技术特征：
技术总结
本发明涉及一种曝光后烘焙装置，涉及集成电路制造技术，该曝光后烘焙装置包括：一晶圆、一热板以及一加热装置，所述热板位于所述晶圆下方，用于对所述晶圆进行加热，所述加热装置位于所述热板下方，用于对所述热板进行加热，所述加热装置包括一底盘和多个热探针，所述多个热探针设置于所述底盘上，且所述多个热探针的温度可控；以使热板的局部温度可调，进而调节晶圆上的线宽，达到较高的光刻线宽精度。
技术研发人员：耿文练;杨正凯
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.06.01
技术公布日：2018.11.13