漏印板掩模特征的设备特性数据；第二例程，根据设计数据和掩模特征数据在互补漏印板掩模中产生用于绘制膜的形状的膜数据；第三例程，根据掩模特征数据和由第一例程为每个预定处理单元产生的互补分割图案，在漏印板掩模的预定位置排列互补分割的图案；第四例程，根据在第三例程中排列的互补分割图案，验证是否在互补漏印板掩模上产生了缺陷图案；第五例程，使用在互补漏印板掩模中的膜的内部应力，对互补分割的图案执行位移修正处理；第六例程，使用互补漏印板掩模的掩模成员的机械特性，对互补分割的图案执行位移修正处理；第七例程，通过多次曝光验证互补分割的图案是否与在设计数据中的图案吻合；第八例程，使用互补漏印板掩模的前/后反转对互补分割的图案执行位移修正处理以产生互补漏印板掩模数据；第九例程，根据设计数据和由第八例程产生的互补漏印板掩模数据，验证是否互补分割的图案与在设计数据中的图案吻合；和第十步骤，为使得漏印板掩模产生设备根据膜数据、互补漏印板掩模数据、和设备特性数据绘制膜和在膜中绘制互补分割的图案而产生绘制膜数据。
而且，为了达到上面目的，根据由掩模处理装置产生的互补漏印板掩模数据来产生本发明的第六方面。
而且，为了达到上面目的，根据由掩模处理装置产生的绘制图案数据和绘制膜数据，由漏印板掩模产生设备来产生本发明的第七方面。


图1示出了包括根据本发明的掩模处理装置的掩模处理系统的实施例的示意图；图2A到2F示出了用于解释图1中所示的掩模处理系统的操作的概念示意图；图3A到3F示出了图2A到图2F中所示的互补分割和掩模图案的另一个具体例子的示意图；图4A到图4C示出了用于解释图1中所示的掩模处理系统的操作的示意图；图5A到图5C示出了用于解释当使用四个互补掩模时的互补分割的示意图；图6A示出了互补漏印板掩模(即第一互补漏印板掩模)的具体例子示意图；图6B示出了互补漏印板掩模(即第二互补漏印板掩模)的具体例子示意图；图7示出了图6A中示出的互补漏印板掩模的全貌图；图8示出了图7所示的膜c3的中心附近的放大图；图9示出了图7所示的漏印板掩模c1的剖视图；图10示出了膜分割区域之一和在其外围的桁条(beam)的放大透视图；图11示出了图10中所示的桁条附近的放大剖视图；图12示出了根据本发明的掩模处理装置的实施例的似硬件方框图；图13示出了图1所示的掩模处理装置的似软件功能块的实施例的示意图；图14示出了用于解释对准标记的示意图；图15示出了用于解释设计数据和掩模之间关系的示意图；图16A到16B示出了根据本发明的掩模的具体例子的示意图；
图17A到17D示出了用于解释关于掩模的单元场(unit field)的示意图；图18A示出了图17A的放大部分的示意图；图18B示出了图17C的放大部分的示意图；图19A到19F示出了用于解释边界处理的示意图；图20A到20D示出了用于解释边界处理的示意图；图21示出了抽取图8中示出的漏印板掩模的各部分之中被多次曝光的最小图案的示意图；图22示出了用于解释一个部分的示意图，在该部分中能够以将独立的多个PUF(块)排列在图21中所示的最小图案中；图23示出了用于解释一个部分的示意图，可以包括图22中所示的图案的桁条的位置信息来排列该部分；图24示出了布局的具体例子的示意图；图25A到25C示出了用于解释在多次曝光处理中的缝合(stitching)精确度的示意图；图26A到26C示出了用于解释缝合的示意图；图27A到27C示出了用于解释缝合操作的示意图；图28示出了用于解释图案形状验证单元检测环形图案的过程的示意图；图29示出了用于解释图案形状验证单元检测叶形图案的过程的示意图；图30示出了用于解释图案形状验证单元检测叶形图案的过程的示意图；图31示出了用于解释图案形状验证单元检测叶形图案的过程的示意图；图32示出了用于解释由于在漏印板掩模中形成的孔而引起的变形的示意图；图33A示出了具有曲线轮廓的孔(图案)作为通过应力分析的结果的修正处理的结果的示意图；图33B示出了作为修正处理结果对阶梯形状进行修正的图案的示意图；图34示出了膜内修正单元的修正处理的具体例子的示意图；图35A示出了在准备掩模时的漏印板掩模的剖视示意图；图35B示出了在使用掩模时的漏印板掩模的剖视示意图；图36A到36B示出了用于解释变形修正的示意图；图37示出了图1所示的掩模处理系统100的操作的流程图；图38示出了用于解释图1所示的掩模处理装置的操作的流程图；和图39示出了用于解释图1所示的掩模处理装置的操作的流程图。
具体实施例方式
图1示出了包括根据本发明的掩模处理装置的掩模处理系统的实施例的示意图。
例如图1所示，掩模处理系统100具有掩模处理装置1、设计处理设备2、掩模准备处理设备3、掩模准备设备4、曝光处理设备5、和曝光装置6。
由通信网络NET7将掩模处理装置1、设计处理设备2、掩模准备处理设备3、掩模准备设备4、曝光处理设备5、和曝光装置6进行连接。掩模处理装置1对应于根据本发明的掩模处理装置和信息处理设备。掩模准备处理设备3和掩模准备设备4对应于根据本发明的漏印板掩模产生设备。
设计处理设备2产生例如半导体集成电路的期望的设计数据，并且经由通信网络NET7将所产生的数据输出到掩模处理装置1。
掩模处理装置1产生互补漏印板掩模数据，更具体地说绘制膜数据、绘制图案数据等(将根据例如从设计处理设备2输出的设计数据在后面进行说明)、掩模特征数据，其指示包括关于掩模准备设备4的设备特性参数的漏印板掩模的特征、关于曝光装置6的设备特性参数等，并且经由网络NET7将所产生的数据输出到掩模准备处理设备3。
掩模准备处理设备3控制掩模准备设备4来使得掩模准备4根据从掩模处理装置1输出来的绘制膜数据和绘制图案数据等来实际产生期望的掩模。
曝光处理设备5根据预定的曝光处理步骤来控制曝光装置6。
曝光装置6在曝光处理设备5的控制下，经由在掩模准备设备4所产生的互补漏印板掩模，发射例如低能量电子束从而根据期望的设计数据在晶片上曝光电路图案。由未示出的刻蚀设备在晶片上刻蚀电路图案，从而产生期望的电路图案。例如，在本实施例的曝光装置6中，当使用低能量电子束时，在晶片和掩模之间提供大约50μm的间隙，并且以相等的放大率曝光掩模。
此时，电子束不能穿过物体，从而使用例如具有在掩模中形成的孔的SiC硅(Si)、或钻石漏印板掩模。
图2A到2F示出了用于解释图1中所示的掩模处理系统的操作的概念示意图。将参照当产生漏印板掩模时出现问题的叶形图案和环形图案的例子来进行说明。
例如，在图2A中示出的设计数据n1的情况下，环形图案n11不能支持在如图2B所示的中心中的图案n211，从而产生在简单形成的漏印板掩模n2的情况中的环形形状n21。当使用那个漏印板掩模n2用于曝光时，如图2C所示在晶片n3上形成图案n31，其中心备去除。
而且，如图2B所示，在薄漏印板掩模n22的情况下，如图2A所示的叶形图案n12仅仅具有支持中心突起n211的一个小部分，从而诸如由于重力、应力集中在叶附属物上而出现诸如下沉的变形，并可能导致断裂。当使用这个漏印板掩模n22用于曝光时，如图2C所示，形成例如具有带有变形中心n321的形状的图案n32。
在另一方面，在根据本实施例的掩模处理系统100中，在如图2D所示的设计数据n1的情况下，通过在如图2E所示的多个掩模n2000和n2001上独立互补地将掩模图案n21和n22分割为多个图案n201到n207并且多次曝光多个掩模n2000和n2001，可以如图2F所示在晶片n300上形成期望的图案n301和n302。
图3A到3F示出了图2A到图2F中所示的互补分割和掩模图案的另一个具体例子的示意图。
而且，例如将图2D中所示的环形图案n11进行互补地分割，在漏印板掩模n2003上形成图案n231和n232，以及在如图3B所示的漏印板掩模n2004上形成图案n233和n234。通过多次曝光漏印板掩模n2003和n2004，如图3C所示在晶片n3000上形成了具有期望的环形形状的图案n301。
而且，将如图2D所示的叶形图案n12进行互补分割，例如如图3D和3E所示在漏印板掩模n2005上形成图案n235，以及在漏印板掩模n2006上形成图案n236。通过多次曝光漏印板掩模n2005和n2006，如图3F所示，在晶片n3001上形成具有期望的环形形状的图案n302。
图4A到图4C示出了用于解释图1中所示的掩模处理系统的操作的示意图。
例如，掩模处理系统100使用互补桁条(撑架)掩模，其给出实现这种互补分割的所需精确度的桁条(撑架)结构、掩模的形成、和曝光，并且防止由于薄膜引起的掩模的破损和变形。
例如，通过如图4A所示的互补分割处理，将如图4A所示的设计数据n100中的图案n101分割为具有如图案n241和图案n242的桁条的多个互补掩模n2007和n2008。在栅格中用多个桁条b形成互补掩模n2007和n2008。为此，如果简单地互补分割图案而不考虑图4A和4C中所示的桁条b和a的位置，就不能够在与桁条b对应的位置bb形成图案n242。当使用这些互补掩模n2007和n2008来多次曝光晶片n3002时，如图4C所示由于桁条b的影响而形成了图案n310和n311。
图5A到图5C示出了当使用四个互补掩模时的互补分割的示意图。
将如图5A中所示的设计数据n100中的图案n101在多个(例如四个)互补掩模n2011到n2014处互补地分割为图案n251到n254。用桁条b形成这些互补掩模n2011到n2014。提供这些桁条b，从而当曝光装置6使用互补掩模n2011到n2014多次曝光被略微偏移重叠的图案时，在预定的位置至少曝光一次。在重叠这些互补掩模n2011和n2014偏移的同时，曝光装置6可以形成执行多次曝光，从而在晶片n3003上形成期望的图案n320。而且，因为在预定的位置提供桁条b，所以当曝光装置6执行多重(multiplex)曝光时，在互补掩模中没有部分不被照射到。
图6A示出了互补漏印板掩模(即第一互补漏印板掩模)的具体例子示意图。图6B示出了互补漏印板掩模(即第二互补漏印板掩模)的具体例子示意图。
根据膜的布局位置和桁条位置，互补漏印板掩模有多个类型以满足预定的条件。例如，第一互补漏印板掩模c1是一种掩模，其中在图6A所示的四个部分的每一个中的格子中的预定位置形成桁条(也将其称为COSMOS-I)，而第二互补漏印板掩模是cc2另一种掩模，其中在图6B所示的四个部分的每一个中在彼此平行的预定方向中形成桁条(也将其称为COSMOS-II)。
下面，将给出在图6A中示出的第一互补漏印板掩模c1(COSMOS-I)的说明。
图7示出了图6A中示出的互补漏印板掩模的全貌图。
如图7所示，通过使用例如硅晶片c2形成第一互补漏印板掩模c1(之后，也称为“掩模”或“漏印板掩模”)。以方形去掉硅晶片c2的中心，并且在这个部分形成膜c3。将在膜c3的外围具有厚膜的硅晶片用作支撑框架(框架)来支撑薄膜c3。
桁条c4是在硅晶片c2中形成多个开口之后剩余的部分。将所有桁条c4的末端连接到框架或其他的桁条c4。没有将桁条c4断开的部分。
下面，将由桁条c4包围的膜c3的方形部分定义为“膜分割区域c5”。桁条c4带有与在两边处的膜c3的桁条c4平行的窄宽度的裙边。在膜分割区域c5中，将除了裙边的部分定义为“图案区域”。而且，将合并了桁条c4和裙边的部分定义为“桁条区”。
随后，将给出对图7中所示的漏印板掩模中的桁条的布局的说明。
图8示出了图7所示的膜c3的中心附近的放大图。在图8中，在图7中所示桁条c4的位置示出了桁条区c6。由桁条区c6包围的方形部分是图案区域c7。
假设如图7中所示的硅晶片c2的中心是原点O而在图8中示出的膜c3是X-Y平面，由x轴和y轴将膜c3分割为四个区域。下面，将这些区域定义为部分I到IV。
膜c3不必严格地是方形。只要部分I到IV具有以x轴和y轴作为两边的矩形形状或相近的形状，部分I到IV的所有边的长度不必完全吻合。
在部分I到IV的每一个中，以与x轴平行的相等间隔排列多个桁条区c6。以相同的方式，以与y轴平行的相等间隔在部分I到IV中排列多个桁条区c6。在这些桁条区16中形成图7的桁条c4。
在x轴方向，在相邻的部分I和部分II之间或部分III和部分IV之间，与x轴平行的桁条区c6的位置不吻合。以相同的方式，在y轴方向，在相邻的部分I和部分IV之间或部分II和部分III之间，与y轴平行的桁条区c6的位置不吻合。
在四个部分I到IV之中，桁条区c6接触在膜c3的对角线上的仅仅一组部分中的x轴和y轴两者。如图8所示，在四个部分I到IV中，在部分I和部分IV(接触x轴的部分)之间的边界部分排列桁条区c6，并且在部分I和部分II(接触y轴的部分)之间的边界部分排列桁条区c6。
在与部分I一起存在于对角线上的部分II和部分III(与x轴接触的部分)之间的边界部分排列桁条区c6，并且在部分III和部分IV(与y轴接触的部分)之间的边界部分排列桁条区c6。
或者，在图8中，可以排列桁条区c6以接触在对角线上的仅仅一组部分(部分II和部分IV)中的x轴和y轴两者。
在图8所示的例子中，在部分II和部分IV中，不沿着带有相邻部分的边界形成桁条区c6。将部分II和部分IV的桁条区c6的末端连接到T形的相邻部分的桁条区域c6。将部分II和部分IV的桁条区c6进行排列从而满足不变的条件。
当例如桁条区的宽度是1时，在桁条区c6之间的间隔，即，图案区域c7的一边的长度最好是3的整数倍或更多。
图9示出了图7所示的漏印板掩模c1的剖视图。
漏印板掩模c1的膜c3例如是用与如9中所示的图案对应的孔c8形成的。膜c3是膜形成层c3a的部分。在膜c3的外围上的硅晶片c2形成框架c9来支撑膜c3。在框架c9边上的膜c3的平面上以恒定的间隔形成桁条c4。注意在漏印板掩模c1的生产的处理中形成氧化硅膜c10作为刻蚀停止层。
将漏印板掩模c1进行排列从而在膜c3边之上的表面变得接近图案被转移到的晶片表面。当从框架c9边由电子束扫描漏印板掩模c1时，电子束只穿过孔c8的部分从而将图案转移到晶片上的抗蚀剂之上。
根据本实施例的漏印板掩模c1不能在桁条4部分中形成孔8。因此，如上所述，将图案互补地分割，并且在图7中所示的部分I到IV中形成互补图案。
如上所述，当为了曝光使用漏印板掩模c1时，首先将第一漏印板掩模c1和晶片固定在位置中，并且转移图8中所示的部分I到IV的图案。随后，将漏印板掩模c1和晶片相对地移动以在部分I到IV的转移的图案上排列漏印板掩模1的不同部分。通常，当将固定在位置中的漏印板掩模c1保留其原样时，可以比较容易地移动晶片。
在移动晶片之后，由电子束再次扫描漏印板掩模c1。通过重复上面步骤，多次曝光执行四次，从而漏印板掩模c1的四个部分I到IV的图案重叠。通过这样，还将存在于桁条c4的部分处的图案互补地转移到抗蚀剂。
图10示出了膜分割区域c5之一和在其外围的桁条c4的放大透视图。
如图10所示由桁条c4将将膜c3分割为膜分割区域c5。与图案对应的孔c8不能够形成在桁条c4部分，但是能够在膜c3的膜分割区域c5的部分中形成。在所示的膜分割区域c5中，由虚线包围的部分对应于图8中所示的图案区域。
在膜分割区域c5中，图案区域c7的外部对应于裙边c11。通过合并桁条c3和在其两边的裙边c11而形成的部分对应于如图8中所示的桁条区c6。具体地说，孔c8形成在图案区域c7之中，但是在一些情况中也可以向外突出到裙边c11的部分而形成。
图11示出了图10中所示的桁条c4附近的放大剖视图。
如图11中所示，通过合并桁条c4的宽度W4和在其两边的裙边c11的宽度W11而获得的宽度是桁条区c6的宽度W6。可以将桁条c4的宽度W4设置为例如大约100到200μm。可以将每个裙边c11进一步分割为边缘(margin)c12和空白c13。边缘c12位于图案区域c7边，而空白c13位于桁条c4边。
下面，将给出对边缘c12和空白c13的说明。当图案不完全适合于图案区域c7时，原则上，与突出部分的图案对应的孔8形成在漏印板掩模的四个部分I到IV之中的另外的部分中。通过多次曝光将图案缝合在一起。
但是，当图案只从图案区域c7突出来一点点，如果不通过将互补图案缝合到另外的部分I到IV之一来分割，就可以转移图案，则会更加有利。特别是，当具有非常窄的线宽度的精细图案，例如晶体管的栅极，稍微地从图案区域c7突出来时，如果分割到互补图案，则非常可能降低所生产的半导体器件的特性。
因此，在图案区域c7的外围上提供允许形成孔c8的边缘c12。可以任意设置边缘c12的宽度W12，但是当将宽度W12变大时，图案的原始区域，即图案区域c7变小。因此，将宽度W12设置为例如大约几个μm到几十个μm。
例如，根据LEEPL，可能与漏印板掩模相关来精细地改变电子束的入射角α。通常电子束的入射角α的范围是0到10mrad。当使用8英寸晶片来形成漏印板掩模时，桁条c4的高度H4变成8英寸硅晶片的725μm厚度。
如图11所示，当电子束c14倾斜地入射到膜c3上时，在桁条c4的附近形成没有被电子束c14照射的区域。当电子束c14的入射角α是最大10mrad时，如下计算空白c13的最低所需宽度W13W13=10×10-3(rad)×H(μm)=7.25(μm)≅7(μm)]]>如上所述，在通过合并桁条c4和在两边的空白c13而形成的部分A中不形成孔c8。
根据本实施例的掩模处理装置1提供掩模数据处理例程，其能够处理例如上述的桁条漏印板掩模1c。更具体地，根据在设计处理设备2所准备的设计数据和互补漏印板掩模数据，掩模处理装置1准备所使用的曝光装置6的设备特性数据，更具体地，用于根据诸如掩模的掩模特征数据等的参数描述信息来绘制掩模的数据。
图12示出了根据本发明的掩模处理装置的实施例的似硬件方框图。
例如图12中所示，掩模处理装置1具有输入部件11、输出部件12、接口(I/F)13、RAM 14、存储器单元15、和CPU(中央处理单元)16。
由总线BS连接输入部件11、输出部件12、接口(I/F)13、RAM 14、存储器单元15、和CPU 16。
输入部件11将期望的输入数据输出到CPU 16。例如，输入部件11是诸如键盘或鼠标、CDROM(R，RW)驱动器、和软(注册商标)盘驱动器(FD)的数据输入设备。例如，输入部件11可以输入设计数据、掩模数据等，作为输入数据。
输出部件12根据从CPU 16输出的预定的输出数据来执行输出。例如，输出部件12是诸如显示器的显示设备并且根据从CPU 16输出的输出数据来进行显示。
通过接口(I/F)13，在CPU 16的控制下，将期望的数据传送到另外的信息处理设备，例如，设计处理设备2、掩模准备处理设备3、和曝光处理设备5。如上所述，I/F 13一样可以接收从设计处理设备2输出的设计数据。
当CPU 16执行例如预定的处理时，将RAM 14用作工作空间。由CPU 16将期望的数据从存储器单元15读出或写入到存储器单元15。
存储器单元15具有例如程序150、设计数据151、参数152等。
程序150包括例如关于根据本实施例的掩模处理的处理例程，并且由CPU 1使用RAM 14作为工作空间来执行。
设计数据151是例如在晶片上形成的电路的设计数据。
参数152包括例如掩模准备设备4的设备特性数据、曝光装置6的设备特性数据、和互补漏印板掩模的掩模特征数据。例如，参数152包括指示曝光装置6的处理类型的参数、掩模信息(例如，指示掩模处理和掩模的材料的数据)以及掩模的布局图数据(布局数据)。
CPU 16执行例如基于与根据程序150的掩模处理相关的处理例程的处理。
图13示出了图1所示的掩模处理装置的似软件功能块的实施例的示意图。
例如图13所示，CPU 16具有对准标记产生单元1601、膜形状设计部件1602、PUF和边界处理单元1603、互补分割单元1604、缝合部件1605、COSMOS布局单元(COSMOS单元)1606、图案形状验证单元1607、膜内修正单元1608、掩模配置单元1609、曝光验证单元1610、掩模反转修正单元1611、修正结果验证单元1612、和数据转换单元1613。
对准标记产生单元1601根据设计数据151和参数152来产生对准标记d1601。例如，具体地，对准标记产生单元1601根据设计数据151和参数152产生掩模对准标记d16011和晶片对准标记d16012。
掩模对准标记d16011是用于掩模的掩模对准标记d16011，而晶片对准标记d16012是成图案于晶片上的晶片对准标记，用于在后面说明的步骤对准。
图14示出了用于解释对准标记的示意图。
例如，当如在LEEPL中多次曝光互补分割的掩模时，需要高精度放置掩模c1和晶片wf3。为此，例如，使用印模对准系统，通过测量照射白光的散射光来进行放置。
更具体地，例如图14中所示，掩模c1带有多个掩模对准标记d16011，例如孔，而晶片wf3带有多个晶片对准标记d16012，例如凹槽。
从偏斜方向照射白光1t4，例如，相对于掩模c1和晶片wf3的平面倾斜40度，从散射光和提供在掩模c1中的掩模对准标记d16011处以及提供在晶片wf3中的晶片对准标记d16012处的散射光和反射光1t5的信号的峰值位置来测量掩模c1和晶片wf3的相对位置，测量相对于期望位置的偏差，并且根据所测量的偏差信息为每次曝光(发射)执行位置修正处理。
此时，根据在掩模对准标记d16011及晶片对准标记d16012处的散射光和反射光1t5，为每次发射测量偏移、旋转、放大等，测量掩模c1和晶片wf3之间的间隔，并且根据所测量的结果来执行位置修正处理。
如上所述，当通过由曝光装置6使用标记c1来多次曝光晶片wf3时，参考掩模对准标记d16011和晶片对准标记d16012，因此对准标记产生单元1601根据包括曝光装置6的设备特性数据等的参数152来设计掩模对准标记d16011和晶片对准标记d16012的布局。
图15示出了用于解释设计数据和掩模之间关系的示意图。
如在图15中示意示出的，根据设计数据(也称为芯片的布局信息)n1和对准标记d1601等，在后面将说明的膜数据准备处理中确定用于准备膜c3的区域，因此CPU 16输出包括诸如芯片和掩模尺寸的数据的参数152到膜形状设计单元1602和PUF分割及边界处理单元1603。
膜形状设计单元1602根据从对准标记产生单元1601输出的对准标记d1601、参数152、和设计数据151来产生预定的膜形状。
膜形状设计单元1602根据包括在参数152中的互补掩模的类型(例如COSMOS-I和II)和包括在设计数据151中的诸如芯片尺寸的信息来设计关于膜(COSMOS-I和II)的数据，并且将用于产生膜的数据输出到数据转换单元1613。
图16A到16B示出了根据本实施例的掩模的具体例子的示意图。
更具体地，当排列方形(在例如图16A所示的掩模中，1cm□具有1cm的芯片尺寸)时，膜形状设计单元1602根据COSMOS掩模来产生用于设计膜c3的数据。这种数据包括关于第一互补漏印板掩模(COSMOS-I)c1的数据，例如，诸如桁条c4的宽度1mm和膜c3的宽度4mm的信息。
而且，在第二互补漏印板掩模(COSMOS-II)cc2的情况下，膜形状设计单元1602根据第二互补漏印板掩模来产生用于设计膜的数据。例如，这种数据包括指示例如COSMOS-II c22的桁条c4和膜c3的宽度是2.5mm的信息。
根据用于漏印板掩模c1和c22的材料、掩模处理等，桁条c4和膜c3的宽度有所不同。为此，膜形状设计单元1602根据包括在参数152中关于用于漏印板掩模c1的材料的数据、掩模处理等来确定膜c3和桁条c4的宽度等。
图17A到17D示出了用于解释掩模的单元场的示意图。图17A是用于解释第一互补掩模的单元场的示意图，而图17B是用于解释第二互补掩模的单元场的示意图。图18A是图17A的放大部分的示意图，而图18B是图17C的放大部分的示意图。
在本实施例中，图18A所示的COSMOS-I的桁条的宽度大约是250μm，而图18B所示的COSMOS-II的桁条的宽度大约是1mm。
PUF和边界处理单元1603根据设计数据151、参数152和对准标记d1601来执行PUF分割处理和边界处理。
通过将COSMOS单元场(CUF)排列成阵列来构成互补掩模c1和cc2。
在第一互补掩模(COSMOS-I)c1中，例如图17A和17B所示，在四个部分的每一个中将CUF排列成阵列。而且，在第二互补掩模(COSMOS-II)c22中，如图17C和图17D所示，在四个部分中的每一个中将CUF排列成阵列。
例如，更具体地说，如图18A所示，为了形成第一互补掩模c1的掩模，将CUF的区域互补地分割为5×5的处理区域，并且将互补分割的结果分配给四个部分以准备互补掩模数据。而且，如图18B所示，为了形成第二互补掩模cc2的掩模，将CUF的区域互补地分割为10×10的处理区域，并且将互补分割的结果分配给四个部分以产生互补掩模数据。
但是，在第一和第二互补掩模中，如图17A和17B所示，掩模形状有所不同，因此用于准备掩模的最小处理区域不同。
根据在本实施例中的互补分割结束之后的掩模形状的布局图进行互补分割处理之后，PUF和边界处理单元1603执行掩模的布局，因此在此时将处理单元分割为处理单元场(之后称之为PUF)并且对每个PUF执行互补分割处理，该单元场具有与多个掩模形状的任何一个匹配的尺寸。因此，可以用简单互补分割功能实现复杂互补掩模的处理。
例如，在本实施例中，PUF是通过将图18B所示的COSMOS-II的CUF分割为10×10的区域而获得的区域。
PUF和边界处理单元1603将输入设计数据(芯片数据)151分割为PUF尺寸以执行由PUF进行的处理。而且，PUF和边界处理单元1603执行边界处理以执行这种PUF分割。
图19A到19F示出了用于解释边界处理的示意图。
边界处理以预定的图案为每个PUF简单地执行互补分割处理。当合并互补分割处理的结果时，有时在邻接PUF边界的漏印板掩模中可能出现不当的图案，因此执行该处理以避免产生这样的不当图案。
下面说明不当图案。
例如，PUF和边界处理单元1603将如图19A所示的图案101分割为如图19B所示的PUF I和PUF II。然后，PUF和边界处理单元1603为每个PUF执行互补分割。例如，如图19C所示，将PUF I分割为图案102和图案103，而将PUF II分割为如图19D的所示的图案104a、104b和105。
例如，将互补掩模A分配为如图19E所示的PUF I的分割图案102和PUFII的分割图案105，并且将PUF I和PUF II彼此缝合。
将互补掩模B分配如图19F所示的PUF I的分割图案103和PUF II的图案104a和104b，并且将PUF I和PUF II彼此缝合。此时，在当例如于漏印板掩模中形成如图19F所示的图案的情况下，形成了具有叶形形状的不当图案。
图20A到20D示出了用于解释边界处理的示意图。
为了防止上述的不当图案，在互补地分割例如每个PUF的PUF边界之上的图案之前，PUF和边界处理单元1603在例如沿着与PUF边界BL垂直的方向的预定方向中抽取该边，根据抽取的边产生矢量，当具有相同长度的一对相对(facing)矢量的长度是预定长度或更长时，分割在PUF边界BL上的图案，并且根据分割的图案为每个PUF执行互补分割。
当图案P30存在于例如图20A所示的PUF1和PUF2的边界线BL上时，PUF和边界处理单元1603为图案P30执行图案分割处理。
沿着与基于在例如图20A所示的PUF1上的图案P30的边界线BL垂直的方向，根据图案P30的边，PUF和边界处理单元1603执行矢量化处理以产生矢量V31到V40。
此时，PUF和边界处理单元1603执行诸如矢量的分解的处理，从而形成具有相同长度的一对矢量。
如图20C所示，例如从与基于如图20B所示的V31到V40的边界线BL平行的边界线BL的位置，PUF和边界处理单元1603开始与边界线BL平行的边界分割判断线BDL的移动，并且产生基于预定分割条件的分割线PBL，该预定分割条件是例如在长度是预定长度或相对于横跨这条边界分割判断线BDL的一对矢量更长的情况下执行分割的条件。例如，在如图20B所示的矢量的情况下，PUF和边界处理单元1603产生如图20C所示的分割线PBL1和PBL2。
例如图20D所示，PUF和边界处理单元1603根据分割线P11和PL2将图案P30分割为图案P31到P37。
在互补分割单元1604执行如上所述的互补分割处理之前，PUF和边界处理单元1603根据PUF上的图案来执行图案分割处理，然后互补分割单元1604为每个PUF单元对图案分割处理的图案执行互补分割处理，因此能够防止问题图案的产生。
图21示出了抽取图8中示出的漏印板掩模的部分之中被多次曝光的最小图案的示意图。图22示出了用于解释一个部分的示意图，在该部分中可以将独立的多个PUF(块)排列在图21中所示的最小图案中。图23示出了用于解释一个部分的示意图，在该部分中可以排列图22中所示的图案的桁条的位置信息。
在例如图21所示的部分I(A)、II(B)、III(C)和IV(D)的每一个中形成在第一互补掩模c1中被多次曝光的最小图案。如图21所示，在部分I到IV的每一个中，在预定的位置形成桁条bm。
在如图22所示的对应部分I(A)到IV(D)的每一个中可形成在每个部分的5×5PUF(块)的每一个中形成的图案。
通过在当每个部分中为每个PUF排列图案时还考虑与PUF相邻的桁条bm的位置的情况下，考虑与图23所示的PUF相邻的桁条bm的位置，COSMOS布局单元1606执行布局。
例如更详细地，如图23所示，每个PUF至少具有不重叠于桁条bm的定点和一个边。具体地说，如图23所示，在PUF1中，可能在D区域中两条边重叠于桁条bm，但是在A区域中四条边不可能重叠于桁条bm。在图23中，由实线来表示与桁条bm相邻的边。
在PUF1中，在四个边处，区域A1不重叠于桁条bm。PUF位于在区域B和C中的桁条的位置处，所以不能将图案放在那里。在PUF中，区域D在图形的底边和右边处重叠于桁条bm。在PUF2中，区域A2不重叠于桁条bm。
区域1与区域A1和区域D1对应。区域D1的底边和右边重叠于桁条bm。区域2与区域A2和区域B2对应，区域B2的左边重叠于桁条bm。区域3与区域A3、区域B3和区域D3对应。区域A3的右边、区域B3的顶边、和区域D3的左边和底边重叠于桁条bm。区域4与区域B3和区域D4对应。区域B4的顶边和区域D4的底边重叠于桁条bm。区域5与区域A5、区域B5、和区域D5对应。区域A5的左边、区域B5的顶边和右边、和区域D5的底边重叠于桁条bm。
区域6与区域A6和区域C6对应。区域C6的顶边和左边重叠于桁条bm。区域7与区域A7、区域B7、和区域C7对应。区域B7的左边和区域C7的顶边重叠于桁条bm。区域8与区域A8、区域B8、和区域C8对应。区域A8的右边和区域C8的顶边重叠于桁条bm。区域9与区域B9和区域C9对应。桁条bm重叠于区域C9的顶边和右边。区域10与区域A10和区域B10对应。桁条bm重叠于区域A10的左边和区域B10的右边。
区域11与区域A11、区域C11、和区域D11对应。桁条bm重叠于区域11的底边、区域C11的左边、和区域D11的顶边和右边。区域12与区域A12、区域B12、和区域C12对应。桁条bm重叠于区域A12的底边和区域B12的左边。区域13与区域A13、区域B13、区域C13、和区域D13对应。桁条bm重叠于区域A13的底边和右边以及区域D13的顶边和左边。区域14与区域B14、区域C14、和区域D14对应。桁条bm重叠于区域C14的右边和区域D14的顶边。区域15与区域A15、区域B15、和区域D15对应。桁条bm重叠于区域A15的底边和左边、区域B15的右边、和区域D15的顶边。
区域16与区域C16和区域D16对应。桁条bm重叠于区域C16的左边以及区域D16的右边。区域17与区域B17和区域C17对应。桁条bm重叠于区域B17的底边和左边。区域18与区域B18、区域C18、和区域D18对应。桁条bm重叠于区域B18的底边和区域D18的左边。区域19与区域B19、区域C19、和区域D19对应。桁条bm重叠于区域B19的底边和区域C19的右边。区域20与区域B20和区域D20对应。桁条bm重叠于区域B20的底边和右边。
区域21与区域A21、区域C21、和区域D21对应。桁条bm重叠于区域A21的顶边、区域C21的底边和左边、以及区域D21的右边。区域22与区域A22和区域B22对应。桁条bm重叠于区域A22的顶边和区域B22的底边。区域23与区域A23、区域C23、和区域D23对应。桁条bm重叠于区域A23的顶边和右边、区域C23的底边、以及区域D23的右边。区域24与区域C24和区域D24对应。桁条bm重叠于区域C24的右边。区域25与区域A25和区域D25对应。桁条bm重叠于区域A25的顶边。
作为由PUF和边界处理单元1603互补分割的互补图案，COSMOS布局单元1606根据预定的布局数据在区域I和IV中排列如上所述的图案P31到P37。
图24示出了布局的具体例子的示意图。更具体地说，如图24所示，在区域A1中排列图案P31，在区域A2中排列图案P33、P34和P36，在区域B2中排列图案P35和P37，并且在区域D1中排列图案P32。
此时，COSMOS布局单元1606在为每个PUF进行互补分割之后根据图21到23中所示的布局数据为横跨边界线BL的图案选择不与桁条bm重叠的区域(至少是A、B、C或D)，从而COSMOS布局单元1606可以防止桁条bm将图案对半分割。
例如，当在区域25的PUF中进行互补分割之后有在顶边和左边上横跨PUF界限的图案，如果在区域A25中排列该图案，它们会重叠于桁条bm，但是如果在区域D25中排列图案，它们将不会重叠于桁条bm。
以这种方式，当处理PUF1到PUF25以排列互补分割的图案时，COSMOS布局单元1606可以执行布局而不强制地由桁条bm来分割图案。
在本实施例中，甚至当互补分割后的图案在PUF分割时彼此(除了点接触)接触时，在不发生矛盾互补的位置分割图案。
而且例如，可以同样在互补分割处理中包括这种边界处理。在这种情况下，由于在PUF中执行互补分割并且通过考虑其他场而在边界部分执行处理，所以算法变得非常复杂，所以不可避免地成为低可靠性的诱因。
当执行PUF分割时，根据本实施例的PUF和边界处理单元1603执行边界处理，所以还可以容易地获得相邻场的图形信息。这种边界处理还克服了可能在PUF边界上发生的精细图形缺陷。
互补分割单元1604根据如上所述的图案执行互补分割处理。对于互补分割的详细内容，可以选择一些已知技术，例如日本专利No.3105580、已审查的日本专利公开(Kokoku)No.7-66182、未审查的日本专利公开(Kokai)No.11-354422、未审查的日本专利公开(Kokai)No.2000-91191、未审查的日本专利公开(Kokai)No.2001-244192、未审查的日本专利公开(Kokai)No.2001-274072、未审查的日本专利公开(Kokai)No.2002-99075、Yamashita等人所著48th Applied Physics Joint Conference Preprints 30a-ZE-5、Yamashita等人所著61th Applied Physics Joint Conference Preprints 7a-X-8。
例如，在许多情况下，现有技术的互补分割处理是二互补分割。例如，可以由第二互补掩模(COSMOS-II)cc2无问题地处理二互补分割。
但是，对于第一互补掩模(COSMOS-I)c1，根据如图22和23的布局数据的PUF等，可以将一部分互补地分割为两个或四个。在漏印板掩模的情况下，可能由于在膜中形成孔的区域的延伸导致图案变形发生，因此需要通用将图案分派给可以被互补分割为三个和可以被互补分割为四个的所有PUF来减少图案区域的差异。
互补分割单元1604基本上执行该处理从而当分派2个互补分割的图案时将图案分派给3个或更多互补分割的图案。
当使用互补分割的图案执行多次曝光来形成期望的图案时，有时互补分割的图案的缝合精度受到影响。为此，当互补分割单元1604执行互补分割处理时，缝合部件1605将预定的图案加入到分割的部分或扩展图案到分割的部分。
图25A到25C示出了用于解释在多次曝光时的缝合精确度的示意图。
更具体地说，当使用例如包括图25A所示的互补图案e11和e12的互补掩模e1和包括图25B所示的互补图案e21和e22的互补掩模e2来多次曝光晶片时，形成在例如图25C中所示的转移图案e300。在转移图案e300中，形成图案e311、e312、e321、和e322，但是当使用例如电子束多次曝光时，发生图案角部变圆和互补掩模e1和e2的对准偏差，因此有时图案e311和图案e321被断开并且有时图案e322和图案e312被断开。
作为防止这种断开的方法，如在例如日本专利No.270699和日本专利No.2730687中公开的，已知有当进行互补分割图案时将预定图案加入到分割的部分或扩展图案到分割的部分的方法。
图26A到26C示出了用于解释缝合的示意图。
更具体地说，缝合部件1605增加预定的图案e111和e121，从而当互补分割单元1604根据分割线BL对例如图26A中所示的图案e10执行互补分割时修理分割线BL的分割部分，结果是缝合部件1605产生如图26B所示的互补掩模e21中的图案e11和如图26C所示的互补掩模e22中的图案e12。
当在后面的步骤中使用高能量的曝光装置时，如果简单地加入预定的图案，可能将图案放大。因此，缝合部件1605增加比预定的图案小的图案从而抑制图案的增大。此时，使用例如在未审查的日本专利公开(Kokai)No.64-269532中所公开的技术。而且，当为了在后面步骤曝光而使用低能量的曝光装置时，几乎不存在图案的放大，所以缝合部件1605为修正增加精细的图案。
缝合部件1605在PUF分割时为断开的部分执行上述图案增加，并且在进行如上所述的互补分割时为断开的部分执行上述图案增加。
图27A到27C示出了用于解释缝合操作的示意图。
当互补分割产生对具有如图27A所示的互补图案e11和e12的互补掩模e1和具有如图27B所示的互补图案e21和e22的互补掩模e2的分割时，缝合部件1605增加图案e111、e121、和e221从而防止断开。当使用合成的互补掩模e1和e2来多次曝光时，可以例如图27C所示形成在其中图案e411与e421连接并且图案e412连接的转移图案e400。
COSMOS布局单元1606根据包括在参数152中的掩模形状的布局图数据(布局数据)，在漏印板掩模的每个部分中执行由PUF和互补分割单元1604以及缝合部件1605互补分割的图案数据的布局。
根据指示如何分派排列在例如图22和23所示的存储器部件15中的PUF的数据的布局数据，COSMOS布局单元1606在具有预定形状的漏印板掩模的预定部分中排列互补分割的图案。此时，COSMOS布局单元1606根据关于二互补、三互补、和四互补分割的数据以及关于相邻块的桁条位置的数据等，执行互补图案的布局。
而且，与根据专用于例如预定的掩模形状的布局处理流程来执行处理的情况相比较，即使在另一个掩模形状的情况下，本实施例的COSMOS布局单元1606还根据与掩模形状对应的布局图来执行布局，因此可以容易地处理另一个掩模形状而不改变布局处理的主流程。
在膜中排列PUF并且由COSMOS布局单元1606将PUF合并。结果是，可以用叶形图案或环形形状图案或因为互补分割功能的问题导致不能在漏印板掩模上形成的缺陷图案来形成相邻的PUF。
图案形状验证单元1607验证在膜上是否可以形成由COSMOS布局单元205排列的每个膜的互补图案。
图28示出了用于解释图案形状验证单元检测环形图案的过程的示意图。
如图28所示并在下面说明，图案形状验证单元1607检测例如环形图案的缺陷图案。
当例如用一划(stroke)绘制图案时，图案形状验证单元1607将具有被跟踪(trace)两次或多次的两个或多个顶点的图案定义为“缺陷图案”。
更具体地说，如图28所示，当使用顶点A作为起点和终点以一划来绘制图案51时，跟踪顶点如下。在顺序的跟踪顶点A、顶点B、....、和顶点E之后，将一个边加入到图案51的内周界并且跟踪顶点F。而且，在顺序地跟踪顶点G、顶点H、和顶点I之后，将在图案51的外周界上的顶点E重新返回。跟踪结束于顶点A。此时，被跟踪了多次的顶点的数量是三个顶点被跟踪两次的顶点A、被跟踪两次的顶点E、和被跟踪两次的顶点I(注意，只经过一次)。
如上所述，当完成绘制一个图案时，如果由一划来绘制图案时有两个或多个顶点计数为被跟踪两次或多次的顶点，则图案形状验证单元1607检测这个图案作为缺陷图案。
即，当上面环形形状的图案时，如果用一划来绘制这个，产生通过将在环形形状的中心处的孤岛部分a与包围其周边的部分(顶点E-顶点I)连接而绘制的边。在这个边的两端形成的顶点的每一个将被跟踪两次。
图29到图31示出了用于解释图案形状验证单元检测叶形图案的过程的示意图。
下面说明图案形状验证单元1607检测例如图29到31所示的叶形图案。
图案形状验证单元1607将具有带有大于或等于预定值的(内角-180°)的值的顶点的图案以及带有具有连续提供的超过180°的内角的顶点和带有大于或等于预定值的这些连续的顶点处的(内角-180°)之和的图案判断为缺陷图案。
更具体地说，例如图29中所示的图案52，以顶点A、顶点B、....和顶点F顺序来检测顶点的内角θ。此时，根据检测的内角，当图案具有大于或等于预定值θs的(内角θ-180°)的值的顶点时，将曝光图案抽出作为缺陷图案。例如，将预定值θs设置在90°。
由此，例如在图29中所示的曝光图案52中，当形成叶子状区域b的顶点C的内角θ是270°时，这个顶点C的(内角θ-180°)是90°并且图案满足预定值θs＝90°或更大的条件，所以图案形状验证单元1607将这个图案检测作为缺陷图案。
以相同的方式，在例如图30所示的图案中，当形成叶子状区域b的顶点D的内角θ是270°时，如果以顶点A、顶点B、....、和顶点H顺序来检测内角，在顶点C和顶点D处(内角θ-180°)变为90°，所以图案形状验证单元1607将这种图案检测作为缺陷图案。
而且，如下所述，该单元根据图案的内角同时抽取缺陷图案。
首先，当沿着图案顺序检测内角θ并且所检测的内角θ超过180°时，该单元计算在那个顶点处的(内角θ-180°)的值，则当连续排列的随后的顶点的内角超过180°时，它计算在这个顶点的(内角θ-180°)的值并且将其加入到在之前顶点的(内角θ-180°)的值中。在另一方面，当随后顶点的内角θ不超过180°时，它取消这个累加的值并且将其返回到0。然后，它抽取带有大于或等于预定值θss的累加值的图案作为缺陷图案。这里，将预定值θss设置为例如90°。
例如，在图30所示的图案53中，当形成叶子状区域b的顶点D和顶点C的内角θ是270°时，如果从顶点A顺序检测内角θ，由于顶点C的内角是180°或更大，该单元为这个顶点C计算(内角θ-180°)。然后，由于顶点D的内角θ也是180°或更大，所以它为顶点D计算(内角θ-180°)＝90°并且将此加入到之前顶点C处的(内角θ-180°)的值。累加结果90°+90°＝180°≥预定值(90°)，因此该单元将这个图案检测为缺陷图案。
以相同的方式，在图31中所示的图案54中，当在包围叶子状区域b的图案54中顶点C到顶点J的内角θ是225°时，如果从顶点A顺序检测内角θ，首先，在顶点C，(内角θ-180°)变为等于45°，并且在顶点D继续这样，(内角θ-180°)变为等于45°，所以该单元将这些加起来。结果是45°+45°＝90°≥预定值θss(90°)，因此该单元将这个图案54检测为缺陷图案。
注意即使将预定值θss设置在例如θss＝100°时，将在随后顶点E的(内角θ-180°)＝45°相加并且产生45°+90°＝135°≥预定值θss(100°)，因此该单元将这个图案检测为缺陷图案。
而且，通过调整θs和θss的设置，可以调整由图案形状验证单元1607检测的叶子状区域b的投影的程度。
而且，图案形状验证单元1607将具有例如比预定长度长的形状的图案检测为缺陷图案。这是因为当在漏印板掩模中形成图案作为实际图案时，具有长形状的图案易于在中心区域的纵向导致变形。
由如上所述的图案形状验证单元1607检测的缺陷图案经历例如由互补分割单元1604重新进行的互补分割。
图32示出了用于解释由于在漏印板掩模中形成的孔而引起的变形的示意图。
例如，如在图32中简要示出的，其中在膜c3上形成根据图案的孔h1，根据该孔发生图案位移。这是因为恒定的内部应力在膜c3中作用，并且在膜c3中通过形成孔h1改变了内部应力。没有方法来防止这种图案位移。
根据设计数据151和参数152，膜内修正单元1608计算当根据由图案形状验证单元1607验证的互补图案在膜c3中形成孔h1时发生的位移量，并且为互补漏印板掩模数据执行修正处理，从而获得期望的图案作为根据计算结果的位移的结果。
更具体地说，由于桁条c4将膜c3固定并且在膜c3中的图案对桁条c4只有轻微的影响，所以膜内修正单元1608将桁条c4当作刚体并且在膜c3的单元中执行分析。根据互补图案s形成具有孔h1的膜c3，因此膜内修正单元1608为每个膜分析位移。
膜内修正单元1608通过例如有限元方法或微分方法来执行膜中的位移分析。此时，由于在膜中有非常多的孔(图案)h1，需要长时间的分析。本实施例的膜内修正单元1608通过位移高速分析来分析在膜中的位移。位移高速分析处理计算例如在膜中形成的、仅仅具有比预定尺寸大的尺寸的孔的位移量，并且根据计算的结果将孔的形状和位置修正到期望的状态。
当通过例如有限元方法执行平面应力分析时，膜内修正单元1608将用于分析的物体分割为例如图32所示的简单元素以分析的物体的形状的应力。此时它根据互补图案将除孔以外的掩模表面划分为一组例如三角形的简单元素。作为分割的元素，还可以将表面划分为正方形元素或复杂元素，将分析节点送给除三角形元素之外的每个元素边。在三角形元素的情况下，膜内修正单元1608根据每个元素的三角形的每个顶点处的应力分析来发现位移量。
例如，图32中所示的孔h1是边为10μm的方孔，而孔h2是具有100nm边的正方形。
在根据有限元方法的应力分析中，在期望有大的应力变化(应力容易集中)的部分或可以理想地进行精确分析的部分将一个元素分割为更精细的元素，例如，在图32中，在具有比预定尺寸大的尺寸的孔h1的外围部分。
此时，将具有比预定尺寸小的尺寸的孔h2的外围部分分割为普通的元素。这是因为即使由于认为形状的变化量在允许范围之内而没有过多修正比预定尺寸小的孔h2时，还曝光了所期望的图案。由此，可以高速执行有限元方法。
而且，由用于半导体器件的漏印板掩模所允许的尺寸精度和与根据漏印板掩模的厚度和材料而发现的应力相关的图案的变化程度之间的关系来确定预定尺寸。
图33A示出了具有曲线轮廓的孔(图案)作为通过应力分析的结果的修正处理的结果的示意图。图33B示出了作为修正处理结果对阶梯形状进行修正而获得的图案的示意图。
膜内修正单元1608计算上面的位移量并且根据计算结果产生修正量。这个修正量是指示将每个节点独立地修正到何种程度的值。当通过原样使用这个值来执行修正时，孔h1变成具有例如图33A所示的曲线形状的轮廓的曲线。包括这样曲线的图案的大量产生将增加对掩模数据处理和掩模准备过程的负担。
为此，膜内修正单元1608从对掩模准备所允许的精度中发现在修正处理中所允许的精度，使用那个值作为标准来发现修正使用的允许的间距，对变成带有允许间距的曲线的部分将孔h1修正为例如图33B所示的阶梯形状，并且求解曲线从而产生只包括垂直和水平线的孔h1。
由此，对于数据处理和掩模准备都减小了由于曲线而产生的过度负担。
图34示出了膜内修正单元的修正处理的具体例子的示意图。
而且，膜内修正单元1608根据在膜中的孔图案的区域来计算开口图案区域密度(开口区域密度)，并且根据图案区域密度来设置虚拟膜的厚度。
例如，更具体地说，如图34所示，虚拟地，该单元将膜设置为比预定的厚度越薄则在图案区域密度中的元素越大。在本实施例中，例如孔(图案)h1的外围部分具有图案区域密度为预定厚度的55％，在孔(图案)h2的外围部分具有图案区域密度为预定厚度的93％，并且不具备孔(图案)的其他外围部分具有图案区域密度为预定厚度的99％。
然后，通过不包括孔并且具有虚拟厚度的每个元素的伪弹性矩阵，该单元对包括孔(图案)和具有预定厚度的每个元素的弹性矩阵进行近似，通过有限元方法对其分析，并且根据结果来修正孔(图案)的位置和形状。这里，弹性矩阵是指示应力和变形之间的关系的量，而伪弹性矩阵是根据不包括孔(图案)的图案区域密度给出虚拟厚度时的弹性矩阵。
掩模配置单元1609根据由膜内修正单元1608修正的数据和参数152，在膜中执行一个芯片的值得修正，并且根据掩模构造来布局修正的芯片。对于在膜中的位移，在掩模上的所有位置获得相同的结果直到在膜中的图案相同。此时，为了作为整体来形成COSMOS掩模，还提供对准图案和其他外围图案。
对于布局错误的验证，或者如果根据由掩模配置单元1609产生的掩模构造将构造的COSMOS掩模曝光四次时获得希望的设计数据，曝光验证单元1610执行处理。
更具体地说，曝光验证单元1610对获得的四互补数据执行按照验证方法的图形处理AND，并且验证原始设计数据151的布局和桁条数据的排列的数据是否吻合。通过执行这种验证，可以保证曝光精度。
图35A示出了在准备掩模时的漏印板掩模的剖视示意图，而图35B示出了在使用掩模时的漏印板掩模的剖视示意图。图36A到36B示出了用于解释变形修正的示意图。
在准备掩模的时候，更具体地说，在绘制掩模的时候，当在掩模上刻蚀图案时，如图35A所示，形成膜c3以位于桁条c4之上。在使用掩模的时候，更具体地说在例如电子束曝光的时候，如图35B所示，反转前/后来使用掩模从而膜c3位于桁条c4之下。
为此，由于重力，掩模的中间部分向下弯曲，从而在制造如图36A所示的掩模时面对膜c3的桁条边表面的表面下沉，而掩模的中心部分向下方弯曲，从而由于在使用如图36B所示的掩模的时候的前/后反转导致膜c3的桁条边表面下沉。因此，根据包括在数据参数152中的、指示掩模机械特性的数据和由曝光验证单元1610验证的互补图案数据，掩模反转修正单元1611执行处理用于修正由于弯曲的变化导致的变形。
更具体地说，由于这种掩模反转导致的变形不依赖于在膜中的图案，因此根据作为分析由于掩模结构导致的变形量的结果或试验的结果所准备的变形情况数据，将位移量施加于在每个膜中的图案。当在制造掩模和使用掩模时没有前/后反转的时候，不需要执行这种处理。
修正结果验证单元1612验证处理结果是否变成作为由掩模反转修正单元1611根据设计数据151和参数152进行的掩模反转修正的结果的正确图案。通过仿真来分析修正量，因此非常清楚即使使用相同的仿真结果也变得相同。
根据本实施例的修正结果验证单元1612通过使用与在验证的掩模反转修正处理中使用的算法不同的算法来仿真变形修正。由此，具有高可靠性的验证成为可能。
更具体地说，修正结果验证单元1612根据在掩模变形和膜变形条件下的仿真结果将修正的设计数据与原始设计数据151进行比较，并且判断差异是否在精度的范围之内。当其在精度范围之内时，修正结果验证单元1612将由上面系列的处理产生的修正的漏印板掩模数据输出到数据转换单元1613。
数据转换单元1613产生用于使得例如图1所示的掩模准备设备4准备膜的绘制膜数据d16131，并且数据转换单元1613产生用于使得掩模准备设备4根据用于产生膜的、从膜形状设计单元1602输出的数据和从修正结果验证单元1612输出的修正的漏印板掩模数据和参数152来准备图案的绘制图案数据d16132，并且将其输出。此时，绘制图案数据d16132包括掩模对准标记d16011。
更具体地说，数据转换单元1613产生绘制膜数据d16131用于使得掩模准备设备4在例如掩模准备处理设备3的控制下在来自硅晶片膜上绘制(在膜中挖)，并且产生用于在膜c3中绘制互补分割的图案的绘制图案数据d16132。经由例如I/F 13和通信网络NET 7，CPU 16将产生的绘制膜数据d16131和绘制图案数据d16132输出到掩模准备处理设备3。
图37示出了图1所示的掩模处理系统100的操作的流程图。将参照图37来说明掩模处理系统100的操作。
在步骤ST1，例如，设计处理设备2产生期望的半导体集成电路的设计数据151并且将其经由通信网络NET 7输出到掩模处理装置1。
在步骤ST2，根据指示漏印板掩模的特征的掩模特征数据(其包括从设计处理设备2输出的设计数据151、用于掩模准备设备4的设备特性图案、用于曝光装置6的设备特性参数等)，掩模处理装置1产生互补漏印板掩模数据，更具体地说是绘制膜数据d16131和绘制图案数据d16132，并且将其经由网络NET 7输出到掩模准备处理设备3。
在步骤ST3，掩模准备处理设备3根据绘制膜数据d16131和绘制图案数据d16132来控制掩模准备设备4，并且使得其实际产生例如如图7所示的互补漏印板掩模c1。此时，在互补漏印板掩模中也形成掩模对准标记。
在步骤ST4中，曝光处理设备5控制曝光装置6，根据掩模对准标记和晶片对准标记使用产生的互补漏印板掩模c1来执行对准，并且根据期望的设计数据通过电子束的多次曝光将电路图案曝光到硅晶片之上。之后，执行刻蚀等，在硅晶片上根据期望的设计图案形成电路图案，切割晶片，并且封装器件等，从而产生的期望的半导体器件。
图38示出了用于解释图1所示的掩模处理装置的操作的流程图。参照图38将简要说明掩模处理装置的操作。
在步骤ST21，在掩模处理装置1中，例如对准标记产生单元1601根据设计数据151和参数152来产生对准标记等。
在步骤ST22，掩模处理装置1根据产生的对准数据、设计数据151、和参数152执行如上所述的内部数据处理，并且产生互补掩模图案数据，更具体地说是绘制膜数据d16131和绘制图案数据d16132。
图39示出了用于解释图1所示的掩模处理装置的操作的流程图。将参照图39着重于CPU 16的操作来简单说明掩模处理装置1的操作。
在步骤ST701，膜形状设计单元1602根据在上面所述的步骤ST21中由对准标记产生单元1601产生的对准标记d1601、设计数据151、和参数152来产生用于产生膜的数据，并且将其输出到数据转换单元1613。
在步骤ST202，PUF和边界处理单元1603根据设计数据151、参数152和对准标记d1601来执行PUF分割处理和边界处理。此时，如上所述，设计数据151经历PUF的边界处理并且被分解为多个PUF。
互补分割单元1604根据由PUF和边界处理单元1603进行PUF分解的设计数据151、和参数152来执行互补分割处理(ST203)，缝合部件1605执行预定的处理用于将图案加入到PUF分割处理的切割部分和互补分割处理的切割部分(ST204)，而且COSMOS布局单元1606根据包括在参数152之内的掩模形状的布局图数据(布局数据)在漏印板掩模c1的部分中排列互补分割的图案数据(ST205)。
在步骤ST206，图案形状验证单元1607验证是否在膜c1上可以为由COSMOS布局205排列的每个膜来形成互补图案。根据设计数据151和参数152，膜内修正单元1608计算根据由图案形状验证单元1607验证的互补图案在膜c3中形成孔时发生的位移量，并且修正互补漏印板掩模数据从而获得期望的图案作为根据计算结果的位移结果(ST207)。
在步骤ST208，掩模配置单元1609根据由膜内修正单元1608修正的数据和参数152来在一个芯片的膜内执行修正，并且根据掩模构造来排列修正的芯片。曝光验证单元1610验证布局错误，并且验证根据上面掩模配置单元1609所产生的掩模构成将构成的COSMOS掩模曝光四次时是否获得需要的设计数据(ST209)。
在步骤ST210，根据包括在数据参数152中指示掩模的机械特性的数据、和由曝光验证单元160验证的互补图案数据，掩模反转修正单元1611对由于弯曲的变化导致的变形执行修正处理。根据设计数据151和参数152，修正结果验证单元1612验证该处理结果是否给出正确的图案作为掩模反转修正单元1611进行掩模反转修正处理的结果(ST211)。
在步骤ST212，数据转换单元1613产生例如用于使得图1中所示的掩模准备设备4准备膜的绘制膜数据d16131、和用于使得掩模准备设备4根据从掩模形状设计单元1602输出的用于产生膜的数据、由修正结果验证单元1612输出的修正漏印板掩模数据、以及参数152来准备图案的绘制图案数据d16132。
如上所述，通过执行掩模数据处理例程，可以根据设计数据151和指示掩模特性的掩模特性数据152，非常可靠地轻松产生期望的互补漏印板掩模。
而且，使用的方法非常简单，并且通过自动地执行所有的处理可以防止人为错误。
而且，通过用固定的例程来执行PUF分割和布局处理，可以处理大规模芯片。
而且，根据布局数据可以容易地产生四次曝光类型的互补掩模。
注意本发明并不限于本实施例。可以有各种优选的修改。
例如，根据本实施例的处理例程并不限于上述顺序。例如，以产生最佳结果的顺序来执行预定的验证处理和修正处理。
根据本发明，可以提供掩模处理装置、掩模处理方法、程序和掩模，其允许容易地准备在充电离子束曝光装置中使用的掩模。
产业的可利用性本发明的掩模处理装置、掩模处理方法、程序和掩模可以用于对在例如半导体生产装置的光刻法工艺中使用的掩模进行处理。
权利要求
1.一种产生互补漏印板掩模数据的掩模处理装置，所述掩模处理装置包括互补分割装置，用于为每个预定的处理单元互补地分割设计数据从而根据设计数据和至少指示互补漏印板掩模特征的掩模特征数据来产生互补分割的图案；以及掩模数据产生装置，用于根据掩模特征数据和由互补分割装置所产生的互补分割的图案来产生互补漏印板掩模数据。
2.根据权利要求1所述的掩模处理装置，其中所述掩模特征数据包括在所述互补漏印板掩模中形成的桁条的桁条位置数据，所述互补分割装置根据所述设计数据和在所述掩模特征数据中的所述桁条位置数据产生所述互补分割图案，并且所述掩模数据产生装置根据在所述掩模特征数据中的所述桁条位置数据和由互补分割装置所产生的互补分割的图案来产生互补漏印板掩模数据。
3.根据权利要求1所述的掩模处理装置，其中所述掩模数据产生装置具有形状验证装置，该形状验证装置根据所述互补分割装置为每个所述预定处理单元产生的所述互补分割的图案来验证在所述互补漏印板掩模上是否已经产生了缺陷图案。
4.根据权利要求1所述的掩模处理装置，其中所述掩模数据产生装置具有修正装置，该修正装置根据所述互补分割装置产生的所述互补分割图案和所述掩模特征数据、使用在所述互补漏印板掩模中的膜的内部应力对至少所述互补分割的图案执行位移修正处理并且根据所述位移修正处理的结果产生所述互补漏印板掩模数据。
5.根据权利要求1所述的掩模处理装置，其中所述掩模数据产生装置具有修正装置，该修正装置根据所述互补分割装置产生的所述互补分割图案和所述掩模特征数据、使用所述互补漏印板掩模的掩模成员的机械特性对至少所述互补分割的图案执行位移修正处理并且根据所述位移修正处理的结果产生所述互补漏印板掩模数据。
6.根据权利要求1所述的掩模处理装置，其中所述掩模数据产生装置具有反转修正装置，该反转修正装置根据所述互补分割装置产生的所述互补分割图案和所述掩模特征数据、使用所述互补漏印板掩模的前/后反转对至少所述互补分割的图案执行位移修正处理并且根据所述位移修正处理的结果产生所述互补漏印板掩模数据。
7.根据权利要求1所述的掩模处理装置，其中所述掩模数据产生装置具有曝光验证装置，该曝光验证装置根据所述互补分割装置产生的所述互补分割图案和所述掩模特征数据、通过多次曝光来验证所述互补分割的图案是否与在所述设计数据中的图案吻合并且根据所述验证结果产生所述互补漏印板掩模数据。
8.根据权利要求1所述的掩模处理装置还包括膜数据产生装置，该膜数据产生装置产生用于根据所述设计数据和所述掩模特征数据在所述互补漏印板掩模中绘制所述膜的形状的膜数据。
9.根据权利要求1所述的掩模处理装置，其中所述掩模特征数据包括与用于产生所述互补漏印板掩模的漏印板掩模产生设备特征相关的设备特征数据，并且所述装置还包括绘制数据产生装置，该绘制数据产生装置根据所述膜数据产生装置产生的所述膜数据、所述掩模图案数据产生装置产生的互补漏印板掩模数据、和所述设备特征数据，产生用于使得所述漏印板掩模产生设备在所述膜中绘制所述互补分割的图案的绘制图案数据、和用于使得所述漏印板掩模产生设备绘制所述膜的绘制膜数据。
10.根据权利要求1所述的掩模处理装置，其中所述装置包括对准数据产生装置，该对准数据产生装置根据所述设计数据和所述掩模特征数据为所述漏印板掩模至少产生对准数据，并且所述掩模数据产生装置产生包括由所述对准数据产生装置产生的所述对准数据的所述互补漏印板掩模数据。
11.一种用于产生互补漏印板掩模数据的掩模处理装置的掩模处理方法，所述掩模处理方法包括第一步骤，为每个预定的处理单元互补地分割设计数据，从而根据设计数据和至少指示互补漏印板掩模特征的掩模特征数据来产生互补分割的图案；和第二步骤，根据掩模特征数据和在第一步骤中产生的互补分割的图案来产生互补漏印板掩模数据。
12.根据权利要求11所述的掩模处理方法，其中所述掩模特征数据包括在所述互补漏印板掩模中形成的桁条的桁条位置数据，所述第一步骤根据所述设计数据和在所述掩模特征数据中的所述桁条位置数据来产生所述互补分割的图案，并且所述第二步骤根据由所述第一步骤产生的互补分割图案和在所述掩模特征数据中的所述桁条位置数据来产生互补漏印板掩模数据。
13.根据权利要求11所述的掩模处理方法，其中所述第二步骤具有验证步骤，该验证步骤根据所述第一步骤为每个所述预定处理单元产生的所述互补分割的图案来验证在所述互补漏印板掩模上是否已经产生了缺陷图案。
14.根据权利要求11所述的掩模处理方法，其中所述第二步骤具有步骤其根据所述第一步骤产生的所述互补分割图案和所述掩模特征数据、使用在所述互补漏印板掩模中的膜的内部应力对至少所述互补分割的图案执行位移修正处理并且根据所述位移修正处理的结果产生所述互补漏印板掩模数据。
15.根据权利要求11所述的掩模处理方法，其中所述第二步骤具有步骤其根据所述第一步骤产生的所述互补分割图案和所述掩模特征数据、使用所述互补漏印板掩模的掩模成员的机械特性对至少所述互补分割的图案执行位移修正处理并且根据所述位移修正处理的结果产生所述互补漏印板掩模数据。
16.根据权利要求11所述的掩模处理方法，其中所述第二步骤具有步骤其根据所述第一步骤产生的所述互补分割图案和所述掩模特征数据、使用所述互补漏印板掩模的前/后反转对所述互补分割的图案执行位移修正处理并且根据所述位移修正处理的结果产生所述互补漏印板掩模数据。
17.根据权利要求11所述的掩模处理方法，其中所述第二步骤具有步骤其根据所述第一步骤产生的所述互补分割图案和所述掩模特征数据、通过多次曝光来验证所述互补分割的图案是否与在所述设计数据中的图案吻合并且根据所述验证结果产生所述互补漏印板掩模数据。
18.根据权利要求11所述的掩模处理方法，其中所述掩模特征数据包括与用于产生所述互补漏印板掩模的漏印板掩模产生设备特征相关的设备特征数据，所述第一步骤包括产生膜数据的步骤，用于根据所述设计数据和所述掩模特征数据在所述互补漏印板掩模中绘制所述膜的形状，并且所述方法还包括在所述第二步骤之后的步骤，该步骤根据所述膜数据、所述互补漏印板掩模数据、和所述设备特征数据，产生用于使得所述漏印板掩模产生设备在所述膜中绘制所述互补分割的图案的绘制图案数据、和用于使得所述漏印板掩模产生设备绘制所述膜的绘制膜数据。
19.根据权利要求11所述的掩模处理方法，其中所述第一步骤包括根据所述设计数据和所述掩模特征数据为所述漏印板掩模至少产生对准数据的步骤，并且所述第二步骤产生包括所述对准数据的所述互补漏印板掩模数据。
20.一种用于产生互补漏印板掩模数据的掩模处理装置的掩模处理方法，所述掩模处理方法包括第一步骤，为每个预定的处理单元互补地分割设计数据，从而根据设计数据和掩模特征数据来产生互补分割的图案，所述掩模特征数据至少包括桁条的桁条位置数据和关于用于产生互补漏印板掩模的漏印板掩模产生装置特征的、并且指示互补漏印板掩模特征的设备特性数据、；第二步骤，根据设计数据和掩模特征数据在互补漏印板掩模中产生用于绘制膜的形状的膜数据；第三步骤，根据掩模特征数据和由第一步骤为每个预定处理单元产生的互补分割图案，在漏印板掩模的预定位置排列互补分割的图案；第四步骤，根据在第三步骤中排列的互补分割图案，验证是否在互补漏印板掩模上已经产生了缺陷图案；第五步骤，使用在互补漏印板掩模中的膜的内部应力，对互补分割的图案执行位移修正处理；第六步骤，使用互补漏印板掩模的掩模成员的机械特性，对互补分割的图案执行位移修正处理；第七步骤，通过多次曝光验证互补分割的图案是否与在设计数据中的图案吻合；第八步骤，使用互补漏印板掩模的前/后反转对互补分割的图案执行位移修正处理以产生互补漏印板掩模数据；第九步骤，根据设计数据和由第八步骤产生的互补漏印板掩模数据，验证是否互补分割的图案与在设计数据中的图案吻合；和第十步骤，为使得漏印板掩模产生设备根据膜数据、互补漏印板掩模数据、和设备特性数据在膜中绘制互补分割的图案和绘制膜而产生绘制膜数据。
21.一种信息处理装置执行的程序，该程序包括第一例程，为每个预定的处理单元互补地分割设计数据从而根据设计数据和至少指示互补漏印板掩模特征的掩模特征数据来产生互补分割的图案；和第二例程，根据掩模特征数据和在第一例程中产生的互补分割的图案来产生互补漏印板掩模数据。
22.根据权利要求21所述的程序，其中所述掩模特征数据包括在所述互补漏印板掩模中形成的桁条的桁条位置数据，所述第一例程根据所述设计数据和在所述掩模特征数据中的所述桁条位置数据来产生所述互补分割的图案，并且所述第二例程根据由所述第一例程产生的互补分割图案和在所述掩模特征数据中的所述桁条位置数据来产生互补漏印板掩模数据。
23.根据权利要求21所述的程序，其中所述第二例程具有验证例程，该验证例程根据所述第一例程为每个所述预定处理单元产生的所述互补分割的图案来验证在所述互补漏印板掩模上是否已经产生了缺陷图案。
24.根据权利要求21所述的程序，其中所述第二例程具有一例程，其根据所述第一例程产生的所述互补分割图案和所述掩模特征数据、使用在所述互补漏印板掩模中的膜的内部应力对至少所述互补分割的图案执行位移修正处理并且根据所述位移修正处理的结果产生所述互补漏印板掩模数据。
25.根据权利要求21所述的程序，其中所述第二例程具有一例程，其根据所述第一例程产生的所述互补分割图案和所述掩模特征数据、使用所述互补漏印板掩模的掩模成员的机械特性对至少所述互补分割的图案执行位移修正处理并且根据所述位移修正处理的结果产生所述互补漏印板掩模数据。
26.根据权利要求21所述的程序，其中所述第二例程具有一例程，其根据所述第一例程产生的所述互补分割图案和所述掩模特征数据、使用所述互补漏印板掩模的前/后反转对所述互补分割的图案执行位移修正处理并且根据所述位移修正处理的结果产生所述互补漏印板掩模数据。
27.根据权利要求21所述的程序，其中所述第二例程具有一例程，其根据所述第一例程产生的所述互补分割图案和所述掩模特征数据、通过多次曝光来验证所述互补分割的图案是否与在所述设计数据中的图案吻合并且根据所述验证结果产生所述互补漏印板掩模数据。
28.根据权利要求21所述的程序，其中所述掩模特征数据包括与用于产生所述互补漏印板掩模的漏印板掩模产生设备特征相关的设备特征数据，所述第一例程包括产生膜数据的例程，所述膜数据用于根据所述设计数据和所述掩模特征数据在所述互补漏印板掩模中绘制所述膜的形状，并且所述程序还包括在所述第二例程之后的一例程，该例程根据所述膜数据、所述互补漏印板掩模数据、和所述设备特征数据，产生用于使得所述漏印板掩模产生设备在所述膜中绘制所述互补分割的图案的绘制图案数据、以及用于使得所述漏印板掩模产生设备绘制所述膜的绘制膜数据。
29.根据权利要求21所述的程序，其中所述第一例程包括根据所述设计数据和所述掩模特征数据为所述漏印板掩模至少产生对准数据的例程，并且所述第二例程产生包括所述对准数据的所述互补漏印板掩模数据。
30.一种由信息处理装置执行的程序，该程序包括第一例程，为每个预定的处理单元互补地分割设计数据，从而根据设计数据和掩模特征数据来产生互补分割的图案，所述掩模特征数据至少包括桁条的桁条位置数据和关于用于产生互补漏印板掩模的漏印板掩模产生装置特征的、并且指示互补漏印板掩模特征的设备特性数据；第二例程，根据设计数据和掩模特征数据在互补漏印板掩模中产生用于绘制膜的形状的膜数据；第三例程，根据掩模特征数据和由第一例程为每个预定处理单元产生的互补分割图案，在漏印板掩模的预定位置排列互补分割的图案；第四例程，根据在第三例程中排列的互补分割图案，验证是否在互补漏印板掩模上产生了缺陷图案；第五例程，使用在互补漏印板掩模中的膜的内部应力，对互补分割的图案执行位移修正处理；第六例程，使用互补漏印板掩模的掩模成员的机械特性，对互补分割的图案执行位移修正处理；第七例程，通过多次曝光验证互补分割的图案是否与在设计数据中的图案吻合；第八例程，使用互补漏印板掩模的前/后反转对互补分割的图案执行位移修正处理以产生互补漏印板掩模数据；第九例程，根据设计数据和由第八例程产生的互补漏印板掩模数据，验证是否互补分割的图案与在设计数据中的图案吻合；和第十步骤，为使得漏印板掩模产生设备根据膜数据、互补漏印板掩模数据、和设备特性数据绘制膜和在膜中绘制互补分割的图案而产生绘制膜数据。
31.根据由权利要求1到8中任何一项权利要求所述的掩模处理装置产生的互补漏印板掩模数据而产生的一种掩模。
32.根据由权利要求9中所述的掩模处理装置产生的绘制膜数据和绘制图案数据、由漏印板掩模产生设备产生的一种掩模。
全文摘要
根据设计数据(151)和至少显示互补漏印板掩模的特征的掩模特征数据(152)产生对准标记，设计膜形状，执行PUF分割和边界处理，产生互补分割，产生连接，执行互补图案安排处理，验证图案形状，进行膜内修正，产生掩模配置，进行曝光验证，执行掩模反转/修正，验证修正的结果，并且执行数据转换处理从而产生绘制的膜数据和绘制的图案数据。
文档编号G03F1/20GK1748288SQ20048000376
公开日2006年3月15日 申请日期2004年2月4日 优先权日2003年2月6日
发明者芦田勋, 中山幸一 申请人:索尼株式会社