一种阵列基板、显示面板、显示装置和制作方法与流程

文档序号:14773609发布日期:2018-06-23 02:20阅读:183来源:国知局
一种阵列基板、显示面板、显示装置和制作方法与流程

本发明涉及显示领域,特别是涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置和制作方法。



背景技术:

在显示面板制作工艺中,需要将阵列基板与彩膜基板贴合,再将封框胶迅速固化后成盒,原理上在封框胶固化的区域,如果是平整的,那么封框胶压合也较平整,如图2所示。但实际情况是封框胶经过面板一周的区域因为设计要求,尤其在TFT基板一侧,在不同区域的厚度并不平整,比如在信号线走线区,经常是栅极单层走线、源漏单层走线、或者栅极和源漏极交叠走线,且各信号线之间必须预留出封框胶固化的空间,理论上要求信号线与预留固化的空间必须大于30%。在某些走线区域,为栅极和源漏极叠加走线,且大面积的金属走线必须挖出封框胶固化的空间,要求透过率大于30%。因此,实际情况下封框胶经过的区域绝大部分是高低不平的区域。因此,在对盒和固化的过程中,面板四周的封框胶是高低不平的,如图3所示,这容易造成封框胶的偏移以及面板间隙不均等问题,造成显示不均匀的问题(Gap mura)。



技术实现要素:

为了解决上述问题至少之一,本发明第一方面提供一种阵列基板,包括显示区和非显示区,包括在非显示区内与用于成盒的封框胶相对应的区域内具有段差的位置处设置的垫层,用于补偿所述段差。

进一步地,在非显示区,所述阵列基板包括

栅极走线;

形成在所述栅极走线上的栅绝缘层,所述栅绝缘层具有栅绝缘层突部和栅绝缘层凹部;

形成在所述栅绝缘层上的钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;

其中,所述垫层形成在所述栅绝缘层凹部和钝化层凹部至少之一中。

进一步地,在非显示区,所述阵列基板包括

栅绝缘层;

形成在所述栅绝缘层的源漏走线;

形成在所述源漏走线上的钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;

其中,所述垫层形成在所述源漏走线之间和钝化层凹部至少之一中。

进一步地,在非显示区,所述阵列基板包括

栅极走线;

形成在所述栅极走线上的栅绝缘层,所述栅绝缘层具有栅绝缘层突部和栅绝缘层凹部;

形成在所述栅绝缘层凹部中的源漏走线;

形成在所述栅绝缘层和源漏走线上的钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;

其中,所述垫层形成在所述栅绝缘层突部和钝化层凹部至少之一中。

进一步地,在非显示区,所述阵列基板包括

栅极走线;

形成在所述栅极走线上的栅绝缘层,所述栅绝缘层具有栅绝缘层突部和栅绝缘层凹部;

形成在所述栅绝缘层突部上的源漏走线;

形成在所述栅绝缘层和源漏走线上的钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;

其中,所述垫层形成在所述栅绝缘层凹部和钝化层凹部至少之一中。

本发明第二方面提供一种阵列基板的制作方法,该阵列基板包括显示区和非显示区,包括

在非显示区内与用于成盒的封框胶相对应的区域内具有段差的位置处设置垫层,用于补偿所述段差。

进一步地,包括

在非显示区形成:

栅极走线;

在所述栅极走线上形成栅绝缘层,所述栅绝缘层具有栅绝缘层突部和栅绝缘层凹部;

在所述栅绝缘层上形成钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;

其中,在所述栅绝缘层凹部和钝化层凹部至少之一中形成所述垫层,其中与在显示区中形成有源区的同时形成所述栅绝缘层凹部中的垫层或者在显示区中形成有源区和第一ITO的同时形成所述栅绝缘层凹部中的垫层,与在显示区中形成钝化层上的第二ITO的同时形成所述钝化层凹部中的垫层。

进一步地,包括

在非显示区形成:

栅绝缘层;

在所述栅绝缘层上形成源漏走线;

在所述源漏走线上形成钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;

其中,在所述源漏走线之间和钝化层凹部至少之一中形成所述垫层,其中与在显示区中形成有源区的同时形成所述源漏走线之间的垫层,与在显示区中形成钝化层上的第二ITO的同时形成所述钝化层凹部中的垫层;

或者

在非显示区形成:

栅绝缘层,经图案化所述栅绝缘层具有栅绝缘层突部和栅绝缘层凹部;

在所述栅绝缘层凹部形成源漏走线;

在所述源漏走线上形成钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;

在所述钝化层凹部中形成所述垫层,与在显示区中形成钝化层上的第二ITO的同时形成所述钝化层凹部中的垫层。

进一步地,包括

在非显示区形成:

栅极走线;

在所述栅极走线上形成栅绝缘层,所述栅绝缘层具有栅绝缘层突部和栅绝缘层凹部;

在所述栅绝缘层凹部中形成源漏走线;

在所述栅绝缘层和源漏走线上形成钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;

其中,所述垫层形成在所述栅绝缘层突部和钝化层凹部至少之一中,其中与在显示区中形成第一ITO的同时形成所述栅绝缘层突部的垫层,与在显示区中形成钝化层上的第二ITO的同时形成所述钝化层凹部中的垫层。

进一步地,包括

在非显示区形成:

栅极走线;

在所述栅极走线上形成栅绝缘层,所述栅绝缘层具有栅绝缘层突部和栅绝缘层凹部;

在所述栅绝缘层突部上形成源漏走线;

在所述栅绝缘层和源漏走线上形成钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;

其中,所述垫层形成在所述栅绝缘层凹部和钝化层凹部至少之一中,其中与在显示区中形成有源区的同时形成所述栅绝缘层凹部中的垫层或者在显示区中形成有源区和第一ITO的同时形成所述栅绝缘层凹部中的垫层,与在显示区中形成钝化层上的第二ITO的同时形成所述钝化层凹部中的垫层。

本发明第三方面提供一种显示面板,包括对盒设置的彩膜基板、根据第一方面所述的阵列基板,以及用于封装所述彩膜基板和阵列基板的封框胶。

本发明第四方面提供一种显示装置,包括第三方面所述的显示面板。

本发明的有益效果如下:

在本发明的阵列基板中,通过设置垫层对与封框胶对应的区域内的各信号线走线区域形成的段差进行补偿,以达到各区域内信号线的走线层的厚度趋于一致,以使封框胶固化正常,减少Gap mura。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1示出理想情况下封框胶封装显示面板的截面图;

图2示出实际情况下封框胶封装显示面板的截面图;

图3示出现有技术中封框胶封装显示面板的截面图;

图4示出本发明的一个实施例的封框胶封装显示面板的截面图;

图5示出本发明的另一个实施例的阵列基板中Gate单层走线的截面图;

图6a和图6b示出本发明的另一个实施例的阵列基板中Gate单层走线设置垫层的截面图;

图7示出本发明的另一个实施例的阵列基板中SD单层走线的截面图;

图8a-d示出本发明的另一个实施例的阵列基板中SD单层走线的截面图;

图9示出本发明的另一个实施例的阵列基板中Gate和SD双层错开走线的截面图;

图10a和图10b示出本发明的另一个实施例的阵列基板中Gate和SD双层错开走线设置垫层的截面图;

图11示出本发明的另一个实施例的阵列基板中Gate和SD双层叠加走线的截面图;

图12a和图12b示出本发明的另一个实施例的阵列基板中Gate和SD双层叠加走线设置垫层的截面图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本发明,下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解,下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的,不应以此限制本发明的保护范围。

在显示面板制作工艺中,需要将阵列基板与彩膜基板贴合,再将封框胶迅速固化后成盒,原理上在封框胶固化的区域,如果是平整的,那么封框胶压合也较平整,如图1所示。但实际情况是封框胶经过面板一周的区域因为设计要求,尤其在阵列基板一侧,在不同区域的厚度并不平整,比如在信号线走线区,经常是Gate单层走线、SD单层走线、或者Gate/SD交叠走线,且各信号线之间必须预留出封框胶固化的空间,理论上要求信号线与预留固化的空间必须大于30%。尤其是在某些走线区域,例如Gate和SD叠加走线区域,对于大面积的金属走线必须挖出封框胶固化的空间,要求透过率大于30%。因此,实际情况下封框胶经过的区域绝大部分是高低不平的区域,在对盒和固化的过程中,面板四周的封框胶是高低不平的,如图2所示,这种情况容易造成封框胶的偏移以及间隙不均等问题,造成Gap mura。

目前为防止Gap mura方法主要是使用平坦层,一般使用亚克力材料,厚度较厚如图3所示,但是存在以下一些缺点:1.需额外增加一道Mask,增加了工艺制程的时间和成本;2.膜层较厚,造成显示面板较厚,不利于显示面板的轻薄化;3.影响光线透过,增加了封框胶固化的难度。

因此,为解决上述问题,本发明提出一种思路,如图4所示,利用显示面板对应封框胶经过区域的不同部位层的具体结构,通过计算各信号走线层之间段差,设计不同厚度的透光垫层来进行补偿,以实现在各个区域的信号走线区的厚度趋于一致,且不过多影响补偿处的光线透过率,以使封框胶固化正常。表1为显示面板制作过程中,各个材料层所使用的厚度,在实际设计中使用该表中的参数进行垫层的设置。

表1显示面板制作过程中各膜层厚度一览表

因此,本发明的一个实施例提供一种阵列基板,包括显示区和非显示区,包括在非显示区内与用于成盒的封框胶相对应的区域内具有段差的位置处设置的垫层,用于补偿所述段差。

相对应的,本发明的另一个实施例提供了一种阵列基板的制作方法,该阵列基板包括显示区和非显示区,包括在非显示区内与用于成盒的封框胶相对应的区域内具有段差的位置处设置垫层,用于补偿所述段差。

本发明的一个实施例为Gate单层走线的情况,在非显示区,所述阵列基板包括栅极走线,所述栅极走线形成该区域内的所述段差;形成在所述栅极走线上的栅绝缘层,所述栅绝缘层具有栅绝缘层突部和栅绝缘层凹部;形成在所述栅绝缘层上的钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;根据所述段差的厚度设置所述垫层,所述垫层形成在所述栅绝缘层凹部和钝化层凹部至少之一中。

在一个具体的示例中,如图5所示,未加垫层之前,单层栅极走线Gate层,导致该走线区域内存在段差,有栅极走线Gate层的地方和没有栅极走线Gate层的地方厚度差异较大,段差为Gate层厚度A,本实施例中为

如图6a所示为单层栅极走线Gate层引起段差的情况下,采用在栅极走线和栅绝缘层之后增加垫层,对应在显示区形成有源层的同时形成垫层,使用透光的ACT层作为垫层用于补偿,因为对应有源层的厚度为B,本实施例中为因此该区域的段差厚度由之前的变为有效补偿了该区域的段差。

对于在栅绝缘层上对应的显示区使用ACT层和第一ITO层进行制作阵列基板的情况下,也可以使用双层叠加的方式制作垫层,例如ACT厚度为第一ITO层厚度为这样,因此该区域的段差厚度为有效补偿了该区域的段差。

如图6b所示为单层栅极走线Gate层引起段差的情况下,采用在栅极走线Gate层与栅绝缘层GI层之后以及钝化层PVX层之后都增加垫层,与上述类似的,垫层1可采用ACT层,厚度为垫层2可采用第二ITO层,厚度为则该区域的段差厚度由之前的变为有效补偿了该区域的段差。

相对应的,本发明的另一个实施例提供了一种阵列基板的制作方法,包括在非显示区形成:栅极走线,形成所述段差;在所述栅极走线上形成栅绝缘层,所述栅绝缘层具有栅绝缘层突部和栅绝缘层凹部;在所述栅绝缘层上形成钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;其中,根据所述段差的厚度设置所述垫层,在所述栅绝缘层凹部和钝化层凹部至少之一中形成所述垫层,其中与在显示区中形成有源区的同时形成所述栅绝缘层凹部中的垫层或者在显示区中形成有源区和第一ITO的同时形成所述栅绝缘层凹部中的垫层,与在显示区中形成钝化层上的第二ITO的同时形成所述钝化层凹部中的垫层。

本发明的另一个实施例为SD单层走线的情况,在非显示区,所述阵列基板包括栅绝缘层;形成在所述栅绝缘层的源漏走线,所述源漏走线在该区域形成所述段差;形成在所述源漏走线上的钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;根据所述段差的厚度设置所述垫层,所述垫层形成在所述源漏走线之间和钝化层凹部至少之一中。

在一个具体的示例中,如图7所示,未加垫层之前,单层源漏走线SD层,导致该走线区域内存在段差,有源漏走线SD层的地方和没有源漏走线SD层的地方厚度差异较大,段差为SD层厚度A,本实施例中为

如图8a所示为单层源漏走线SD层引起段差的情况下,采用在钝化层之后增加垫层,即对应在显示区形成第二ITO层的同时形成垫层,使用透光的ITO层作为垫层用于补偿,所述第二ITO层的厚度为则该区域的段差厚度由之前的变为有效补偿了该区域的段差。

如图8b所示为单层源漏走线SD层引起段差的情况下另一种设置垫层的方式,即在源漏走线之间设置垫层。对应在显示区形成有源层ACT的同时形成垫层,该垫层的厚度为则该区域的段差厚度由之前的变为有效补偿了该区域的段差。

如图8c所示为单层源漏走线SD层引起段差的情况下另一种设置垫层的方式,即源漏走线之间和在钝化层之后设置垫层。对应在显示区形成有源层ACT和第二ITO层的同时形成垫层,第一垫层ACT层的厚度为第二垫层第二ITO层的后端为则该区域的段差厚度由之前的变为有效补偿了该区域的段差。

如图8d所示为单层源漏走线SD层引起段差的情况下另一种设置垫层的方式,即将栅绝缘层对应源漏走线SD层的位置挖空,使源漏走线SD层下沉,所述栅绝缘层后端为再在钝化层之后设置垫层,对应在显示区形成第二ITO层的同时形成垫层,所述垫层第二ITO的厚度为则该区域的段差厚度由之前的变为有效补偿了该区域的段差。

相对应的,本发明的另一个实施例提供了一种阵列基板的制作方法,包括在非显示区形成:栅绝缘层;在所述栅绝缘层上形成源漏走线,形成所述段差;在所述源漏走线上形成钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;根据所述段差的厚度设置所述垫层,在所述源漏走线之间和钝化层凹部至少之一中形成所述垫层,其中与在显示区中形成有源区的同时形成所述源漏走线之间的垫层,与在显示区中形成钝化层上的第二ITO的同时形成所述钝化层凹部中的垫层。

在另一个替换示例中,在非显示区形成:栅绝缘层,经图案化所述栅绝缘层具有栅绝缘层突部和栅绝缘层凹部;在所述栅绝缘层凹部形成源漏走线,形成所述段差;在所述源漏走线上形成钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;其中,根据所述段差的厚度设置所述垫层,在所述钝化层凹部中形成所述垫层,与在显示区中形成钝化层上的第二ITO的同时形成所述钝化层凹部中的垫层。

本发明的另一个实施例为Gate层SD层走线双层错开的情况,在非显示区,所述阵列基板包括栅极走线;形成在所述栅极走线上的栅绝缘层,所述栅绝缘层具有栅绝缘层突部和栅绝缘层凹部;形成在所述栅绝缘层凹部中的源漏走线,所述栅极走线和源漏走线一同形成此区域的所述段差;形成在所述栅绝缘层和源漏走线上的钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;根据所述段差的厚度设置所述垫层,所述垫层形成在所述栅绝缘层突部和钝化层凹部至少之一中。

在一个具体的示例中,如图9所示,未加垫层之前,栅极走线Gate层和源漏走线SD层双层错开导致了该走线区域内存在段差,在有栅极走线Gate层和源漏走线SD层的地方,与没有栅极走线Gate层和源漏走线SD层的地方厚度差异较大,段差为栅极走线Gate层厚度减源漏走线SD层厚度本实施例中为

如图10a所示为栅极走线Gate层和源漏走线SD层双层错开引起段差的情况下,采用在源漏走线SD层之间所述栅绝缘层突部增加垫层,对应在显示区形成第一ITO的同时形成垫层,使用透光的ITO层作为垫层用于补偿,因为对应第一ITO的厚度为因此该区域的段差厚度由之前的变为有效补偿了该区域的段差。

如图10b所示为栅极走线Gate层和源漏走线SD层双层错开引起段差的情况下,采用在源漏走线SD层之间所述栅绝缘层突部与钝化层PVX层之后都增加垫层,与上述类似的,垫层1可采用ACT层,厚度为垫层2可采用第二ITO层,厚度为则该区域的段差厚度由之前的变为有效补偿了该区域的段差。

相对应的,本发明的另一个实施例提供了一种阵列基板的制作方法,包括在非显示区形成:栅极走线;在所述栅极走线上形成栅绝缘层,所述栅绝缘层具有栅绝缘层突部和栅绝缘层凹部;在所述栅绝缘层凹部中形成源漏走线,与所述栅极走线一同形成所述段差;在所述栅绝缘层和源漏走线上形成钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;其中,根据所述段差的厚度设置所述垫层,所述垫层形成在所述栅绝缘层突部和钝化层凹部至少之一中,其中与在显示区中形成第一ITO的同时形成所述栅绝缘层突部的垫层,与在显示区中形成钝化层上的第二ITO的同时形成所述钝化层凹部中的垫层。

本发明的另一个实施例为Gate层SD层走线双层叠加的情况,在非显示区,所述阵列基板包括栅极走线;形成在所述栅极走线上的栅绝缘层,所述栅绝缘层具有栅绝缘层突部和栅绝缘层凹部;形成在所述栅绝缘层突部上的源漏走线,与所述栅极走线一同形成所述段差;形成在所述栅绝缘层和源漏走线上的钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;根据所述段差的厚度设置所述垫层,所述垫层形成在所述栅绝缘层凹部和钝化层凹部至少之一中。

在一个具体的示例中,如图11所示,未加垫层之前,栅极走线Gate层和源漏走线SD层双层叠加导致了该走线区域内存在段差,在有栅极走线Gate层和源漏走线SD层的地方,与没有栅极走线Gate层和源漏走线SD层的地方厚度差异较大,段差为栅极走线Gate层厚度和源漏走线SD层厚度本实施例中为

如图12a所示为栅极走线Gate层和源漏走线SD层双层叠加引起段差的情况下,采用在源漏走线SD层之间所述栅绝缘层凹部增加垫层,对应在显示区形成第一ITO和有源层的同时形成垫层,使用透光的ITO层和ACT层作为垫层用于补偿,对应第一ITO的厚度为ACT层的厚度为因此该区域的段差厚度由之前的变为有效补偿了该区域的段差。

如图12b所示为栅极走线Gate层和源漏走线SD层双层叠加引起段差的情况下,采用在源漏走线SD层之间所述栅绝缘层凹部与钝化层PVX层之后都增加垫层,与上述类似的,垫层1可采用ITO层和ACT层,厚度为垫层2可采用第二ITO层,厚度为则该区域的段差厚度由之前的变为有效补偿了该区域的段差。

相对应的,本发明的另一个实施例提供了一种阵列基板的制作方法,包括在非显示区形成:栅极走线;在所述栅极走线上形成栅绝缘层,所述栅绝缘层具有栅绝缘层突部和栅绝缘层凹部;在所述栅绝缘层突部上形成源漏走线,与所述栅极走线一同形成所述段差;在所述栅绝缘层和源漏走线上形成钝化层,所述钝化层具有钝化层突部和钝化层凹部;其中,根据所述段差的厚度设置所述垫层,所述垫层形成在所述栅绝缘层凹部和钝化层凹部至少之一中,其中与在显示区中形成有源区的同时形成所述栅绝缘层凹部中的垫层或者在显示区中形成有源区和第一ITO的同时形成所述栅绝缘层凹部中的垫层,与在显示区中形成钝化层上的第二ITO的同时形成所述钝化层凹部中的垫层。

本发明的另一个实施例提供了一种显示面板,如图4所示,包括对盒设置的彩膜基板、根据上述所述的阵列基板,以及用于封装所述彩膜基板和阵列基板的封框胶。

本发明的另一个实施例提供了一种显示装置,包括上述所述的显示面板,该显示设备可以包括手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定,对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动,这里无法对所有的实施方式予以穷举,凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。

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