阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示【技术领域】。其中，所述阵列基板包括基板、设置在基板上的多个像素单元，所述每个像素单元中包括TFT、相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极包括多个条状电极，所述第二透明电极包括第一电极部和第二电极部，所述第二电极部与所述第一电极部电性连接，所述第一电极部包括条状电极，所述第一电极部中的条状电极与第一透明电极中的条状电极交错设置，所述第二电极部与第一透明电极和第一电极部异层设置。本发明的技术方案能够增加阵列基板的像素区电场，提高显示装置的显示效果。
【专利说明】阵列基板及其制作方法、显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]随着TFT产业的进步及工艺的改善，AD_ADS(AdvancedSuper Dimension Switch,高级超维场转换，简称ADS)广视角技术已被应用到越来越多的产品当中，包括手机、数码相机、平板电脑、笔记本电脑、及液晶电视等，其优良的显示特性已被越来越多的用户所推崇，市场竞争力很强。
[0003]ADS技术是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高 TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。
[0004]图1和图2所示为现有ADS阵列基板的结构示意图，图2为图1沿AA’方向的断面图，如图1和图2所示，现有ADS阵列基板的像素区电场主要是公共电极14和像素电极15之间形成的电场，由于公共电极14和像素电极15的面积有限，因此产生的像素区电场大小也受到限制，使得取向液晶分子旋转的角度有限，显示装置的显示效果不尽如人意。
【发明内容】
[0005]本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够增加阵列基板的像素区电场，提高显示装置的显示效果。
[0006]为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下:
[0007]—方面，提供一种阵列基板，包括基板、设置在基板上的多个像素单元，所述每个像素单元中包括TFT、相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极包括多个条状电极，所述第二透明电极包括第一电极部和第二电极部，所述第二电极部与所述第一电极部电性连接，所述第一电极部包括条状电极，所述第一电极部中的条状电极与第一透明电极中的条状电极交错设置，所述第二电极部与第一透明电极和第一电极部异层设置。
[0008]进一步地，所述第一电极部与所述第一透明电极同层设置。
[0009]进一步地，所述第一透明电极与所述TFT的漏电极电连接。
[0010]进一步地，所述基板上还设置有用于传输公共电压信号及连接相邻像素单元的第二透明电极的连接线，所述第二透明电极与所述连接线电连接。
[0011]进一步地，所述第二透明电极的第二电极部与所述连接线直接连接，所述第二透明电极的第一电极部与所述连接线通过过孔连接。
[0012]进一步地，所述第二透明电极与所述TFT的漏电极电连接。[0013]进一步地，所述第一透明电极被施加公共电压信号。
[0014]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。
[0015]本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括:
[0016]在基板上形成多个像素单元，其中，所述每个像素单元中包括TFT、相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极包括多个条状电极，所述第二透明电极包括第一电极部和第二电极部，所述第二电极部与所述第一电极部电性连接，所述第一电极部包括条状电极，所述第一电极部中的条状电极与第一透明电极中的条状电极交错设置，所述第二电极部与第一透明电极和第一电极部异层设置。
[0017]进一步地,所述制作方法还包括:
[0018]形成用于传输公共电压信号及连接相邻像素单元的第二透明电极的连接线，所述第二透明电极与所述连接线电连接。
[0019]进一步地，所述形成用于传输公共电压信号及连接相邻像素单元的第二透明电极的连接线包括:
[0020]形成与所述第二透明电极的第二电极部直接连接的所述连接线，并形成贯穿绝缘层的过孔，使所述连接线与所述第二透 明电极的第一电极部通过所述过孔连接。
[0021]本发明的实施例具有以下有益效果:
[0022]上述方案中，每个像素单元中包括TFT、相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，第一透明电极包括多个条状电极，第二透明电极包括第一电极部和第二电极部，第二电极部与第一电极部电性连接，第一电极部包括条状电极，第一电极部中的条状电极与第一透明电极中的条状电极交错设置，其中，第一透明电极可以作为像素电极与T F T的漏电极电连接，第一电极部用以接收公共电压信号；或者第二透明电极可以作为像素电极与TFT的漏电极电连接，第一透明电极被施加公共电压信号。这样在显示装置工作时，像素区的电场由两部分组成:一部分是像素电极与公共电极之间形成的电场，另一部分是透明电极与像素电极之间形成的水平电场，通过本发明的技术方案，可以增强阵列基板的像素区电场，从而提高显示装置的显示效果。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1为现有阵列基板的平面示意图；
[0024]图2为现有阵列基板沿AA’方向上的截面的像素区电场的示意图；
[0025]图3为本发明实施例阵列基板的平面示意图；
[0026]图4为本发明实施例阵列基板沿CC’方向的截面示意图；
[0027]图5为本发明实施例阵列基板沿BB’方向上的截面的像素区电场的示意图；
[0028]图6为本发明的另一实施例的阵列基板的平面示意图。
[0029]附图标记
[0030]1:栅线；13:公共电极线；14:公共电极；15:像素电极；
[0031]2:连接线；3:第一透明电极；4:第一电极部；5 =TFT ；
[0032]6:数据线；7:接触过孔；8:第二电极部；9:衬底基板；10:纯化层；
[0033]11:第一电场；12:第二电场。【具体实施方式】
[0034]为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0035]本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够增加阵列基板的像素区电场，提高显示装置的显示效果。
[0036]本发明实施例提供了一种阵列基板，包括基板、设置在基板上的多个像素单元，图
3为一个像素单元的结构示意图，每个像素单元中包括TFT5、相互绝缘的第一透明电极3和第二透明电极，所述第一透明电极包括多个条状电极，所述第二透明电极包括第一电极部4和第二电极部8，所述第二电极部8与所述第一电极部4电性连接，第一电极部4包括条状电极，所述第一电极部4中的条状电极与第一透明电极3中的条状电极交错设置，所述第二电极部8与第一透明电极3和第一电极部4异层设置。
[0037]本发明的阵列基板中，每个像素单元中包括TFT、相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，第一透明电极包括多个条状电极，第二透明电极包括第一电极部和第二电极部，第二电极部与第一电极部电性连接，第一电极部包括条状电极，第一电极部中的条状电极与第一透明电极中的条状电极交错设置，其中，第一透明电极与TFT的漏电极电连接，第一电极部用以接收公共电压信号；或者第二透明电极可以作为像素电极与TFT的漏电极电连接，第一透明电极被施加公共电压信号。这样在显示装置工作时，像素区的电场由两部分组成:一部分是像素电极与公共电极之间形成的电场，另一部分是透明电极与像素电极之间形成的水平电场，通过本发明的技术方案，可以增强阵列基板的像素区电场，从而提高显示装置的显示效果。
[0038]进一步地，所述第一电极部4可以与所述第一透明电极3同层设置，由于所述第二电极部8与第一透明电极3和第一电极部4异层设置，因此阵列基板还需设置有连接第一电极部4和第二电极部8的过孔。
[0039]本发明的一实施例中，第一透明电极3可以与TFT的漏电极电连接，充当显示装置的像素电极；第二透明电极包括有与第一透明电极3同层设置的第一电极部4和与第一透明电极3异层设置的第二电极部8，如图3所示，阵列基板上还设置有用于传输公共电压信号及连接相邻像素单元的第二透明电极的连接线2，第二透明电极与连接线2电连接，具体地，如图4所示，第二透明电极的第二电极部8可以与连接线2直接连接，由于第二透明电极的第一电极部4与第二电极部8为异层设置，因此第一电极部4需要通过贯穿绝缘层的接触过孔7与连接线2连接。
[0040]第二透明电极的第一电极部4和第二电极部8可以用以接收公共电压信号，在显示装置工作时，由第一透明电极3充当像素电极，第一电极部4和第二电极部8充当公共电极，如图5所示，本实施例阵列基板像素区的电场由两部分组成:一部分是第一透明电极3与第二电极部8之间形成的第一电场11，另一部分是第一透明电极3与第一电极部4之间形成的第二电场12，与现有阵列基板像素区的电场相比，本实施例像素区的电场增加了第一透明电极3与第一电极部4之间形成的第二电场12，从而增强了阵列基板的像素区电场。
[0041]本发明的另一实施例中，如图6所示，第一透明电极3作为公共电极，用以接收公共电压信号；第二透明电极与TFT5的漏电极电连接，充当显示装置的像素电极；第二透明电极包括有与第一透明电极3同层交错设置的第一电极部4和与第一透明电极3异层设置的第二电极部8，第一电极部4通过贯穿绝缘层的接触过孔7与第二电极部8连接。当然，在本实施例中，也可以设置连接线，用以连接相邻的第一透明电极，或者在制作第一透明电极时，采用透明电极的材料在一次构图工艺中形成第一透明电极和连接线，直接将相邻的像素单元的第一透明电极连接，这样可以不用制作过孔，简化工艺。
[0042]本实施例阵列基板像素区的电场由两部分组成:一部分是第一透明电极3与第二电极部8之间形成的电场,另一部分是第一透明电极3与第一电极部4之间形成的电场,与现有阵列基板像素区的电场相比，本实施例像素区的电场增加了第一透明电极3与第一电极部4之间形成的电场，从而增强了阵列基板的像素区电场。
[0043]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。其中，阵列基板的结构同上述实施例，在此不再赘述。另外，显示装置其他部分的结构可以参考现有技术，对此本文不再详细描述。该显示装置可以为:液晶面板、电子纸、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。
[0044]本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括:
[0045]在基板上形成多个像素单元，其中，所述每个像素单元中包括TFT、相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极包括多个条状电极，所述第二透明电极包括第一电极部和第二电极部，所述第二电极部与所述第一电极部电性连接，所述第一电极部包括条状电极，所述第一电极部中的条状电极与第一透明电极中的条状电极交错设置，所述第二电极部与第一透明电极和第一电极部异层设置。
[0046]本发明制作的阵列基板中，每个像素单元中包括TFT、相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，第一透明电极包括多个条状电极，第二透明电极包括第一电极部和第二电极部，第二电极部与第一电极部电性连接，第一电极部包括条状电极，第一电极部中的条状电极与第一透明电极中的条状电极交错设置，其中，第一透明电极可以作为像素电极与TFT的漏电极电连接，第一电极部用以接收公共电压信号；或者第二透明电极作为像素电极与TFT的漏电极电连接，第一透明电极被施加公共电压信号。这样在显示装置工作时，像素区的电场由两部分组成:一部分是像素电极与公共电极之间形成的电场，另一部分是透明电极与像素电极之间形成的水平电场，通过本发明的技术方案，可以增强阵列基板的像素区电场，从而提高显示装置的显示效果。
[0047]进一步地,所述制作方法还包括:
[0048]形成用于传输公共电压信号及连接相邻像素单元的第二透明电极的连接线，所述第二透明电极与所述连接线电连接。
[0049]进一步地，所述形成用于传输公共电压信号及连接相邻像素单元的第二透明电极的连接线包括:
[0050]形成与所述第二透明电极的第二电极部直接连接的所述连接线，并形成贯穿绝缘层的过孔，使所述连接线与所述第二透明电极的第一电极部通过所述过孔连接。
[0051]下面以第一透明电极和第一电极部位于钝化层之上，在显示装置工作时，第一透明电极充当像素电极，第二透明电极的第一电极部和第二电极部充当公共电极为例，结合图3-5以及具体的实施例对本发明的阵列基板及其制作方法进行详细介绍:
[0052]本实施例的阵列基板的制作方法包括以下步骤:
[0053]步骤1:提供一衬底基板9，通过一次构图工艺在衬底基板9上形成第二电极部8的图形；
[0054]其中，衬底基板9可为玻璃基板或石英基板。具体地，在衬底基板9上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为300-1500A的透明导电层，透明导电层可以是ITO或ιζο。在透明导电层上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于第二电极部8的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的透明导电层，剥离剩余的光刻胶，形成第二电极部8的图形。
[0055]步骤2:通过一次构图工艺在完成步骤I的衬底基板9上形成栅电极、栅线I和连接线2的图形；
[0056]具体地，可以采用溅射或热蒸发的方法在完成步骤I的衬底基板9上沉积一层厚度为2.500-丨6000A的栅金属层，栅金属层可以是Cu，Mo, Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，W等金属以及这些金属的合金，栅金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti等。在栅金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅电极、栅线I和连接线2的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成栅电极、栅线I和连接线2的图形，连接线2用于传输公共电压信号及连接相邻像素单元的第二电极部8。
[0057]步骤3:通过一次构图工艺在完成步骤2的衬底基板9上形成栅绝缘层，并在栅绝缘层上形成有源层的图形；
[0058]具体地，可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法，在完成步骤2的衬底
基板9上沉积厚度约为2000-6000A的栅绝缘层，其中，栅绝缘层材料可以选用氧化物、氮
化物或者氮氧化物，栅绝缘层可以为单层、双层或多层结构。具体地，栅绝缘层可以是SiNx，SiOx 或 Si(ON)X。
[0059]在栅绝缘层上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅绝缘层的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅绝缘层，剥离剩余的光刻胶，形成包括接触过孔7的栅绝缘层的图形。
[0060]之后在栅绝缘层上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为
20-1000A的半导体层，具体地，半导体层可以采用非晶硅层材料。在半导体层上涂覆光刻
胶，进行曝光、显影，刻蚀半导体层，并剥离光刻胶，形成由半导体层组成的有源层的图形。
[0061]步骤4:通过一次构图工艺在完成步骤3的衬底基板9上形成数据线6、源电极和漏电极的图形；
[0062]具体地，在完成步骤3的衬底基板9上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为2000-6000A的源漏金属层，源漏金属层可以是Cu，Mo, Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，W等金属以及这些金属的合金。源漏金属层可以是单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo, Ti\Cu\Ti等。在源漏金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于数据线6、源电极和漏电极的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成数据线6、源电极和漏电极的图形，其中，源电极、漏电极和栅电极组成TFT5。
[0063]步骤5:通过一次构图工艺在完成步骤4的衬底基板9上形成包括有过孔和接触过孔7的钝化层10的图形；
[0064]具体地，在完成步骤4的衬底基板9上采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法沉积厚度为400-5000A的钝化层材料，其中，钝化层材料可以选用氧化物、氮化物或氮氧化物，具体地，钝化层可以是SiNx，SiOx或Si(0N)x。钝化层可以是单层结构，也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构。
[0065]在钝化层材料上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于钝化层的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的钝化层材料，剥离剩余的光刻胶，形成包括过孔和接触过孔7的钝化层10的图形。
[0066]本实施例中,第一电极部4和第二电极部8异层设置,为了实现第一电极部4和第二电极部8的连接，需要在栅绝缘层和钝化层中形成接触过孔7，以实现第一电极部4和第二电极部8之间的连接。如图4所示，一具体实施例中，第一电极部4可以通过连接线2与第二电极部8连接。
[0067]步骤6:通过一次构图工艺在完成步骤5的衬底基板9上形成第一透明电极3和第一电极部4的图形。
[0068]其中，第一透明电极3与漏电极连接，用以充当像素电极；第一电极部4通过接触过孔7与连接线2连接，用以接收公共电压信号。具体地，在完成步骤5的衬底基板9上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积厚度为300-1500A的透明导电层，透明导电层可以是ITO或ΙΖ0。在透明导电层上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于第一透明电极3的图形和第一电极部4的图形，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的透明导电层，剥离剩余的光刻胶，形成第一透明电极3的图形和第一电极部4的图形，其中，第一透明电极3通过过孔与漏电极连接，第一电极部4通过接触过孔7与连接线2连接。
[0069]通过上述步骤1-6即可制作出如图3-图5所示的阵列基板，本实施例的阵列基板中，钝化层上设置有第一透明电极3和第一电极部4，一优选实施例中，如图3所示，为了使像素区的电场更加均匀，第一透明电极3包括有多个条状电极，第一电极部4包括有多个条状电极，第一透明电极3和第一电极部4交替排列在钝化层上。连接线2传输公共电压信号，第二电极部8与连接线2直接连接，第一电极部4通过接触过孔7与连接线2连接，如图5所示，在显示装置工作时，第一透明电极3与第二电极部8之间产生第一电场11，同时，第一透明电极3与第一电极部4之间产生第二电场12，可以起到协同增强像素区电场的效果，从而使液晶盒内所有取向液晶分子都能够产生旋转，提升显示装置的显示效果。
[0070]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板、设置在基板上的多个像素单元，所述每个像素单元中包括TFT、相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极包括多个条状电极，所述第二透明电极包括第一电极部和第二电极部，所述第二电极部与所述第一电极部电性连接，所述第一电极部包括条状电极，所述第一电极部中的条状电极与第一透明电极中的条状电极交错设置，所述第二电极部与第一透明电极和第一电极部异层设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极部与所述第一透明电极同层设置。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极与所述TFT的漏电极电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述基板上还设置有用于传输公共电压信号及连接相邻像素单元的第二透明电极的连接线，所述第二透明电极与所述连接线电连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二透明电极的第二电极部与所述连接线直接连接，所述第二透明电极的第一电极部与所述连接线通过过孔连接。
6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二透明电极与所述TFT的漏电极电连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极被施加公共电压信号。
8.—种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1?7中任一所述的阵列基板。
9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在基板上形成多个像素单元，其中，所述每个像素单元中包括TFT、相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极包括多个条状电极，所述第二透明电极包括第一电极部和第二电极部，所述第二电极部与所述第一电极部电性连接，所述第一电极部包括条状电极，所述第一电极部中的条状电极与第一透明电极中的条状电极交错设置，所述第二电极部与第一透明电极和第一电极部异层设置。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，还包括: 形成用于传输公共电压信号及连接相邻像素单元的第二透明电极的连接线，所述第二透明电极与所述连接线电连接。
11.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述形成用于传输公共电压信号及连接相邻像素单元的第二透明电极的连接线包括: 形成与所述第二透明电极的第二电极部直接连接的所述连接线，并形成贯穿绝缘层的过孔，使所述连接线与所述第二透明电极的第一电极部通过所述过孔连接。
【文档编号】G02F1/1368GK103713438SQ201310699032
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2013年12月18日 优先权日:2013年12月18日
【发明者】陈传宝, 尹小斌, 李纪, 赵海廷 申请人:合肥京东方光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司