专利名称：接近式曝光掩膜板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及显示领域，特别是指一种接近式曝光掩膜板。
背景技术：
随着液晶显示技术的发展，大尺寸，高品质，低成本成为未来发发展方向。彩色滤光片作为 TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)显示器件的主要组成部件，其品质直接决定着液晶显示器件的显示效果。目前，随着对大尺寸的追求，TFT-IXD制造不断向高世代发展。玻璃基板制作时需要的掩膜板也随之增大，掩膜板的弯曲问题越来越明显。现有技术中的接近式曝光掩膜板如图I所示，掩膜板2各个位置的图形4的形状、尺寸均相同，彩色滤光片制作中采用接近式曝光方式，掩膜板2与玻璃基板之间的距离在一百微米至数百微米以内。如图2所示，掩膜板2的弯曲将导致曝光平面倾斜，掩膜板2上的图形4将发生扭曲；同时也将造成掩膜板2上不同位置与玻璃基板I的间距不同中间部分的曝光间距G2小于边缘部分的曝光间距Gl (图2中G2 < Gl);由于曝光时受衍射角、光线平行度等因素的影响，玻璃基板I上的图形尺寸(CD)与曝光间距(Gap)密切相关，如图3所示为图形尺寸⑶与曝光间距Gap之间的对应关系，图形尺寸⑶与曝光间距成正比。因此掩膜板2弯曲将导致玻璃基板I上中间部分的图形的尺寸CD2小于边缘部分的图形尺寸⑶I (图2中⑶2 <⑶I)，影响了液晶显示面板的显示品质。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种接近式曝光掩膜板，能够解决因掩膜板弯曲造成的玻璃基板上图形尺寸不均一的问题，从而改善液晶显示面板的显示品质。为解决上述技术问题，本实用新型的实施例提供技术方案如下一方面，提供一种接近式曝光掩膜板，用以对彩色滤光片进行接近式曝光，从所述掩膜板的边缘到所述掩膜板的中心，掩膜板上图形的尺寸逐渐增大。其中，所述掩膜板上图形为开口，可透光。进一步地，所述掩膜板上的图形为对设定图形上的各点在延长线方向上进行尺寸补偿后得到的图形，延长线为该设定图形的中心点与该各点之间的连线，设定图形为假定掩膜板不出现弯曲时的图形。进一步地，所述掩膜板上图形上的点在尺寸补偿后距图形的中心点的距离为L2，则L2 = Ll+ACDMask，其中ACDilask为尺寸补偿量，LI为设定图形中与该点对应的点到设定图形中心点的距离。进一步地，尺寸补偿量ACDilask由设定图形的尺寸、设定的曝光间距和曝光间距变化量决定，
0011]尺寸补偿量
权利要求1.一种接近式曝光掩膜板，其特征在于，从所述掩膜板的边缘到所述掩膜板的中心，所述掩膜板上图形的尺寸逐渐增大。
2.根据权利要求I所述的接近式曝光掩膜板，其特征在于，所述掩膜板上图形上的点在尺寸补偿后距图形的中心点的距离为L2，则L2 =Ll+ACDMask，其中ACDilask为尺寸补偿量，LI为设定图形中与该点对应的点到设定图形中心点的距离。
3.根据权利要求2所述的接近式曝光掩膜板，其特征在于，X //y尺寸补偿量AeDMaSk = l+ytx(/Zo_AA)XCDMaSk°，其中，CDilaskci为设定图形上对应点到设定图形中心点的距离Λ为设定的曝光间距，Ah为掩膜板弯曲引起的曝光间距变化量，k为常数。
4.根据权利要求3所述的接近式曝光掩膜板，其特征在于，曝光间距变化量其中，I为掩膜板上的点距掩膜板中心点的距离，L为该点与该中心点连线上该中心点距掩膜板边缘的距离，H为掩膜板的最大曝光间距变化量，η为形变指数。
5.根据权利要求I所述的接近式曝光掩膜板，其特征在于，所述掩膜板由不透光材料制成。
6.根据权利要求5所述的接近式曝光掩膜板，其特征在于，所述不透光材料包括金属。
专利摘要本实用新型提供一种接近式曝光掩膜板，属于显示领域。其中，该接近式曝光掩膜板，用以对彩色滤光片进行接近式曝光，从所述掩膜板的边缘到所述掩膜板的中心，掩膜板上图形的尺寸逐渐增大。本实用新型的技术方案能够解决因掩膜板弯曲造成的玻璃基板上图形尺寸不均一的问题，从而改善液晶显示面板的显示品质。
文档编号G03F1/50GK202735676SQ20122016132
公开日2013年2月13日 申请日期2012年4月16日 优先权日2012年4月16日
发明者黎敏, 吴洪江, 张继凯, 王耸 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司