用于屏蔽光罩的设备的制作方法

本发明实施例涉及用于屏蔽光罩的设备。

背景技术：

硅芯片或晶片的制造典型涉及无数的加工步骤，诸如光刻。在光刻中，沉积有光致抗蚀剂的晶片表面透过图案化光罩暴露于辐射源。为了将光罩的图案投影到晶片上，辐射源，诸如紫外光，沿着辐射路径行进且入射在图案化光罩上或从图案化光罩反射出。接着晶片经历显影及蚀刻制程，以去除不想要的部分同时在其上留下光罩所定义的图案。

随着产业持续降低装置大小的趋势，晶片上的线宽被缩小并且装置计数相应地增加。一方面，光罩图案的保真度要求越来越严格。另一方面，将光罩图案图像无错误转换到晶片上也在决定最终半导体产品质量上扮演重要角色。结果，围绕图案化光罩的洁净环境是必须的。此外，重要的是保持光罩的操作表面远离否则可能阻碍辐射行进路径或使光罩表面粗糙的外来粒子或污染物，而使得没有缺陷会发生，诸如不想要的开路或闭路。因此，需要用于光罩的有效屏蔽机制。

技术实现要素：

本揭露提供一种设备。所述设备包括场产生器，用以产生场屏蔽以保护光罩免于外来粒子的污染。

本揭露提供一种用于屏蔽光罩的设备。所述设备包括光罩及围绕所述光罩的磁场产生器。所述磁场产生器用以在所述光罩上方产生磁场。

本揭露提供一种用于屏蔽光罩的设备。所述设备包括光罩及围绕所述光罩的电场产生器。所述电场产生器用以在所述光罩上方产生电场。

附图说明

本揭露的方面将在与随附图式一同阅读下列详细说明下被最佳理解。请注意，根据业界标准作法，各种特征未依比例绘制。事实上，为了使讨论内容清楚，各种特征的尺寸可刻意放大或缩小。

图1是根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备的示意图。

图2a至2d是根据本揭露的一些实施例的图1中光罩屏蔽设备的场产生器的示意图。

图3是根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备的示意图。

图4a及4b是根据本揭露的一些实施例的图3中光罩屏蔽设备的场产生器的示意图。

图5是根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备的示意图。

图6是根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备的示意图。

图7是根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备的示意图。

图8是根据本揭露的一些实施例的系统的示意图。

图9a及9b是根据本揭露的一些实施例的图8中系统的遮光器的示意图。

具体实施方式

下列揭露提供许多用于实施所提供目标的不同特征的不同实施例、或实例。为了简化本揭露，下文描述件及布置的具体实例。当然这些仅为实例而非意图为限制性。例如，在下面说明中，形成第一特征在第二特征上方或上可包含其中第一及第二特征经形成为直接接触的实施例，以及也可包含其中额外特征可形成在第一与第二特征之间而使得第一及第二特征不可直接接触的实施例。此外，本揭露可在各种实例中重复参考编号及/或字母。此重复是为了简单与清楚的目的且其本身并不决定所讨论的各种实施例及/或构形之间的关系。

再者，空间相关词汇，诸如“在...之下”、“下面”、“下”、“上面”、“上”和相似词汇，可为了使说明书便于描述如图式绘示的一个组件或特征与另一个(或多个)组件或特征的相对关系而使用于本文中。除了图式中所画的方位外，这些空间相对词汇也意图用来涵盖装置在使用中或操作时的不同方位。所述设备可以其它方式定向(旋转90度或在其它方位)，据此在本文中所使用的这些空间相关说明符可以相似方式加以解释。

光罩用在光刻操作中。光罩用以提供用于半导体电路制造的经界定图案。排列在光罩上的经界定图案被转换到晶片表面上。然而，出现在用于光刻的辐射源的行进路径中的外来粒子可干扰暴露操作并影响所得电路性能。反过来，任何额外保护机制可复杂化光罩的处理及检查操作。因此，将暴露环境控制为无污染物并同时维持暴露制程有效率是种挑战。

本揭露呈现一种设备，其用以使光罩屏蔽于否则会附接到晶片表面或阻碍辐射行进路径的外来粒子或任何其它污染物。所述设备用以通过使用一种场能量将不想要的粒子移离光罩的表面。因此，光罩可以有效的方式受保护而免于粒子污染。

图1是根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备100的示意图。光罩屏蔽设备100包括光罩10及场再生器20。

光罩10包括衬底102及图案化层104。此外，光罩10包括第一侧10a及与第一侧10a相对的第二侧10b。第一侧10a作为光罩10的前侧。第一侧10a接收辐射源l1的于已定入射角的入射束。在一些实施例中，第一侧10a反射入射辐射束l1成被反射辐射束l2。第二侧10b作为光罩10的背侧。在一些实施例中，背侧不会接收任何用于光刻的辐射或光源。衬底102设置在背侧10b上。图案化层104设置在衬底102上方且在前侧10a上。

在一些实施例中，辐射或光束l1或l2包括预定辐射形式，诸如具有365nm、248nm、193nm、157nm或13.5nm波长的光源。在一些实施例中，光罩10用以使用紫外(ultraviolet，uv)光作为光刻的光源。在一些实施例中，辐射束是x射线、电子、或离子形式。

在一些实施例中，光罩10是穿透式光罩，而使得衬底102可为透明以使辐射或光通过。衬底102可由合适的材料形成，诸如熔硅石。在一些实施例中，光罩10是反射式光罩，而使得衬底102可用以反射暴露光。在一些实施例中，衬底102包括层状结构。例如，衬底102可由背侧材料、多层结构及帽盖层形成。背侧材料设置在光罩10的背侧10b上。在一些实施例中，背侧材料是氮化铬(crn)所制。在一些实施例中，多层结构设置在背侧材料上方。多层结构可包括mosi。在一些实施例中，帽盖层设置在多层结构及背侧材料上方。在一些实施例中，帽盖层设置在多层结构及图案化层104之间。在一些实施例中，帽盖层是ru及si所制。

图案化层104放置在衬底102上方。图案化层104用以携带预定电路图案并将所述预定电路图案转换到晶片表面。图案化层104可包含中空部分，透过所述中空部分辐射源可发射到光罩10上。取决于光罩种类，辐射源可穿通过衬底102或可被衬底102反射。在本实施例中，图案化层104是反射式。光罩10可在前侧10a的表面包括光吸收性材料或抗反射涂层。入射束l1撞击在图案化层104上，且束l1的一部分透过中空部分撞击在衬底102上的表面102a处。仅在表面102a处被接收的束部分被反射并形成被反射束l2。辐射束未被反射的剩余部分被图案化层104的吸收性材料吸收。在一些实施例中，吸收性材料可包括tabo、tabn、tan、tano、ni、au、ag、c、te、pt、pd或cr。

参考图1，第一外来粒子p1及第二外来粒子p2出现在光罩10的前侧10a上面。粒子p1或p2可出现在朝向光罩10的辐射束l1的行进路径中。替代地，粒子p1或p2可出现在从光罩10反射的辐射束l2的行进路径中。在一些实施例中，粒子p1或p2可以是靠近光罩10。粒子p1及p2可落在前侧10a或光罩10的另一表面上或附接到前侧10a或光罩10的另一表面。在一些实施例中，粒子p1或p2可分别阻碍束l1或l2的传输路径的一部分。因此，可能扭曲或模糊对应于在图案化层104上的所界定电路图案的光转换图案。当粒子大小与图案的线宽可相比拟时，所述情况可能更糟。

光罩屏蔽设备100用以产生场屏蔽，所述场屏蔽通过使用一种场能量将靠近光罩10的粒子p1及p2排开。在一些实施例中，场能量可以是磁场或电场。在一些实施例中，外来粒子p1或p2可展现磁特性，诸如铁磁性、抗磁性或顺磁性。光罩屏蔽设备100用以通过使用磁场将磁粒子p1或p2移离光罩10。磁粒子p1及p2迁移的起效用原则被称为磁动力学。

仍参考图1，场产生器20围绕光罩10设置。场产生器20用以产生围绕光罩10的磁场屏蔽。在一些实施例中，场产生器20可由第一场产生器202及第二场产生器204中的一者组成。在一些实施例中，场产生器20可包括第一场产生器202及第二场产生器204二者。第一场产生器202可从光罩10的侧向侧环绕光罩10。在一些实施例中，有至少两个环绕光罩10的第一场产生器202。所述第一场产生器202用以在图案化层104上方共同地产生第一磁场，如通过代表性磁场线f1所绘示者。所述第一场产生器202所产生的第一磁场f1覆盖在图案化层104上方的空间的至少一部分。此外，第一磁场f1具备场方向及对应场强度的分布。随同磁场线f1标示的箭头表示于箭头所在位置处的第一磁场的方向。所述第一场产生器202所产生的第一磁场的场强度一般是由场线f1的密度表示。为了容易例示说明，仅一个磁场线f1被显示于图1中。所属领域的技术人员将认知到，更多磁场线f1可被绘示以表示第一磁场的场强度。

在一些实施例中，第二场产生器204抵靠光罩10的第二侧10b设置。在一些实施例中，对于衬底102来说，第二场产生器204相异于图案化层104设置。在一些实施例中，第二场产生器204可与光罩10接触。在一些实施例中，间隙或中介组件可出现在第二场产生器204与光罩10之间，而使得第二场产生器204与光罩10不彼此接触。

所述第二场产生器204用以在图案化层104上方产生第二磁场，如通过代表性磁场线f2所绘示者。第二场产生器204所产生的第二磁场f2覆盖在图案化层104上方的空间的至少一部分。第一磁场f1及第二磁场f2可至少部分重叠。此外，第二磁场f2具备场方向及对应场强度的分布。随同磁场线f2标示的箭头表示于所述位置处的对应磁场方向。第二场产生器204所产生的磁场的场强度一般是由场中场线的密度表示。为了容易例示说明，仅一个磁场线f2被显示于图1中。所属领域的技术人员将认知到，大于一个磁场线f2可被绘示以表示场强度。在一些实施例中，第二磁场f2可具有与第一磁场f1所具者不同的分布。

在本实施例中，粒子p1及p2暴露于辐射l1且可携带静电电荷。在替代实施例中，辐射源l1包括具有相对较高能量例如高至92ev的极紫外(extremeultraviolet，euv)光。在如此强的辐射源中，粒子p1或p2可被离子化，此是光电子效应所致。在一些实施例中，中性粒子p1或p2可被转换成双极，且相应地展现电极性。同时，当粒子p1或p2进入在图案化层104上方的磁场空间时，那些粒子可经历由第一磁场f1或第二磁场f2所组成的复合磁场。结果，沿着向光罩10的前侧10a的方向行进的双极性粒子p1或p2可经历洛仑兹力并且将遵照洛仑兹力定律沿着另一方向复位向而离开前侧10a。

在一些实施例中，第一场产生器202或第二场产生器204用以产生从光罩10的前侧10a离开的磁场。此外，当与在前侧10a上方的磁场f1或f2相比时，此种离开前侧10a分布的磁场可忽略。在本揭露中，用语“可忽略”被称作就值或数目而言相对较小。在一些实施例中，可忽略强度可解释为小于参考强度的10％。在一些实施例中，可忽略强度可解释为小于参考强度的1％。在一些实施例中，可忽略强度可解释为小于参考强度的1ppm(百万分率)。在一些实施例中，基于业界标准，可忽略强度可称作具有实质上零值。

在一些实施例中，光罩屏蔽设备100可包括电力存储单元50。电力存储单元50可用以提供能量以供给电力给场产生器20。电力存储单元50可电耦合到第一场产生器202或第二场产生器204。电力存储单元可以是电池或电力产生器。替代地，光罩屏蔽设备100可包括电连接40。电连接40用以传输电力给场产生器20。电连接40可由合适的导电材料形成。在一些实施例中，电力存储单元50可透过电连接40耦合到场产生器20。

图2a至2d分别是根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备301至304的示意图。具体地，图2a至2d分别绘示第一场产生器310至340的示意俯视图。此外，标记数个箭头且各箭头表示相应磁场的极性方向。如下面图2a及2b所绘示，例示性磁铁可具有相应的磁极对，包括北极及南极。磁极对用以产生以场线表示的磁场。磁场线的各者形成闭路，如通过图1的磁场线f1或f2所绘示者。闭路场线f1或f2包含起自北极，从磁体外部通过且朝向南极并回到南极的场方向。又者，场线指示在磁铁内从南极往北极指的极性方向。绘示于图2a至2d中的各箭头的方向表示在箭头所在位置处的相邻区域中磁场的极性方向。

参考图2a，光罩屏蔽设备301包括光罩10(未分开标示)及第一场产生器310。此外，光罩10包含衬底102及图案化层104。第一场产生器310环绕光罩10。在一些实施例中，第一场产生器310围绕衬底102设置，而使得衬底102的表面102a暴露。在替代实施例中，第一场产生器310可围绕图案化层104设置并覆盖表面102a的一部分。在一些实施例中，第一场产生器310可与光罩10接触或物理分开。

在一些实施例中，第一场产生器310共形地适配光罩10的侧向轮廓。在一些实施例中，第一场产生器310包括多边形形状，诸如三角形、四边形、六边形或其类似者。在一些实施例中，第一场产生器310包括长方形或正方形形状。在替代实施例中，第一场产生器310包括圆形形状，诸如圆的或椭圆形形状。在一些实施例中，第一场产生器310在中心包括中空部分。在一些实施例中，第一场产生器310包括框边形状。

第一场产生器310用以产生磁力。在一些实施例中，第一场产生器310包括铁磁性组件。例如，第一场产生器310包含永久性磁铁。在一些实施例中，第一场产生器310可包括磁性组件，诸如铁、镍、钴及稀土金属的合金。在一些实施例中，第一场产生器310包括电磁铁。例如，第一场产生器310可包含线圈。在一些实施例中，第一场产生器310包括耦合到线圈并用以供给电力的电源或导体。第一场产生器310可用以通过使电流穿通过电磁铁的线圈来产生磁力。

分布在图案化层104上方的磁场可基于为第一场产生器310所决定的不同材料、构形及参数控制。参考图2a，第一场产生器310用以产生预定磁场分布。在一些实施例中，预定磁场分布是透过第一磁性产生器310的不同部件或区域的数个分量磁场(例如分量场c1)的叠加产生。在本实施例中，第一磁性产生器310可被分成多个，可能是八个相邻区。可能的八个区的各者用以提供分量磁场，例如c1至c8。分量磁场的各者在第一磁性产生器310内部具有相应的极性方向，如通过对应箭头所标记者。此外，分量磁场c1至c8的各者是以围绕在围住相应箭头圆圈的相邻区的场覆盖来描述。

参考图2a，第一场产生器310包括第一侧s1、第二侧s2、第三侧s3及第四侧s4。第一侧与第二侧彼此相对，而第三侧与第四侧彼此相对。第一侧或第三侧实质上垂直于第二侧或第四侧设置。再者，第一场产生器310用以在第一侧、第二侧、第三侧及第四侧上分别产生分量场c2、c4、c6及c8。在第一侧上的分量场c2包含指向270度的极性方向d1，其中零度参考物与x轴的正方向一致。极性方向d1实质上等于在第三侧上的分量场c6所具者。又者，在第三侧上的分量场c4包含指向90度的极性方向d2。极性方向d2实质上等于在第四侧上的分量场c8所具者。极性方向d1与极性方向d2实质上相反。在一些排列中，在第一侧s1及第三侧s3上的极性方向d1与在第二侧s2及第四侧s4上的极性方向d2相反。此种排列可帮助增加在光罩10的前侧10a上方的场强度同时管理在背侧10b下面的复合场强度。因此，场分布可更集中并因此在形成对抗在光罩10的前侧10a上方的外来粒子的场屏蔽上更有效。

在一些实施例中，第一场产生器310进一步用以在其四个角落分别产生分量场c1、c3、c5及c7。在一些实施例中，分量场c1、c3、c5及c7的各者包括与极性方向d1及d2不同的极性方向d3。在一些实施例中，分量场c1、c3、c5及c7可包含统一极性方向d3。在一些实施例中，分量场c1、c3、c5及c7可包含不同极性方向，诸如分别沿着315度、225度、135度及45度指向。可有大于一个贡献图2a中的极性方向的构形。可构成相似于图2a中所具者的极性方向分布的任何组件(诸如磁铁)、材料及构形是在本揭露所涵盖的范围内。

图2b显示根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备302的示意图。光罩屏蔽设备302包括第一场产生器320，第一场产生器320用以在其四个角落产生分量场c1、c3、c5及c7。参考图2a及2b，第一场产生器320的极性方向相似于第一场产生器310的极性方向，除了第一场产生器320的分量场c1、c3、c5及c7与第一场产生器310的对应者至少包含一个不同极性方向d4，例如指向零度。在一些实施例中，在分量场c1、c3、c5及c7之中，他们之中至少两者可包含相同极性方向d4。例如，第一场产生器320的分量场c1、c3、c5及c7分别可指向零度、180度、零度及180度。此种排列可帮助增加在光罩10的前侧10a上方的场强度同时管理在背侧10b下面的复合场强度。因此，场分布可更集中并因此在形成对抗在光罩10的前侧10a上方的外来粒子的场屏蔽上更有效。

图2c显示根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备303的示意图。光罩屏蔽设备303包括由数个离散磁性组件(诸如磁铁332)形成的第一场产生器330。在一些实施例中，所述磁铁332具有相等大小及相似形状。在一些实施例中，所述磁铁332中的至少一者可包括四边形形状，诸如长方形或正方形。在一些实施例中，所述磁铁332中的至少一者可包括三角形形状。所述磁铁332用以形成至少一个磁条(或一维数组)，如第一场产生器330的磁铁332-1、332-5及332-6。在一些实施例中，所述磁铁332的各者可彼此接触或物理分开。

在一些实施例中，所述磁铁332的各者可经定向以依所欲决定其极性方向。例如，磁铁332-1可沿极性方向d5(也就是说，指向270度)定向，磁铁332-2可沿极性方向d6(也就是说，指向90度)定向，磁铁332-3可沿极性方向d5定向，且磁铁332-4可沿极性方向d6定向。磁铁332-1及磁铁332-3以相同极性方向d5定向。此外，磁铁332-1及磁铁332-2以实质上相对极性方向定向。

再者，第一场产生器330包括分别设置在其四个角落的磁铁332-5、332-6、332-7及332-8。在一些实施例中，磁铁332-5、332-6、332-7及332-8可沿相等或不同极性方向定向。在一些实施例中，磁铁332-5、332-6、332-7及332-8中的至少一者可沿垂直于极性方向d5及d6的极性方向定向，诸如指向零度或180度。

图2d显示根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备304的示意图。光罩屏蔽设备304包括第一场产生器340。在一些实施例中，第一场产生器340包括数个离散磁性组件，诸如磁铁342及344。在一些实施例中，第一场产生器340由第一磁铁群342及第二磁铁群344所构成。从俯视视角，磁铁342包括三角形形状，而从俯视视角，磁铁344包括四边形形状，诸如梯形。在一些实施例中，三角形磁铁342围绕第一场产生器340的角落设置。在一些实施例中，一个磁铁344设置在所述磁铁342中的两者之间。相似地，一个磁铁342设置在所述磁铁344中的两者之间。磁铁342或344的极性方向可以与第一场产生器310、320或330的那些极性方向相似的方式排列。

图3是根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备400的透视图。光罩屏蔽设备400包括光罩10(未分开标示)，光罩10包括衬底102及图案化层104。此外，光罩屏蔽设备400包括第二场产生器410。参考图1及4，第二场产生器410靠近光罩10的背侧10b设置。在一些实施例中，第二场产生器410抵靠光罩10的衬底102设置。在一些实施例中，第二场产生器410由二维数组形成。在一些实施例中，第二场产生器410面对光罩10的背侧10b。

在一些实施例中，第二场产生器410用以产生围绕光罩10的磁力。在一些实施例中，第二场产生器410用以产生实质上分布在光罩10的前侧10a上方的磁场，如通过磁场线f3所绘示者。在一些实施例中，第二场产生器410用以使得当与在前侧10a上方的磁场f3相比时，靠近光罩10的背侧10b所产生的磁场f01是可忽略的。

图4a是根据本揭露的一些实施例的第二场产生器510的示意图。在一些实施例中，第二场产生器510包括数个离散磁性组件，诸如磁铁542、544及546。在一些实施例中，磁铁542、544或546具有实质上相等大小及相似形状。在一些实施例中，从剖面视角，磁铁542、544或546可包括四边形形状，诸如长方形或正方形。在一些实施例中，从俯视视角，磁铁542、544或546可包括四边形形状，诸如长方形或正方形。所述磁铁542用以形成第二场产生器510的至少一个磁条532(一维数组)。相似地，所述磁铁544及546分别用以形成磁条534及536。至少一部分的所述磁铁544形成第二场产生器510的二维数组534。在一些实施例中，磁铁542、544及546形成磁铁矩阵。在一些实施例中，磁铁542、544及546的各者可彼此接触或物理分开。

参考图4a，第二场产生器510参考具有x轴、y轴及z轴的笛卡尔坐标定向。此外，图4a中标记在磁铁上的十字符号表示磁铁指向沿z轴的负方向的极性方向。相似地，图4a中标记在磁铁上的点符号表示此磁铁指向沿z轴的正方向的极性方向。在一些实施例中，磁条532的各磁铁可在统一极性方向上定向。例如，磁铁542可沿通过十字符号表示的极性方向d7定向。在一些实施例中，磁条536的各磁铁可在统一极性方向上定向。例如，磁铁546可沿通过点符号表示的极性方向d8定向。在一些实施例中，磁铁数组534的各磁铁可在统一极性方向上定向。例如，磁铁544可经排列以提供极性方向d9，其中方向d9沿第二场产生器510的顶部表面从磁铁数组532指向磁铁数组536，也就是说，沿y轴的正方向。

图4b是根据本揭露的一些实施例的第二场产生器520的示意图。在一些实施例中，第二场产生器520包括数个离散磁性组件，诸如磁铁562、564及566。磁铁562、564或566分别形成磁铁数组552、554及556。在一些实施例中，磁铁可包括用于不同磁铁数组的不同形状或几何。例如，从俯视视角、仰视视角及剖面视角，磁铁562、564及566的各者具有四边形表面。在一些实施例中，从俯视视角及仰视视角，磁铁562、564及566的各者具有长方形或正方形表面，而从剖面视角，磁铁562、564及566的各者含有梯形表面。在一些实施例中，磁铁562及566的各者具有大于顶部表面的底部表面。在一些实施例中，磁铁564的各者具有大于底部表面的顶部表面。在一些实施例中，在第二场产生器520中的磁铁中的至少一者包括楔形状。其中磁铁562或566中的至少一者具有大于顶部表面的底部表面的所述排列可在光罩10的前侧10a上方产生较大磁场。

图5是根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备700的示意图。光罩屏蔽设备700包括光罩10及场产生器30。

参考图1及5，作为场产生器20的替代方案，光罩屏蔽设备700包括场产生器30。在一些实施例中，场产生器30用以产生场屏蔽，诸如电场。在一些实施例中，场产生器30用以产生围绕光罩10的电场屏蔽。在一些实施例中，场产生器30用以产生电场屏蔽，所述电场屏蔽实质上分布在跨越光罩10的前侧10a上方的空间，如通过电场线f4所绘示者。在一些实施例中，场产生器30用以使得当与在前侧10a上方的电场f4相比时，靠近光罩10的背侧10b所产生的电场f02是可忽略的。

在一些实施例中，外来粒子p1是带电的。在一些实施例中，场产生器30用以将带电粒子p1移离光罩10。例如，场产生器30用以产生用以移动带电粒子p1的库仑力。库仑力是基于粒子p1的参数(诸如其质量、速度及电荷质量)，以及场产生器30所提供的电场强度(通过场线f4所表示者)所决定。

在一些实施例中，外来粒子p2是中性的。在一些实施例中，场产生器30用以使中性粒子p2带电或极化。在一些实施例中，在场产生器30所提供的电场屏蔽的空间内的中性粒子p2可被极化成电双极。在一些实施例中，场产生器30用以提供抵抗带电或极化粒子的漂移力并将带电或极化粒子移离光罩10。在一些实施例中，场产生器30用以提供非均匀电场，以产生诸如飘移力的电力。飘移力的方向及强度是基于所产生电场(通过场线f4表示)的梯度向量及关于带电粒子的可极化性因子所决定。

在一些实施例中，场产生器30由电容器形成。电容器30可包括第一电极702及第二电极704。对于光罩10来说，第一电极702以及第二电极704设置在相异侧。在一些实施例中，第一电极702具有第一表面，所述第一表面面对第二电极704的第二表面，此等表面二者被称作场产生器30的电容面积。在一个实施例中，第一表面及第二电极704具有实质上相等的电容面积。相应地，所得电场f4包含均匀分布。

在替代实施例中，第一表面具有与第二表面所具者不同的形状。在一个实施例中，第一表面或第二表面可包括平坦表面、弯曲表面或顶点。在一些实施例中，第一表面或第二表面可包括波形。因此，第一表面可具有与第二表面不同的电容形状，即便第一表面及第二表面二者具有实质上相等电容面积。在其中第一表面具有与第二表面不同的电容面积或电容形状的例子中，所得电场f4可包含非均匀分布。

在一些实施例中，场产生器30可包括构件706。在一些实施例中，构件706面对光罩10的衬底102。在一些实施例中，构件706用以耦合第一电极702以及第二电极704。构件706可以是电性绝缘或导电材料所制。

在一些实施例中，光罩屏蔽设备700可包含耦合到场产生器30的电力存储单元50或电连接40。电力存储单元50或电连接40用以供给电力给场产生器30，进而可建立电场。

图6是根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备800的示意俯视图。在本实施例中，第一电极702具有大于第二电极704所具者的电容面积。因此，电场线f4以非均匀方式分布。

图7是根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备900的示意图。光罩屏蔽设备900包括磁场产生器20及电场产生器30，其分别用以产生磁场及电场。在一些实施例中，磁场产生器20可包括第一场产生器202及第二场产生器204中的一者。在一些实施例中，磁场产生器20可包括第一场产生器202及第二场产生器204二者。在一些实施例中，光罩屏蔽设备900包括屏蔽组件60，屏蔽组件60用以使涉及电磁能量操作的其它邻近组件或仪器屏蔽于磁场。在一些实施例中，屏蔽组件60设置在场产生器20及场产生器30之间。在一些实施例中，屏蔽组件60整合到场产生器30中。在一些实施例中，屏蔽组件60环绕场产生器30。屏蔽组件60可由诸如金属的高渗透性材料形成。

图8是根据本揭露的一些实施例的系统1000的示意图。系统1000用以产生用于制造半导体装置或组件的特征的光刻图案。在一实施例中，系统1000包括光刻系统，诸如euv扫描系统。参考图8，系统1000包括光罩10、遮光器810、光学装置820、光学调制器830以及场产生器840及842。

在一些实施例中，光刻图案是以图案化辐射束形式转移。为了完成图案转移，系统1000用以接收来自辐射源(未分开显示)的辐射束l1或l2并透过光罩10形成光刻图案。在一些实施例中，系统1000包括辐射源或辐射源是在系统1000外部。光罩10包括相似于提及图1、5及7的说明所绘示的那些组件，且光罩10的详情不在此重复。

系统1000进一步用以在图案形成之前或之后透过诸如光学调制器830的光学组件来传递辐射束。例如，光学调制器830用以接收来自辐射源的撞击入射辐射束l1或l2。在一些实施例中，孔包括透镜。在一实施例中，光学调制器830包括用以反射或准直入射辐射的反射器或准直器。此外，系统1000用以在光刻图案产生之前或之后透过至少一个光学组件(诸如光学装置820或遮光器810)的孔形成光路径。结果，由光罩10界定的光刻图案透过被反射束r1或r2被转移到后续光学组件或目标晶片(未分开显示)。

光学装置820包括至少一个孔，所述孔用以使辐射束通过而到目标晶片。例如，光学装置820用以重新导向或处理穿通过孔822的入射辐射束l1、l2。在一些实施例中，光学装置820可包括照明装置。又者，系统1000包括围绕孔822的场产生器840。场产生器840用以使围绕孔822的光路径屏蔽于被外来粒子阻碍或阻挡。有效地，辐射束的传输路径可净空而免于粒子污染或阻碍。在一些实施例中，场产生器840可相似于参考图1、5及7的场产生器20或30实施且其详情不在此重复。

在另一实施例中，光学装置820用以处理(在束图案形成之后)从光罩10通过的被反射光r1或r2并将其导向通过另一孔824。在一些实施例中，光学装置820可包括成像装置。又者，系统1000包括围绕孔824的场产生器842。场产生器842用以使围绕孔824的光路径屏蔽于被外来粒子阻碍或阻挡。在一些实施例中，场产生器842可相似于参考图1、5及7的场产生器20或30实施且其详情不在此重复。

在一些实施例中，系统1000可包括由遮光器810形成的可受控孔。例如，遮光器810用以允许入射光l1或l2穿通过并发射给光罩10。遮光器810包括孔826(未明确显示但在图8中以虚线标记)且用以决定遮光器速度以便控制通过而到光罩10上的辐射l1或l2的量。

遮光器810包括至少一个遮光器叶片。在一些实施例中，遮光器叶片可由不透明材料构成且用以控制穿通过孔826的光的量。在一些实施例中，遮光器810可以是光圈遮光器，其包括多个重叠的叶片。在一些实施例中，多个叶片包括刀叶形状。其它种类的遮光器810，例如焦平面遮光器或电子遮光器也在本揭露所涵盖的范围内。在一些实施例中，系统1000包括具有遮光器810的光罩屏蔽(reticlemasking，rema)刀叶系统。

图9a是根据本揭露的一些实施例的图8的系统1000的遮光器850的示意图。遮光器850包括第一遮光器叶片901、第二遮光器叶片902、第三遮光器叶片903及第四遮光器叶片904。遮光器叶片901、902、903及904共同地受控以形成孔905。替代地，当遮光器850打开时，孔905被遮光器叶片901、902、903及904环绕。在一些实施例中，遮光器850包括控制器，所述控制器用以管理叶片901、902、903及904及相应的孔905的大小。在本实施例中，叶片901至904包括具有圆角的类三角形形状。尽管如此，前述叶片901至904可包括其它合适的形状，诸如多边形形状。再者，叶片901至904可包括直的或弯曲的边缘，以及直角或圆角。遮光器850的叶片901至904的数目及在图8中所显示的形状是例示说明用。其它的数目及形状的遮光器850的遮光器叶片是在本揭露所涵盖的范围内。

遮光器850进一步包括场产生器906，场产生器906用以使围绕孔905的光路径屏蔽于不想要的粒子。在一些实施例中，场产生器906用以产生围绕孔905的磁场及/或电场。在一些实施例中，场产生器包括匹配叶片901至904靠近孔905的边缘的形状。在一些实施例中，取决于孔905的开口形状，场产生器906包括框边形状或四边形形状。

在一些实施例中，叶片901、902、903及904可被移动或枢转以便决定孔905的大小。在所述例子中，场产生器906可包括大于一个对应于遮光器850的叶片的场产生组件(未明确显示)。场产生组件用以随着对应遮光器叶片的运动移动。在一些实施例中，场产生组件可彼此分开。在一些实施例中，场产生组件包括条形状或四边形形状。

图9b是根据本揭露的一些实施例的系统1000的遮光器860的示意图。遮光器860包括第一遮光器叶片921、第二遮光器叶片922、第三遮光器叶片923及第四遮光器叶片924。遮光器叶片921、922、923及924共同地用以形成孔925。替代地，孔925被遮光器叶片921、922、923及924环绕。将图9b与图9a相比较，叶片921至924包括具有圆角的四边形形状。其它的数目及形状的遮光器叶片是在本揭露所涵盖的范围内。

遮光器860进一步包括场产生器926，场产生器926用以使围绕孔925的辐射束的光路径屏蔽于不想要的粒子。在一些实施例中，场产生器926用以产生围绕孔925的磁场及/或电场。在一些实施例中，场产生器包括匹配于遮光器叶片921至924靠近孔925的边缘的形状。在一些实施例中，场产生器906包括框边形状或四边形形状。

在一些实施例中，叶片921、922、923及924可被移动或枢转以便决定孔925的大小。在所述例子中，场产生器926可包括大于一个对应于遮光器860的可动叶片的场产生组件(未明确显示)。场产生组件用以随着对应遮光器叶片的运动移动。在一些实施例中，场产生组件可彼此分开。在一些实施例中，间隔式场产生组件包括条形状或四边形形状。

本揭露提供一种设备。所述设备包括场产生器，用以产生保护光罩免于外来粒子污染的场屏蔽。

本揭露提供一种用于光罩屏蔽的设备。所述设备包括光罩及围绕所述光罩的磁场产生器。所述磁场产生器用以在所述光罩上方产生磁场。

本揭露提供一种用于光罩屏蔽的设备。所述设备包括光罩及围绕所述光罩的电场产生器。所述电场产生器用以在所述光罩上方产生电场。

前面列述了数个实施例的特征以便所属领域的技术人员可更佳地理解本揭露的方面。所属领域的技术人员应了解，它们可轻易地使用本揭露作为用以设计或修改其它制程及结构的基础以实现本文中所介绍实施例的相同目的及/或达成本文中所介绍实施例的相同优点。所属领域的技术人员也应认识到这些均等构造不会背离本揭露的精神及范围，以及它们可在不背离本揭露的精神及范围下做出各种改变、取代、或替代。

符号说明

10光罩

10a第一侧

10b第二侧/背侧

20场再生器/场产生器/磁场产生器

30场产生器/电容器/电场产生器

40电连接

50电力存储单元

60屏蔽组件

100光罩屏蔽设备

102衬底

102a表面

104图案化层

202第一场产生器

204第二场产生器

301光罩屏蔽设备

302光罩屏蔽设备

303光罩屏蔽设备

304光罩屏蔽设备

310第一场产生器

320第一场产生器

330第一场产生器

332磁铁

332-1磁铁

332-2磁铁

332-3磁铁

332-4磁铁

332-5磁铁

332-6磁铁

332-7磁铁

332-8磁铁

340第一场产生器

342磁铁/第一磁铁群

344磁铁/第二磁铁群

400光罩屏蔽设备

410第二场产生器

510第二场产生器

520第二场产生器

532磁条/磁铁数组

534磁条/二维数组/磁铁数组

536磁条/磁铁数组

542磁铁

544磁铁

546磁铁

552磁铁数组

554磁铁数组

556磁铁数组

562磁铁

564磁铁

566磁铁

700光罩屏蔽设备

702第一电极

704第二电极

706构件

800光罩屏蔽设备

810遮光器

820光学装置

822孔

824孔

826孔

830光学调制器

840场产生器

842场产生器

850遮光器

860遮光器

900光罩屏蔽设备

901叶片

902叶片

903叶片

904叶片

905孔

906场产生器

921叶片

922叶片

923叶片

924叶片

925孔

926场产生器

1000系统

l1辐射源

l2辐射源/反射辐射束

r1反射光

r2反射光

p1外来粒子

p2外来粒子

f1磁场线

f2磁场线

f3磁场线

f4电场线

f01磁场

f02电场

c1分量磁场

c2分量磁场

c3分量磁场

c4分量磁场

c5分量磁场

c6分量磁场

c7分量磁场

c8分量磁场

s1第一侧

s2第二侧

s3第三侧

s4第四侧