光学多层膜过滤器、光学多层膜过滤器的制造方法和电子机器装置的制作方法

专利名称：：光学多层膜过滤器、光学多层膜过滤器的制造方法和电子机器装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及光学多层膜过滤器、光学多层膜过滤器的制造方法和组装有光学多层膜过滤器的电子机器装置。
背景技术：
：作为光学多层膜过滤器，已知有半透镜、红外截止滤光片、低通滤波器等，这些光学多层膜过滤器多用于电子机器装置。该光学多层膜过滤器由基板和通过蒸镀等而形成在该基板上的无机薄膜构成。无机薄膜具有由二氧化钛(Ti02)等形成的高折射率膜和由二氧化硅(Si02)等形成的低折射率膜交互层积而得到的多层的膜结构。一般，在该无机薄膜的最表层形成有具有保护膜功能的二氧化硅膜，所以其表面没有导电性，易于带静电。因此，光学多层膜过滤器的表面易于吸附灰尘，该灰尘有时给组装了光学多层膜过滤器的电子机器的光学特性带来不良影响。作为应对在基板上形成有无机薄膜时的这样的表面的静电的技术，已知有例如在防尘玻璃的外表面设置ITO(氧化铟锡，IndiumTinOxide)等透明导电膜的例子(参见专利文献1)。该透明导电膜不会损害玻璃的透明性，并且具有导电性，从而可以有效除去透明导电膜的表面带有的静电。专利文献1:日本特开2004-233501号公报
发明内容但是，对于强调构成多层膜表面的膜的光学性质的光学多层膜过滤器来说，如果在表面设置如专利文献1所记载的那样的透明导电膜，则光学多层膜过滤器自身的光学特性发生变化。另外，上述结构中，通过抑制表面的静电，从而能够降低静电引起的灰尘的附着，但是由于透明导电膜的最表层的表面能量大，所以一旦附着上了灰尘，所附着的灰尘难以脱离去。因此，上述的结构作为降低灰尘的附着且容易地除去所附着的灰尘的结构是不充分的。本发明是为了解决至少一部分上述课题而完成的，以下述的形态或应用例可以实现本发明。本应用例所涉及的光学多层膜过滤器是在基板上具有由两个以上的层构成的无机薄膜的光学多层膜过滤器，其特征在于，上述无机薄膜由低密度形成部和高密度形成部构成，在上述无机薄膜的表面上形成有含氟有机硅化合物膜，上述低密度形成部中，上述无机薄膜的最表层或包括该最表层在内的两个以上的层由低密度的二氧化钛层和/或低密度的二氧化硅层形成，上述高密度形成部是在上述低密度形成部和上述基板之间层积相对于上述低密度的二氧化硅为高密度的二氧化硅层和相对于上述低密度的二氧化钛层为高密度的二氧化钛层而形成的，上述低密度形成部的总膜厚为280nm以内。根据该构成，无机薄膜的最表层或包括该最表层在内的两个以上的层是由低密度的二氧化钛层和/或低密度的二氧化硅层形成的低密度形成部，由此使得无机薄膜的最表层或包括该最表层在内的两个以上的层的绝缘性降低(导电性增高)。因此，因静电等而存在于表面的电荷能够在最表层或包括该最表层在内的两个以上的层中移动。通过将该电荷接地(接地线)，从而使得电荷难以积存在光学多层膜过滤器的最表面，静电所致的灰尘等的附着难以进行。进而，通过使低密度形成部的总膜厚为280nm以内，从而获得低密度层带来的表面防尘效果。另一方面，在无机薄膜的最表层的表面形成有含氟有机硅化合物膜，由此来降低表面能量、抑制灰尘的附着，并且一旦附着了灰尘，也能够容易地去除。此外，所形成的含氟有机硅化合物膜为薄膜(〈10nm)，与无机物相比，密度也较低，因而电荷容易穿透到下层，并且对分光特性也没有影响。并且，无机薄膜的最表层的密度低，从而最表层的表面积增加(相当于微观上凹凸增加)，含氟有机硅化合物膜的附着面积增大。因此，含氟有机硅化合物膜的密合性提高，耐久性提高。以往，由低密度的层构成的无机薄膜容易发生波长漂移等，但是，上述的构成中，除低密度形成层以外，还形成有高密度形成层，形成兼备源自高密度的高光学品质的无机薄膜，所以同时实现了光学多层膜过滤器所必需的低波长漂移和低浊度(HAZE)等良好特性和防尘性。[应用例2]上述应用例的光学多层膜过滤器优选具有如下构成上述低密度的二氧化硅层的密度为1.92.1g/cm3，上述低密度的二氧化钛层的密度为4.14.8g/cm3，上述无机薄膜的最表层由上述低密度的二氧化硅层形成，上述低密度形成部的层数从2层到4层中的任意层数中选择。根据该构成，上述低密度的二氧化硅层的密度为1.92.1g/cm3，上述低密度的二氧化钛层的密度为4.14.8g/cm3，上述低密度形成部中，在将构成上述最表层的层设为第1层时，通过在第2层到第4层选择性地形成低密度的二氧化钛层或低密度的二氧化硅层，如上所述，得到了静电所致的灰尘等难以附着并且一旦附着灰尘也能够容易地将其除去的过滤器。上述应用例的光学多层膜过滤器优选上述基板为玻璃基板或水晶基板。根据该构成，通过使基板由玻璃基板构成，能够得到作为灰尘难以附着的例如CCD(电荷结合元件)等影像元件的防尘玻璃并且同时具有所期望的过滤器功能例如UV-IR截止滤光片和IR截止滤光片的功能的光学多层膜过滤器。另外，通过使基板由水晶基板构成，能够得到作为灰尘难以附着的例如光学低通滤波器并且同时具有所期望的过滤器功能例如UV-IR截止滤光片和IR截止滤光片的功能的光学低通滤波器。进而，本应用例也能够应用于抗反射膜的形成。本应用例的光学多层膜过滤器的制造方法是在基板上具有由两个以上的层构成的无机薄膜的光学多层膜过滤器的制造方法，其特征在于，在上述基板的表面层积高密度的二氧化钛层和高密度的二氧化硅层，形成高密度形成部，接着，在上述高密度形成部的表面通过真空蒸镀法以总膜厚为280nm以内形成由相对于上述高密度的二氧化钛层为低密度的二氧化钛层和/或相对于上述高密度的二氧化硅层为低密度的二氧化硅层构成的低密度形成部，进而，在上述低密度形成部的最表层的表面形成含氟有机硅化合物膜。根据该光学多层膜过滤器的制造方法，通过真空蒸镀法在高密度形成层的表面形成低密度的二氧化钛层和/或低密度的二氧化硅层，由此能够得到构成无机薄膜的最表层或包括该最表层在内的两个以上的层的低密度形成部。因此，本来显示高绝缘性的最表层或包括该最表层在内的两个以上的层的绝缘性降低。从而，因静电等而存在于表面的电荷能够在最表层或包括该最表层在内的两个以上的层中移动。通过将该电荷接地(接地线)，能够得到电荷难以积存在光学多层膜过滤器的最表面且静电所致的灰尘等难以附着的光学多层膜过滤器。进而，通过使低密度形成部的总膜厚为280nm以内，能够获得上述的效果。另外，通过在构成无机薄膜的最表层的二氧化硅层上形成有含氟有机硅化合物膜，能够降低表面能量、抑制灰尘的附着，并且一旦附着了灰尘，也能够容易地将其除去。形成的含氟有机硅化合物膜为薄膜(<10nm)，与无机物相比，密度也较低，所以电荷容易透过到下层，并且对分光特性也没有影响。并且，无机薄膜的最表层的二氧化硅层的密度低，从而二氧化硅层的表面积增加(相当于微观上凹凸增加)，含氟有机硅化合物膜的附着面积增大。因此可得到含氟有机硅化合物膜的密合性提高、耐久性提高的光学多层膜过滤器。上述应用例的光学多层膜过滤器的制造方法优选将上述低密度的二氧化硅层的密度设定为1.92.1g/cm3，将上述低密度的二氧化钛层的密度设定为4.14.8g/cm3，上述低密度形成部的层数从2层到4层的任意层数中选择，从而形成光学多层膜过滤器。根据该光学多层膜过滤器的制造方法，使用真空蒸镀法来形成构成低密度形成部的二氧化钛层和二氧化硅层，由此能够得到密度为1.92.1g/cm3的低密度的二氧化硅层和密度为4.14.8g/cm3的低密度的二氧化钛层。并且，在将低密度形成部中构成最表层的层设定为第1层时，通过在第1层到第4层选择性地形成低密度的二氧化钛层或低密度的二氧化硅层，如上所述，能够得到静电所致的灰尘等难以附着并且一旦附着灰尘也能够容易地将其除去的光学多层膜过滤器。[应用例6]上述应用例的光学多层膜过滤器的制造方法优选通过上述真空蒸镀法进行上述低密度的二氧化硅层的成膜时的压力为5xl(^5xl0,a，通过上述真空蒸镀法进行上述低密度的二氧化钛层的成膜时的压力为1.4xlO-23xl(T2Pa。根据该光学多层膜过滤器的制造方法，将通过真空蒸镀法进行二氧化硅层的成膜时的压力设定为5xl(T45xl(T2Pa，从而能够得到密度为1.92.1g/cm3的低密度的二氧化硅层。并且，将通过真空蒸镀法进行二氧化钛层的成膜时的压力设定为1.4xlO—23xlO—2Pa，从而能够得到密度为4.14.8g/cm3的低密度的二氧化钛层。本应用例的电子机器装置的特征为组装有光学多层膜过滤器，上述光学多层膜过滤器由在基板上的由两个以上的层构成的无机薄膜和形成于该无机薄膜表面的含氟有机硅化合物膜构成；上述无机薄膜由低密度形成部和高密度形成部构成；上述低密度形成部中，上述无机薄膜的最表层或包括该最表层在内的两个以上的层由低密度的二氧化钛层和/或低密度的二氧化硅层形成；上述高密度形成部是在上述低密度形成部和上述基板之间层积相对于上述低密度的二氧化硅为高密度的二氧化硅层和相对于上述低密度的二氧化钛层为高密度的二氧化钛层而形成的；上述低密度形成部的总膜厚为280nm以内。根据该电子机器装置，由于其组装有如下光学多层膜过滤器，因而静电所致的灰尘等难以附着。并且，一旦附着了灰尘，也能够容易地将其除去，能够有效地用于例如数码相机、数码摄像机等摄像装置、带摄像头的手机、带摄像头的个人电脑(Personalcomputer)等抑制了灰尘的影响的电子机器装置。该光学多层膜过滤器在基板上具有由两个以上的层构成的无机薄膜和形成于该无机薄膜表面的含氟有机硅化合物膜，低密度形成部中无机薄膜的最表层或包括该最表层在内的两个以上的层由低密度的二氧化钛层和/或低密度的二氧化硅层形成，高密度形成部处于低密度形成部和基板之间并由高密度的二氧化硅层和/或高密度的二氧化钛层形成，上述低密度形成部的总膜厚为280nm以内。[应用例8]上述应用例的电子机器装置中，优选组装有光学多层膜过滤器，该光学多层膜过滤器的构成中上述低密度的二氧化硅层的密度为1.92.1g/cm3、上述低密度的二氧化钛层的密度设定为4.14.8g/cm3、上述低密度形成部的层数从2层到4层的层数中选择。根据该电子机器装置，由于其组装有如下光学多层膜过滤器，因而静电所致的灰尘等难以附着。并且，一旦附着了灰尘，也能够容易地将其除去，能够有效地用于例如数码相机、数码摄像机等摄像装置、带摄像头的手机、带摄像头的个人电脑(Personalcomputer)等抑制了灰尘的影响的电子机器装置。该光学多层膜过滤器中低密度的二氧化硅层的密度为1.92.1g/cm3，低密度的二氧化钛层的密度为4.14.8g/cm3，低密度形成部中，将构成最表层的层设为第1层时，在第1层到第4层选择性地形成低密度的二氧化钛层或低密度的二氧化硅层。图1是表示本实施方式的光学多层膜过滤器的构成的截面图。图2是在本实施方式的光学多层膜过滤器上设有地线时的截面图。图3是表示测定样品的表面电阻的方式的说明图。图4是表示测定样品的表面电位的方式的说明图。图5是表示确认试验2的低密度形成部的层数和方块电阻的关系的曲线图。图6是表示确认试验2的低密度形成部的总膜厚和方块电阻的关系的曲线图。图7是表示确认试验1的实施例3的波长分散特性的曲线图。图8是表示UV侧的半值对应的波长的经时变化的曲线图。图9是表示IR侧的半值对应的波长的经时变化的曲线图。图IO是表示使用了本实施方式的光学多层膜过滤器的数码相机的构成的说明图。符号说明l...作为基板的玻璃基板、2...无机薄膜、5...含氟有机硅化合物膜、IO...光学多层膜过滤器、100...摄像模块、110...光学低通滤波器、115...保护镜片(coverglass)、120...CCD、130...驱动部、140…固定夹具、150...接地电缆、200...透镜。具体实施例方式以下基于附图对将本发明具体化的实施方式进行说明。此外，本实施方式是适用于使可见光波段的光通过并在规定波长以下的紫外波段和规定波长以上的红外波段具有良好的反射特性的光学多层膜过滤器(UV-IR截止滤光片)的一例。(光学多层膜过滤器的构成)图1是示意性表示本实施方式的光学多层膜过滤器的构成的截面图。光学多层膜过滤器10的构成中，具有作为透过光的基板的玻璃基板1以及多层的无机薄膜2和含氟有机硅化合物膜5。在无机薄膜2的材料方面，在其构成中具有如下层将由高折射材料形成的高折射率层(H)设置为二氧化钛层的Ti02层(!1=2.40)、将由低折射材料形成的低折射率层(L)设置为二氧化硅层的Si02层(r^1.46)。对于该无机薄膜2，从玻璃基板1侧开始首先层积高折射率材料的Ti02层2Hl，在所层积的高折射率材料的Ti02层2Hl的上面层积低折射率材料的Si02层2Ll。然后，在低折射率材料的Si02层2U的上面依次交替层积高折射率材料的Ti02层和低折射率材料的Si02层，无机薄膜2的最上膜层层积的是低折射率材料的Si02层2L30,从而形成Ti02层和SiO2层各30层、共计60层的无机薄膜2。下面详细说明该无机薄膜2的构成。对于以下说明的膜厚构成的标记，使用光学膜厚11(1=1/4^的值。具体地说，将高折射率层(H)的膜厚表示为1H，同样地将低折射率层(L)的膜厚表示为1L。另夕卜，(xH、yL)S中的标记S是被称为叠加数的重复次数，表示周期性的重复括号内的构成。无机薄膜2的膜厚构成(光学膜厚)中，设计波长X为550nm，第1层的高折射率材料的Ti02层2H1为0.60H、第2层的低折射率材料的Si02层2L1为0.20L、其次依次为1.05H、0.37L、(0.68H、0.53L)4、0.69H、0.42L、0.59H、1.92L、(1.38H、1.38L)6、1.48H、1.52L、1.65H、1.71L、1.54H、1.59L、1.42H、1.58L、1.51H、1.72L、1.84H、1.80L、1.67H、1.77L、(1.87H、1.87L)7、1.89H、1.90L、1.90H，最表层的低折射率材料的Si02层2L30为0.96L、共计60层，以此来形成无机薄膜2。并且，在无机薄膜2的最表层的Si02层2L30上通过真空蒸镀法以厚度约5nm形成含氟有机硅化合物膜5。这样构成的光学多层膜过滤器10具有如下功能。图2是在光学多层膜过滤器上设置了地线时的截面图。光学多层膜过滤器10的含氟有机硅化合物膜5的膜厚较薄，并且其下形成的SiO2层2L30处于密度低、绝缘性低的状态。因此，在含氟有机硅化合物膜5的表面产生的电荷透过含氟有机硅化合物膜5和Si02层2L30，从而移动到Ti02层2H30。该Ti02层2H30的电阻比Si02的电阻低，所以电荷可以在该Ti02层2H30内移动。并且，通过在含氟有机硅化合物膜5的表面连接接地电缆150，电荷可由Ti02层2H30透过Si02层2L30和含氟有机硅化合物膜5，经接地电缆150释放到外部。这样，能够减少在光学多层膜过滤器10的含氟有机硅化合物膜5的表面产生的电荷量(带电量)。另外，光学多层膜过滤器10的表面为含氟有机硅化合物膜5，所以表面能量小，一旦附着了灰尘，能够容易地将其除去。(光学多层膜过滤器的制造方法)以下对光学多层膜过滤器的制造方法进行说明。首先，通过使用了普通的离子辅助的电子束蒸镀(所谓的IAD法，即离子辅助蒸镀))在玻璃基板1上形成无机薄膜2。具体地说，将玻璃基板l安装在真空蒸镀腔室(未图示)内，然后在真空蒸镀腔室内的下部配置填充了蒸镀材料的坩埚，利用电子束进行蒸发。同时加速照射利用离子枪离子化的氧(Ti02的成膜时添加氩)，由此，以上述的膜厚构成在玻璃基板1交替进行Ti02的高折射率材料层2H12H30和Si02的低折射率材料层2L12L30的成膜。下面给出Si02层和Ti02层的成膜条件，高密度形成部以下述的标准条件成膜。<Si02层的成膜条件(标准条件)〉成膜速度0.8nm/sec加速电压1000V加速电流1200mA氧(02)流量70sccm成膜温度150°C<Ti02层的成膜条件(标准条件)>成膜速度0.3nm/sec加速电压1000V加速电流1200mA氧(02)流量60sccm氩(Ar)流量20sccm成膜温度150°C此处，在进行无机薄膜2的最表层的Si02层(图1的2L30)的成膜时，在将离子枪的加速电压和加速电流设定为O(零)的状态下(通过控制导入的氧气流量)使成膜装置内的压力改变，控制密度。即，最表层的SK)2层的成膜通过真空蒸镀法进行，而不是通过离子辅助蒸镀来进行。此时的SiO2层成膜时的压力为5xl(^5xl0—卞a。此外，不是通过离子辅助蒸镀而是通过真空蒸镀法进行成膜的Si02层形成为比使用离子辅助蒸镀法进行成膜的SiCb层的密度低的Si02层。其次，为了谋求最表层的Si02层(图1的2L30)与含氟有机硅化合物膜(图1的符号5)的密合性的提高，对最表层的Si02层的表面进行表面处理。然后，在进行了表面处理的最表层的Si02层的表面进行含氟有机硅化合物膜的成膜。最终，得到了如图1所示的光学多层膜过滤器10。最表层的Si02层的表面处理是使用离子枪以下述条件进行的。〈Si02层的表面处理条件〉氧(02)流量50sccm加速电压1000V加速电流1000mA腔室内温度150°C处理时间3分钟含氟有机硅化合物膜的成膜中，例如用氟类溶剂(住友3M株式会社制造；NOVECHFE-7200)稀释信越化学工业株式会社制造的含氟有机硅化合物(制品名KY-130)，制备固体成分浓度为3%的溶液，用lg该溶液浸渗多孔陶瓷制造的颗粒，进行干燥后用作蒸发源。此外，对于其他的含氟有机硅化合物，可以使用信越化学工业株式会社制造的含氟有机硅化合物KP-801(制品名)、大金工业株式会社制造的含氟有机硅化合物OPTOOLDSX(制品名)以及DemnumSeriesS-100(制品名)等。含氟有机硅化合物膜5的成膜中，首先将形成有无机薄膜2的玻璃基板1和蒸发源置于真空装置内，进行减压排气。然后，在将基板的温度设定为约60。C的状态下将蒸发源加热到约600°C，使含氟有机硅化合物蒸发，在基板上成膜。本实施方式中，在减压氛围气内使用相连接的2腔室的真空蒸镀装置，在第1腔室进行无机薄膜的多层膜成膜和含氟有机硅化合物膜形成前的表面处理，在第2腔室进行含氟有机硅化合物膜的成膜。此外，既可以利用上述的2室相分离开的分离的装置，也可以在同一真空腔室内进行无机薄膜的多层膜成膜和含氟有机硅化合物膜形成前的表面处理、以及含氟有机硅化合物膜的成膜。[确认试验1]确认试验1中，改变无机薄膜2的最表层的Si02层(图1的2L30)的形成条件，制作多个样品，对所形成的各样品(无机薄膜2)进行性能评价。样品的制作中，在直径30mm、厚度0.3mm的白板玻璃(折射率n=l.52)的表面形成具有形成条件不同的最表层Si02层的无机薄膜2。除最表层的Si02层以外，以上述的标准条件进行成膜，最表层的Si02层的成膜中，通过控制导入的02气体流量来改变成膜装置内的压力(真空度)，从而进行最表层Si02层的成膜。对于所制作的样品，在离子枪的加速电压和加速电流设定为O(零)的状态下以成膜装置内的真空度为0.0005Pa、0.0010Pa、0.0030Pa、0.0100Pa、0.0300Pa、0.0500Pa形成最表层Si02层后，以上述方法形成含氟有机硅化合物膜。所制作的样品依叙述顺序表示为实施例16。另外，在导入气体以使压力与实施例16相同的状态下使离子枪工作(加速电压1000V、加速电流1200mA)，进行无机薄膜2的最表层Si02层的成膜，在其表面进行含氟有机硅化合物膜的成膜，制作成样品。将以对应于实施例16的真空度制作的样品按叙述顺序表示为比较例l6。其中，比较例13中由于压力过低，所以离子枪没有工作，因此未能形成最表层的Si02膜。进而，作为比较例，制作与实施例16和比较例16对应的没有形成含氟有机硅化合物膜的样品。将与实施例16和比较例16对应的样品按叙述顺序表示为比较例718。其中，比较例1315由于压力过低，所以离子枪没有工作，因此未能形成最表层的Si02膜。对于这样制作的实施例16、比较例16和比较例718的样品，通过擦拭试验、表面电阻(方块电阻)测定、表面电位测定的评价项目，进行性能评价。另外，在Si片上以各自的最表层Si02膜的形成条件制作Si02膜，使用得到的各样品，一并进行基于Si02膜的密度测定的评价。各评价项目各自的评价方法如下所示。(评价方法)(1)擦拭试验擦拭试验中进行擦拭试验前后的接触角测定、基于静电(静电试验)的珠粒附着数测定、和静电试验后基于吹尘(airblow，吹尘试验)的珠粒附着数测定。(l-l)接触角测定使用接触角计("CA-D型"，协和科学株式会社制造)，利用液滴法测定纯水的接触角。(l-2)静电试验用BEMCOT(无尘擦拭纸，纤维素100%)对无机薄膜2表面施加lkg负荷并同时往复摩擦30次后(待机60秒)，轻轻地使聚乙烯珠粒(平均粒径10)im)与该表面接触。其后，将珠粒附着面向下，以该状态静置10秒后，用显微镜观察3mmx2.3mm的区域，对附着的珠粒进行计数。对10个位置进行计数，以平均值作为附着量。测定时的环境为湿度55%±5%、气温25t:士3'C。此外，以多层膜表面与人体电接触的方式进行测定。(l-3)吹尘试验静电试验后，将喷气枪与形成有无机薄膜的各样品表面的距离设定为50cm，以0.1MPa的压力对基材表面吹送10秒干燥空气后，对残留在表面的(附着的)珠粒进行计数。测定时的环境为湿度55%±5%、气温25。C士3。C。(2)表面电阻(方块电阻)测定测定各样品的表面电阻。图3是表示对样品的表面电阻进行测定的方式的说明图。图3中，表面电阻的测定中使用表面电阻测定装置(三菱化学制造，高精度电阻率仪UPMCP-HT45)504。该表面电阻测定装置504的探针501与样品502的表面接触。载置样品502的载物台506为特氟龙(注册商标)制。其测定条件为1000V、30sec。测定时的环境为湿度55%±5%、气温25°C±3°C。(3)表面电位测定用BEMCOT(无尘擦拭纸，纤维素100%)强力擦拭形成有无机薄膜的各样品的表面，赋予静电以使作为初期值的表面电位为2000V的程度，然后经过60秒后，测定各无机薄膜的表面电位。图4是表示对样品表面电位进行测定的方式的说明图。图4中，表面电位的测定使用表面电位仪(TREKJAPAN制造，Model341)500。在利用该表面电位仪500的测定中，将探针501与样品502表面之间的距离设定为10mm来进行测定。此外，载置样品502的载物台503为金属制，以载物台503接地的状态进行测定。测定时的环境为湿度55%±5%、气温25。C士3。C。此外，与以上的各评价项目一并进行的最表层的Si02层的密度测定中，在Si片上以最表层的各Si02层形成条件形成厚约200nm的SiOj莫后，利用GIXR(X射线反射率法测定装置理学电机制造，ATX-G)来测定密度。<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>上述表1是表示确认试验1的评价结果的表格，其中给出了实施例16和比较例118的无机薄膜形成条件以及包括最表层的Si02层的密度测定在内的擦拭试验(接触角测定、静电试验和吹尘试验)、表面电阻(方块电阻)测定、表面电位测定的评价结果。表1中，在利用离子枪辅助下形成SiCb膜(IAD法)时(比较例46、比较例1618)的SiOj莫的膜密度超过理论密度2.2g/cm3。据认为这是由于离子枪辅助所致的O(氧)原子的掺入造成的。离子枪的输出功率设定为O(零)时，密度降低。并且，密度也依赖于成膜时的压力(真空度)，压力越高，密度越低。据认为这是由于，压力变低会导致所蒸发的颗粒的平均自由行程变长，到达基材时的能量增高。此外，本确认试验1中，在高于实施例6的压力的条件下，成膜速度降低，不能维持一般的容许成膜速度0.8nm/sec。擦拭试验前的珠粒附着数在实施例16中为100300个左右，比较例46和比较例1618中为500600个左右。这样可知，与比较例46和比较例1618相比，实施例16的珠粒附着数少。据认为上述结果是由于无机薄膜2的最表层Si02层的密度差所致的，在最表层的Si02层的密度低的实施例16的情况下，方块电阻低，表面电位也低，因而由带电量的差异而导致珠粒附着量的不同。因此在没有含氟有机硅化合物膜的比较例712中，珠粒附着数与实施例16几乎没有差别。其次，对附着了珠粒的试样进行吹尘试验，对此进行研究。对于实施例16，进行吹尘试验后的珠粒的附着数为1030个，附着数急剧减少。与此相对，对于比较例712，吹尘试验中珠粒的附着数减少，但比实施例16的珠粒附着数多。这是由于表面是否有含氟有机硅化合物膜所致的，形成有含氟有机硅化合物膜的实施例16的表面能量小，所以保持珠粒的能力低，能够容易地将所附着的珠粒除去。另一方面，不具有含氟有机硅化合物膜的比较例712的表面能量大，所以保持珠粒的能力高，不能容易地将所附着的珠粒除去。这也可由接触角的测定结果获知，在实施例16中，接触角为107。110°，与此相对，比较例712中接触角为42°49°。另外，由于两者间在方块电阻和表面电位方面不存在较大的差异，所以可知上述差别不是由带电量所引起的差别。另外，与比较例1618相比，比较例46的吹尘试验后的附着量少也是由于同样的理由。正因为如此，所以可以说构成无机薄膜2的最表层的Si02层的密度优选为1.92.1g/cm3的范围。这是根据实施例6的Si02膜的密度为1.981g/cm3，通过IAD法成膜的Si02膜的理论密度超过2.2g/cm3(比较例47和比较例1618)得出的。另外，在方块电阻和表面电位方面，在实施例16与比较例712之间以及比较例46与比较例1618之间没有较大差别。因此，含氟有机硅化合物膜没有对Si02层的低密度化所致的除电效果产生影响。这样，为了防止尘埃和灰尘附着在表面，将无机薄膜2的最表层的Si02层低密度化、除去静电等所致的电荷是有效的，进而在表面形成含氟有机硅化合物膜以便能够容易地除去附着的尘埃和灰尘是有效的。实施例16的情况下，在擦拭试验前后珠粒附着水平、吹尘试验后的珠粒附着水平、接触角方面没有大的差异。与此相对，比较例46中，擦拭试验前后接触角大大降低，与此相伴，吹尘试验后的珠粒附着数也增多。由此可知，实施例16的情况下，含氟有机硅化合物膜的耐久性高。确认试验2中，基于确认试验1中获得的结果(构成无机薄膜2的最表层Si02层的密度优选为1.92.1g/cn^左右)，以低密度形成在构成无机薄膜2的最表层Si02层的下层形成的包括Ti02层在内的Si02层，制作这样的样品，对其进行性能评价。该最表层的低密度的Si02层、在其下层形成的低密度的Ti02层和低密度的Si02层为低密度形成部。首先，在确认试验2之前进行低密度的Si02层和低密度的Ti02层的密合性的确认。低密度的Si02层的密合性确认中，在直径30mm、厚度0.3mm的白板玻璃的表面以如上所示的Ti02层的标准条件进行膜厚约100nm的Ti02层的成膜，在其表面以与确认试验1的实施例16相同的成膜条件(参见表l)进行膜厚约100nm的低密度的Si02层的成膜，制作这样的6种试样。从而，所形成的Si02层的密度与实施例16相同(参见表1)。将所制作的试样依对应于实施例16的形成条件的顺序称为试样16。另一方面，低密度的Ti02层的密合性确认中，同样使用直径30mm、厚度0.3mm的白板玻璃，在其表面同样以如上所示的Si02层的标准条件进行膜厚约100nm的Si02膜的成膜，在该Si02膜的表面，以TiCb层的标准条件进行膜厚约100nm的TiO2层的成膜，制成试样，另外在离子枪的加速电压和加速电流为O(零)的状态下，以成膜装置内的真空度为0.014Pa、0.030Pa、0.040Pa、0.050Pa的成膜条件进行膜厚分别为约100nm的低密度的Ti02层的成膜，制成4种试样，共计制作了5种试样作为比较试样。也即，低密度的Ti02层不是利用离子辅助蒸镀法成膜的，而是利用真空蒸镀法成膜的。此外，不是通过离子辅助蒸镀而是通过真空蒸镀法成膜的Ti02层形成为密度比使用离子辅助蒸镀法成膜的Ti02层的密度低的Ti02层。将所制作的试样以叙述顺序称为试样1115。通过基于JIS标准K5600-5-6的划格试验，对所制作的试样16和试样1115进行Si02膜和Ti02膜的密合性评价。划格试验中，使用刀具对在各试样的表面形成的Si02膜和Ti02膜的表面以lmm间隔纵横形成划伤(进行100格的划格)，在其表面粘贴胶带后拉起胶带，从而产生膜的剥离，以下述3个等级的评价基准对膜的剥离进行评价。A:划格的边缘完全是光滑的，任何格子的孔眼都没有剥离。B:划格的交差点处的膜有较少的剥离(100格中，5%以下发生剥离)。C:沿着划格的边缘和/或在交差点产生膜的剥离(100格中，大于5%且小于15%发生剥离)。<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>表2是给出形成有Si02层的试样的密合性评价结果和膜的形成条件的表格，其中给出了膜的形成条件以及形成有Si02层的试样16的密合性评价结果。表3是给出了形成有低密度Ti02层的试样的密合性评价结果和膜的形成条件的表格，其中给出了膜的形成条件以及形成有Ti02层的试样1115的密合性评价结果。表2中，对于表面形成有低密度的Si02层的试样16来说，其全部显示出良好的密合性(A)而与成膜条件无关。另一方面，表3中，对于Ti02层，Ti02膜的密度降低时导致密合性降低。并且，试样13的密合性评价结果为A，所以用作低密度的Ti02层时的Ti02膜的密度优选为4.1g/cn^以上。另外，使用离子辅助来形成高密度的TiOj莫的试样11中的TiOj莫的密度为4.89g/cm3。对于该值，通过改变离子辅助的条件等，也可以进一步提高密度，但是密度增高使得压縮应力增加、浊度值(HAZE，透明度)降低，所以不是优选的。因此，低密度的Ti02层的密度的优选范围为4.14.8g/cm3。基于以上结果，对于在最表层的SK)2层的下层形成的低密度的Ti02层，例如采用试样12的形成条件(离子枪的加速电压和加速电流为O(零)、真空度为0.014Pa)，对于包括最表层的Si02层以及在其下层形成的低密度的Si02层，采用与上述的实施例3相同的形成条件(离子枪的加速电压和加速电流为0(零)、真空度为0.003Pa)来形成，制作新的试样。试样中，以标准条件成膜的Ti02层和以标准条件成膜的Si02层依次交替层积，最表层为低密度Si02层，由此形成共计60层的无机薄膜2(参见图1)，在该无机薄膜2中，将最表层的低密度的SiO2层(2L30)设为第1层时，用低密度的Ti02层和低密度的Si02层每次递增一层地顺次形成从其下层的第2层(2H30)到第6层(2H28)之间的层来第2层到第6层之间的以标准条件成膜的Ti02层和以标准条件成膜的Si02层，制作4种试样，并制作采用低密度的Ti02层和低密度的Si02层来形成用于形成无机薄膜2的全部的形成层(包括最表层为低密度的Si02层在内的60层)的试样。艮P，低密度形成部的层数为l层的试样中，最表层(2L30)由低密度的Si02层形成。该试样与确认试验1的实施例3相同。低密度形成部的层数为2层的试样中，2L30由低密度的Si02层形成，2H30由低密度的Ti02层形成。另外，低密度形成部的层数为3层的试样中，2L30和2L29由低密度的Si02层形成，2H30由低密度的Ti02层形成。以下，由低密度的Si02层和低密度的Ti02层形成的低密度形成部的层数依次形成到第6层为止。进而，低密度的层数为60层的试样中，2L302L1由低密度的Si02层形成，2H302H1由低密度的Ti02层形成。对于这样形成有无机薄膜的试样，将低密度形成部的层数为1层的试样称为实施例3，将低密度的层数为2层6层和60层的试样以叙述顺序称为试样2126。对于各试样，与确认试验l相同，在直径30mm、厚度0.3mm的白板玻璃的表面形成无机薄膜后，在其表面进行含氟有机硅化合物膜的成膜。此外，低密度形成部的Si02层的折射率(n)设定为1.43、低密度形成部的Ti02的折射率(n)设定为2.28、设计波长X设定为550nrn时，各试样中成膜的低密度形成部的Si02层和低密度形成部的Ti02层的各个层的物理膜厚如下所示(光学膜厚在上述的无机薄膜2的膜厚构成中已给出)。第1层(2L30):62.8腦、第2层(2H30):50.6nm、第3层(2L29):31.7nm、第4层(2H29)50.9nm、第5层目(2L28):32.2nm、第6层(2H28):51.4nm。即，层数为1层(试样21)6层(试样25)和60层(试样26)的低密度形成部的总膜厚依次为62.8nm、113.4nm、145.2nm、196.0nm、228.3nm、279.7nm、4374.6nm。然后，对于制作的试样2126，与确认试验1同样地通过擦拭试验(接触角测定、静电试验和吹尘试验)、表面电阻(方块电阻)测定、表面电位测定的评价项目进行性能评价。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>表4是表示确认试验2的评价结果的表格。表4中，给出了确认试验1的实施例3的评价结果以及包括所形成的低密度的Si02层和Ti02层的密度测定值在内的各无机薄膜形成条件，并给出了试样2126的擦拭试验、表面电阻(方块电阻)测定、表面电位测定的评价结果。表4中，随着低密度层的层数增加，方块电阻减少。但是，层数为4层以上时，方块电阻几乎没有变化。图5是表示确认试验2的低密度形成部的层数与方块电阻的关系的曲线图，图6是表示确认试验2的低密度形成部的总膜厚与方块电阻的关系的曲线图。图5中，横轴表示低密度形成部的层数，纵轴表示方块电阻(ohm/口)，将实施例3(低密度形成部的层数1)和试样2126(低密度形成部的层数为2层6层以及60层)的方块电阻值的测绘点连线，用连接的线图进行表示。图6中，横轴表示低密度形成部的总膜厚，纵轴表示方块电阻(ohm/口)，与图5相同，将各试样的方块电阻值的测绘点连线，用连接的线图进行表示。由该图5所示的线图明显示出低密度形成部的层数为4层以上时，方块电阻值饱和，几乎不发生变化。其次，对这些试样内低密度形成部的层数为l层时(实施例3)以及低密度形成部的层数为4层时(试样23)和60层全部为低密度形成部时(试样26)的波长分光特性的经时变化进行确认。波长分光特性使用积分球式分光透过率测定器进行测定。图7是表示确认试验1的实施例3的波长分散特性的曲线图。图7中，横轴表示波长(nm)，纵轴表示透过率(％)，图7是在波长300nm1200nm(可见光区域至一部分近红外光区域之间)中绘制每隔2nm波长的透过率得到的线图。因此，实施例3和试样2326的试样中形成的无机薄膜均具有IR截止功能。经时变化的确认中，测定图7所示的线图中A点表示的UV(紫外线)侧的半值(透过率50%)和B点表示的IR(红外线)侧的半值对应的各试样刚成膜后的波长以及成膜后经过30天后的波长。图8为表示UV侧的半值的波长的经时变化的曲线图。图8中用虚线表示的线图al表示实施例3(低密度形成部的层数为1层)的经时变化，用实线表示的线图M表示试样23(低密度形成部的层数为4层)的经时变化，用点划线表示的线图cl表示试样26(60层全部为低密度形成部)的经时变化。另一方面，图9是表示IR侧的半值对应的波长的经时变化的曲线图，图9中用虚线表示的线图a2表示实施例3的经时变化，用实线表示的线图b2表示试样23的经时变化，用点划线表示的线图c2表示试样26的经时变化。此外，各曲线图中，图8的纵轴表示400420nm的波长范围，图9的纵轴表示670690nm的波长范围。图8和图9中，UV侧的半值对应的波长的经时变化和IR侧的半值对应的波长的经时变化都随低密度膜的层数的增加而变大。所以，到线图bl和线图b2表示的4层为止，半值几乎都没有变化，并且层数为4层时方块电阻饱和(参见图5)，因此低密度形成部的层数优选为1层4层。即，无机薄膜2优选至少最表层由低密度的Si02层形成、或以低密度形成部形成最表层的Si02层并选择性地形成到将最表层Si02层设为第1层时在其下层的第2层第4层形成的Ti02层和SiCb层。换言之，在最表层的Si02层为第1层时，优选低密度形成部选择性地形成到第1层第4层。另一方面，根据图6所示的线图，从低密度形成部的总膜厚的方面来看，低密度形成部的总膜厚(物理膜厚)包括最表层的Si02层在内，优选在最表层的Si02层的下层侧为280nm以内。以上的实施方式中，使用白板玻璃作为玻璃基板1进行了说明，但并不限于此，既可以使用BK7、蓝宝石玻璃、硼硅酸盐玻璃、青板玻璃、SF3以及SF7等透明基板，也可以使用一般市售的光学玻璃。并且，对使用Ti02作为高折射率层的材料的情况进行了说明，但也可以应用其他WTa205、Nb205。进而，在无机薄膜2的最表层的SiO2层(2L30)上设置了含氟有机硅化合物膜5，但也可以使用烷基系化合物(例如，信越化学工业株式会社制造的KF-96)作为防水膜，获得与上述实施方式同样的效果。以上，根据本实施方式，将构成至少无机薄膜2的最表层的Si02层(2L30)的密度设定为1.9g/cm32.1g/cm3，由此，本来显示出高绝缘性的Si02层的绝缘性降低(导电性增高)。因此，因静电等而存在于表面的电荷能够穿过最表面的Si02层达到下层。与Si02层相比，下层的高折射率材料的绝缘性低，所以电荷可以在高折射率膜的表面移动。通过将该电荷接地(接地线)，从而电荷难以积存在光学多层膜过滤器的最表面，静电所致的灰尘等难以附着。另外，在构成无机薄膜2的最表层的Si02层(2L30)上形成有含氟有机硅化合物膜5，由此表面能量降低，灰尘的附着得到抑制，一旦附着了灰尘，也能够容易地将灰尘除去。并且，所形成的含氟有机硅化合物膜5为薄膜(〈10nm)，与无机物相比，密度较低，所以电荷容易穿透到下层，并且对分光特性也没有影响。并且，如果无机薄膜2的最表层的Si02的密度低，则Si02的表面积增加(相当于微观上凹凸增加)，含氟有机硅化合物膜5的附着面积增大。因此，含氟有机硅化合物膜5的密合性提高，耐久性提高。进而，将无机薄膜2的最表层的Si02层设为第l层时，在第l层的Si02层(2L30)的下层的第2层(2H30)和第4层(2H29)选择性地形成密度为4.1g/cm34.8g/cm3的丁102层，并在第3层(2L29)选择性地形成密度为1.9g/cn^2.1g/cn^的Si02层，由此可获得与上述相同的效果，同时可得到波长分散特性的经时变化小的光学多层膜过滤器。另外，除了在无机薄膜2的第1层(2L30)、第2层(2H30)和第4层(2H29)所形成的Ti02层和第3层的Si02层(2L29)以外，由于可以形成高品质的膜，因此还易于获得光学多层膜过滤器IO所必需的低波长漂移和低浊度的特性。另外，在本实施方式的光学多层膜过滤器10中，通过使基板由玻璃基板1构成，能够得到作为灰尘难以附着的例如CCD(电荷结合元件)等影像元件的防尘玻璃并且同时具有所期望的过滤器功能例如UV-IR截止滤光片和IR截止滤光片的功能的光学多层膜过滤器。另外，通过使玻璃基板1由水晶基板构成，能够得到作为灰尘难以附着的例如光学低通滤波器并且同时具有所期望的过滤器功能例如UV-IR截止滤光片和IR截止滤光片的功能的光学低通滤波器。并且，本实施方式也能够应用于抗反射膜的形成。另外，根据本实施方式的光学多层膜过滤器的制造方法，利用真空蒸镀法形成至少构成无机薄膜2的最表层的Si02层(2L30)，由此能够得到密度为1.9g/cm32.1g/cm3的Si02层。从而，本来显示出高绝缘性的Si02层的绝缘性降低(导电性增高)。因此，由于静电等的原因而存在于表面的电荷能够穿过最表面的Si02层到达下层。与Si02层相比，下层的高折射率材料的绝缘性低，所以电荷能够在高折射率膜的表面移动。通过将该电荷接地(接地线)，能够获得电荷难以积存在光学多层膜过滤器10的最表面、静电引起的灰尘等难以附着的光学多层膜过滤器。另外，通过使用真空蒸镀法在无机薄膜2的最表层的Si02层(2L30)的下层形成Ti02层，能够得到密度为4.1g/cmS4.8g/cr^的Ti02层。并且，在将无机薄膜2的最表层的SiO2层(2L30)设为第1层时，选择性地使用真空蒸镀法在第1层的Si02层的下层的第2层(2H30)和第4层(2H29)形成TK)2层、和在第3层(2L29)形成Si02层，由此能够得到与通过真空蒸镀法形成至少无机薄膜2的最表层的Si02层时具有同样效果的光学多层膜过滤器。进而，在构成无机薄膜2的最表层的Si02层上形成含氟有机硅化合物膜5，由此，能够获得表面能量降低、灰尘的附着得到抑制、一旦附着了灰尘也能够容易地将其除去的光学多层膜过滤器。此外，所形成的含氟有机硅化合物膜5的膜厚度较薄，与无机物相比，密度也低，所以电荷容易透过到下层，并且对分光特性也没有影响。另外，如果无机薄膜2的最表层的Si02层的密度低，则Si02层的表面积增加，含氟有机硅化合物膜5的附着面积增大。因此，能够获得含氟有机硅化合物膜5的密合性得到提高、耐久性得到提高的光学多层膜过滤器。另外，通过使对构成无机薄膜2的最表层的SiO2层(2L30)和将最表层的SK)2层设为第1层时在第1层的Si02层的下层的第3层(2L29)选择性地形成的Si02层进行成膜时的压力为5xl0—45xl0—2Pa，能够使其密度为1.92.1g/cm3。另外，将最表层的SiO2层(2L30)设为第1层时，通过使对在第1层的Si02层的下层的第2层(2H30)和第4层(2H29)选择性地形成的TK)2层进行成膜时的压力为1.4xl(T2Pa3xl(T2Pa，能够使其密度为4.14.8g/cm3。这样，通过本实施方式的光学多层膜过滤器的制造方法制造的光学多层膜过滤器10能够有效地使例如数码相机、数码摄像机等摄像装置、带摄像头的手机、带摄像头的个人电脑(Personalcomputer)等作为抑制了灰尘的影响的电子机器装置利用。在这些电子机器装置中，对在进行静止图像的拍摄的数码相机的摄像装置中应用光学多层膜过滤器的一例进行说明。图10是表示使用本实施方式的光学多层膜过滤器的数码相机的构成的说明图，表示出了摄像模块100和包含该摄像模块100的摄像装置的构成。摄像模块100的构成中包括保护镜片115、光学低通滤波器110、和对光学图像进行光电转换的摄像元件的CCD(电荷结合元件)120。光学低通滤波器110的表面形成有UV-IR截止滤光片，该UV-IR截止滤光片中，构成上述无机薄膜2(参见图l)的最表层的SiO2层(2L30)的密度为1.92.1g/cm3，且在构成无机薄膜2的最表层的Si02层上形成有含氟有机硅化合物膜5。此时，过滤器的基板为水晶基板。该光学低通滤波器110是数码相机的通过透镜交换等直接与外部气体接触的部分，是最容易附着灰尘的部分。用于固定光学低通滤波器110的固定夹具140由金属等导电材料构成，其与光学低通滤波器110的最外层(表面)电连接。并且，固定夹具140通过接地电缆150接地(接地线)。摄像装置的构成中包括该摄像模块100、配置在光入射侧的透镜200、驱动摄像模块100的CCD120的驱动部130、和将从摄像模块100输出的摄像信号进行记录-再生等的本体部300。此外，本体部300包括用于进行摄像信号的校正等的信号处理部、用于将摄像信号记录到磁带等记录介质上的记录部、用于对该摄像信号进行再生的再生部、和用于显示出所再生的屏幕图像的显示部等构成要件，这些在图中没有示出。这样构成的数码相机能够提供具有下述优点的数码相机在直接与外部气体接触的易于附着灰尘的光学低通滤波器110表面难以附着灰尘，所附着的灰尘能够通过吹尘简单地除去。此外，对与透镜200分离配置的摄像模块100的结构进行了说明，但也可以在摄像模块的构成中包含透镜200。另外，对于形成于保护镜片115的表面的抗反射膜，可以应用本实施方式。另外，可以在保护镜片115的表面形成多层膜过滤器，来进行实施。另外，通过使保护镜片115为水晶制，可以用作兼用为部分光学低通滤波器的保护镜片。并且，能够应用于在表面所形成的抗反射膜和多层膜过滤器(UV-IR截止滤光片)等。在这些保护镜片中应用本实施方式时，能够降低摄像装置的组装工序中附着的灰尘。进而，也可以通过在光学低通滤波器的表面侧形成抗反射膜的构成来实施。权利要求1、一种光学多层膜过滤器，其为在基板上具有由两个以上的层构成的无机薄膜的光学多层膜过滤器，其特征在于，上述无机薄膜由低密度形成部和高密度形成部构成，在上述无机薄膜的表面上形成有含氟有机硅化合物膜，上述低密度形成部中，上述无机薄膜的最表层或包括该最表层在内的两个以上的层由低密度的二氧化钛层和/或低密度的二氧化硅层形成，上述高密度形成部是在上述低密度形成部和上述基板之间层积相对于上述低密度的二氧化硅层为高密度的二氧化硅层和相对于上述低密度的二氧化钛层为高密度的二氧化钛层而形成的，上述低密度形成部的总膜厚为280nm以内。2、如权利要求l所述的光学多层膜过滤器，其特征在于，所述低密度的二氧化硅层的密度为1.9g/cr^2.1g/cm3，所述低密度的二氧化钛层的密度为4.1g/cm34.8g/cm3，所述无机薄膜的最表层利用所述低密度的二氧化硅层形成，所述低密度形成部的层数为从2层到4层中选择的任意层数，从而形成所述低密度形成部。3、如权利要求1或权利要求2所述的光学多层膜过滤器，其特征在于，所述基板为玻璃基板或水晶基板。4、一种光学多层膜过滤器的制造方法，所述光学多层膜过滤器在基板上具有由两个以上的层构成的无机薄膜，该制造方法的特征在于，在上述基板的表面形成层积有高密度的二氧化钛层和高密度的二氧化硅层的高密度形成部，其次，通过真空蒸镀法在上述高密度形成部的表面以总膜厚为280nm以内形成低密度形成部，所述低密度形成部是由相对于上述高密度的二氧化钛层为低密度的二氧化钛层和/或相对于上述高密度的二氧化硅层为低密度的二氧化硅层形成的，进而，在上述低密度形成部的最表层的表面形成含氟有机硅化合物膜。5、如权利要求4所述的光学多层膜过滤器的制造方法，其特征在于，所述低密度形成部的形成中，将所述低密度的二氧化硅层的密度设定为1.9g/cmS2.1g/cm3，将所述低密度的二氧化钛层的密度设定为4.1g/cm34.8g/cm3，所述低密度形成部的层数为从2层到4层中选择的任意层数。6、如权利要求4或权利要求5所述的光学多层膜过滤器的制造方法，其特征在于，通过所述真空蒸镀法进行所述低密度的二氧化硅层的成膜时的压力为5xl(r4pa5xl(r2pa，通过所述真空蒸镀法进行所述低密度的二氧化钛层的成膜时的压力为1.4xl0-2pa3xl0—2pa。7、一种电子机器装置，其为组装有光学多层膜过滤器的电子机器装置，其特征在于，上述光学多层膜过滤器由在基板上的由两个以上的层构成的无机薄膜和形成于该无机薄膜表面的含氟有机硅化合物膜构成，上述无机薄膜由低密度形成部和高密度形成部构成，上述低密度形成部中，上述无机薄膜的最表层或包括该最表层在内的两个以上的层由低密度的二氧化钛层和/或低密度的二氧化硅层形成，上述高密度形成部是在上述低密度形成部和上述基板之间层积相对于上述低密度的二氧化硅层为高密度的二氧化硅层和相对于上述低密度的二氧化钛层为高密度的二氧化钛层而形成的，上述低密度形成部的总膜厚为280nm以内。8、如权利要求7所述的电子机器装置，其特征在于，所述低密度形成部的形成中，将所述低密度的二氧化硅层的密度设定为1.9g/cr^2.1g/cm3，将所述低密度的二氧化钛层的密度设定为4.1g/Cm34.8g/cm3，所述低密度形成部的层数为从2层到4层中选择的任意层数。全文摘要本发明提供光学多层膜过滤器及其制造方法，该光学多层膜过滤器能降低灰尘的附着且能容易地除去附着的灰尘。光学多层膜过滤器10具有由形成于玻璃基板1上的两个以上的层构成的无机薄膜2。无机薄膜2中，在玻璃基板的表面依次交替层积TiO₂层和SiO₂层，最表层由SiO₂层(2L30)构成，在无机薄膜2的最表层的表面形成有含氟有机硅化合物膜5。并且，构成最表层的SiO₂层的密度为1.9～2.1g/cm³，进而无机薄膜2的最表层的SiO₂层设为第1层时，在第1层SiO₂层的下层的第2层(2H30)和第4层(2H29)选择性地形成密度为4.1～4.8g/cm³的TiO₂层，在第3层(2L29)选择性地形成密度为1.9～2.1g/cm³的SiO₂层。这些SiO₂层和TiO₂层使用真空蒸镀法成膜。文档编号G02B5/20GK101435888SQ200810176318公开日2009年5月20日申请日期2008年11月14日优先权日2007年11月16日发明者澁谷宗裕申请人:爱普生拓优科梦株式会社