一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示【技术领域】，解决了现有的阵列基板上数据线电压波动影响像素电极显示的问题。一种阵列基板，包括：衬底、设置在所述衬底上的栅金属层、源漏金属层以及透明导电层；其中，所述栅金属层包括：公共电极线，所述源漏金属层包括：数据线；透明导电层包括：像素电极；其中，阵列基板还包括：第一导电图案，所述第一导电图案与数据线位置对应，并至少在数据线对应像素电极的部分与数据线形成垂直电场。
【专利说明】一种阵列基板及其制作方法、显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]现有的液晶显示面板，包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶。
[0003]以应用于TN(Twist Nematic，扭曲向列)型液晶显示器中的阵列基板为例，阵列基板包括:多条栅线和多条数据线，其中栅线和数据线纵横交错形成多个像素单元，如图1所示，每一所述像素单元对应设置有一个薄膜晶体管3以及一个像素电极5，其中，薄膜晶体管3包括栅极31、源极32和漏极33，栅极31和栅线I相连，源极32和数据线2相连，漏极33和像素电极5相连。且所述阵列基板还设置有公共电极线4，其与设置在彩膜基板上的公共电极电连接，提供公共电压。
[0004]参照图1所示，其工作原理为，当栅线I向栅极31提供扫描信号，数据线2向源极32提供数据信号，则对应的漏极33导通，向像素电极传输电压信号，像素电极和彩膜基板的公共电极形成电场，以驱动液晶实现显示。但当栅极停止提供扫描信号，由于液晶电容和存储电容，如图2所示，像素电极5会保持一定电压到下一周期，此时数据线2会继续向其他行的像素单元提供数据信号，数据线2上的信号不断变换，进而会影响像素电极5的显示，影响显示效果。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，所述阵列基板上的数据线的电压变化不会影响像素电极的电压，提升了显示效果。
[0006]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0007]本发明实施例提供了一种阵列基板，包括:衬底设置在所述衬底上的栅金属层、源漏金属层以及透明导电层；其中，所述栅金属层包括:公共电极线，所述源漏金属层包括:数据线；透明导电层包括:像素电极；其中，阵列基板还包括:第一导电图案，所述第一导电图案与数据线位置对应，并至少在数据线对应像素电极的部分与数据线形成垂直电场。
[0008]可选的，所述第一导电图案与数据线形成垂直电场。
[0009]可选的，所述第一导电图案与公共电极线电连接。
[0010]可选的，所述栅金属层还包括:第一导电图案，且所述第一导电图案与公共电极线直接接触电连接。
[0011]可选的，所述透明导电层还包括:第一导电图案，且所述第一导电图案与所述公共电极线通过过孔电连接。
[0012]可选的，所述阵列基板在栅金属层和第一导电图案之间还包括:栅绝缘层和钝化层，且所述栅绝缘层和/或所述钝化层的介电常数在7以下。
[0013]可选的，所述第一导电图案的宽度大于所述数据线的宽度。[0014]本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括:在衬底上形成栅金属层，其中，所述栅金属层包括:公共电极线；在衬底上形成源漏金属层，其中，所述源漏金属层包括:数据线；在衬底上形成透明导电层，其中，所述透明导电层包括:像素电极:还包括:至少在衬底与数据线对应像素电极的对应位置处形成第一导电图案。
[0015]可选的，在衬底的与数据线对应的位置处形成第一导电图案。
[0016]可选的，形成所述栅金属层具体包括形成公共电极线以及第一导电图案，且所述第一导电图案与公共电极线直接接触电连接。
[0017]可选的，形成所述透明导电层包括:形成像素电极以及第一导电图案，且所述第一导电图案与所述公共电极线通过过孔电连接。
[0018]本发明实施例提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的任一所述的阵列基板。
[0019]本发明实施例提供的一种阵列基板及其制作方法、显示装置，所述阵列基板上还设置有第一导电图案，所述第一导电图案与数据线的位置对应，且至少在数据线对应像素电极的部分与数据线形成垂直电场，则数据线电压变化对像素电极的影响很小，减小像素电极的电压波动，进而可以提升显示效果。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]图1为现有的阵列基板俯视结构不意图；
[0021]图2为图1所示阵列基板的剖视结构示意图；
[0022]图3为本发明实施例提供的一种阵列基板俯视结构示意图；
[0023]图4为图3所示阵列基板的剖视结构示意图；
[0024]图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板俯视结构示意图；
[0025]图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法示意图。
[0026]附图标记:
[0027]I)栅线；2)数据线；3)薄膜晶体管；31)栅极；32)源极；33)漏极；4)公共电极线；5)像素电极；6)第一导电图案；7)钝化层；8)栅绝缘层；10)透明基板。
【具体实施方式】
[0028]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0029]在本发明所有实施例中，需要阐明“层”以及“图案”的定义，以及之间的关系。其中，所“层”即通过一次构图工艺形成的一层薄膜，其可以包括至少一个薄膜“图案”。
[0030]本发明实施例提供了一种阵列基板，包括:衬底、设置在所述衬底上的栅金属层、源漏金属层以及透明导电层；其中，所述栅金属层包括:公共电极线，所述源漏金属层包括:数据线；透明导电层包括:像素电极；其中，阵列基板还包括:第一导电图案，所述第一导电图案与数据线位置对应，并至少在数据线对应像素电极的部分与数据线形成垂直电场。
[0031]需要说明的是，所述栅金属层还可以包括栅线和栅极，所述源漏金属层还可以包括源级和漏极。所述第一导电图案用于与数据线形成垂直电场，则所述第一导电图案在垂直方向上绝缘。且所述第一导电图案可以是设置在所述源漏金属层的上面，也可以是设置在所述源漏金属层的下面。所述第一导电图案至少在数据线对应像素电极的部分与数据线形成垂直电场，即第一导电图案可以是如图3所示，仅在数据线对应像素电极的部分与第一导电图案形成垂直电场。所述衬底可以是透明基板、还可以是在透明基板上设置有其他薄膜或层结构等，本发明实施例以所述衬底为透明基板为例进行详细说明。
[0032]具体的，如图3、图4所示，所述阵列基板包括透明基板10以及设置在所述透明基板10上面的栅金属层、源漏金属层以及透明导电层；其中所述栅金属层包括:栅线1、栅极31和公共电极线4 ;源漏金属层包括:数据线2、源极32和漏极33 ;透明导电层包括:像素电极5 ;且阵列基板还包括第一导电图案6，如图4所示，所述第一导电图案6设置在所述数据线2的上方，在数据线2对应像素电极的部分与数据线2形成垂直电场。
[0033]需要说明的是，阵列基板还包括其他薄膜或层结构，例如，在栅金属层的上一层还设置有栅绝缘层，在源漏金属层和透明导电层之间还可以设置钝化层等。本发明实施例仅列举与本发明的发明点相关的薄膜或层结构。
[0034]本发明实施例提供的一种阵列基板，所述阵列基板上还设置有第一导电图案，所述第一导电图案与数据线的位置对应，且至少在数据线对应像素电极的部分与数据线形成垂直电场，则数据线电压变化对像素电极的影响很小，减小像素电极的电压波动，进而可以提升显示效果。
[0035]可选的，所述第一导电图案与数据线形成垂直电场。即所述第一导电图案与数据线对应形成多排，每一条数据线对应一条第一导电图案。这样可以进一步减小整条数据线电压波动对像素电极的影响。
[0036]可选的，所述第一导电图案与公共电极线电连接。具体的，如图4所示，第一导电图案6与公共电极线4电连接，通过公共电极线4提供电压从而与数据线2形成垂直电场。
[0037]可选的，所述栅金属层还包括:第一导电图案，且所述第一导电图案与公共电极线直接接触电连接。具体的，如图5所示，所述栅金属层包括第一导电图案6，且所述第一导电图案6与所述公共电极4直接接触电连接。
[0038]可选的，所述透明导电层还包括:第一导电图案，且所述第一导电图案与所述公共电极线通过过孔电连接。具体的，如图4所示，所述透明导电层包括:像素电极5以及第一导电图案6，且所述第一导电图案6与所述像素电极5绝缘，第一导电图案6通过过孔与公共电极线4电连接。
[0039]可选的，所述阵列基板在栅金属层和第一导电图案之间还包括:栅绝缘层和钝化层，且所述栅绝缘层和/或所述钝化层的介电常数在7以下。具体的，如图4所示，在栅金属层和第一导电图案6之间还包括栅绝缘层8和钝化层9，所述第一导电图案6与所述公共电极线4通过栅绝缘层8以及钝化层7上的过孔与公共电极线4电连接。且栅绝缘层和/或所述钝化层的介电常数在7以下，且栅绝缘层和/或所述钝化层的介电常数包括7，这样进一步的第一导电图案与数据线形成的电场较小，对像素电极的影响更小。
[0040]可选的，所述栅绝缘层的厚度为4000人。如图4所示，所述栅绝缘层的厚度为
4000A,通过增加栅绝缘层的厚度，即增大了数据线和像素电极的距离，可以进一步减小数据线电压对像素电极的影响。[0041]可选的，所述钝化层的厚度为6000A。如图4所示，所述钝化层的厚度为6000A,
通过增加钝化层的厚度，即增大了数据线和像素电极的距离，可以进一步减小数据线电压对像素电极的影响。
[0042]可选的，所述第一导电图案的宽度大于所述数据线的宽度。如图4、图5所示，这样形成的第一导电图案包裹所述数据线，以屏蔽掉其信号变化对像素电极影响。
[0043]在本发明所有实施例中，需要阐明“层”以及“图案”的定义，以及之间的关系。其中，“层”是指利用某一种材料在基板上利用沉积或其他工艺制作出的一层薄膜。还可以是对该“薄膜”采用构图工艺使其包含至少一个薄膜“图案”。本发明实施例中的“上”、“下”以制造阵列基板时的先后顺序为准，例如，在上的图案是指相对在后形成的图案，在下的图案是指相对在先形成的图案。
[0044]本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，如图6所示，包括:
[0045]步骤101、在衬底上形成栅金属层。
[0046]其中，所述衬底可以是透明基板，所述在衬底上形成栅金属层即在透明基板上形成栅金属层。其中，所述栅金属层包括:公共电极线。还可以包括栅线和栅极等。
[0047]步骤102、在衬底上形成源漏金属层。
[0048]其中，所述衬底即形成有栅金属层的透明基板，所述在衬底上形成源漏金属层即在所述栅金属层上形成源漏金属层。其中，所述源漏金属层包括:数据线。还可以包括源级和漏极等。
[0049]步骤103、在衬底上形成透明导电层。
[0050]其中，所述衬底即形成有栅金属层以及源漏金属层的透明基板，所述在衬底上形成透明导电层即在源漏金属层的上面形成透明导电层。其中，所述透明导电层包括:像素电极。
[0051]步骤104、至少在衬底与数据线对应像素电极的对应位置处形成第一导电图案。
[0052]即所述第一导电图案至少在数据线对应像素电极的部分与数据线形成垂直电场。且优选的使得所述第一导电图案的宽度大于所述数据线的宽度。如图4、图5所示，这样形成的第一导电图案包裹所述数据线，以屏蔽掉其信号变化对像素电极影响。
[0053]需要说明的是，通过上述步骤形成所述第一导电图案，则所述第一导电图案可以是通过一次构图工艺形成。
[0054]另外，所述第一导电图案也可以是通过其他步骤形成的。且所述第一导电图案用于与数据线形成垂直电场，则所述第一导电图案在垂直方向上绝缘。所述第一导电图案可以是在制作源漏金属层之前形成，则所述第一导电图案设置在所述源漏金属层的下面；还可以是在制作源漏金属层之后制作所述第一导电图案，则所述第一导电图案设置在所述源漏金属层的上面。所述第一导电图案至少在数据线对应像素电极的部分与数据线形成垂直电场，即第一导电图案可以是如图3所示，仅在数据线对应像素电极的部分形成第一导电图案。
[0055]需要说明的是，阵列基板还可以包括其他薄膜或层结构，则阵列基板的制作方法也不仅限于上述步骤。本发明实施例仅以与本发明的发明点相关的制作步骤为例说明第一导电图案的制作方法。
[0056]可选的，在衬底的与数据线对应的位置处形成第一导电图案。即所述第一导电图案与数据线形成垂直电场。这样第一导电图案与数据线对应形成多排，可以进一步减小整条数据线电压波动对像素电极的影响。
[0057]可选的，形成所述栅金属层具体包括形成公共电极线以及第一导电图案，且所述第一导电图案与公共电极线直接接触电连接。即无需上述步骤104，在步骤101形成所述栅金属层的同时在栅金属层对应数据线的位置处形成所述第一导电图案。且所述栅金属层包括第一导电图案和公共电极线，可以使得所述第一导电图案与公共电极线直接接触电连接，从而通过公共电极线向所述第一导电图案提供电压。
[0058]可选的，形成所述透明导电层包括:形成像素电极以及第一导电图案，且所述第一导电图案与所述公共电极线通过过孔电连接。即无需上述步骤104，在步骤103形成所述透明导电层的同时在透明导电层对应数据线的位置处形成所述第一导电图案，且所述透明导电层包括第一导电图案需要通过在源漏金属层设置过孔与栅金属层的公共电极线电连接，通过公共电极线向所述第一导电图案提供电压。
[0059]本发明实施例提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的任一所述的阵列基板。所述显示装置可以为液晶显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
[0060]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种阵列基板，包括:衬底、设置在所述衬底上的栅金属层、源漏金属层以及透明导电层；其中，所述栅金属层包括:公共电极线，所述源漏金属层包括:数据线；透明导电层包括:像素电极；其特征在于，阵列基板还包括:第一导电图案，所述第一导电图案与数据线位置对应，并至少在数据线对应像素电极的部分与数据线形成垂直电场。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电图案与数据线形成垂直电场。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电图案与公共电极线电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅金属层还包括:第一导电图案，且所述第一导电图案与公共电极线直接接触电连接。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电层还包括:第一导电图案，且所述第一导电图案与所述公共电极线通过过孔电连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板在栅金属层和第一导电图案之间还包括:栅绝缘层和钝化层，且所述栅绝缘层和/或所述钝化层的介电常数在7以下。
7.根据权利要求1一6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电图案的宽度大于所述数据线的宽度。
8.—种阵列基板的制作方法，包括:在衬底上形成栅金属层，其中，所述栅金属层包括:公共电极线；在衬底上形成源漏金属层，其中，所述源漏金属层包括:数据线；在衬底上形成透明导电层，其中，所述透明导电层包括:像素电极；其特征在于，还包括: 至少在衬底与数据线对应像素电极的对应位置处形成第一导电图案。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在衬底与数据线对应的位置处形成第一导电图案。
10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述栅金属层具体包括形成公共电极线以及第一导电图案，且所述第一导电图案与公共电极线直接接触电连接。
11.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述透明导电层包括:形成像素电极以及第一导电图案，且所述第一导电图案与所述公共电极线通过过孔电连接。
12.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求1一7任一项所述的阵列基板。
【文档编号】G02F1/1362GK103681692SQ201310632256
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年11月29日 优先权日:2013年11月29日
【发明者】裴扬, 李鑫, 王振伟, 唐磊, 任健, 王静 申请人:北京京东方光电科技有限公司