薄膜晶体管阵列基板以及液晶显示面板的制作方法

专利名称：薄膜晶体管阵列基板以及液晶显示面板的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种阵列基板以及显示面板，且特别是有关于一种易于进行被静 电破坏的线路的修补(Electrostatic discharger印air)的薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor array substrate,TFTarray substrate)以及具有此薄膜晶体管阵列基 板的液晶显示面板(LCD panel)。
背景技术：
近年来，由于光电技术与半导体制造技术的成熟，带动了平面显示器(Flat Panel Display)的蓬勃发展，其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)基于其低电压操作、操作速度快、重量轻以及体积小等优点，而 逐渐成为显示器产品的主流。 薄膜晶体管液晶显示器主要包括一液晶显示面板及一背光模块(backlight module)，其中液晶显示面板是由一彩色滤光基板(ColorFilter， C/F)、一薄膜晶体管阵列 基板以及配置于此两基板间的一液晶层所构成。背光模块是用以提供此液晶显示面板所需 的面光源，以使液晶显示器达到显示的效果。 通常在两基板之间填入液晶层的方法是利用液晶滴下制程(OneDrop Filling, ODF)，亦即，在薄膜晶体管阵列基板上涂布紫外光固化框胶(未绘示)后，就直接将液晶滴 入紫外光固化框胶所围住的区域中。然而，当彩色滤光基板侧的黑色矩阵层(未绘示)部 分遮蔽到紫外光固化框胶时，将导致紫外光无法照射到部分的紫外光固化框胶，而使得紫 外光固化框胶的硬化不完全。因此，必须将彩色滤光基板侧的黑色矩阵层向液晶显示面板 的内侧位移，以使紫外光固化框胶能够充分地被紫外光照射，其结果是，在液晶显示面板的 周围将产生漏光现象。所以，一般会另外在薄膜晶体管阵列基板的周边，对应地设置金属遮 光层。 由于金属遮光层会与薄膜晶体管阵列基板的周边线路区中的线路彼此重迭，所以
若是金属遮光层累积过量静电，便可能因为静电放电而导致薄膜晶体管阵列基板上的线路
遭受破坏，而造成显示质量下降。因此，肥知技术在薄膜晶体管阵列基板的周边线路区的两
相邻扫描焊垫之间、或两相邻的数据焊垫之间，通常会再设置有开关组件。 图1绘示公知一种薄膜晶体管阵列基板的示意图。请参照图l，此薄膜晶体管阵列
基板100包括基板110、多条扫描配线120与数据配线130、像素单元150、扫描焊垫160、数
据焊垫170、内部静电防护环192、外部静电防护环194以及开关组件180。 基板110具有显示区112以及周边线路区114。扫描配线120与数据配线130配
置于基板110上、且将显示区112划分成多个像素区域140。像素单元150分别配置于像素
区域140其中之一内，且藉由扫描配线120及数据配线130而驱动，此像素单元150是由一
薄膜晶体管152与一像素电极154所组成。 请继续参照图l，扫描焊垫160配置于周边线路区114内、且电性连接至扫描配线 120，而扫描端子垫120a连接于扫描焊垫160与扫描配线120之间。数据焊垫170配置于周边线路区114内、且电性连接至数据配线130，而数据端子垫130a连接于扫描焊垫160与 扫描配线120之间。内部静电防护环192配置于周边线路区114内、且位于扫描焊垫160 与显示区112之间及位于数据焊垫170与显示区112之间。内部静电防护环192电性连接 至扫描配线120与数据配线130。此内部静电防护环192是由主动开关组件(如薄膜晶体 管或是二极管)与其周围的扫描配线120与数据配线130所构成的静电防护电路。
外部静电防护环194配置于周边线路区114内、且位于扫描焊垫160与基板110 外缘之间以及位于数据焊垫170与基板110外缘之间。外部静电防护环194分别电性连接 至扫描配线120与该些数据配线130。同样地，此外部静电防护环194是由主动开关组件 (如薄膜晶体管或是二极管)与其周围的扫描配线120与数据配线130所构成之静电防护 电路。 特别是，开关组件180配置在相邻的两个扫描焊垫160之间、或是配置在相邻的两 个数据焊垫170之间。当过量的静电累积在基板110上时，开关组件180便会因为电容耦 合效应而开启，进而能宣泄静电。 图2绘示图1的圆圈A的局部区域的放大示意图。请参照图2，此开关组件180 是由浮置栅极182、半导体层184、以及源极/漏极186所构成。由于数据焊垫170的面积 较大、而特别容易累积大量静电，所以若是大量的静电破坏了开关组件180的浮置栅极182 时，此开关组件180会呈导通状态。因此，相邻的两条数据配线130彼此之间将会导通，而 造成线缺陷(line defect)等。在相邻两扫描焊垫160之间也会出现同样的问题。
请继续参照图2，公知技术中虽可以利用雷射沿着A-A'切断线而将部分的源极/ 漏极186进行切断，以使开关组件180成断路状态，进而让相邻的两条数据配线130彼此成 为断路。然而，随着面板分辨率增加，相邻两扫描焊垫160之间的间距、或是相邻两数据焊 垫170之间的间距势必会变得更为狭窄。因此，利用雷射切割的方式仍将不易修补该处损 坏的线路，这会使薄膜晶体管阵列基板100的制作良率低落、且制作成本提高。

发明内容
有鉴于此，本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，易于进行被静电破坏的线路的 修补，而能提升制作良率、且降低制作成本。 本发明还提供一种液晶显示面板，采用上述的薄膜晶体管阵列基板，而具有良好 的显示质量，且能提升制作良率及降低制作成本。 基于上述，本发明提出一种薄膜晶体管阵列基板，包括一基板、多数条电极配线、
多数个像素单元、多数个焊垫以及多数个开关组件。基板具有一显示区以及一周边线路区。
电极配线配置于基板上，其中电极配线将显示区划分成多数个像素区域。像素单元分别配
置于像素区域其中之一 内，且其藉由电极配线而驱动。焊垫配置于周边线路区内，每一焊垫
包括一第一主体部以及一第一延伸部，其中第一延伸部的宽度小于第一主体部的宽度，且
每一焊垫电性连接至对应的电极配线。开关组件配置于周边线路区内，其中于相邻二焊垫
之间配置有至少一个开关组件，且各开关组件会与位于其两侧的焊垫电性连接。 本发明还提出一种液晶显示面板，包括一彩色滤光基板、一薄膜晶体管阵列基板
以及一液晶层。此薄膜晶体管阵列基板是采用上述的薄膜晶体管阵列基板。液晶层配置于
该彩色滤光基板与该薄膜晶体管阵列基板之间。
在本发明的一实施例中，上述的每一开关组件包括一浮置栅极、一栅绝缘层、一半
导体层以及一源极/漏极。浮置栅极配置于基板上。栅绝缘层覆盖浮置栅极。半导体层配
置于浮置栅极上方的栅绝缘层上。源极/漏极配置于半导体层上，其中源极/漏极包括一
第二主体部与一第二延伸部，其中第二延伸部的宽度小于第二主体部的宽度，而源极/漏
极是藉由第二延伸部而与位于源极/漏极两侧的焊垫的第一延伸部电性连接。 在本发明的一实施例中，上述的第一延伸部与第二延伸部的夹角可以是45。。 在本发明的一实施例中，上述的第二延伸部的形状可以是锯齿形状。 在本发明的一实施例中，上述的电极配线包括多数条扫描配线与多数条数据配
线，其中该些扫描配线与该些数据配线是彼此垂直。 在本发明的一实施例中，上述的焊垫包括多数个扫描焊垫与多数个数据焊垫，其
中扫描焊垫电性连接到对应的扫描配线，而数据焊垫电性连接到对应的数据配线。 在本发明的一实施例中，上述的每一像素单元包括一薄膜晶体管与一像素电极，
薄膜晶体管配置于其中一像素区域内；而像素电极配置于其中一像素区域内，并与薄膜晶
体管电性连接。 在本发明的一实施例中，上述的薄膜晶体管阵列基板更包括多数个内部静电防护 环(i皿er guard ring)配置于周边线路区内，且位于焊垫与显示区之间，这些内部静电防 护环电性连接至电极配线。 在本发明的一实施例中，上述的薄膜晶体管阵列基板更包括多数个外部静电防护 环(out guard ring)配置于周边线路区内，且位于焊垫与基板外缘之间，这些外部静电防 护环分别电性连接至电极配线。 本发明的开关组件具有宽度较小的第一延伸部与第二延伸部，当开关组件被静电 破坏而成为导通状态时，可易于利用雷射切断第一延伸部与第二延伸部以使开关组件成为 断路，进而消除两相邻扫描配线或数据配线之间因为相互导通而产生的线缺陷。利用第二 延伸部的形状设计，可以在线路间距十分狭窄的状态下，仍能够有效地利用雷射对于开关 组件进行切断。由于易于修补的特性，能够降低薄膜晶体管阵列基板及其液晶显示面板的 制作成本与制作时间。 为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附 图式，作详细说明如下。


图1绘示公知一种薄膜晶体管阵列基板的示意图。 图2绘示图1的圆圈A的局部区域的放大示意图。 图3绘示本发明较佳实施例的一种薄膜晶体管阵列基板的示意图。 图4A绘示图3中位于两相邻数据焊垫之间的开关组件的示意图，以及圆圈B的局
部区域的放大图。 图4B绘示沿图4A的B-B'线的剖面示意图。 图5绘示为本发明较佳实施例的另一种开关组件的示意图，以及圆圈C的局部区 域的放大图。 图6绘示为本发明较佳实施例的又一种开关组件的示意图，以及圆圈D的局部区
7域的放大图。图7绘示为本发明较佳实施例的一种液晶显示面板的示意图。
主要组件符号说明100、200、320 :薄膜晶体管阵列基板
110、210 :基板112、212 :显示区114、214 :周边线路区120、222 :扫描配线120a、222a :扫描端子垫130、224 :数据配线130a、224a :数据端子垫140、212a :像素区域150、230 :像素单元152、232 :薄膜晶体管154、 234 :像素电极160、242 :扫描焊垫170、244 :数据焊垫182、252 :浮置栅极180、250、250a、250b :开关组件
184、256 :半导体层186、258 :源极/漏极192、262 :内部静电防护环220 :电极配线194、264 :外部静电防护环220a :端子垫240 :焊垫240a :第一主体部240b :第一延伸部254 :栅绝缘层258a :第二主体部258b :第二延伸部259 :保护层300 :液晶显示面板310 :彩色滤光基板330 :液晶层dl、d2、d 3、d4、d5、d6 :宽度
A、B、C、D :局部区域A-A':切断线B-B':剖面线e :夹角
具体实施例方式
图3绘示本发明较佳实施例的一种薄膜晶体管阵列基板的示意图。请参照图3，此 薄膜晶体管阵列基板200包括一基板210、多数条电极配线220、多数个像素单元230、多数 个焊垫240以及多数个开关组件250。 基板210具有一显示区212以及一周边线路区214。电极配线220配置于基板210 上，其中电极配线220将显示区212划分成多数个像素区域212a。电极配线220可以包括 多数条扫描配线222与多数条数据配线224，其中扫描配线222与数据配线224是彼此垂直。 像素单元230分别配置于像素区域212a其中之一内，且其藉由电极配线220驱 动。每一像素单元230可以包括一薄膜晶体管232与一像素电极234，薄膜晶体管232配 置于其中一像素区域212a内；而像素电极234配置于其中一像素区域212a内、并与薄膜晶 体管232电性连接。 焊垫240配置于周边线路区214内，焊垫240可以包括多数个扫描焊垫242与多 数个资料焊垫244，其中扫描焊垫242电性连接到对应的扫描配线222且扫描端子垫222a 连接于扫描焊垫242与扫描配线222之间，而数据焊垫244电性连接到对应的数据配线224
8且数据端子垫224a连接于数据焊垫244与数据配线224之间。特别是，扫描端子垫222a 与资料端子垫224a总称为端子垫220a，位于显示区212的电极配线220与周边线路区214 的焊垫240之间。特别是，每一焊垫240包括一第一主体部240a以及一第一延伸部240b， 其中第一延伸部240b的宽度dl小于第一主体部240a的宽度d2，且每一焊垫240电性连接 至对应的电极配线220。 开关组件250配置于周边线路区214内，其中于相邻两个焊垫240之间配置有至 少一个开关组件250，且各开关组件250会与位于其两侧的焊垫240电性连接。
请继续参照图3，薄膜晶体管阵列基板200还可以包括多数个内部静电防护环 262，配置于周边线路区214内，且位于焊垫240与显示区212之间，这些内部静电防护环 262电性连接至电极配线220。另外，此薄膜晶体管阵列基板200也可以包括多数个外部静 电防护环264，配置于周边线路区214内，且位于焊垫240与基板210外缘之间，这些外部静 电防护环264分别电性连接至电极配线220。 内部静电防护环262或是外部静电防护环264是透过主动开关组件(未绘示)串 接扫描配线222与数据配线224的电路结构。当扫描配线222与数据配线224或薄膜晶体 管232上的静电大量累积时，便会开启主动开关组件而使静电分散至内部静电防护环262 及/或外部静电防护环264上，以达到静电防护的功能。但是，在扫描焊垫242或是数据焊 垫244的区域，仍有可能会产生大量的静电累积。因此，在相邻之两个扫描焊垫242以及相 邻之两个数据焊垫244之间分别配置有开关组件250。 请继续参照图3，当静电累积在扫描焊垫242或是数据焊垫244时，静电会导致开 关组件250开启，而使静电能够宣泄到相邻的扫描焊垫242或是数据焊垫244。然而，若是 静电放电破坏开关组件250，开关组件250会一直维持在开启状态，而使相邻的两条扫描配 线222或是相邻的两条数据配线224为永久导通状态，而造成线缺陷。
此时，可利用雷射切割来进行修补。相对于公知技术而言，由于此薄膜晶体管阵列 基板200的焊垫240具有宽度dl较小的第一延伸部240b，所以可易于利用雷射对于第一 延伸部240b进行切割，以使相邻的两条扫描配线222或是相邻的两条数据配线224成为断 路。结果是，能够有效地修补由于开关组件250的导通而带来的线缺陷。
值得注意的是，即使随着面板分辨率的增加，使得相邻两条扫描配线222或相邻 两条数据配线224之间的间距縮减。但是，由于第一延伸部240b的宽度dl较小，所以利用 雷射切断第一延伸部240b仍是十分容易，而能够对于薄膜晶体管阵列基板100进行高效率 的修补。以下将更为详细地说明开关组件250各种可能的实施形态。 图4A绘示图3中位于两相邻数据焊垫之间的开关组件的示意图，以及圆圈B的局 部区域的放大图。图4B绘示沿图4A的B-B'线的剖面示意图。请共同参照图3、图4A与图 4B，每一开关组件250包括一浮置栅极252、一栅绝缘层254、一半导体层256以及一源极/ 漏极258。浮置栅极252配置于基板210上。栅绝缘层254覆盖浮置栅极252。半导体层 256配置于浮置栅极252上方的栅绝缘层254上。源极/漏极258配置于半导体层256上。 另外，在开关组件上还可以覆盖一层保护层259。 当如图3绘示的其中一个资料焊垫244累积有大量静电时，此静电将可以从数据 焊垫244传导至开关组件250中的源极/漏极258。然后，源极/漏极258与浮置栅极252
之间就可以产生电荷耦合效应，而使开关组件250开启。其结果是，累积在其中一个数据焊垫244上的静电，就可以透过开关组件250之半导体层256而传导到其相邻的数据配线224 上，所以静电就不会累积在数据焊垫244上，而能避免在数据焊垫244的邻近区域产生静电 破坏。 值得注意的是，如图4A所绘示的源极/漏极258包括一第二主体部258a与一第 二延伸部258b，其中第二延伸部258b的宽度d3小于第二主体部258a的宽度d4，而源极/ 漏极258是藉由第二延伸部258b而与位于源极/漏极258两侧的焊垫240的第一延伸部 240b电性连接。 如此一来，若是累积的静电仍然过大、而破坏了开关组件250，且使得相邻的两个 数据焊垫244相互导通时，除了可以利用雷射对于前述的第一延伸部240b进行切断外，还 可以利用雷射对于源极/漏极258的第二延伸部258b进行切割，以更有效地切断呈导通 状态的开关组件250。即使随着面板分辨率的增加导致相邻两数据配线224之间的间距縮 减，但是由于第二延伸部258b的宽度d3较小，所以利用雷射切断第二延伸部258b将十分 容易。 在制作上述的组件时，所使用的制程可以是五道光罩制程、四道光罩制程或是任 何已知的像素数组制程。以五道光罩制程为例，并请同时参照图3、图4A与图4B，位于两 相邻数据焊垫244之间的开关组件250的浮置栅极252是利用第一道光罩制程所制作的 (Metal 1)，其是直接制作于基板210上。然后，在基板210上会再全面形成栅绝缘层254以 覆盖此浮置栅极252。接着，以第二道光罩制程于浮置栅极252上制作半导体层256。再来， 以第三道光罩制程制作数据配线224、数据焊垫244以及源极/漏极258的金属层(Metal 2)，特别是，其为同一层金属层。之后，在基板210上再全面覆盖保护层259，再以第四道光 罩制程使资料焊垫244暴露出来。接着，再以第五道光罩制程于资料焊垫244上制作导电 层(未绘示)(例如是铟锡氧化物层，ITO)。值得注意的是，如图3、图4A与图4B中所绘示 之源极/漏极258与资料焊垫244是同一金属层。 类似地，位于两相邻扫描焊垫242之间的开关组件250也具有用于雷射切割的第 一延伸部240b与第二延伸部258b，仅是位于两相邻扫描焊垫242之间的开关组件250的膜 层结构与位于两相邻数据焊垫242之间的开关组件250的膜层结构是不相同的，在此不予 以详述。 图5绘示为本发明较佳实施例的另一种开关组件的示意图，以及圆圈C的局部区 域的放大图。请参照图5，此开关组件250a与图4A所述的开关组件250类似，相同或类似 的构件标示以相同的标号，且详细的结构在此不予以重述。同样地，此开关组件250a可以 设置在如图3所示的两相邻扫描焊垫242之间、或两相邻数据焊垫244之间，用以宣泄累积 的静电，其中端子垫220a连接于电极配线220与焊垫240之间。然而，当开关组件250a被 静电破坏而呈导通状态时，可利用雷射对开关组件250a中的第一延伸部240b与第二延伸 部258b进行切断而进行修补。 值得注意的是，在此实施例中，第一延伸部240b与第二延伸部258b的夹角e可 以是45 口或其它任意角度。如此一来，能够使两电极配线240之间的间距更加地縮减，进 而能够应用于分辨率更高的薄膜晶体管阵列基板中。 图6绘示为本发明较佳实施例的又一种开关组件的示意图，以及圆圈D之局部区 域的放大图。请参照图6，此开关组件250b与图4A所述的开关组件250类似，相同或类似的构件标示以相同的标号，且详细的结构在此不予以重述。同样地，此开关组件250b可以 设置在如图3所示的两相邻扫描焊垫242之间、或两相邻数据焊垫244之间，用以宣泄累积 的静电，其中端子垫220a连接于电极配线220与焊垫240之间。并且，当开关组件250b被 静电破坏、而呈导通状态时，可利用雷射对开关组件250b中的第一延伸部240b与第二延伸 部258b进行切断而进行修补。 值得注意的是，在此实施例中，第二延伸部258b的形状可以是锯齿形状，由于呈 锯齿形状的第二延伸部258b具有两个宽度d5、d6、且宽度d5小于宽度d6，在进行雷射切割 时可对于较小的宽度d5进行切割，而易于使雷射切割之后的开关组件250b为断路。
当然，上述的实施例中，并不限定第一延伸部240b与第二延伸部258b的形状，只 要焊垫240本身进行两侧内縮的设计，并且更可以使源极/漏极258与浮置栅极252之间 的连接部位(即第二延伸部258b)进行内縮设计，就能够易于进行被静电破坏的开关组件 250、250a、250b的修补，进而能提升制作良率与降低制作成本。 另外，上述的实施例中，仅以在两个焊垫240(扫描焊垫242或数据焊垫244)之间 配置一个开关组件250(或可使用开关组件250a或使用开关组件250b)为例而进行说明。 但是，于相邻两个焊垫240之间可以配置有两个开关组件250(图3中仅绘示一个开关组 件)，且两个开关组件250是以并联方式而设置。如此，静电即可以透过双向传输(twoiay conducting)的方式而传导。 综上所述，若是开关组件250、250a、250c受到静电破坏而导致两个相邻的焊垫 240相互导通时，可以利用雷射对于第一延伸部240b或第二延伸部258b进行切断，而可大 幅縮短修补薄膜晶体管阵列基板200的时间，并提升制程良率、降低制作成本。
图7绘示为本发明较佳实施例的一种液晶显示面板的示意图。此液晶显示面板 300包括彩色滤光基板310、薄膜晶体管阵列基板320以及液晶层330。此薄膜晶体管阵列 基板320例如是采用如图3所绘示的薄膜晶体管阵列基板200，且液晶层330配置于彩色滤 光基板310与薄膜晶体管阵列基板320之间。 彩色滤光基板310上配置有共享电极(common electrode)(未绘示)以及彩色滤 光数组层(color filter array)(未绘示)，共享电极与薄膜晶体管阵列基板320的像素 电极(未绘示)之间会形成一电场，而使得位在彩色滤光基板310与薄膜晶体管阵列基板 320之间的液晶分子转动，进而改变入射光的强度。另外，彩色滤光数组层使液晶显示面板 300得以全彩化。 值得注意的是，由于薄膜晶体管阵列基板320可以采用如图4A、图5或图6的开 关组件250、250a、250b的结构，因此，此液晶显示面板300除了具有良好的静电防护能力之 外，若是开关组件250、250a、250b因静电破坏而成为导通状态，也可十分容易地利用雷射 进行修补。因此，此液晶显示面板300的制作良率可藉以提升，并且由于可容易进行修补而 降低线缺陷等显示不均现象，进而能够得到良好的显示质量。 综上所述，本发明的薄膜晶体管阵列基板、与采用此薄膜晶体管阵列基板的液晶 显示面板至少具有以下的优点 利用分别设置在相邻的两个扫描焊垫、与相邻的两个数据焊垫之间的开关组件， 可以有效地宣泄累积在基板上的的静电，而消除静电破坏现象。由于开关组件具有第一延 伸部与第二延伸部，当开关组件被静电破坏而成为导通状态时，可易于利用雷射切断第一延伸部与第二延伸部，使开关组件成为断路，而消除两相邻扫描配线或数据配线之间因为 相互导通而产生的线缺陷。利用第二延伸部的形状设计，可以在线路间距十分狭窄的状态 下，仍能够有效地利用雷射对于开关组件进行切断，而使开关组件成为断路。将具有静电防 护能力以及易于修补的薄膜晶体管阵列基板应用于液晶显示面板时，由静电累积所引起的 静电破坏现象将可获得改善，而使液晶显示面板具有良好的运作性能，且由于易于修补的 特性，能够降低液晶显示面板的制作成本与大幅縮短制作的时间。 虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术 领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此 本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
权利要求
一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括一基板，具有一显示区以及一周边线路区；多数条电极配线，配置于该基板上，其中该些电极配线将该显示区划分成多数个像素区域；多数个像素单元，分别配置于该些像素区域其中之一内，且其通过该些电极配线而驱动；多数个焊垫，配置于该周边线路区内，每一该些焊垫包括一第一主体部以及一第一延伸部，其中该第一延伸部的宽度小于该第一主体部的宽度，且每一该些焊垫电性连接至对应的该电极配线；多数个开关组件，配置于该周边线路区内，其中于相邻二该些焊垫之间配置有至少一个开关组件，且各开关组件会与位于其两侧的该些焊垫电性连接。
2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，每一开组件包括 一浮置栅极，配置于该基板上；一栅绝缘层，覆盖该浮置栅极；一半导体层，配置于该浮置栅极上方的该栅绝缘层上；一源极/漏极，配置于该半导体层上，其特征在于，该源极/漏极包括一第二主体部与 一第二延伸部，其中该第二延伸部的宽度小于该第二主体部的宽度，而该源极/漏极是通 过该第二延伸部而与位于该源极/漏极两侧的该些焊垫的该些第一延伸部电性连接。
3. 如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该第一延伸部与该第二延 伸部的夹角包括45。。
4. 如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该第二延伸部的形状包括 锯齿形状。
5. 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该些电极配线包括 多数条扫描配线；以及多数条数据配线，其特征在于，该些扫描配线与该些数据配线是彼此垂直。
6. 如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该些焊垫包括 多数个扫描焊垫；以及多数个数据焊垫，其特征在于，该些扫描焊垫电性连接到对应的该些扫描配线，而该些 数据焊垫电性连接到对应的该些数据配线。
7. 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，每一像素单元包括 一薄膜晶体管，配置于其中一像素区域内；以及一像素电极，配置于其中一像素区域内，并与该薄膜晶体管电性连接。
8. 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括多数个内部静电防 护环，配置于该周边线路区内，且位于该些焊垫与该显示区之间，该些内部静电防护环电性 连接至该些电极配线。
9. 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括多数个外部静电防 护环，配置于该周边线路区内，且位于该些焊垫与该基板外缘之间，该些外部静电防护环分 别电性连接至该些电极配线。
10. —种液晶显示面板，其特征在于，包括一彩色滤光基板；一薄膜晶体管阵列基板，包括一基板，具有一显示区以及一周边线路区；多数条电极配线，配置于该基板上，其特征在于，该些电极配线于将该显示区划分成多数个像素区域；多数个像素单元，分别配置于该些像素区域其中之一内，且其通过该些电极配线而驱动；多数个焊垫，配置于该周边线路区内，每一该些焊垫包括一第一主体部以及一第一延伸部，其中该第一延伸部的宽度小于该第一主体部的宽度，且每一该些焊垫电性连接至对应的该电极配线；多数个开关组件，配置于该周边线路区内，其中于相邻二该些焊垫之间配置有至少一个开关组件，且各开关组件会与位于其两侧的该些焊垫电性连接；以及一液晶层，配置于该彩色滤光基板与该薄膜晶体管阵列基板之间。
11. 如权利要求IO所述的液晶显示面板，其特征在于，每一开关组件包括一浮置栅极，配置于该基板上；一栅绝缘层，覆盖该浮置栅极；一半导体层，配置于该浮置栅极上方的该栅绝缘层上；一源极/漏极，配置于该半导体层上，其中该源极/漏极包括一第二主体部与一第二延伸部，其中该第二延伸部的宽度小于该第二主体部的宽度，而该源极/漏极是通过该第二延伸部而与位于该源极/漏极两侧的该些焊垫的该些第一延伸部电性连接。
12. 如权利要求11所述的液晶显示面板，其特征在于，该第一延伸部与该第二延伸部的夹角包括45。。
13. 如权利要求11所述的液晶显示面板，其特征在于，该第二延伸部的形状包括锯齿形状。
14. 如权利要求10所述的液晶显示面板，其特征在于，该些电极配线包括多数条扫描配线；以及多数条数据配线，其特征在于，该些扫描配线与该些数据配线是彼此垂直。
15. 如权利要求14所述的液晶显示面板，其特征在于，该些焊垫包括多数个扫描焊垫；以及多数个数据焊垫，其特征在于，该些扫描焊垫电性连接到对应的该些扫描配线，而该些数据焊垫电性连接到对应的该些数据配线。
16. 如权利要求IO所述的液晶显示面板，其特征在于，每一像素单元包括一薄膜晶体管，配置于其中一像素区域内；以及一像素电极，配置于其中一像素区域内，并与该薄膜晶体管电性连接。
17. 如权利要求IO所述的液晶显示面板，其特征在于，还包括多数个内部静电防护环，配置于该周边线路区内，且位于该些焊垫与该显示区之间，该些内部静电防护环电性连接至该些电极配线。
18. 如权利要求10所述的液晶显示面板，其特征在于，还包括多数个外部静电防护环，配置于该周边线路区内，且位于该些焊垫与该基板外缘之间，该些外部静电防护环分别电性连接至该些电极配线'
全文摘要
一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板、多条电极配线、多个像素单元、多个焊垫以及多个开关组件。基板具有显示区以及周边线路区。电极配线配置于基板上、且将显示区划分成多个像素区域。每一像素单元分别配置于像素区域其中之一内，且其藉由电极配线而驱动。焊垫配置于周边线路区内，每一焊垫包括第一主体部以及第一延伸部，其中第一延伸部的宽度小于第一主体部的宽度，且每一焊垫电性连接至对应的电极配线。开关组件配置于周边线路区内，其中于相邻二焊垫之间配置有至少一个开关组件，且各开关组件会与位于其两侧的焊垫电性连接。
文档编号G02F1/13GK101728395SQ20081016706
公开日2010年6月9日 申请日期2008年10月10日 优先权日2008年10月10日
发明者廖淀淦, 许汉东 申请人:华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司