专利名称：晶片烘烤装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种晶片烘烤装置。
背景技术：
通常，晶片烘烤装置用于挥发涂覆在晶片上的光刻胶的溶剂。
半导体制造主要分为净化、热处理、杂质注入、薄膜成形、光刻和平面工艺。具体地讲，光刻工艺包含许多步骤曝光图案、显影、蚀刻和光刻胶去除。对于曝光图案，掩模基板或标线上希望得到的图案以缩小比率投射在晶片的表面上。事实上，这个工艺是所有工艺中的重要技术并且需要最贵的装备实现。一旦图案形成了，利用作为掩模的光刻胶图案执行蚀刻工艺。
涂覆用于在晶片上形成图案的光刻胶之前，应该干燥晶片的表面。为了从晶片的表面去除水分(水蒸气)，通常在预定的温度加热晶片。图1是用于在预定温度加热晶片的相关领域晶片烘烤装置的示意图。
如图1所示，晶片烘烤装置包括处理室1、热板2和用于将晶片W移动到烘烤位置和卸载位置的晶片提升单元3。晶片W放置在设置在热板2上的多个接近位置(proximity)4上。处理室1具有盖子5，晶片提升单元3具有提升钉(1ift pin)3a以插入到形成在热板2中的多个通孔2a中。
在晶片烘烤装置中，晶片W通常由自动装置(未示出)提升到从热板2向上凸出的提起钉3a上。然后，由于晶片提升单元3下降，晶片W被置于烘烤位置上，即，在热板2的接近位置4上，以烘烤晶片W(请参考图2)。
当烘烤完成时，依靠通过晶片提升单元3上升的提升钉3a晶片W被移动到卸载位置，如图3所示。然后自动装置(未示出)将晶片W从卸载位置卸载。
然而，相关领域的晶片烘烤装置有缺点。例如，当晶片尺寸增加且热板2和晶片W之间的分离距离(或者间隙)保持在小于100μm时，来自外部的阻力负面地影响晶片提升单元3的传送性能。结果，晶片W不能正确地携载并经常被损坏。
如图2所示，由于热板2和晶片W之间的空气阻力，有时晶片W不能被正确地放置在烘烤位置。同样，如图3所示，当已烘烤过的晶片W被移动到卸载位置时，由于晶片W上方的空气阻力，晶片W可被扭曲。
发明内容
因此，本发明的一方面是提供一种能够防止由周围的空气阻力导致的晶片的位置移位和变化的晶片烘烤装置，其可以通过晶片周围的空气流动的调节来实现。
为了达到上面的方面和优点，提供了一种晶片烘烤装置，包括处理室；热板，安装在处理室内并具有形成在预定位置的多个竖直的通孔；晶片提升单元，用于将晶片移动到邻近热板的烘烤位置和与热板分开的卸载位置；空气流动控制单元诱导气流以降低当晶片通过晶片提升单元的操作上升/下降时的晶片周围的空气阻力。
空气流动控制单元包括至少一个缸，具有预定体积并在竖直方向上穿过热板的预定位置；活塞，在竖直方向上沿着缸移动，用于控制热板和晶片之间的空气流动。
活塞可在竖直方向上与晶片提升单元的操作联锁移动。
活塞也可连接到晶片提升单元成为一体。
同样，活塞的最高上升位置和最低下降位置可位于缸中。
根据本发明的示例性实施例，处理室包括可打开的盖子。
晶片烘烤位置与热板分开70-100μm，热板包括用于保持分开距离70-100μm的多个接近位置。
另外，晶片提升单元包括竖直可移动地排列在形成在热板中的通孔中的提升钉。
在本发明中，气压缸结构的空气流动控制单元与晶片提升单元联锁运行并且诱导晶片和热板之间的空气流动。因此，晶片可准确地放置在烘烤位置，并且当晶片被提升到卸载位置时，晶片具有小的变形和扭曲。
通过参考附图来描述本发明的特定示例性实施例，本发明的以上方面和特点将变得更加清楚，其中图1是相关领域晶片烘烤装置的示意图；
图2示出在图1中的晶片烘烤装置中使用的晶片位于烘烤位置的情况；图3示出图2中的已烘烤过的晶片被移动到卸载位置的情况；图4是根据本发明的一个实施例的晶片烘烤装置的示意图；图5示出在图4中的晶片烘烤装置中使用的晶片位于烘烤位置的情况；图6示出图5中的已烘烤过的晶片被移动到卸载位置的情况；图7示出在根据本发明另一个实施例的晶片烘烤装置中使用的晶片位于烘烤位置的情况；图8示出图7中的已烘烤过的晶片被移动到卸载位置的情况。
具体实施例方式
下面，将参照附图描述本发明的示例性实施例。
图4是示出根据本发明的晶片烘烤装置的示意图。
如图4所示，晶片烘烤装置包括处理室10、热板20、晶片提升单元30和空气流动控制单元100。
处理室10包括可打开的盖子11，并产生用于烘烤工艺的气氛，即，处理室10紧闭以防止向外散发热量。
热板20安装在处理室10内，多个竖直的通孔22形成在热板的预定位置。多个热介质形成在热板20中，为了确保晶片W准确地放置在烘烤位置，多个接近位置23置于热板20的上表面21上。烘烤位置与热板20分开70-100μm。
晶片提升单元30将晶片W移动到邻近热板20的烘烤位置，然后将晶片W移动到与热板20分开的卸载位置，晶片30包括插入通孔22的提升钉31。
每个空气流动控制单元100包括缸110和活塞120。
每个具有预定体积的缸110穿过热板20上的预定位置。根据本发明的示例性实施例，缸110位于更靠近热板20的中心(即，内部)的位置，通过预定的距离分隔开。
活塞120在竖直方向上沿着缸110移动，并控制热板20和晶片W之间的空气流动。活塞120与晶片提升单元30在竖直方向上联锁地运行。活塞120可连接到晶片提升单元30，如图5和图6示出，或者活塞120可与晶片提升单元30分开形成，如图7和图8示出。
优选地，活塞120的最高上升位置和最低下降位置位于缸110中。换句话说，活塞120的最高上升位置不应该超过热板20的上表面，活塞120的最低下降位置不应该低于热板20的下表面。
下面的描述将参照图4到8解释晶片烘烤装置的操作。
当生产晶片W时，需要在高温下加热晶片W以确保来自生产工艺的仍可能存留在晶片上的水分(水蒸汽)可被完全去除。最后，自动装置(未示出)拿起晶片W并将晶片W运送到盖子(图4的11)打开的处理室10中。
如图5所示，由自动装置传送的晶片W位于处理室10中，更具体地讲，位于从热板20凸出预定高度的提升钉31上。然后，提升钉31上的晶片W沿着提升钉31下降直到晶片W被准确地放置在位于热板20的上表面21上的接近位置23上。当晶片W下降时，晶片W和热板20之间的空气被排出。这里，所述空气实际上通过缸110内下降的活塞120被吸进缸110中。因此，当晶片W被移动到烘烤位置时，没有空气阻力施加到晶片W上，由此，不发生晶片的放置错误。
因为空气通过下降的活塞120被吸入到缸110中，所以晶片W和热板20之间的气压低于晶片W上方的气压，从而晶片W上面的空气向下压晶片W。在晶片W下降期间，由于晶片W接近地粘附到提升钉31上，所以晶片可被准确地放置在相应的接近位置23上的指定烘烤位置上。
当晶片烘烤结束时，提升钉31上升，如图6所示，晶片W被提升到卸载位置。此时，活塞120与一起上升的晶片提升单元30联锁运行。然后，缸110内的空气通过活塞120排气并向上压晶片W的中心部分。
在晶片通过提升钉31上升期间，对晶片W的中心部分施加的压力对应于晶片W上方的空气阻力。因此，可防止由空气阻力引起的晶片W的变形。
图7和图8示出了本发明的另一个实施例，该实施例示出了可与晶片提升单元30分开提升的活塞120。操作原理和其作用与前面相同。
如上所述，气压缸结构的空气流动控制单元与晶片提升单元联锁运行，并诱导晶片和热板之间的气流。从而，晶片可更准确地放置在烘烤位置上，并且当晶片被移动到卸载位置时，晶片的变形或扭曲更小。
总之，因为根据本发明的晶片烘烤装置大大降低了晶片中的工艺错误和破坏的可能性，所以可提高晶片的产量。
前述的实施例和优点仅仅是示例性的并不作为限制本发明的解释。本发明所述内容可容易地应用到其它类型的装置。同样，本发明实施例的描述为解释性的，不限制权利要求的范围，一些替换物、修改和变型对本领域的技术人员是清楚的。
本申请要求2004年8月20日提交的韩国专利申请第2004-65875号的权益，完整地包含于此，以兹参考。
权利要求
1.一种晶片烘烤装置，包括处理室；热板，安装在所述处理室内并具有形成在预定位置的多个竖直的通孔；晶片提升单元，其将晶片移动到邻近所述热板的烘烤位置和与热板分开的卸载位置；空气流动控制单元，当所述晶片通过所述晶片提升单元的操作上升/下降时其诱导气流以降低所述晶片周围的空气阻力。
2.如权利要求1所述的装置，其中，所述空气流动控制单元包括至少一个缸，具有预定的体积并且在竖直方向上穿过所述热板的预定位置；活塞，在竖直方向沿着所述缸移动，用于控制所述热板和所述晶片之间的空气流动。
3.如权利要求2所述的装置，其中，所述活塞在竖直方向上与所述晶片提升单元的运行联锁移动。
4.如权利要求3所述的装置，其中，所述活塞连接到所述晶片提升单元成为一体。
5.如权利要求3所述的装置，其中，所述活塞的最高上升位置和最低下降位置位于所述缸中。
6.如权利要求1所述的装置，其中，所述处理室包含可打开的盖子。
7.如权利要求1所述的装置，其中，所述晶片烘烤位置与所述热板分开70-100μm，所述热板包括用于保持分开距离70-100μm的多个接近位置。
8.如权利要求1所述的装置，其中，所述晶片提升单元包含竖直可移动地排列在形成在热板上的通孔中的多个提升钉。
全文摘要
本发明公开了一种晶片烘烤装置，包括气压缸结构的空气流动控制单元，与晶片提升单元联锁运行并诱导晶片和热板间的空气流动。因此，当晶片位于烘烤位置时，晶片和热板之间的空气下降。结果，晶片不再受空气阻力的影响，可更准确地放置在烘烤位置。另外，当已烘烤过的晶片被提升到卸载位置时，热板和晶片之间的空气上升，从而依次支撑晶片并防止晶片的变形。
文档编号G03F7/26GK1737693SQ20051009094
公开日2006年2月22日 申请日期2005年8月22日 优先权日2004年8月20日
发明者李瞳雨, 李晋成, 林钟吉, 李邦元, 朴泰相, 金兑圭 申请人:三星电子株式会社