涂敷、显影装置及其方法以及存储介质的制作方法

专利名称：涂敷、显影装置及其方法以及存储介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种例如对半导体晶片或LCD基板(液晶显示器用玻 璃基板)等基板进行抗蚀剂液的涂敷处理、曝光后的显影处理等的涂 敷、显影装置及其方法以及存储用来实施涂敷、显影方法的程序的存 储介质。
背景技术：
在半导体器件或LCD基板的制造工艺中，利用被称作光刻的技术 对基板实施形成抗蚀剂图形的处理。该技术通过一系列的工序而实施， 例如在半导体晶片(以下称晶片)等基板上涂敷抗蚀剂液而在该晶片 的表面形成液膜，使用光致掩膜使该抗蚀剂膜曝光之后，进行显影处 理从而得到预期的图形。这种处理一般是使用在进行抗蚀剂液的涂敷和显影的涂敷、显影 装置中连接曝光装置的抗蚀剂图形形成装置而进行的。此处，作为上 述抗蚀剂图形形成装置己经提出一种例如专利文献1中所述的装置。 在该装置中，如图15所示，收纳了多枚晶片W的载体(career) 10被 搬入载体块1A的载体台11，载体10内的晶片被交接臂12交给处理 块1B。接着，在处理块1B内按照第一调温单元一防反射膜形成单元 —第一加热单元的路线被搬送，并在晶片W表面形成防反射膜。接着，晶片W按照第二调温单元一涂敷单元一第二加热单元一冷 却单元的路线被搬送，并在上述防反射膜的表面形成抗蚀剂膜，之后， 经由接口块(interface block) 1C被搬送至曝光装置1D。曝光处理后的 晶片再次被送回处理块IB中，并在显影单元13B中进行显影处理，然 后返回原来的载体10内。再者，上述防反射膜形成单元在图中并未表 示，该单元例如被设置在涂敷单元13A或显影单元13B的下段侧。此时，上述第一以及第二加热单元、第一以及第二调温单元和冷 却单元、交接台等以多层的方式被排列在棚架单元14 (14a 14c)中，
于是，晶片W通过设置在处理块B中的两个搬送单元15A、 15B，在 防反射膜形成单元、涂敷单元13A、显影单元13以及棚架单元14a 14c的各部等的、在处理块1B内的放置晶片W的模块之间被搬送。此 处，当晶片W被施以上述处理之时，如专利文献l所述，对于预定处 理的所有晶片W，根据已预先确定的、各个晶片在何时被搬送至哪一 个模块中的搬送计划表(schedule)来进行搬送。但是，在上述装置中，将作为从一个载体中搬出的多个同类晶片 集合的组A的晶片A与后续的其它组B的晶片B从载体块1A中连续 向处理块IB中搬出并进行处理，在组A与组B之间，有时上述第二 加热单元中的加热处理温度被更改。此处，上述加热处理是通过将晶 片载置在例如被调整至规定温度的加热板上而进行的，上述加热处理 温度的变更是通过变更上述加热板的设定温度而进行的。在这种情况下，在原来的方法中，在更改第二加热单元中的加热 处理温度之时，在将组A最后的晶片A10从载体块1A中搬出至处理 块IB中之后，停止从载体块1A向处理块IB搬出组B的最前面的晶 片B1，在上述最后的晶片A10在第二加热单元中被处理，并被搬送至下 一个单元中之后，开始该第二加热单元的加热处理温度的变更，该第二加热单元的加热处理温度的变更结束之后，开始从载体块 1A向处理块IB搬出上述组B的最前面的晶片Bl，根据这样的搬送计 划表，进行晶片A以及晶片B的搬送。因此，对于组B的晶片B来说，在第二加热单元的温度变更结束 之前未向处理块1B中进行搬入，因此，在进行第二加热单元的温度变 更的过程中，则无法对于上述晶片B进行处理块1B中的处理。因此， 如果上述第二加热单元的热处理温度变更所需的时间变长，贝U，上述 晶片B无法进行处理而待机的时间变长，所以，最终导致处理能力下 降。最近几年，曝光装置的处理能力加快，在涂敷、显影装置中也要 求具有与曝光装置的处理能力一致的处理能力。因此，本发明人进行 了下述研究，上下配置收纳曝光处理前的模块的区域与收纳曝光处理 后的模块的区域，并且在各个区域内设置搬送单元来减轻搬送单元的
负荷，提高搬送效率，以此来提高涂敷、显影装置的处理能力。上述 这种分别上下配置进行涂敷处理的区域与进行显影处理的区域，并且 在各个区域内设置搬送单元的结构被记载在专利文献2中。但是，在上述这种结构中，在各区域内通过搬送单元并根据搬送计划表来进行晶片W的搬送，所以，在上述组A与组B之间，在变更 抗蚀剂涂敷后的加热处理温度时，有可能发生与上述同样的问题，关 于这一点专利文献2中并没有任何记载。专利文献1日本特开2004-193597号公报专利文献2日本专利第3337677号公报发明内容本发明是鉴于上述情况而发明出来的，其目的在于提供一种在作 为从一个载体中所搬出的多个同类晶片的集合的一组基板与后续的其 它组的基板之间，变更在第二涂敷单元之后被搬送进的第二加热单元 的加热处理温度的情况下，能够提高处理能力的技术。为此，本发明是一种涂敷、显影装置，具有载体块，载置收纳有多枚基板的载体，并且具备在与载体之间进行基板交接的交接单元；和处理块，在从上述交接单元接受的基板上形成涂敷膜，并且用于对 曝光后的基板进行显影，其中，在处理块中，利用基板搬送单元，按照将基板调温至第一温度的 第一调温单元、在基板上涂敷第一涂敷液的第一涂敷单元、加热处理 基板的第一加热单元、将基板调温至第二温度的第二调温单元、在基 板上涂敷第二涂敷液的第二涂敷单元、加热处理基板的第二加热单元、 冷却基板的冷却单元的顺序，搬送基板，如果将基板所放置的地方称作模块，则，根据预先设定的搬送计 划表，利用基板搬送单元，从下游侧的模块内的基板开始依次向下一 个序号的模块移位，这样就形成序号小的基板比序号大的基板位于下 游侧的模块中的状态，由此，在执行一个搬送循环并结束该搬送循环 之后，执行下一个搬送循环，从而进行基板的搬送，该涂敷、显影装 置的特征在于，包括设置在上述处理块中并且能够退避多枚基板的退避单元；作为从
一个载体中所搬出的多个同类基板的集合的一组的最后的基板，在第 二加热单元中结束加热处理之后，将该第二加热单元的加热处理温度变更为与后续其它组的基板相对应的温度的单元；和控制基板搬送单 元的单元，使得从上述后续其它组的最前面的基板被搬送至第二调温 单元的搬送循环的下一个搬送循环开始，使该最前面的基板随后的并 被第一加热单元加热处理的基板依次添满退避单元，以及，在将上述 第二加热单元的加热处理温度变更为与后续其它组的基板相对应的温 度之后，将上述退避单元内的基板依次搬送至下游侧的模块。此处所说的上述最前面的基板随后的并被第一加热单元加热处理 后的基板是指，在设置有多个第二调温单元的情况下，被分配给这些 第二调温单元的基板的下一个基板。上述处理块也可以包括具备上述第一调温单元、第一涂敷单元、第一加热单元、退避用单元和在这些单元之间进行基板交接的基板搬送单元的第一涂敷膜形成用的单位块；具备上述第二调温单元、第二涂敷单元、第二加热单元和在这些 单元之间进行基板交接的基板搬送单元，并且被层积设置在上述第一 涂敷膜形成用的单位块上的第二涂敷膜形成用的单位块；具备对基板进行显影处理的显影单元、加热处理基板的加热单元、 冷却基板的冷却单元和在这些单元之间进行基板的交接的基板搬送单 元，并且相对于上述第一涂敷膜形成用的单位块与第二涂敷膜形成用 的单位块进行层积设置的显影处理用的单位块；被设置在第一涂敷膜形成用的单位块、第二涂敷膜形成用的单位 块、显影处理用的单位块的各个单位块上，并且用来在与其它的单位 块之间进行基板交接的交接部；和在各单位块的交接部之间进行基板 的交接的交接单元。另外，上述退避单元也可以按照通过第一涂敷膜形成用的单位块 的基板搬送单元与设在上述处理块中的交接单元来进行基板交接的方 式而设置。而且，为了在上述后续的其它组的2枚以上的基板退避到 上述退避单元中时，禁止从第一调温单元中搬出基板，也可具备控制 基板搬送单元的单元，而且为了在将退避到上述退避单元中的上述后 续的其它组的基板开始向该退避单元下游侧的模块搬送时，开始从第 一调温单元中搬出基板，也可包括控制基板搬送单元的单元。此处，上述第一涂敷单元可以用作在涂敷抗蚀剂液之前的基板上 涂敷防反射膜用的涂敷液的单元，上述第二涂敷单元可以用作在基板 上涂敷抗蚀剂液的单元。另外，上述第一涂敷单元也可以用作在基板 上涂敷抗蚀剂液的单元，上述第二涂敷单元也可以用作在被涂敷了抗 蚀剂液的基板上涂敷防反射膜用的涂敷液的单元。本发明是一种涂敷、显影方法，在处理块中，载体块对收纳了多 枚基板的载体进行载置，在从该载体块接受的基板上形成涂敷膜，并 且对曝光后的基板进行显影，并利用基板搬送单元，按照将基板调温至第一温度的第一调温单 元、在基板上涂敷第一涂敷液的第一涂敷单元、加热处理基板的第一 加热单元、将基板调温至第二温度的第二调温单元、在基板上涂敷第 二涂敷液的第二涂敷单元、加热处理基板的第二加热单元、冷却基板 的冷却单元的顺序，搬送基板，如果将基板所放置的地方称作模块，则，根据预先设定的搬送计 划表，利用基板搬送单元，从下游侧的模块内的基板开始依次向下一 个序号的模块移位，这样就形成序号小的基板比序号大的基板位于下 游侧的模块中的状态，由此，在执行一个搬送循环并结束该搬送循环 之后，执行下一个搬送循环，从而进行基板的搬送，该涂敷、显影方 法的特征在于，包括对于作为从一个载体中被搬出的多个同类基板的集合的一组，根 据上述预先设定的搬送计划表来搬送基板，并进行形成涂敷膜的处理 的工序；上述一组的最后的基板在第二加热单元中结束加热处理之后，将 该第二加热单元的加热处理温度变更为与后续的其它组的基板相对应 的温度的工序；改写上述搬送计划表的工序，以使得从上述后续其它组最前面的 基板被搬送至第二调温单元的搬送循环的下一个搬送循环开始，将该 最前面的基板随后的并被第一加热单元加热处理后的基板依次添满设 置在上述处理块中并且能够退避多枚基板的退避单元，以及在将上述 第二加热单元的加热处理温度变更为与后续其它组的基板相对应的温
度之后，将上述退避单元内的基板依次向下游侧的模块搬送；对于上述其它的组，根据被改写后的搬送计划表来搬送基板，并 进行形成涂敷膜的处理的工序。另外，其它的发明是一种存储介质，保存着在涂敷、显影装置中 所使用的计算机程序，在上述涂敷、显影装置中，在处理块中，载体 块对收纳了多枚基板的载体进行载置，在从该载体块接受的基板上形成涂敷膜，并且对曝光后的基板进行显影，其特征在于上述程序编 制步骤组用来执行本发明的涂敷、显影方法。 发明效果如上所述，在本发明中，在作为从一个载体中所搬出的多个同类 晶片的集合的一组基板与后续的其它组的基板之间，变更在第二涂敷 单元之后被搬送进的第二加热单元的加热处理温度的情况下，能够提 高处理能力。


图1是本发明所涉及的涂敷、显影装置的实施方式的平面图。图2是上述涂敷、显影装置的斜视图。图3是上述涂敷、显影装置的侧部截面图。图4是上述涂敷、显影装置中COT层B3的单位块的平面图。图5是上述COT层B3的涂敷单元、棚架单元、主臂A3以及退避单元的斜视图。图6是上述涂敷、显影装置中DEV层Bl的单位块的显影单元、棚架单元、主臂A1以及梭臂(shuttlearm) E的斜视图。图7是用来说明上述涂敷、显影装置中晶片W的流动的侧面图。图8是上述涂敷、显影装置中控制部的一个例子的结构图。图9是用来说明上述涂敷、显影装置的作用的流程图。图IO是搬送计划表的一个例子的说明图。图11是原来的搬送计划表的一个例子的说明图。图12是用来说明上述涂敷、显影装置中晶片W的流动的侧面图。图13是搬送计划表的一个例子的说明图。图14是现有技术的搬送计划表的一个例子的说明图。
图15是现有技术的涂敷、显影装置的平面图。 符号说明W 半导体晶片 20 载体51 载体块52 处理块53 接口块54 曝光装置 A1 A4 主臂 C 传输臂 D 交接臂E 梭臂 F 接口臂BCT第一防反射膜形成单元COT涂敷单元TCT第二防反射膜形成单元DEV 显影单元BF2、 BF3 退避单元41 44载置台100控制部73 加热处理变更部74 搬送计划表变更部具体实施方式
首先，将参照附图对本发明的涂敷、显影装置的实施方式所涉及 的抗蚀剂图形形成装置进行说明。图1是上述装置的一个实施方式的平面图，图2是其概略斜视图，图3是其概略侧面图。该装置包括用来搬入搬出收纳了例如13枚作为基板的晶片W的载体20的载体块 Sl、纵向排列多个例如4个单位块B1 B4而构成的处理块S2、接口 块S3、和曝光装置S4。在上述载体块Sl中设置有能够载置多个上述载体20的载置台
21、从该载置台21看设在前方的壁面上的开关部22、和形成通过开关 部22从载体20中取出晶片W用的交接单元的传输臂C。该传输臂C 以能够自由进退、自由升降、围绕垂直轴自由旋转、沿着载体20的排 列方向自由移动的方式构成，以便在后述单位块B2的调温单元CPL2 与单位块B1的交接台TRSll、 TRS12之间进行晶片W的交接。在载体块Sl的里侧连接有周围被框体24围绕的处理块S2。在本 例中，处理块S2从下方侧开始依次被分割成用来进行显影处理的第一 单位块(DEV层)Bl、用来进行在抗蚀剂膜的下层形成的防反射膜(以 下称"第一防反射膜")的形成处理的第二单位块(BCT层)B2、用来 进行抗蚀剂膜的形成处理的第三单位块(COT层)B3、用来进行在抗 蚀剂膜的上层侧形成的防反射膜(以下称"第二防反射膜")的形成处 理的第四单位块(TCT层)B4，这些各个单位块B1 B4分别被分隔。 上述第二 第四单位块B2 B4相当于用于形成涂敷膜的单位块。这些各个单位块B1 B4分别按照同样的方式构成，并且具备用来 向晶片W涂敷涂敷液的液处理单元、用来进行在上述液处理单元中所 进行的处理的前处理以及后处理的加热单元或调温单元等的各种处理 单元、和用来在上述液处理单元与各种处理单元之间进行晶片W的交 接的作为专用基板搬送单元的主臂A1 A4，在各个单位块B1 B4之 间，上述液处理单元、加热单元、调温单元、主臂A1 A4的配置布 局相同。此处所说的配置布局相同是指，各个处理单元或主臂A1 A4 中的载置晶片W的中心相同。如图1及图3所示，在与各个单位块B1 B4的载体块Sl邻接的 区域上，在传输臂C与各个主臂A1 A4能够访问的位置上设置有棚 架单元U2。在该棚架单元U2中设置有例如用来在每个单位块与其它 的单位块之间进行晶片W的交接的第一交接部，通过形成以自如进退 及自如升降的方式而构成的交接单元的交接臂D，向设在棚架单元U2 中的各个交接部进行晶片W的交接。而且，如图1及图3所示，在与 DEV层B1的接口块S3邻接的区域之内，在DEV层B1的主臂Al能 够访问的位置上设置有棚架单元U3，该棚架单元U3具备用来在与后 述的接口块S3之间进行晶片W的交接的第二交接部。另一方面，在处理块S2中的棚架单元U3的里侧经由接口块S3 连接着曝光装置S4。在接口块S3中设置有用来向上述DEV层B1的 棚架单元U3的第二交接部与曝光装置S4进行晶片W的交接的，以自 如进退、自如升降、围绕垂直轴自如旋转的方式而构成的接口臂F。接着，先以COT层B3为例并根据图3 图5对上述单位块Bl B4的结构进行说明。在该COT层B3的大致中央在COT层B3的长边 方向(图1中Y方向)形成晶片W的搬送区域R1。在从载体块S1侧 看到的该搬送区域R1的两侧，从跟前侧(载体块S1—侧)朝向里侧 的右侧，作为上述液处理单元设置有具备用来涂敷抗蚀剂液的多个涂 敷处理部的涂敷单元31。该涂敷单元31在本例中的3个涂敷处理部32A 32C以分别面临 搬送区域R1的方式在沿Y方向进行排列的状态下，被收纳在通用的 处理容器30的内部。各个涂敷处理部32A 32C从通用的药液喷嘴向 例如被水平吸附保持在旋转卡盘上的晶片W供给作为涂敷液的抗蚀剂 液，同时，通过使晶片W旋转使抗蚀剂液遍及晶片W的整个表面， 这样，在晶片W的表面涂敷抗蚀剂液。各个涂敷处理部32A 32C分 别具备围绕被吸附保持在旋转卡盘上的晶片W的周围的杯(cup)。上 述处理容器30在与各个涂敷处理部32A 32C对应的位置具备晶片W 的搬送口 33A 33C(参照图5)，晶片W经由各自的搬送口 33A 33C 而在对应的涂敷处理部32A 32C与主臂A3之间被搬送。在该涂敷单元31的搬送区域R1的对面一侧设置着将处理单元设 在例如2层X4列的棚架单元Ul，在该图中设置有用来进行在涂敷单 元31中所进行的处理的前处理以及后处理的各种处理单元。在上述各 种处理单元中包括对抗蚀剂液涂敷后的晶片W进行加热处理的加热 单元LHP3、用来将在上述加热单元LHP3中被加热处理后的晶片W 冷却至规定温度的冷却单元COL3、将晶片W调温至规定温度的调温 单元CPL3、疏水化处理单元ADH以及周边曝光装置(WEE)等。作为上述加热单元LHP3来说，包括例如用来在其上面载置并加 热晶片W的加热板34以及兼用作搬送臂的冷却板35，使用一种通过 冷却板35进行在主臂A3与加热板34之间的晶片W的交接，即能够 在一个单元中进行加热冷却的结构的装置。作为调温单元CPL3和冷却 单元COL3来说，使用具备通过例如水冷方式进行冷却的冷却板的装
置。如图5所示，这些加热单元LHP3或调温单元CPL3等各个单元分 别被收纳在处理容器36内，在各个处理容器36的面临搬送区域Rl的 面上形成晶片搬入搬出口 37。在COT层B3的棚架单元U2中，作为上述第一交接部来说，层 积式设置用来使多枚晶片W退避的退避单元BF3、和用来将晶片温度 调整至规定温度的调温单元CPL3，构成为COT层B3的主臂A3与交 接臂D能够访问这些退避单元BF3与调温单元CPL3。上述退避单元 BF3具备多个例如比涂敷处理部32A 32C多一个的4个载置台41 44，其用来载置、容纳与设置有该退避单元BF3的单位块B3中的晶 片W的收容枚数相对应的枚数的晶片W，于是4枚晶片W就能进行 退避。在本例中在各个载置台41 44上，在主臂A3与交接臂D进入 之时，在不与其干涉的位置形成用来保持晶片W背面的多个例如3个 突起。接下来对设在上述搬送区域Rl内的主臂A3进行说明。该主臂 A3在该COT层B3内的所有模块(放置晶片W的地方)、例如棚架单 元U1的各个处理单元、涂敷单元31、棚架单元U2的各个交接部之间 进行晶片的交接，因此，它采用能够自如进退、自如升降、围绕垂直 轴自如旋转、沿着Y轴方向自如移动的方式而构成。如图3 图5所示，该主臂A3具备用来支承晶片W的背面一侧 周边区域的两根保持臂51、 52，这些保持臂51、 52以在基台53上相 互独立自如进退的方式构成。基台53以通过旋转机构54围绕垂直轴 自如旋转的方式被设在搬送基体55上。图中56是沿着搬送区域R1的 长边方向(图1中Y方向)延伸的导轨56，图中57是升降用导轨， 上述搬送基体55以沿着该升降用导轨57自如升降的方式而构成。上 述升降用导轨57的下端部隐藏导轨56的下方而被卡止，升降用导轨 57沿着导轨56横向移动，于是，搬送基体55就能在搬送区域Rl内 沿着横向移动。此处，在对棚架单元Ul的各个处理单元进行晶片W 的交接时，为了不与保持臂51、 52发生干扰，在从保持臂51、 52进 退的位置偏离的位置上，将升降用导轨57设在搬送基体55上。再者，如果对其它的单位块进行简单的说明，则上述涂敷膜形成 用的单位块B2 B4均以同样的方式构成，作为BCT层B2来说，作
为液处理单元，设置向晶片W供给第一防反射膜形成用的涂敷液，用来形成第一防反射膜的第一防反射膜形成单元BCT，在棚架单元Ul中包括在加热板上载置防反射膜形成处理后的晶片W并对其进行加热处理的加热单元LHP2、用来将晶片W调整至规定温度的调温单元 CPL2与冷却单元COL2等。在棚架单元U2中，作为第一交接部而设 置有使多枚例如4枚晶片W退避的退避单元BF2、和在将晶片W调整 至规定温度的同时也被用于在与载体块Sl之间交接晶片W的调温单 元CPL2，在这些模块之间通过主臂A2来进行晶片W的交接。作为TCT层B4来说，作为液处理模块，设置向晶片W供给第二 防反射膜形成用的涂敷液，用来形成第二防反射膜的第二防反射膜形 成单元TCT，在棚架单元U1中包括在加热板上载置防反射膜形成处 理后的晶片W并对其进行加热处理的加热单元LHP4、对加热后的晶 片W进行冷却的冷却单元COL4、用来将晶片W调整至规定温度的调 温单元CPL4、和周边曝光装置WEE等。在棚架单元U2中作为第一 交接部而设置有晶片W的交接台TRS4、调温单元CPL4，在这些模块 之间通过主臂A4来进行晶片W的交接。如图1、图3以及图6所示，作为DEV层B1来说，除了棚架单 元U1以3层X4列的方式构成，具备棚架单元U3，并且设置有梭臂E 以外，其余均按照与上述COT层B3大体相同的方式而构成，作为液 处理模块，将用来向晶片W进行显影处理用的显影单元32设置在两 层，在棚架单元U1中包括对曝光后的晶片W进行加热处理的被称 作后曝光烘焙(post exposure baking)单元等的加热单元(PEB1)、在 该加热单元(PEB1)中的处理后用来将晶片W调整至规定温度的冷却 单元(COLl)、用来吹走水分而对显影处理后的晶片W进行加热处理 的被称作后烘(post baking)单元等的加热单元(POSTl)、和用来在 该加热单元(POST1)中的处理后将晶片W调整至规定温度的调温单 元(CPL1)等。上述第一及第二防反射膜形成单元或显影单元32按照 与涂敷单元31大体相同的方式而构成。在棚架单元U2中，作为第一交接部，在上层侧设置调温单元 CPLll，同时在其下层设置有例如2个交接台TRS11、 12。另夕卜，在棚 架单元U3中，作为第二交接部，在与棚架单元U2的调温单元CPLll
夹着搬送区域R1而相向的位置上设置有调温单元CPL12，并且在其下 层侧设置有例如2个交接台TRS13、 TRS14。上述棚架单元U2的交接 台TRSll、 TRS12用于在与载体块S1之间进行的晶片W的交接，棚 架单元U3的交接台TRS13、 TRS14用于在与接口块S3之间进行的晶 片W的交接。如图l、图3及图6所示，上述梭臂E是在例如DEV层B1内的 上部空间内，在棚架单元U2的调温单元CPL11、棚架单元U3的调温 单元CPL12之间进行晶片W搬送的专用搬送单元。如图6所示，该梭 臂E具备用来支承晶片W的背面周边区域并且沿着基台62进退的1 根保持臂61，上述基台62通过旋转机构63以围绕垂直轴自如旋转的 方式而被设置在搬送基体64上。例如在棚架单元U1的上部侧、在沿 着棚架单元的长边方向(图中Y方向)而设置的支承部件66的面临搬 送区域R1的面上，设置有沿着搬送区域R1的长边方向延伸的导轨65， 上述搬送基体64沿着上述导轨，在上述长边方向上移动，这样，进入 上述棚架单元U2的调温单元CPL11与棚架单元U3的调温单元 CPL12，并且在这些单元之间进行晶片W的搬送。下面，以在上述这种抗蚀剂图形形成装置中形成第一防反射膜与 抗蚀剂膜而作为涂敷膜的情况为例，利用图7对晶片W的流动进行简 单的说明。首先，从外部搬入载体块S1中的载体20内的晶片W通过 传输臂C并经由棚架单元U2的调温单元CPL12传递给BCT层B2， 按照主臂A2—第一防反射膜形成单元BCT—主臂A2—加热单元LHP2 的路线进行搬送，并形成第一防反射膜。接着，加热单元LHP2的晶片W通过主臂A2按照例如棚架单元 U2的退避单元BF2的载置台41—交接臂D—棚架单元U2的调温单元 CPL3—COT层B3的主臂A3—涂敷单元COT—主臂A3—加热单元 LHP3—主臂A3—冷却单元COL3—主臂A3—周边曝光装置WEE的路 线被搬送，并在第一防反射膜上形成抗蚀剂膜。接着，晶片W被搬送至棚架单元U2的退避单元BF3的载置台41 —交接臂D—棚架单元U2的调温单元CPL11—梭臂E—棚架单元U3 的调温单元CPL12。然后，晶片W经由接口块S3的接口臂F被搬送 至曝光装置S4中，并进行规定的曝光处理。
曝光处理后的晶片W按照接口臂F—棚架单元U3的交接台TRS13 或者TRS14—主臂Al的路线被搬送至DEV层Bl，在该DEV层Bl 中，以加热单元PEB1—冷却单元COL1—显影单元DEV—加热单元 POST1 —调温单元CPL1的顺序进行搬送，进行规定的显影处理。于是， 被实施了显影处理的晶片W经由棚架单元U2的交接台TRS11或者 TRS12并通过传输臂C返回载置在载体块Sl中的原来的载体20。在本例中，调温单元CPL2相当于将晶片W调温至第一温度的调 温单元，第一防反射膜形成单元BCT相当于第一涂敷单元，加热单元 LHP2相当于第一加热单元，调温单元CPL3相当于将晶片W调温至 第二温度的调温单元，涂敷单元COT相当于第二涂敷单元，加热单元 LHP3相当于第二加热单元，冷却单元COL3相当于冷却单元。上述抗蚀剂图形形成装置具备由计算机构成的控制部100，该计算 机进行各处理单元的方案(recipe)管理；晶片W的搬送流程(搬送 路线)的方案管理；各处理单元中的处理以及主臂A1 A4、传输臂C、 交接臂D、梭臂E、接口臂F的驱动控制。该控制部100具有例如由 计算机程序构成的程序保存部，在程序保存部中保存着具有步骤(命 令)群的例如软件构成的程序，以实施抗蚀剂图形形成装置整体的作 用，即在晶片W上形成规定的抗蚀剂图形用的各处理单元中的处理或 晶片W的搬送等。这些程序被控制部100读取出来，于是，由控制部 100控制抗蚀剂图形形成装置整体的作用。再者，该程序在被容纳于例 如软盘、硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等存储介质中的状态下被保存 在程序保存部中。图8是该控制部100的结构示意图，虽然实际上由CPU (中央处 理单元)、程序及内存等构成，但是因为在本发明中涂敷膜形成用的单 位块B2 B4中的晶片W的搬送具有特征，所以，此处将与其相关的 结构要素的一部分模块化进行说明。图8中70是母线，在该母线70 上连接着方案保存部71、方案选择部72、加热处理温度变更部73、搬 送计划表变更部74、搬送控制部75、主臂A1 A4、传输臂C、交接 臂D和第二加热单元。方案保存部71是相当于存储部的部位，例如，该保存部中保存着: 记录着晶片W的搬送路线的搬送方案；或者根据该搬送方案对组内的
所有晶片W分配在何时搬送至哪一个单元这样内容的时间表、例如向 晶片W分配顺序编号，使晶片W的顺序编号与各个模块对应，按时间序列排列指定搬送循环的搬送循环数据而生成的搬送计划表；或者 记录着对晶片W进行处理的处理条件等的多个方案。方案选择部72 是从被保存在方案保存部71中的方案中选择适当的方案的部位，也可 以进行例如晶片的处理枚数或方案的种类、加热处理时的温度等的输 入。加热处理温度变更部73是在从一个载体中取出的作为多个同类基 板集合的一组(以下称"组A")的最后晶片A10在第二加热单元中结 束加热处理之后，使该第二加热单元的加热处理温度变更为与后续的 其它组(以下称"组B")的晶片B相应的温度的单元，在组A的最后 的晶片A10在该加热单元中的加热处理结束之后，例如向第二加热单 元输出进行加热板34的温度变更的指令。搬送计划表变更部74是在连续对上述组A的晶片A与后续的组B 的晶片B进行处理的情况下，在从组A的第二加热单元的加热处理温 度变更组B的第二加热单元的加热处理温度时，如后所述变更搬送计 划表的手段。搬送控制部75是参照上述搬送计划表，控制传输臂C、主臂Al A4、交接臂D，以将被写入搬送循环数据中的晶片搬送至与该晶片对 应的模块，由此来实行搬送循环的部位，它相当于控制基板搬送单元 的单元。接下来，说明本实施方式的作用。首先，在开始对作为基板的晶 片W进行处理之前，操作员进行方案的选择，此处，如已经叙述的那 样，以形成第一防反射膜，然后在其上面形成抗蚀剂膜，作为涂敷膜 的情况为例进行说明。在这种情况下，因为BCT层B2与COT层B3 之间的晶片W的搬送路线具有特征，所以，以下着眼于BCT层B2与 COT层B3之间的晶片W的搬送路线进行说明。此时，如图7所示，在BCT层B2与COT层B3中，晶片W按照 载体块S1—第一调温单元CPL2—第一防反射膜单元BCT (第一涂敷 单元)一第一加热单元LHP2—退避单元BF2—第二调温单元CPL3 — 涂敷单元COT(第二涂敷单元)一第二加热单元LHP3—冷却单元COL3
—周边曝光装置WEE的路线被搬送。接着，如图9所示，首先，操作员选择形成具备第一防反射膜与抗蚀剂膜的涂敷膜时的方案，以对组A的10枚晶片A1 A10、后续 的组B的10枚晶片B1 B10进行连续处理(步骤Sl)。这里所说的对 组A的晶片A与后续的组B的晶片B连续进行处理是指，紧接着组A 的最后的晶片AIO，从载体块S1中向第一调温单元CPL2取出组B的 最前面的晶片B1。如果该方案被选择，则对于组A，图IO的组A的搬送计划表被选 择，控制部100参照该搬送计划表向各部输出指示，实行对晶片A的 处理(步骤S2)。在该搬送计划表中，组A的晶片A按照已经叙述的 路线，在第一加热单元LHP2中的第一加热处理结束之后，经由退避 单元BF2的载置台41从BCT层B2被搬送至COT层B3。此处，由于 主臂A1 A4具备两根以上的臂，因此，主臂A2、 A3从下游侧的模 块内的晶片开始顺次向下一个序号的模块移动，这样，形成序号小的 晶片比序号大的晶片位于下游侧的模块中的状态，由此，实行一个搬 送循环，该搬送循环结束之后，进入下一个搬送循环，顺次实行各个 搬送循环，这样，晶片A按照己述的路线顺次被搬送从而进行规定的 处理。在步骤S3中，比较组B的第二加热单元LHP3中的加热处理温度 是否与组A的第二加热单元LHP3中的加热处理温度相同，如果相同 则进入步骤S4，晶片B按照与晶片A相同的搬送计划表被搬送并进行 处理，如果不同则进入步骤S5。在步骤S5中，通过加热处理温度变更 部73，在对于组A的最后的晶片A10的第二加热单元LHP3中的加热 处理结束之后，使该第二加热单元LHP3的加热处理温度变更为与组B 的晶片B相应的温度，接着进入步骤S6，通过搬送计划表变更部74， 如后所述进行搬送计划表的改写，以后则根据该被改写的搬送计划表 进行组B的晶片B的搬送，并实行处理(步骤S7)。下面，如果对上述搬送计划表的改写进行具体的说明，则如图10 的组B的搬送计划表所示，为了从上述组B的最前面的晶片Bl被搬 送至第二调温单元CPL3的搬送循环15的下一个搬送循环16开始，使 该最前面的晶片B1随后的在第一加热单元LHP2中被加热处理的晶片B2依次添满退避单元BF2的载置台41 44，以及为了在将上述第二 加热单元LHP3的加热处理温度变更为与组B的晶片B相应的温度之 后，将上述退避单元BF2内的晶片B2 B5依次向下游侧的模块搬送， 对搬送计划表进行改写。此时，上述最前面的晶片B随后的在第一加 热单元LHP2中被加热处理的晶片B是指，在设置有多个第二调温单 元CPL3的情况下，被分配给这些第二调温单元CPL3的晶片B的下一 个晶片B。更具体地来讲，按照如下方式进行搬送计划表的改写， (1 )以不把组B的最前面的晶片Bl向第二涂敷单元COT搬送的 方式，停止从作为第二涂敷单元COT上一个上游侧的模块的第二调温 单元CPL3中搬出上述晶片Bl，(2) 当第二调温单元CPL3为一个时，将在第一加热单元LHP2 中被处理的组B的第二枚晶片B2以后的晶片B2 B5的搬送目的地变 更为退避单元BF2的各个载置台41 44，(3) 当在上述退避单元BF2的载置台41 44上退避有2枚以上 的晶片B时，以不向第一涂敷单元BCT搬送晶片B的方式，停止从作 为第一涂敷单元BCT上一个上游侧的模块的第一调温单元CPL2中搬 出晶片B6，(4) 在第二加热单元LHP3的加热处理温度变更结束之后，从作 为第二涂敷单元COT上一个上游侧的模块的第二调温单元CPL3中搬 出组B的最前面的晶片B1，并开始向第二涂敷单元COT搬送，(5) —旦被退避到退避单元BF2中的晶片B2 B5开始减少，则 重新开始从第一调温单元CPL2中搬出晶片B6，(6) 对于在(3)中提取到第一调温单元CPL2的最后的晶片B6 以后的晶片B6 B10，沿着与晶片A的搬送计划表相同的计划表而向 第一加热单元LHP2—退避单元BF2的载置台41—第二调温单元CPL3 进行搬送。在上述这种抗蚀剂图形形成装置中，无论是在对于组A的晶片 A1 A10与后续的组B的晶片B1 B10而在处理块S2中连续进行处 理的情况下，还是在组A的晶片A1 A10的处理与组B的晶片Bl B10的处理之间变更第二加热单元LHP3中的加热处理温度的情况下，对于组B的晶片B，将第一加热单元LHP2的下一个搬送目的地改写 为退避用单元BF2，在第二加热单元LHP3中变更加热处理温度之后， 立即向第二涂敷单元(涂敷单元COT)搬送，所以，与在上述第二加 热单元LHP3的加热处理温度变更结束之后，从载体块S1中取出组B 的晶片B的原来的搬送计划表相比，处理时间縮短，从而能够提高处 理能力。艮口，在图11中表示在图15所示的涂敷、显影装置中所进行的处 理之时的原来的搬送计划表，在原来的计划表中，上述第二加热单元 LHP3的加热处理温度的变更结束之后，在搬送循环28中，从载体块 Sl中向第一调温单元CPL2搬出组B的晶片B1 B10，所以，除了第 二加热单元LHP3的温度变更时间，还加上在温度变更后未向第二加 热单元LHP3搬送组B的晶片B的时间，于是组B的最前面的晶片Bl 被搬送至温度变更后的第二加热单元LHP3的等候时间变为5个循环， 被搬送至周边曝光装置WEE的总的搬送循环数为44个。相反，在本发明中，根据图IO的搬送计划表可知，组B的最前面 的晶片B1被搬送至温度变更后的第二加热单元LHP3的等候时间为一 个循环。于是，在本发明中，在进行第二加热单元LHP3的温度变更 的过程中，对于组B的晶片B，能够完成直至作为第二涂敷单元LHP3 的上游侧的模块第二调温单元CPL3的处理。因此，可以避免发生对于 组B的晶片B不做任何处理，而浪费时间等待上述第二加热单元LHP3 的温度变更结束，并且，因被搬送至周边曝光装置WEE的总的搬送循 环数为41，所以，与原来的相比，相当于搬送循环数3的时间量的处 理时间被縮短，相应地，则这部分能够提高处理能力。此时，在本发明中，使在第一加热单元LHP2中被加热处理之后 的晶片W在退避单元BF2中待机，在该退避过程中，晶片W的温度 降温，具有能够縮短在接下来的第二调温单元CPL3中的调温处理所需 的时间的效果。而如果使在第二调温单元CPL3中被调温处理的晶片B 在退避单元BF2中待机，那么，在该退避过程中，被温度调整之后的 晶片B的温度就会发生变化，故并非上策。如上所述，在本发明中，对于在第一涂敷单元中进行在晶片W上 涂敷抗蚀剂液的处理，在第二涂敷单元中进行在晶片W上涂敷用来形
成第二防反射膜的涂敷液的处理的情况也能适用。如果利用图12对这 种情况下的晶片W的流程进行简单的说明，那么，晶片W通过传输臂C从载体块Sl中经由棚架单元U2的调温单元CPL2—交接臂D— 第一调温单元CPL3而被交给COT层B3，并且按照主臂A3—第一涂 敷单元COT—主臂A3—第一加热单元LHP3的路线被搬送，从而形成 抗蚀剂膜。晶片W继续被交给主臂A3—棚架单元U2的退避单元BF3的载 置台41 —交接臂D—棚架单元U2的第二调温单元CPL4，接着，按照 TCT层B4的主臂A4—第二防反射膜形成单元TCT (第二涂敷单元) —主臂A4—第二加热单元LHP4—主臂A4—冷却单元COL4—主臂A4 —周边曝光装置WEE的路线被搬送，从而在抗蚀剂膜上形成第二防反 射膜。接着，晶片W经由棚架单元U2的交接台TRS4被交接臂D搬 送至棚架单元U2的调温单元CPU 1 ，之后按照已述的路线并按照曝光 装置S4—DEV层B1—载体块Sl的路线进行搬送。在这种情况下，在对于组A的10枚晶片A1 A10与后续的组B 的10枚晶片B1 B10连续进行处理的情况下，在从组A的第二加热 单元LHP4的加热处理温度变更组B的第二加热单元LHP4的加热处 理温度时，在组A的最后的晶片A10结束在第二加热单元LHP4中的 加热处理之后，利用加热处理温度变更部73将该第二加热单元LHP4 的加热处理温度更改为与组B的晶片B对应的温度，而且，利用搬送 计划表变更部74从上述组B的最前面的晶片Bl被搬送至第二调温单 元CPL4的搬送循环的下一个搬送循环开始，为了使该最前面的晶片 Bl随后的在第一加热单元LHP3中被加热处理的晶片B2依次添满退 避单元BF3，并且为了在将上述第二加热单元LHP4的加热处理温度改 成与组B的晶片B对应的温度之后，依次向下游侧的模块搬送上述退 避单元BF3内的晶片B，改写搬送计划表，以后，根据被改写的搬送 计划表，通过主臂A3、 A4进行晶片W的搬送。具体的搬送计划表的改写是按照如下方式进行的 (1)以不把组B的最前面的晶片Bl向第二涂敷单元TCT搬送的 方式，停止从作为第二涂敷单元TCT上一个上流侧的模块的第二调温 单元CPL4中搬出上述晶片B1，(2) 将在第一加热单元LHP3中被处理的组B的第二枚晶片B2 以后的晶片B2 B5的搬送目的地更改为COT层B3的退避单元BF3 的各个载置台41 44，(3) 当在上述退避单元BF3的载置台41 44上退避有2枚以上 的晶片B时，以不向第一涂敷单元COT搬送晶片B的方式，停止从作 为第一涂敷单元COT上一个上流侧的模块的第一调温单元CPL3中搬 出晶片B6，(4) 在第二加热单元LHP4的加热处理温度的变更结束之后，从 作为第二涂敷单元TCT上一个上流侧的模块的第二调温单元CPL4中 搬出组B的最前面的晶片Bl ，并开始向第二涂敷单元TCT搬送，(5) —旦被退避到退避单元BF3中的晶片B2 B5开始减少，则 重新开始从第一调温单元CPL3中搬出晶片B6，(6) 对于在(3)中被搬送到第一调温单元CPL3中的最后的晶片 B6以后的晶片B6 B10，沿着与晶片A的搬送计划表相同的计划表， 向第一加热单元LHP3 —退避单元BF3的载置台41—第二调温单元 CPL4进行搬送。本发明在清洗第二涂敷单元的杯(cup)时也能适用。对于该例子， 以使用第一防反射膜形成单元BCT作为第一涂敷单元、使用涂敷单元 COT作为第二涂敷单元，根据在图7所示的路线搬送晶片W的情况为 例进行说明。在这种情况下，是对组A的10枚晶片A1 A10与后续 的组B的10枚晶片B1 B10连续进行处理的情况，在第二涂敷单元 COT中对组A的所有晶片A1 A10进行处理之后，在进行第二涂敷 单元COT的杯的清洗时，在第二涂敷单元COT中对组A的最后的晶 片A10进行涂敷处理之后，开始进行该第二涂敷单元COT的杯的清洗 处理。于是，搬送计划表如图13所示，按照如下方式改写搬运时间表 (1 )以不把组B的最前面的晶片Bl向第二涂敷单元COT搬送的方式，停止从作为第二涂敷单元COT上一个上游侧的模块的第二调温单元CPL3中搬出上述晶片B1，(2)将在第一加热单元LHP2中被处理的组B的第二枚晶片B2以后的晶片B2 B5的搬送目的地更改为BCT层B2的退避单元BF2
的各个载置台41 44，(3) 当在上述退避单元BF2的载置台41 44上退避有2枚以上 的晶片B时，以不向第一涂敷单元BCT搬送晶片B的方式，停止从作 为第一涂敷单元BCT上一个上游侧的模块的第一调温单元CPL2中搬 出晶片B6，(4) 在第二涂敷单元COT的杯的清洗结束之后，从作为第二涂 敷单元COT上一个上游侧的模块的第二调温单元CPL3中搬出组B的 最前面的晶片B1，并开始向该第二涂敷单元COT搬送，(5) —旦被退避到退避单元BF2中的晶片B2 B5开始减少，则 重新开始从第一调温单元CPL2中搬出晶片B6，(6) 对于在(3)中搬送到第一调温单元CPL2中的最后的晶片 B6以后的晶片B6 B10，根据与晶片A的搬送计划表相同的计划表， 向第一加热单元LHP2—退避单元BF2的载置台41 —第二调温单元 CPL3进行搬送，以后，按照被改写后的搬运时间表进行晶片B的搬送。 如上所述，在进行清洗处理的情况下，为了从上述组B的最前面 的晶片Bl被搬送至第二调温单元CPL3中的搬送循环的下一个搬送循 环开始，使该最前面的晶片B1随后的、在第一加热单元LHP2中被加 热处理的晶片B依次添满退避单元BF2，将第一加热单元LHP2下一 个搬送目的地改写为退避用单元BF2，以在第二涂敷单元COT中结束 清洗处理之后，立即向第二涂敷单元COT搬送组B最前面的晶片Bl， 所以，与在上述第二涂敷单元COT的清洗处理结束之后，从载体块S1 中搬出组B的晶片B的原来的搬送计划表(参照图14)相比，搬送至 周边曝光装置WEE的总的搬送循环数减少3个循环，处理时间相应地 被縮短，于是就能够提高处理能力。如上所述，在本发明中，也可适用于在处理块内具备第一调温单 元、第一涂敷单元、第一加热单元、第二调温单元、第二涂敷单元、 第二加热单元、冷却单元、和退避单元的装置，另外，只要能够按照 第一调温单元一第一涂敷单元一第一加热单元一退避单元一第二调温 单元一第二涂敷单元一第二加热单元一冷却单元的路线进行搬送晶片 即可，这些各个单元(模块)的个数、种类、和排列方式并非局限于
上述的实施方式。在上述的例子中，BCT层B2与COT层B3之间或者COT层B3 与TCT层B4之间的晶片W的交接是分别经有退避单元BF2、 BF3的 一个载置台而进行的，也可以分别设置与退避单元BF2、 BF3不同的、 用来在BCT层B2与COT层B3之〖司或者COT层B3与TCT层B4之间进行晶片W的交接的交接台。再者，各个单位块的层积数和层积的顺序并非局限于上述的例子， 不仅可以设置两层显影处理用的单位块，也可以按照从下方朝向上方 依次为TCT层、COT层、BCT层的方式来排列涂敷膜形成用的单位块。 也可以将涂敷膜形成用的单位块配置在下方，在其上面配置显影处理 用的单位块。本发明不仅能适用于处理半导体晶片，也可适用于处理 液晶显示器用的玻璃基板(LCD基板)等基板的涂敷、显影装置。
权利要求
1.一种涂敷、显影装置，具有载体块，载置收纳有多枚基板的载体，并且具备在与载体之间进行基板交接的交接单元；和处理块，在从所述交接单元接受的基板上形成涂敷膜，并且用于对曝光后的基板进行显影，其中，在处理块中，利用基板搬送单元，按照将基板调温至第一温度的第一调温单元、在基板上涂敷第一涂敷液的第一涂敷单元、加热处理基板的第一加热单元、将基板调温至第二温度的第二调温单元、在基板上涂敷第二涂敷液的第二涂敷单元、加热处理基板的第二加热单元、冷却基板的冷却单元的顺序，搬送基板，如果将基板所放置的地方称作模块，则，根据预先设定的搬送计划表，利用基板搬送单元，从下游侧的模块内的基板开始依次向下一个序号的模块移位，这样就形成序号小的基板比序号大的基板位于下游侧的模块中的状态，由此，在执行一个搬送循环并结束该搬送循环之后，执行下一个搬送循环，从而进行基板的搬送，该涂敷、显影装置的特征在于，包括设置在所述处理块中并且能够退避多枚基板的退避单元；作为从一个载体中所搬出的多个同类基板的集合的一组的最后的基板，在第二加热单元中结束加热处理之后，将该第二加热单元的加热处理温度变更为与后续其它组的基板相对应的温度的单元；和控制基板搬送单元的单元，使得从所述后续其它组的最前面的基板被搬送至第二调温单元的搬送循环的下一个搬送循环开始，使该最前面的基板随后的并被第一加热单元加热处理的基板依次添满退避单元，以及，在将所述第二加热单元的加热处理温度变更为与后续其它组的基板相对应的温度之后，将所述退避单元内的基板依次搬送至下游侧的模块。
2. 如权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于 所述处理块包括具备所述第一调温单元、第一涂敷单元、第一加热单元、退避用单元和在这些单元之间进行基板交接的基板搬送单 元的第一涂敷膜形成用的单位块； 具备所述第二调温单元、第二涂敷单元、第二加热单元和在这些 单元之间进行基板交接的基板搬送单元，并且被层积设置在所述第一涂敷膜形成用的单位块上的第二涂敷膜形成用的单位块；具备对基板进行显影处理的显影单元、加热处理基板的加热单元、冷却基板的冷却单元和在这些单元之间进行基板的交接的基板搬送单元，并且相对于所述第一涂敷膜形成用的单位块与第二涂敷膜形成用的单位块进行层积设置的显影处理用的单位块；被设置在第一涂敷膜形成用的单位块、第二涂敷膜形成用的单位块、显影处理用的单位块的各个单位块上，并且用来在与其它的单位块之间进行基板交接的交接部；和在各单位块的交接部之间进行基板的交接的交接单元。
3. 如权利要求1或2所述的涂敷、显影装置，其特征在于 所述退避单元以通过第一涂敷膜形成用的单位块的基板搬送单元与设在所述处理块中的交接单元来进行基板交接的方式进行设置。
4. 如权利要求1或2所述的涂敷、显影装置，其特征在于 包括控制基板搬送单元的单元，使得在所述后续的其它组的2枚以上的基板退避到所述退避单元中时禁止从第一调温单元中搬出基 板。
5. 如权利要求1或2所述的涂敷、显影装置，其特征在于 包括控制基板搬送单元的单元，使得在将退避到所述退避单元中的所述后续的其它组的基板开始向该退避单元下游侧的模块搬送时， 开始从第一调温单元中搬出基板。
6. 如权利要求1或2所述的涂敷、显影装置，其特征在于 所述第一涂敷单元是在涂敷抗蚀剂液之前的基板上涂敷防反射膜用的涂敷液的单元，所述第二涂敷单元是在基板上涂敷抗蚀剂液的单 元。
7. 如权利要求1或2所述的涂敷、显影装置，其特征在于 所述第一涂敷单元是在基板上涂敷抗蚀剂液的单元，所述第二涂敷单元是在被涂敷了抗蚀剂液的基板上涂敷防反射膜用的涂敷液的单 元。
8. —种涂敷、显影方法，在处理块中，载体块对收纳了多枚基板 的载体进行载置，在从该载体块接受的基板上形成涂敷膜，并且对曝 光后的基板进行显影，并利用基板搬送单元，按照将基板调温至第一温度的第一调温单 元、在基板上涂敷第一涂敷液的第一涂敷单元、加热处理基板的第一 加热单元、将基板调温至第二温度的第二调温单元、在基板上涂敷第 二涂敷液的第二涂敷单元、加热处理基板的第二加热单元、冷却基板 的冷却单元的顺序，搬送基板，如果将基板所放置的地方称作模块，贝U，根据预先设定的搬送计 划表，利用基板搬送单元，从下游侧的模块内的基板开始依次向下一 个序号的模块移位，这样就形成序号小的基板比序号大的基板位于下 游侧的模块中的状态，由此，在执行一个搬送循环并结束该搬送循环 之后，执行下一个搬送循环，从而进行基板的搬送，该涂敷、显影方法的特征在于，包括对于作为从一个载体中被搬出的多个同类基板的集合的一组，根 据所述预先设定的搬送计划表来搬送基板，并进行形成涂敷膜的处理的工序；所述一组的最后的基板在第二加热单元中结束加热处理之后，将 该第二加热单元的加热处理温度变更为与后续的其它组的基板相对应 的温度的工序；改写所述搬送计划表的工序，以使得从所述后续其它组最前面的 基板被搬送至第二调温单元的搬送循环的下一个搬送循环开始，将该 最前面的基板随后的并被第一加热单元加热处理后的基板依次添满设 置在所述处理块中并且能够退避多枚基板的退避单元，以及在将所述 第二加热单元的加热处理温度变更为与后续其它组的基板相对应的温 度之后，将所述退避单元内的基板依次向下游侧的模块搬送；和 对于所述其它的组，根据被改写后的搬送计划表来搬送基板，并 进行形成涂敷膜的处理的工序。
9. 一种存储介质，保存着在涂敷、显影装置中所使用的计算机程 序，在所述涂敷、显影装置中，在处理块中，载体块对收纳了多枚基 板的载体进行载置，在从该载体块接受的基板上形成涂敷膜，并且对曝光后的基板进行显影，其特征在于所述程序编制步骤组用来执行权利要求8所述的涂敷、显影方法。
全文摘要
一种涂敷、显影装置及其方法。在一个组(A)的基板与后续其它组(B)的基板之间变更第二加热单元的加热处理温度时，提高处理能力。在按调温单元(CPL2)、涂敷单元(BCT)、加热单元(LHP2)、调温单元(CPL3)、涂敷单元(COT)、加热单元(LHP3)、冷却单元(COL)顺序搬送晶片时，在加热单元(LHP3)中处理组(A)的最后晶片(A10)后，变更该单元的加热温度，从组(B)最前面的晶片(B1)被搬送至调温单元(CPL3)的搬送循环的下一个搬送循环开始，将该最前面的晶片(B1)随后的并被加热单元(LHP2)加热处理后的晶片(B)依次添满退避单元(BF2)，在加热单元(LHP3)的温度变更后，将退避单元(BF2)内的晶片(B)依次向下游侧的模块搬送。
文档编号G03F7/26GK101118839SQ20071012699
公开日2008年2月6日 申请日期2007年7月4日 优先权日2006年7月31日
发明者原圭孝, 林田安 申请人:东京毅力科创株式会社