阵列基板和显示装置制造方法
【专利摘要】本实用新型实施例公开了一种阵列基板和显示装置，涉及显示领域，能够解决现有液晶显示器视角狭窄的问题。所述阵列基板，包括：交叉设置的数据线和栅线，以及受同一数据线和同一栅线驱动的像素单元，所述像素单元中设置有像素电极，在数据线延伸方向，数据线和受所述数据线驱动的像素电极之间形成的间距设置成不一致的取值，从而形成多个畴区。
【专利说明】阵列基板和显示装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板和显示装置。
【背景技术】
[0002]液晶显示器由于零辐射、低功耗、散热小、体积小、图像还原精确、字符显示锐利等优点，已广泛替代了传统CRT显示装置。
[0003]传统的液晶显示器由彩膜基板、阵列基板相互对盒并在两对盒的基板之间灌注液晶而成，如图1所示，为一种阵列基板的平面结构示意图，主要包括数据线11 (图中的Dl?D3)、栅线12(图中的Gl?G3)、像素电极13和薄膜晶体管14，相邻的数据线11和相邻的栅线12纵横交叉，限定出像素区域，像素电极13设置于该像素区域内，薄膜晶体管14位于数据线11和栅线12的交叉点附近，薄膜晶体管14的栅极与栅线12相连，源极与数据线11相连，漏极与像素电极13相连。工作时，像素电极13和公共电极(图中未示出)被施以电压，在像素电极13和公共电极之间形成垂直基板方向的电场(简称垂直电场)驱动液晶分子偏转，光通过时因液晶分子的遮挡从而显示出图像来。
[0004]在这种传统的液晶显示器中，主要是像素电极和公共电极之间的垂直电场驱动液晶分子偏转，如果在大的偏向角度下观看，就会存在对比度低、色彩失真的问题，即存在可视角度(简称视角)狭窄的问题。
实用新型内容
[0005]本实用新型实施例提供一种阵列基板和显示装置，能够解决现有液晶显示器视角狭窄的问题。
[0006]为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案:
[0007]—方面，本实用新型提供一种阵列基板，包括:交叉设置的数据线和栅线，以及受同一数据线和同一栅线驱动的像素单元，所述像素单元中设置有像素电极，在数据线延伸方向，数据线和受所述数据线驱动的像素电极之间形成的间距设置成不一致的取值，从而形成多个畴区。
[0008]可选地，所述像素电极至少包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述数据线之间形成的间距为dl，所述第二电极与所述数据线形成的间距为d2，dl Φ d2。
[0009]可选地，所述第一电极和第二电极在邻近边缘相连接；或者，所述第一电极和第二电极相互分离，但均受同一数据线和同一栅线驱动。
[0010]可选地，所述像素单元包括第一像素单元和第二像素单元两种，所述第一像素单元中设置有第一像素电极，所述第二像素单元中设置有第二像素电极；
[0011]所述第一像素电极与驱动所述第一像素电极的数据线之间形成的间距为dl，所述第二像素电极与驱动所述第二像素电极的数据线之间形成的间距为d2，dl Φ d2。
[0012]可选地，所述第一像素单元、所述第二像素单元以下列方式形成两种像素:
[0013]第一种像素中包括至少三个第一像素单元，第二种像素中包括至少三个第二像素单元。
[0014]可选地所述像素单元包括第一像素单元和第二像素单元两种，
[0015]第一像素单元中，沿与数据线平行的方向上，所述第一电极位于所述第二电极的下方，
[0016]第二像素单元中，沿与数据线平行的方向上，所述第一电极位于所述第二电极的上方；并且，
[0017]位于同一像素单元中的所述第一电极和所述第二电极受同一数据线和同一栅线的驱动。
[0018]可选地，所述第一像素单元和所述第二像素单元以下列方式形成像素:
[0019]所述第一种像素中至少包括三个所述第一像素单元，所述第二种像素中至少包括三个所述第二像素单元，所述第一种像素和所述第二种像素在阵列基板上间隔排列；或者，
[0020]所述第一像素单元和所述第二像素单元沿栅线方向交替排列形成像素，该像素排列在阵列基板上。
[0021]可选地，所述数据线在延伸方向上呈弯折状，包括:向第一方向弯折的第一部分和向第一方向的反方向弯折的第二部分，所述第一部分、所述第二部分与所述数据线驱动的像素电极之间形成的间距分别为dl和d2，dl Φ d2。
[0022]可选地，所述数据线在延伸方向上具有不同的线宽，包括:线宽不同的第一部和第二部分，所述第一部分、所述第二部分与所述数据线驱动的像素电极之间形成的间距分别为 dl 和 d2, dl 关 d2。
[0023]优选地，dl大于第一阈值，d2小于第二阈值，第一阈值大于等于第二阈值。
[0024]可选地，所述dl为所述第一部分与第一像素电极之间形成的间距，所述d2为所述第二部分与第二像素电极之间形成的间距，所述第一像素电极和所述第二像素电极位于同一列且相邻。
[0025]可选地，所述第一部分和所述第二部分相衔接的部分对应位于所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的区域。
[0026]可选地，所述第二部分与所述第二像素电极相重叠。
[0027]可选地，所述dl和d2分别为所述第一部分、所述第二部分与同一所述像素电极之间形成的间距。
[0028]可选地，所述第二部分与所述像素电极相重叠。
[0029]另一方面，本实用新型实施例还提供一种显示装置，包括:上述任一项所述的阵列基板。
[0030]如图1所示，现有技术中，每个像素中数据线11与像素电极13之间的距离都是相等的，使得在同一像素中或相邻像素之间，数据线11与像素电极13的压差基本上无差别，液晶分子在像素电极边缘偏转有限，视角范围受到一定影响。
[0031]本实用新型实施例提供的阵列基板和显示装置，通过在数据线延伸方向，将数据线和受数据线驱动的像素电极之间形成的间距设置成不同值，即在同一像素中或不同像素之间，数据线与像素电极的压差存在差别，由此形成多个畴区，从而扩大视角，解决现有液晶显示器视角狭窄的问题，所谓畴区，指液晶分子取向一致或近似一致的区域。
【专利附图】
【附图说明】
[0032]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0033]图1为现有阵列基板的结构不意图；
[0034]图2为本实用新型实施例2提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0035]图3为本实用新型实施例2提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0036]图4为本实用新型实施例3提供的阵列基板的结构示意图；
[0037]图5为本实用新型实施例3第一种【具体实施方式】提供的阵列基板的结构示意图；
[0038]图6为本实用新型实施例3第二种【具体实施方式】提供的阵列基板的结构示意图；
[0039]图7为本实用新型实施例3第三种【具体实施方式】提供的阵列基板的结构示意图；
[0040]图8为本实用新型实施例4提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0041]图9为本实用新型实施例4提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0042]图10为本实用新型实施例5中第一实施例提供的阵列基板的结构示意图；
[0043]图11为本实用新型实施例5中横向电场和驱动电场的分布示意图；
[0044]图12为本实用新型实施例5中第一实施例的另一种优选变形提供的阵列基板的结构示意图；
[0045]图13为本实用新型实施例5中第一实施例的又一种优选变形提供的阵列基板的结构示意图；
[0046]图14为本实用新型实施例5中第二实施例提供的阵列基板的结构示意图；
[0047]图15为本实用新型实施例5中的第三实施例提供的阵列基板的结构示意图。
[0048]附图标记:
[0049]11-数据线，12-栅线，13-像素电极，14-薄膜晶体管，d_间距，
[0050]131-第一电极，132-第二电极，15A-第一像素单元，13A-第一像素电极，
[0051]15B-第二像素单元，13B-第二像素电极，26-第一种像素，27-第二种像素，
[0052]46-第一像素单元，47-第二像素单元，48-双沟道薄膜晶体管，49-像素；
[0053]111-第一部分，121-第二部分，D-线宽，17-像素单元，15-公共电极，
[0054]16-第一部分和第二部分相衔接的部分。
【具体实施方式】
[0055]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0056]实施例1
[0057]本实用新型实施例一种阵列基板，包括:交叉设置的数据线和栅线，以及由受同一数据线和同一栅线驱动的像素单元，像素单元中设置有像素电极，在数据线延伸方向，数据线和受所述数据线驱动的像素电极之间形成的间距设置成不一致的取值，从而形成多个畴区。
[0058]现有技术如图1所示，阵列基板上每个像素单元中数据线11与像素电极13之间的形成的间距d都是相等的，使得在同一像素单元中或相邻像素单元之间，数据线11与像素电极13的压差基本上无差别，液晶分子在像素电极边缘偏转有限，视角范围受到一定影响。本实用新型实施例提供的阵列基板，通过将数据线11和受数据线驱动的像素电极13之间形成的间距d设置成不一致的取值，即在同一像素单元中或不同像素单元之间，因间距d取值不一致，数据线11与像素电极13的压差存在差别，由此形成多个畴区，从而扩大视角，解决现有液晶显示器视角狭窄的问题。
[0059]基于上述的设计思想，具体实施时存在多种方式可以将阵列基板上数据线11和受数据线11驱动的像素电极13之间的间距d设置成不一致的取值。举例而言，可以如图2所示，通过改变像素电极13的形状，将原来矩形的像素电极改为图2所示的不对称结构，使得同一像素电极13的不同部分到驱动该像素电极13的数据线11之间形成不同的间距；或者如图4所示，将不同像素单元中的像素电极13的面积设计成不同值，从而使得不同像素单元的像素电极13到驱动该像素电极13的数据线11之间形成不同的间距。另外，还可以通过改变数据线11的形状或线宽来达到相同的目的，例如图8所示，使数据线11在延伸方向上呈弯折状，再例如图10所示，使数据线11在延伸方向上具有不同的线宽D，均可以使数据线11和受数据线11驱动的像素电极13之间的间距d设置成不同值，从而形成多个畴区，解决现有液晶显示器视角狭窄的问题。因此，本实施例对具体采用何种方式不做限定，只要能使数据线和受数据线驱动的像素电极之间形成的间距不再一致，能形成多个畴区即可。
[0060]实施例2
[0061]本实用新型实施例一种阵列基板，如图2所示，该阵列基板包括:交叉设置的数据线11和栅线12，以及受同一数据线和同一栅线驱动的像素单元(每一像素单元即为一个亚像素)，像素单元中均设置有像素电极13，每一像素电极13包括第一电极131和第二电极132两部分，这两部分在邻近边缘相连接，第一电极131与数据线11之间形成的间距为dl，第二电极132与数据线11形成的间距为d2，dl Φ d2，因此，数据线11对第一电极131处的驱动电场和对第二电极132处的驱动电场的影响存在差别，使得液晶分子的取向存在多个畴区，而畴区越多，越有助于改善液晶视角狭窄问题。
[0062]如图3所示，本实用新型实施例还提供另一种阵列基板，与图2所示阵列基板的不同之处在于，第一电极131和第二电极132相互分离，但均受同一数据线11和同一栅线12驱动。
[0063]本实施例中像素电极13包括相互分离的两部分(第一电极131和第二电极132)，且这两部分分别位于所共用的栅线12的两侧，分别采用一个薄膜晶体管14进行驱动，这两个薄膜晶体管14的栅极均与栅线12连接，源极均与数据线11连接，一个薄膜晶体管14的漏极与第一电极131连接，另一个薄膜晶体管14的漏极与第二电极132连接。本实施例同样可形成多个畴区，改善液晶视角狭窄问题，同时通过增设薄膜晶体管，对第一电极131、第二电极132分别进行驱动，提高了像素的驱动能力，从而使液晶显示器具有更好的显示效果O
[0064]其中可选地，第一电极131和第二电极132在数据线延伸方向上错位，即第一电极131在数据线延伸方向上的对称轴线与第二电极132在数据线延伸方向上的对称轴线相互平行但不在同一直线上，从而使第一电极131、第二电极132到同一数据线的距离不相等。所谓对称轴线，即电极关于对称轴线接近或完全轴对称，本实施例中的对称轴线平行于数据线延伸方向。
[0065]上述实施例中是通过将像素电极分成至少两部分，且，该至少两部分与数据线11的距离不同，藉此来形成多畴区，具体实施中，本领域技术人员可以根据需要将像素电极分成三、四甚至更多部分，从而获得更多畴区，针对液晶显示器视角狭窄问题的改善效果更好。
[0066]本实用新型实施例提供的阵列基板，可以实现多畴区，从而解决现有液晶显示器视角狭窄的技术问题。
[0067]实施例3
[0068]本实用新型实施例一种阵列基板，如图4所示，该阵列基板包括:交叉设置的数据线11和栅线12，以及受同一数据线和同一栅线驱动的像素单元，像素单元包括第一像素单元15A和第二像素单元15B两种，第一像素单元15A中设置有第一像素电极13A，第二像素单元15B中设置有第二像素电极13B ;第一像素电极13A与驱动第一像素电极13A的数据线11之间形成的间距为dl，第二像素电极13B与驱动第二像素电极13B的数据线11之间形成的间距为d2，dl Φ d2。这样，数据线11对第一像素单元15A、第二像素单元15B的驱动电场的影响存在差别，从而使得液晶分子的取向存在多个畴区，而畴区越多，越有助于改善液晶视角狭窄问题。
[0069]其中可选地，第一像素电极13A，第二像素电极13B均为矩形，第一像素电极13A的面积小于第二像素电极13B的面积，使得第一像素电极13A与数据线11之间形成的间距dl大于第二像素电极13B与数据线11之间形成的间距d2。
[0070]本实施例的第一种【具体实施方式】如图5所示，第一像素单元15A、第二像素单元15B可以直接以下列方式形成两种像素:第一种像素26中包括至少三个第一像素单元15A，第一像素单元15A作为第一种像素26的亚像素存在；第二种像素27中包括至少三个第二像素单元15B，第二像素单元15B作为第二种像素27的亚像素存在。图中每一种像素中示出包括三个像素单元，分别对应红绿蓝三种亚像素。优选地，第一种像素26和第二种像素27在阵列基板上间隔排列，以弥补第一种像素26和第二种像素27在亮度分布上的差异性。
[0071]本实施例还可以在一个像素单元中将像素电极和驱动像素电极的数据线之间形成的间距设置成不一致，在像素单元的尺寸水平上实现宽视角，再由实现了宽视角的像素单元形成像素，具体如下:。
[0072]具体而言，本实施例的第二种【具体实施方式】如图6所示，像素单元中的像素电极至少包括第一电极131和第二电极132，第一电极131与数据线11之间形成的间距为dl，第二电极132与数据线11形成的间距为d2，dl Φ d2。像素单元按第一电极131和第二电极132的排列方式分为两种，即第一像素单元46和第二像素单元47两种，第一像素单元46中，沿与数据线11平行的方向上，第一电极131位于第二电极132的下方，第二像素单元47中，沿与数据线11平行的方向上，第一电极131位于第二电极132的上方；并且，位于同一像素单元中的第一电极131和第二电极132受同一数据线11和同一栅线12的驱动。
[0073]第一电极131和第二电极132采用一双沟道薄膜晶体管48进行驱动，双沟道薄膜晶体管48的两个源极均连接至同一数据线11，共用的栅极连接至同一栅线12，两个漏极分别连接至第一电极131和第二电极132。
[0074]然后，第一像素单元46和第二像素单元47以下列方式形成像素:第一种像素26中至少包括三个第一像素单元46，所述第二种像素27中至少包括三个第二像素单元47，第一种像素26和第二种像素27在阵列基板上间隔排列。
[0075]其中所述的上方、下方并不是指层结构上的位置关系，也不是用于限定，仅是一种相对的方位概念，用于指出平面图上像素单元中第一电极131和第二电极132的相对位置，本实施例中参照图6所示方位进行理解。
[0076]可选地，第一电极131的面积小于第二电极132的面积，从而使得第一电极131与数据线11之间形成的间距dl大于第二电极132与数据线11形成的间距d2。
[0077]本实施例的第三种【具体实施方式】如图7所示，与第二种【具体实施方式】的区别之处仅在与由第一像素单元46和第二像素单元47形成像素的方式不同，本体实施方式中采用第一像素单元46和第二像素单元47沿栅线方向交替排列形成像素49，该像素49排列在阵列基板上。
[0078]本实施例提供的阵列基板，设置有由第一像素单元、第二像素单元形成的像素，并且这两种像素单元中像素电极到各自数据线之间形成的间距不相等，可形成更多液晶取向不同的畴区，而且该些畴区在阵列基板上的分布更均匀，显示效果更好。
[0079]实施例4
[0080]本实用新型实施例一种阵列基板，如图8所示，该阵列基板包括:交叉设置的数据线11和栅线12，以及由相邻数据线11和相邻栅线12定义的像素单元，所述数据线在延伸方向上呈弯折状，包括:向第一方向弯折的第一部分111和向第一方向的反方向弯折的第二部分121，第一部分111、第二部分121与数据线驱动的像素电极13之间形成的间距分别为 dl 和 d2, dl 关 d2。
[0081]其中所述的第一方向、第一方向的反方向仅是一种相对的方向概念，用于指出平面图上数据线弯折的两个相对方向，并不是用于限定。一般而言，数据线11和栅线12纵横交错，所述第一方向与栅线11平行。为便于理解，下面叙述中参照图8所示方向进行理解，数据线21沿纵向(与栅线垂直方向)排列，下面以第一方向对应图中的左侧，第一方向的反方向对应图中的右侧为例进行说明。
[0082]可选地，第一像素电极和第二像素电极位于同一列且相邻，上述的dl为第一部分111与第一像素电极之间形成的间距，上述的d2为第二部分121与第二像素电极之间形成的间距，dl Φ d2。进一步优选地，第一部分11和第二部分121相衔接的部分对应位于第一像素电极和第二像素电极之间的区域。
[0083]具体如图8所示，为符合本实施例的第一种【具体实施方式】，数据线11和栅线12在阵列基板上交叉设置，以及像素单元，像素单元中设置有像素电极13，数据线11和栅线12的每一个交叉点附近设置有薄膜晶体管14，薄膜晶体管14的源极与数据线11相连接，栅极与栅线12相连接，漏极通过过孔与像素电极13相连接，其中，数据线21呈弯折状，在第N行像素单元中向数据线11的左侧弯折(对应第一部分111);在第N+1行像素单元中该数据线21向数据线21的右侧弯折(对应第二部分121)，以下类推，其中N为自然数。
[0084]这样，就某一条数据线11而言，在第N行像素单元中，该数据线11靠近其左侧的像素电极13，数据线11左侧的像素电极13与该数据线11之间有横向电场产生，可以增加水平方向右侧的视角；在第N+1行像素单元中，该数据线11靠近其右侧的像素电极13，该数据线11与其左侧的像素电极13之间有横向电场产生，可以增加水平方向左侧的视角，N为自然数。因此对整个显示装置而言，增加水平方向左侧的视角的像素单元行与增加水平方向右侧的视角的像素单元行交替排列，可以扩大整个显示装置左右方向的视角。
[0085]另外，还可以是第N行和第N+1行像素单元中对应的部分数据线为本实施例中的第一部分111，向第一方向弯折；第N+2和第N+3行像素单元中对应的部分数据线为本实施例中的第二部分121，向第一方向的反方向弯折。或者，还可以是相类似的其他弯折方式。
[0086]图9所示仅为符合本实施例的另一优选实施方式，同一像素单元中存在多次弯折，即一个像素单元对应的部分数据线包括多个第一部分111和多个第二部分121。第一部分111、第二部分121与数据线11驱动的同一像素电极13之间形成的间距分别为dl和d2，dl Φ d2，因此，数据线11对第一电极131处的驱动电场和对第二电极132处的驱动电场的影响存在差别，从而对应形成液晶分子的取向不同的畴区，同一像素单元中弯折次数越多，形成的畴区越多，越有助于改善液晶视角狭窄问题。
[0087]进一步优选地，本实施例中一个像素单元对应的部分数据线包括多个第一部分111和多个第二部分121，并且该段数据线关于像素单元的中分线对称，该中分线平行于栅线12，这样，不仅形成的畴区数目更多，视角改善效果更佳，而且畴区分布均匀，视觉效果更好。
[0088]本实施例通过数据线弯折的方式，形成液晶取向不同的畴区，从而解决现有液晶显示器视角狭窄的问题，简单易行。
[0089]实施例5
[0090]本实用新型实施例提供一种阵列基板，参照图10所示，该阵列基板包括:交叉设置的数据线11 (Dl?D3)和栅线(Gl?G3)，以及像素单元17，像素单元17中设置有像素电极13，数据线11在延伸方向上具有不同的线宽D，包括:线宽不同的第一部111和第二部分121，第一部分111、第二部分121与数据线驱动的像素电极13之间形成的间距分别为dl和 d2, dl 古 d2。
[0091]本实施例通过将数据线11的线宽设置成不同值，使得数据线11和数据线11驱动的像素电极13之间形成不同的间距。图10所示仅为符合本实施例的一种阵列基板，实际上，数据线在延伸方向可存在多段线宽不等(图10中仅存在两段，即第一部分111和第二部分121)，相对应地，可使得数据线的边缘和与该边缘相对的像素电极之间的间距存在多个数值，本实施例对此不做限定。
[0092]本实用新型实施例提供的阵列基板，通过将数据线11在延伸方向上设置成不同的线宽，从而使得数据线11和数据线11驱动的像素电极13之间形成不同的间距d(以下简称数据线11与像素电极13的间距d)，这样，数据线11与上述像素电极之间形成的压差不再相同，即在同一像素中或不同像素之间，数据线与像素电极之间的压差存在差别，由此产生较强的边缘场效应，可以增大液晶分子的偏转角度，扩大视角，能够解决现有液晶显示器视角狭窄的问题。
[0093]为了本领域技术人员更好的理解本实用新型实施例提供的阵列基板的结构，下面通过具体的实施例对本实用新型提供的阵列基板进行详细说明。
[0094]如图10所示，为本实用新型的第一实施例，阵列基板上设置有交叉分布的数据线11 (Dl?D3)和栅线12(G1?G3)，以及受同一数据线11和同一栅线12驱动的像素单元17，每一像素单元17中都设置有一块状的像素电极13，数据线11包括线宽不同的第一部分111和第二部分121，第一、第二部分和数据线11驱动的像素电极13之间形成的间距分别为dl和d2。具体而言，其中与第一、第二部分的边缘相对的像素电极分别为第一像素电极13A和第二像素电极13B，第一像素电极13A和第二像素电极13B位于同一列且相邻，dl为第一部分111与第一像素电极13A之间形成的间距，d2为第二部分121与第二像素电极13B之间形成的间距，dl Φ d2，第一部分111和第二部分121处与像素电极形成不同的压差，产生较强的边缘场效应，从而增大液晶分子的偏转角度，扩大视角。
[0095]作为上述第一实施例的一种优选变形，上述第一部分111与第一像素电极13A之间形成的间距dl大于第一阈值，第二部分121与第二像素电极13B之间形成的间距d2小于第二阈值，第一阈值大于等于第二阈值。本实施例将第一阈值定义为只要数据线与像素电极之间形成的间距大于该第一阈值，数据线电势的影响就小到可以忽略；将第二阈值定义为只要数据线到像素电极的距离小于该第二阈值，就会因数据线电势的影响而在像素电极边缘区域产生横向电场。
[0096]具体到图10而言，第一部分111与第一像素电极13A之间形成的间距dl大于第一阈值，因此，该像素区域的液晶分子只受第一像素电极13A与公共电极间垂直电场的影响，可保证色彩表现的真实性；第二部分121与第二像素电极13B之间形成的间距d2小于第二阈值，如图11所示，该像素区域边缘的液晶分子除受第二像素电极13B与公共电极间垂直电场的影响外，还受横向电场的影响，可实现了宽视角，就整个显示装置而言，在实现宽视角的同时还可保证色彩还原的真实度。
[0097]如图12所示，作为上述第一实施例的另一种优选变形，第一部分111和第二部分121相互衔接，第一部分111和第二部分121相衔接的部分16对应位于第一像素电极13A和第二像素电极13B之间的区域。由于不同宽度的数据线11在交接处，自然形成一面向像素电极13的突起，该突起处，数据线11与像素电极13的间距d存在突变，由此使得该突起处对应的液晶分子具有更大的偏转角，不需要另外单独工艺形成扩大视角的辅助电极，节省工艺。
[0098]如图13所示，作为上述第一实施例的又一种优选变形，第二部分121线宽很大，导致第二部分121与第二像素电极13B相重叠或部分重叠。像素区域边缘液晶分子受第二像素电极13B与数据线间横向电场影响的更大，液晶分子具有更大的偏转角，对现有液晶显示器视角狭窄问题的改善效果更好。
[0099]图14所示，为本实用新型的第二实施例，与第一实施例的不同之处在于，与线宽不同的第一部分111和第二部分121的边缘相对的像素电极为同一个像素电极13，即dl和d2分别为第一部分111、第二部分121与同一像素电极13之间形成的间距，dl Φ d2，第一部分111和第二部分121处与像素电极13形成不同的压差，产生较强的边缘场效应，从而增大液晶分子的偏转角度，扩大视角。
[0100]图15所示，为本实用新型的第三实施例，阵列基板上设置有交叉分布的数据线11 (Dl?D3)和栅线12(G1?G3)，以及受同一数据线11和同一栅线12驱动的像素单元17，每一像素单元17在共用栅线12的上下两侧各设置有一块状的第一电极131和第二电极132，第一电极131和第二电极132共同构成像素单元17的像素电极13，第一电极131和第二电极132数据线11包括线宽不同的第一部分111和第二部分121，dl为第一部分111与第一电极131之间形成的间距；d2为第二部分121与第二电极132之间形成的间距，dl Φ d2，第一部分111和第二部分121与像素电极13形成不同的压差，产生较强的边缘场效应，从而增大液晶分子的偏转角度，扩大视角。
[0101]同样地，第二、第三实施例也存在相类似地变形，例如，dl大于第一阈值，d2小于第二阈值，第一阈值大于等于第二阈值(此时dl > d2));或者，又例如，第二部分121与像素电极13中的第二电极132相重叠。
[0102]最后需要说明的，本实施例中以块状的像素电极为例进行说明，但实际上像素电极的形状并不限于此，例如还存在狭缝状、梳状等不规则形状，对于像素电极为不规则形状的情况，数据线与像素电极之间形成的间距d，例如上述的dl、d2，应在同等条件下进行测量，这样才具有可比性，例如，可以在第一像素电极13A、第二像素电极13B上选择到相邻栅线的长度相同的点作为各自的测量点，然后测量到数据线的距离，dl古d2(或dl > d2)。
[0103]本实施例提供一种阵列基板，其上的数据线由不同线宽的线段相互衔接而成，使得数据线与相邻像素单元的像素电极(或与同一像素单元的像素电极)形成不同的压差，产生较强的边缘场效应，从而增大液晶分子的偏转角度，扩大视角。
[0104]实施例6
[0105]本实用新型实施例还提供一种显示装置，包括上述实施例中的任意一种阵列基板。
[0106]根据上述实施例中对阵列基板的描述，可知包括上述实施例阵列基板的显示装置具有宽视角的优势，所述显示装置可以为:液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0107]为了便于清楚说明，在本实用新型中采用了第一、第二等字样对相似项进行类别区分，该第一、第二字样并不在数量上对本实用新型进行限制，只是对一种优选的方式的举例说明，本领域技术人员根据本实用新型公开的内容，想到的显而易见的相似变形或相关扩展均属于本实用新型的保护范围内。
[0108]本实用新型中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。
[0109]以上所述，仅为本实用新型的【具体实施方式】，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种阵列基板，包括:交叉设置的数据线和栅线，以及受同一数据线和同一栅线驱动的像素单元，所述像素单元中设置有像素电极，其特征在于， 在数据线延伸方向，数据线和受所述数据线驱动的像素电极之间形成的间距设置成不一致的取值，从而形成多个畴区。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极至少包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述数据线之间形成的间距为dl，所述第二电极与所述数据线形成的间距为d2, dl关d2。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于， 所述第一电极和第二电极在邻近边缘相连接；或者，所述第一电极和第二电极相互分离，但均受同一数据线和同一栅线驱动。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元包括第一像素单元和第二像素单元两种，所述第一像素单元中设置有第一像素电极，所述第二像素单元中设置有第二像素电极； 所述第一像素电极与驱动所述第一像素电极的数据线之间形成的间距为dl，所述第二像素电极与驱动所述第二像素电极的数据线之间形成的间距为d2，dl Φ d2。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元、所述第二像素单元以下列方式形成两种像素: 第一种像素中包括至少三个第一像素单元，第二种像素中包括至少三个第二像素单J Li ο
6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元包括第一像素单元和第二像素单元两种， 第一像素单元中，沿与数据线平行的方向上，所述第一电极位于所述第二电极的下方， 第二像素单元中，沿与数据线平行的方向上，所述第一电极位于所述第二电极的上方；并且， 位于同一像素单元中的所述第一电极和所述第二电极受同一数据线和同一栅线的驱动。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元和所述第二像素单元以下列方式形成像素: 第一种像素中至少包括三个所述第一像素单元，第二种像素中至少包括三个所述第二像素单元，所述第一种像素和所述第二种像素在阵列基板上间隔排列；或者， 所述第一像素单元和所述第二像素单元沿栅线方向交替排列形成像素，该像素排列在阵列基板上。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述数据线在延伸方向上呈弯折状，包括:向第一方向弯折的第一部分和向第一方向的反方向弯折的第二部分，所述第一部分、所述第二部分与所述数据线驱动的像素电极之间形成的间距分别为dl和d2, dl ^ d2o
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述数据线在延伸方向上具有不同的线宽，包括:线宽不同的第一部和第二部分，所述第一部分、所述第二部分与所述数据线驱动的像素电极之间形成的间距分别为dl和d2，dl Φ d20
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述dl大于第一阈值，所述d2小于第二阈值，第一阈值大于等于第二阈值。
11.根据权利要求8、9、10任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述dl为所述第一部分与第一像素电极之间形成的间距，所述d2为所述第二部分与第二像素电极之间形成的间距，所述第一像素电极和所述第二像素电极位于同一列且相邻。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分相衔接的部分对应位于所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的区域。
13.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于， 所述第二部分与所述第二像素电极相重叠。
14.根据权利要求8、9、10任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述dl和d2分别为所述第一部分、所述第二部分与同一所述像素电极之间形成的间距。
15.根据权利要求14所述的阵列基板，其特征在于， 所述第二部分与所述像素电极相重叠。
16.一种显示装置，其特征在于，包括:权利要求1-15任一项所述的阵列基板。
【文档编号】G02F1/1343GK204028529SQ201420467337
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年8月18日 优先权日:2014年8月18日
【发明者】先建波, 乔勇, 程鸿飞, 李文波, 李盼 申请人:京东方科技集团股份有限公司