液晶组合物和包括其的液晶显示器的制作方法

本发明的示例性实施例涉及一种液晶组合物，更具体地，涉及一种包括该液晶组合物的液晶显示器。

背景技术：

液晶显示器包括第一基底、第二基底和液晶层。第一基底包括多个像素电极。第二基底包括共电极。液晶层设置在第一基底与第二基底之间。液晶显示器例如根据形成在像素电极中的每个与共电极之间的电场通过改变液晶层的透光率来显示图像。液晶显示器包括多个像素。多个像素中的每个包括像素电极。

液晶显示器可以向用户提供较多的图像信息。例如，除了二维图像之外，液晶显示器还可以显示三维图像。因此，可以提供具有相对高的驱动速度和相对高的可靠性的液晶显示器。

技术实现要素：

本发明的示例性实施例提供液晶显示器。液晶显示器包括：第一基底；第二基底，面向第一基底；电极单元，设置在第一基底和第二基底中的至少一个上；以及液晶层，设置在第一基底与第二基底之间。液晶层包括液晶组合物。液晶组合物包括由式1和式2表示的液晶化合物中的至少一种。

[式1]

[式2]

A1、A2、B1和B2均选自于1,4-亚环己基或1,4-亚苯基。A1、A2、B1和B2中的-H均能够被-F、-Cl、-OCF3、-CF3、-CHF2或-CH2F取代。C是在第一个碳、第二个碳或第三个碳处具有-C＝C-键的1,4-亚环己基。Y1、Y2、Y3和Y4均选自于-H或C1-C5烷基。一个或更多个-CH2-基均能够被-C≡C-、-CH＝CH-、-CF2O-、-O-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-取代。n、m、p和q均是从0至2中选择的整数。La、Lb、Lc和Ld均选自于单键、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-CO-、-O-、-(CH2)2-或-CH＝CH-。

根据本发明的示例性实施例，液晶层的光程差(Δnd)可以为大约245nm至大约310nm。

根据本发明的示例性实施例，液晶层的折射率各向异性(Δn)可以为大约0.075至大约0.1。

根据本发明的示例性实施例，液晶层的旋转粘度(γ1)与弯曲弹性模量(K33)的比值γ1/K33可以为4至8。

根据本发明的示例性实施例，式2的液晶化合物可以包括由式2-1表示的液晶化合物中的至少一种。

[式2-1]

A1、B1、n、m、La、Lb、Y1和Y2可以与式2中定义的相同。

根据本发明的示例性实施例，液晶显示器还可以包括与第二基底间隔开的光源，第一基底设置在光源与第二基底之间。所述光源可以发射具有大约450nm至大约495nm的波长的光。

根据本发明的示例性实施例，液晶显示器还可以包括设置在第二基底上的滤色器。滤色器可以包括第一量子点和第二量子点。第二量子点可以与第一量子点不同。

根据本发明的示例性实施例，用于液晶显示器中的液晶组合物包括由式1和式2表示的液晶化合物中的至少一种。液晶组合物在暴露于具有预定波长的光时具有大约0.075至大约0.1的折射率各向异性(Δn)。

[式1]

[式2]

A1、A2、B1和B2均选自于1,4-亚环己基或1,4-亚苯基。A1、A2、B1和B2中的-H均能够被-F、-Cl、-OCF3、-CF3、-CHF2或-CH2F取代。C是在第一个碳、第二个碳或第三个碳处具有-C＝C-键的1,4-亚环己基。Y1、Y2、Y3和Y4均选自于-H或C1-C5烷基。一个或更多个-CH2-基均能够被-C≡C-、-CH＝CH-、-CF2O-、-O-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-取代。n、m、p和q均是从0至2中选择的整数。La、Lb、Lc和Ld均选自于单键、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-CO-、-O-、-(CH2)2-或-CH＝CH-。

根据本发明的示例性实施例，光可以具有大约450nm至大约495nm的波长。

根据本发明的示例性实施例，旋转粘度(γ1)与弯曲弹性模量(K33)的比值γ1/K33可以为4至8。

根据本发明的示例性实施例，式2的液晶化合物可以包括由式2-1表示的液晶化合物中的至少一种。

[式2-1]

A1、B1、n、m、La、Lb、Y1和Y2可以与式2中定义的相同。

附图说明

通过结合附图对下面的本发明的示例性实施例的描述，本发明的以上和/或其它方面将变得明显并更易于理解，在附图中：

图1是示出了根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的示意性框图；

图2是示出了根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的示意性剖视图；

图3是示出了根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的平面图；

图4是示出了根据本发明的示例性实施例的沿图3的线I-I'截取的液晶显示器的剖视图；

图5是示出了根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的平面图；

图6是示出了根据本发明的示例性实施例的沿图5的线II-II'截取的液晶显示器的剖视图；以及

图7A和图7B是示出了根据本发明的示例性实施例的处于暗状态下的照度变化的曲线图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。在这方面，示例性实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里所描述的本发明的示例性实施例。

在整个说明书和附图中，同样的附图标记可以表示同样的元件。

为了描述的清楚，可以夸大附图中的元件的尺寸。

将理解的是，当诸如层、膜、区域或板的组件被称为“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接在所述另一组件上或者可以存在中间组件。

图1是示出了根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的示意性框图。

参照图1，液晶显示器可以包括显示面板PNL、时序控制器TC、栅极驱动器GDV和数据驱动器DDV。

显示面板PNL可以是液晶面板。显示面板PNL可以包括第一基底、第二基底和液晶层。液晶层可以设置在第一基底与第二基底之间。

显示面板PNL可以包括多条栅极线GL1-GLm和多条数据线DL1-DLn。栅极线GL1-GLm可以在第一方向D1上(例如，在行方向上)延伸。数据线DL1-DLn可以在第二方向D2上(例如，在列方向上)延伸。第二方向D2可以与第一方向D1交叉。显示面板PNL可以包括多个像素PX。多个像素PX可以布置在第一方向D1和第二方向D2上。

时序控制器TC可以例如从外部图形控制器接收图像数据RGB和控制信号。控制信号可以包括垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、数据使能信号DES和主时钟信号MCLK。垂直同步信号Vsync可以是帧识别信号。水平同步信号Hsync可以是行识别信号。数据使能信号DES可以在输出数据期间的时间段处于相对高的电平。因此，数据使能信号DES可以指示输入数据的区域。

时序控制器TC可以例如根据数据驱动器DDV的规格转换图像数据RGB，并向数据驱动器DDV输出转换的图像数据DATA。时序控制器TC可以产生栅极控制信号GS1和数据控制信号DS1。数据控制信号DS1可以基于控制信号。时序控制器TC可以向栅极驱动器GDV输出栅极控制信号GS1。时序控制器TC也可以向数据驱动器DDV输出数据控制信号DS1。栅极控制信号GS1可以是用于驱动栅极驱动器GDV的信号。数据控制信号DS1可以是用于驱动数据驱动器DDV的信号。

栅极驱动器GDV可以例如基于栅极控制信号GS1产生栅极信号。栅极驱动器GDV可以向栅极线GL1至GLm输出栅极信号。栅极控制信号GS1可以包括扫描起始信号、至少一个时钟信号和输出使能信号。扫描起始信号可以指示扫描的开始。至少一个时钟信号可以控制栅极导通电压的输出时间段。输出使能信号可以限制栅极导通电压的持续时间。

数据驱动器DDV可以例如基于数据控制信号DS1根据图像数据DATA产生灰度电压。例如，数据驱动器DDV可以向数据线DL1-DLn输出作为数据电压的灰度电压。数据电压可以包括正数据电压和负数据电压。正数据电压可以相对于共电压具有正值。负数据电压可以相对于共电压具有负值。数据控制信号DS1可以包括水平起始信号、加载信号和反相信号。水平起始信号可以指示图像数据DATA向数据驱动器DDV的传输的开始。加载信号可以向数据线DL1至DLn施加数据电压。反相信号可以使数据电压的例如相对于共电压的极性反相。

时序控制器TC、栅极驱动器GDV和数据驱动器DDV中的每个可以以至少一个集成电路芯片的形式直接安装在显示面板PNL上。时序控制器TC、栅极驱动器GDV和数据驱动器DDV中的每个可以安装在柔性印刷电路板(FPCB)上，从而以带载封装件(TCP)的形式附着到显示面板PNL。时序控制器TC、栅极驱动器GDV和数据驱动器DDV中的每个可以安装在单独的印刷电路板(PCB)上。可选择地，栅极驱动器GDV和数据驱动器DDV中的至少一个可以与栅极线GL1-GLm、数据线DL1-DLn和晶体管一起集成在显示面板PNL上。此外，时序控制器TC、栅极驱动器GDV和数据驱动器DDV可以集成在单个芯片中。

可以以各种形式实现图1中示出的液晶显示器。

图2是示出了根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的示意性剖视图。图3是示出了根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的平面图。图4是示出了根据本发明的示例性实施例的沿图3的线I-I'截取的液晶显示器的剖视图。图5是示出了根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的平面图。图6是示出了根据本发明的示例性实施例的沿图5的线II-II'截取的液晶显示器的剖视图。

参照图2至图4，液晶显示器可以包括第一基底SUB1、第二基底SUB2和液晶层LC。第二基底SUB2可以面向第一基底SUB1。液晶层LC可以设置在第一基底SUB1与第二基底SUB2之间。

第一基底SUB1可以包括第一基体基底BS1、多条栅极线GL、多条数据线DL、多个像素PX和第一取向层ALN1。

第一基底SUB1可以包括多个像素区域和多个像素。像素区域可以以矩阵布置。像素可以分别布置在多个像素区域中。像素PX可以连接到顺序布置的数据线中的对应的一条数据线和彼此相邻的栅极线中的对应的一条栅极线。在本示例性实施例中，一个像素所连接到的栅极线可以被称为栅极线GL。像素所连接到的数据线可以被称为数据线DL。

栅极线GL可以例如在第一方向D1上形成在第一基体基底BS1上。栅极绝缘层GI可以设置在数据线DL与栅极线GL之间。数据线DL可以在第二方向D2上延伸。第二方向D2可以与第一方向D1交叉。栅极绝缘层GI可以设置在第一基体基底BS1的整个表面上。栅极绝缘层GI可以覆盖栅极线GL。

每个像素PX可以连接到栅极线GL中的对应的一条栅极线和数据线DL中的对应的一条数据线。

像素PX可以包括薄膜晶体管TR、像素电极PE和存储电极。像素电极PE可以连接到薄膜晶体管TR。

薄膜晶体管TR可以包括栅电极GE、半导体图案SM、源电极SE和漏电极DE。

栅电极GE可以从栅极线GL突出。可选择地，栅电极GE可以设置在栅极线GL的一部分上。

栅电极GE可以包括金属。栅电极GE可以包括镍、铬、钼、铝、钛、铜、钨或它们的合金。栅电极GE可以具有包括金属的单层结构或多层结构。例如，栅电极GE可以具有钼、铝和钼顺序堆叠的三层结构。可选择地，栅电极GE可以具有钛和铜顺序堆叠的双层结构。可选择地，栅电极GE可以具有包括钛和铜的合金的单层结构。

栅极绝缘层GI可以设置在栅电极GE上。

半导体图案SM可以设置在栅极绝缘层GI上。半导体图案SM可以设置在栅电极GE上，栅极绝缘层GI可以设置在半导体图案SM与栅电极GE之间。半导体图案SM可以与栅电极GE部分地叠置。半导体图案SM可以是掺杂的硅层或未掺杂的硅层。硅层可以是非晶硅层或晶体硅层。半导体图案SM可以是非晶半导体层或晶体氧化物半导体层。

源电极SE可以从数据线DL突出。源电极SE可以形成在欧姆接触层上。源电极SE可以与栅电极GE部分地叠置。

漏电极DE可以与源电极SE间隔开，半导体图案SM可以设置在漏电极DE与源电极SE之间。漏电极DE可以形成在欧姆接触层上。漏电极DE可以与栅电极GE部分地叠置。

源电极SE和漏电极DE可以包括镍、铬、钼、铝、钛、铜、钨或它们的合金。源电极SE和漏电极DE可以具有包括金属的单层结构或多层结构。例如，源电极SE和漏电极DE可以具有钛和铜顺序堆叠的双层结构。可选择地，源电极SE和漏电极DE可以具有包括钛和铜的合金的单层结构。

由于源电极SE和漏电极DE彼此间隔开，因此可以暴露半导体图案SM的位于源电极SE与漏电极DE之间的上表面。设置在源电极SE与漏电极DE之间的半导体图案SM可以在源电极SE与漏电极DE之间形成导电沟道。可以根据是否向栅电极GE施加电压来形成位于源电极SE与漏电极DE之间的导电沟道。

存储电极可以包括存储线SL、第一分支电极LSL和第二分支电极RSL。存储线SL可以在第一方向D1上延伸。第二分支电极RSL可以从存储线SL突出。第二分支电极RSL可以在第二方向D2上延伸。

像素电极PE可以连接到漏电极DE，并且钝化层PSV可以设置在像素电极PE与漏电极DE之间。例如，像素电极PE可以与存储线SL、第一分支电极LSL和第二分支电极RSL部分地叠置以形成存储电容器。

钝化层PSV可以覆盖源电极SE、漏电极DE、沟道和栅极绝缘层GI。钝化层PSV可以包括接触孔CH。接触孔CH可以暴露漏电极DE的一部分。例如，钝化层PSV可以包括氮化硅或氧化硅。根据本发明的示例性实施例，钝化层PSV可以具有单层结构；然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，诸如钝化层PSV的绝缘层可以具有多层结构。

例如，像素电极PE可以通过形成在钝化层PSV中的接触孔CH连接到漏电极DE。

像素电极PE可以具有第一畴分隔件PEDD。第一畴分隔件PEDD可以将像素PX划分成多个畴。第一畴分隔件PEDD可以是例如通过使像素电极PE图案化而形成的切口或突起。切口可以是例如通过去除像素电极PE的一部分而形成的开口或狭缝。第一畴分隔件PEDD可以包括水平部分和倾斜部分。水平部分可以基本上与第一方向D1或第二方向D2平行地延伸，以平分像素PX的纵向方向区域。倾斜部分可以相对于第一方向D1或第二方向D2倾斜。倾斜部分可以是相对于水平部分基本上轴对称的。

像素电极PE可以包括透明导电材料。例如，像素电极PE可以包括透明导电氧化物。透明导电氧化物可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)等。

例如，第一取向层ALN1可以设置在像素电极PE上，以使液晶层LC的液晶分子取向。

第二基底SUB2可以包括第二基体基底BS2、滤色器CF、黑矩阵BM、共电极CE和第二取向层ALN2。

滤色器CF可以在第二基体基底BS2上对应于每个像素PX设置。参照图2，例如，滤色器CF可以对应于每个像素被划分。滤色器CF可以改变入射光的波长。例如，滤色器CF可以吸收具有第一波长带的第一光，并且可以发射具有与第一波长带不同的波长带的至少一种光。例如，当具有紫外波长带的光被吸收到滤色器CF时，滤色器CF可以发射可见光波长带中的分别具有蓝色光、绿色光、红色光的波长带的光。因此，滤色器CF可以包括量子点和/或磷光体。对滤色器CF和/或磷光体的数量没有特别的限制。因此，可以根据需要确定量子点和/或磷光体的数量。

包括在滤色器CF中的磷光体可以是红色磷光体、蓝色磷光体、绿色磷光体、黄色磷光体或白色磷光体等。红色磷光体可以包括从Y2O2S、La2O2S、Ca2Si5N8、Sr2Si5N8、Ba2Si5N8、Kajeun(CaAlSiN3)、La2W3O12、Eu2W3O12、Ca3MgSi2O8、Sr3MgSi2O8、Ba3MgSi2O8、LiEuW2O8和LiSmW2O8中选择的至少一种。绿色磷光体可以包括从Ca2SiO4、Sr2SiO4、Ba2SiO4、BAM、α-SiAlON、Ca3Sc2Si3O12、Tb3Al5O12或LiTbW2O8中选择的至少一种。蓝色磷光体可以包括从BaMgAl10O17、Mg5PO43Cl、Ca5PO43Cl、Sr5PO43Cl、Ba5PO43Cl、EuSi9Al19ON31或La1-xCexAl(Si6-zAlz)(N10-zOz)中选择的至少一种。黄色磷光体可以包括从SrGa2S4:Eu²⁺、Sr2Ga2S5:Eu²⁺或YAG:Ce³⁺中选择的至少一种。

包括在滤色器CF中的量子点可以是包括Cd/Se/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、ZnSe/ZnS或ZnTe/ZnSe的II族-Ⅵ族量子点。可选择地，量子点可以是包括InP/ZnS的III族-Ⅴ族量子点或者包括CuInS 2/ZnS的量子点。可以以大约3g/cm³至大约6g/cm³的浓度来分布量子点。当滤色器CF包括量子点时，由量子点转换的光的波长带可以基于量子点的尺寸而改变。例如，量子点可以基于量子点的尺寸被确定为发射绿色光的量子点、发射红色光的量子点和发射蓝色光的量子点中的一种。

根据本发明的示例性实施例，当光源BLU发射具有大约450nm至大约495nm的波长的光时，滤色器CF可以具有多个量子点。例如，滤色器CF可以包括通过接收从光源BLU发射的光而发射具有绿色波长带的光的第一量子点以及发射具有红色波长带的光的第二量子点。滤色器CF还可以包括发射从光源BLU发射的光而不改变波长的白色磷光体。黄色磷光体可以额外地设置在第一量子点和第二量子点上。

黑矩阵BM可以设置在滤色器CF之间。可选择地，黑矩阵BM可以围绕滤色器CF。黑矩阵BM可以在相邻像素之间阻挡透射液晶层LC的光。

根据本发明的示例性实施例，滤色器CF和黑矩阵BM可以设置在第二基底SUB2上；然而，滤色器CF和/或黑矩阵BM的位置不限于此。例如，滤色器CF和黑矩阵BM可以设置在第一基底SUB1上。

共电极CE可以形成在滤色器CF和黑矩阵BM上。例如，共电极可以通过与像素电极PE一起形成电场来驱动液晶层LC。共电极CE可以包括透明导电材料。例如，共电极CE可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)等的导电金属氧化物。

共电极CE可以包括第二畴分隔件CEDD。第二畴分隔件CEDD可以将像素PX划分成多个畴。第二畴分隔件CEDD可以是例如通过将共电极CE图案化而形成的切口或突起。切口可以是例如通过去除共电极CE的一部分而形成的开口。第二畴分隔件CEDD可以包括水平部分和/或竖直部分以及倾斜部分。水平部分和/或竖直部分可以在第一方向D1或第二方向D2上平行地延伸，并且可以平分像素PX的纵向方向区域。倾斜部分可以相对于第一方向D1或第二方向D2倾斜。倾斜部分可以是相对于水平部分基本上轴对称的。

第一畴分隔件PEDD的水平部分和第二畴分隔件CEDD的水平部分可以设置在基本同一条线上。第一畴分隔件PEDD的倾斜部分和第二畴分隔件CEDD的倾斜部分可以沿相同的方向平行地布置。可以交替地设置第一畴分隔件PEDD的倾斜部分和第二畴分隔件CEDD的倾斜部分。

第二取向层ALN2可以形成在共电极CE上。第二取向层ALN2可以设置在共电极CE上，并可以使液晶层LC的液晶分子取向。

液晶层LC可以包括液晶组合物。液晶层LC可以设置在第一基底SUB1与第二基底SUB2之间。

根据本发明的示例性实施例的液晶层LC可以包括由式1和式2表示的液晶化合物中的至少一种。

[式1]

[式2]

在式1和式2中，A1、A2、B1和B2可以均独立地选自于1,4-亚环己基或1,4-亚苯基。

A1、A2、B1和B2中的-H可以均独立地被-F、-Cl、-OCF3、-CF3、-CHF2或-CH2F取代。

C可以是在第一个碳、第二个碳或第三个碳处具有-C＝C-键的1,4-亚环己基。

Y1、Y2、Y3和Y4可以均独立地为-H或C1-C5烷基。一个或更多个-CH2-基可以均独立地被-C≡C-、-CH＝CH-、-CF2O-、-O-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-取代。因此，氧原子可以不彼此直接连接。氢原子可以被卤素取代。

n、m、p和q可以均是从0至2中选择的整数。

La、Lb、Lc和Ld可以均选自于单键、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-CO-、-O-、-(CH2)2-或-CH＝CH-。

根据本发明的示例性实施例，式2的液晶化合物可以包括由式2-1表示的液晶化合物中的至少一种。

[式2-1]

在式2-1中，A1、B1、n、m、La、Lb、Y1和Y2可以与式2中定义的相同。

根据本发明的示例性实施例，式1的液晶化合物可以以大于大约0wt％至大约10wt％的量存在于液晶组合物中。式2的液晶化合物可以以大于大约0wt％至大约5wt％的量存在于液晶组合物中。式1的液晶化合物和式2的液晶化合物的含量是使根据本发明的液晶显示器能够以相对高的速度进行响应的数值。相对高的速度的响应可以指液晶显示器的响应速度相对快，例如，可以以大约120Hz或更大的速度驱动液晶显示器。根据本发明的示例性实施例，当向液晶层施加电压时，液晶分子可以相对快速地移动。因此，可以根据电压施加来相对快速地调整透光率。因此，可以相对快速地切换输出屏幕。大约120Hz的速度可以指输出屏幕每秒可以切换大约120次。

根据本发明的示例性实施例，液晶层LC的光程差Δnd可以为大约245nm至大约310nm。光程差Δnd可以是在大约2.85μm的盒间隙下的光程差。可选择地，光程差Δnd可以是当暴露于具有大约450nm至大约495nm的波长的光时的光程差。液晶层LC的光程差可以对应于处于暗状态下的照度和亮度。当根据施加到液晶层LC的电压，光不是可见光(例如，对用户可见的光)时，液晶层LC可以处于暗状态。例如，当液晶层LC通过垂直取向(VA)模式被驱动时，液晶化合物可以在暗状态下垂直地布置。这样，光可以在不因液晶化合物而相位变化的情况下穿过液晶层LC。由于液晶层LC可以设置在可以彼此垂直的第一偏振层POL1与第二偏振层POL2之间，所以穿过液晶层LC而没有相位变化的光不会穿过第二偏振层POL2。

入射在液晶层LC的侧面上的光会对用户可见，这与如上所述的在暗状态下时入射在液晶层LC的前表面上的光对于用户是不可见的不同。侧光泄漏会增大暗状态下的照度和亮度。当在暗状态下的照度和亮度增大时，会降低输出图像的对比度。因此，会降低图像质量。

例如，补偿膜可以设置在液晶层上，以防止这种光泄漏。此外，可以控制液晶层LC的光程差，以防止侧光泄漏。通常，随着液晶层LC的光程差减小，可以降低暗状态下的照度和亮度。然而，当液晶层LC的光程差减小到预定值或更小时，基于光程差的减小的照度和亮度的降低会相对地小。此外，由于液晶层LC的光程差会影响液晶层LC的透射率，所以不能不断地减小液晶层LC的光程差。液晶层LC的大约245nm至大约310nm的光程差可以处于可以使由于侧光泄漏而导致的暗状态下的照度和亮度的增加最小化而基本上不降低液晶层LC的透射率的数值范围内。

根据本发明的示例性实施例，液晶层LC的折射率各向异性Δn可以为大约0.075至大约0.1。折射率各向异性Δn可以是在暴露于具有大约450nm至大约495nm的波长的光时的值。由于液晶层LC的液晶组合物可以具有折射率各向异性，因此可以使入射在液晶层LC上的入射光的行进方向偏转。根据本发明的示例性实施例的液晶层LC可以具有如上所述的数值范围的折射率各向异性Δn。因此，可以提供相对高质量的图像。

根据本发明的示例性实施例，液晶层和液晶组合物的旋转粘度γ1与弯曲弹性模量K33的比值γ1/K33可以为4至8。例如，液晶显示器可以通过使液晶层LC和液晶组合物具有如上所述的范围的旋转粘度γ1与弯曲弹性模量K33的比值γ1/K33来以相对高的速度响应。例如，根据本发明的示例性实施例的液晶显示器可以以大约120Hz或更大的速度被驱动。本发明的示例性实施例可以具有如上所述的范围的旋转粘度γ1与弯曲弹性模量K33的比值(γ1/K33)。因此，可以使液晶分子的下降时间Toff最小化。例如，当向液晶层LC施加电场时，可以使液晶分子变化。液晶分子通过电场变化的时间可以称为上升时间Ton。使变化的液晶分子松弛到初始状态的时间可以称为下降时间Toff。下降时间和旋转粘度满足下面的公式。这里，γ1可以指液晶分子的旋转粘度；d可以指第一基底与第二基底之间的距离(例如，盒间隙)；K33可以指弯曲弹性模量。

[公式]

根据本发明的示例性实施例，由于液晶层LC和液晶组合物的旋转粘度γ1与弯曲弹性模量K33的比值γ1/K33为大约4至大约8，因此可以使下降时间最小化。这样，可以增大液晶显示器的响应速度。

此外，根据本发明的液晶层LC和液晶组合物可以具有如上所述的范围的旋转粘度γ1与弯曲弹性模量K33的比值γ1/K33。因此，可以增大液晶显示器的制造工艺中的工艺可靠性。因此，根据本发明的示例性实施例的液晶显示器可以具有相对高的响应速度和相对高的工艺可靠性。因此，可以生产大量生产的产品。

根据本发明的示例性实施例的液晶组合物可以具有负介电各向异性。一些液晶化合物可以具有正介电各向异性。然而，可以包括液晶化合物的总和的液晶组合物具有负介电各向异性。

根据本发明的示例性实施例的液晶组合物可以包括在液晶显示器中。根据本发明的示例性实施例的液晶组合物可以包括在各种模式的液晶显示器中，例如，垂直取向(VA)模式、边缘场切换(FFS)模式、平面内切换(IPS)模式或面线切换(PLS)模式等。由于根据本发明的示例性实施例的液晶组合物即使在低旋转粘度下也可具有相对高的负介电各向异性和相对高的折射率各向异性，因此液晶组合物可以应用于使用负液晶材料的垂直取向模式(例如，多畴垂直取向(MVA)模式、图案化的垂直取向(PVA)模式或聚合物稳定垂直取向(PS-VA)模式等)的液晶显示器。根据本发明的示例性实施例的液晶组合物可以具有相对高的折射率各向异性和相对低的旋转粘度，因此在将液晶组合物应用于垂直取向模式的液晶显示器的情况下，液晶显示器可以提供相对高质量的图像。

在液晶显示器中，当栅极信号被施加到栅极线GL时，可以导通薄膜晶体管。因此，施加到数据线DL的数据信号可以通过薄膜晶体管被施加到像素电极PE。当薄膜晶体管导通并且数据信号被施加到像素电极PE时，可以在像素电极PE与共电极CE之间形成电场。液晶分子可以被由分别施加到共电极CE和像素电极PE的电压之间的差产生的电场驱动。因此，可以改变穿过液晶层LC的光的量以显示图像。

液晶层LC可以设置在第一偏振层POL1与第二偏振层POL2之间。第一偏振层POL1和第二偏振层POL2可以包括线偏振器和λ/4偏振器。可选择地，第一偏振层POL1和第二偏振层POL2可以包括圆偏振器。当第一偏振层POL1包括线偏振器和λ/4偏振器时，包括在第一偏振层POL1中的线偏振器的偏振轴可以与包括在第二偏振层POL2中的线偏振器的偏振轴垂直。此外，包括在第二偏振层POL2中的λ/4偏振器可以具有相对于包括在第二偏振层POL2中的线偏振器的偏振轴倾斜大约+45°的偏振轴。包括在第一偏振层POL1中的λ/4偏振器可以具有相对于包括在第二偏振层POL2中的线偏振器的偏振轴倾斜大约-45°的偏振轴。包括在第一偏振层POL1中的线偏振器的偏振轴可以与包括在第二偏振层POL2中的线偏振器的偏振轴垂直。因此，当不向液晶层LC施加电场时，光可以不穿过第二偏振层POL2。因此，根据是否对液晶层LC施加电场，从光源BLU发射的光可以对用户不可见。

根据本发明的示例性实施例，光源可以设置为与第二基体基底分开，并且第一基体基底可以设置在光源与第二基体基底之间。光源BLU可以设置在图4中的第一基底SUB1的下方；然而，光源BLU的位置不限于此。

光源BLU可以发射穿过液晶层的光，使得液晶显示器可以输出图像。光源BLU可以发射具有红色、蓝色、绿色、黄色和白色中的至少一种的光。此外，光源BLU不仅可以发射可见光带中的光，而且可以发射紫外光带或红外光带中的光。可选择地，可以设置多个光源BLU。光源BLU可以发射相同颜色的光，或者可以发射不同颜色的光。光源BLU可以包括冷阴极荧光灯(CCFL)、外部电极荧光灯(EEFL)、发光二极管(LED)、平面荧光灯(FFL)、有机电致发光薄膜或无机电致发光薄膜等。此外，光源BLU可以包括化合物半导体。化合物半导体可以包括选自于2B族、3A族、3B族、4A族、4B族、5A族、5B族和6B族的二种元素或三种元素，诸如碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、镓-砷-磷(GaAs1-xPx)、镓-铝-砷(Ga1-xAlxAs)、磷化铟(InP)、铟-镓-磷(In1-xGaxP)等。

参照图5和图6，将在下面更详细地描述根据本发明的示例性实施例的液晶显示器。将在下面更详细地描述与上述本发明的示例性实施例不同的方面，并且可以省略重复的描述。

参照图5和图6，根据本发明的示例性实施例的液晶显示器可以包括第一基底SUB1、第二基底SUB2和液晶层LC。第二基底SUB2可以面向第一基底SUB1。液晶层LC可以设置在第一基底SUB1与第二基底SUB2之间。

像素PX可以包括薄膜晶体管TR、像素电极PE和存储电极。像素电极PE可以连接到薄膜晶体管TR。

像素电极PE可以设置为与上述示例性实施例的形状不同的形状。例如，像素电极PE可以包括主干PEa和多个分支PEb。分支PEb可以从主干PEa径向地延伸。分支PEb可以彼此相邻。狭缝可以设置在相邻的分支PEb之间。主干PEa或分支PEb中的一些可以例如通过接触孔CH来连接到漏电极DE。

主干PEa可以以各种形状设置，例如，以十字形状设置。因此，像素PX可以被主干PEa划分成多个畴，分支PEb可以分别与畴对应并且可以分别针对畴在不同方向上延伸。根据本发明的示例性实施例，像素可以具有四个畴。分支PEb可以彼此间隔开，使得分支PEb中的一个不会与相邻的分支PEb交汇。分支PEb可以在由主干PEa划分的区域中基本平行地延伸。在分支PEb中，相邻分支PEb之间的狭缝可以间隔开若干微米的距离。狭缝可以与畴分隔件对应，所述畴分隔件用于在与基体基底平行的平面上使液晶层LC的液晶分子以预定的角度取向。

第二基底SUB2可以包括第二基体基底BS2。滤色器CF、黑矩阵BM、共电极CE和第二取向层ALN2可以设置在第二基体基底BS2上。共电极CE可以不具有单独的畴分隔件。因此，共电极CE可以由单个板形成。

根据本发明的示例性实施例，两条栅极线和一条数据线可以连接到一个像素。可选择地，一条栅极线和两条数据线可以连接到一个像素。根据本发明的示例性实施例，一个像素可以具有可以施加两种不同电压的两个子像素。相对高的电压可以施加到一个子像素，相对低的电压可以施加到另一个子像素。像素中的例如栅电极、源电极、漏电极等的元件可以以与所示的结构不同的结构设置。

图7A和图7B是示出了根据本发明的示例性实施例的基于光程差的处于暗状态下的照度变化的曲线图。

参照图7A和图7B，示出了当使用不同的补偿膜时基于光程差的在暗状态下的照度变化。包括四边形标记的曲线图可以示出当使用具有大约250nm的相位差的补偿膜时的暗照度和暗亮度。包括圆形标记的曲线图可以示出当使用具有大约270nm的相位差的补偿膜时的暗照度和暗亮度。

根据图7A和图7B，不论补偿膜的相位差如何，暗照度和暗亮度可以随着光程差的减小而减小。然而，当光程差减小到预定值或更小时，基于光程差的减小的暗照度和暗亮度的减小会相对地小。由于光程差还会影响透射率，所以可以预先确定光程差，从而在使暗照度和暗亮度最小化的同时使透射率最大化。根据本发明的示例性实施例，具有大约245nm至大约310nm的光程差的液晶层和液晶组合物可以在使暗照度和暗亮度最小化的同时使透射率最大化。

当使用具有大约270nm的相位差的补偿膜时，可以进一步降低暗照度和暗亮度。这是因为根据本发明的液晶层的光程差与补偿膜的相位差之间的匹配可以相对地高。通过使用具有大约270nm的相位差的补偿膜，可以减少上述侧光泄漏。因此，可以使暗照度和暗亮度最小化。

虽然已经参照本发明的特定的示例性实施例示出和描述了本发明的示例性实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。