二聚体或2, 4, 5-三芳基咪唑二聚体的衍生物。可以举例出，2-(邻氯苯 基）-4, 5-二苯基咪唑二聚物、2-(邻氯苯基）-4, 5-二（甲氧基苯基）咪唑二聚物、2-(邻 氟苯基）-4, 5-二苯基咪唑二聚物、2-(邻甲氧基苯基）-4, 5-二苯基咪唑二聚物、2-(对甲 氧基苯基）-4, 5-二苯基咪唑二聚物等。
[0026] 所述引发剂也可以包含有引发剂助剂，引发剂助剂可以列举出，噻吨酮、苯偶姻苯 基醚、二本甲酮、苯偶姻甲基醚、N，N' -四甲基-4, 4' -二氨基二苯甲酮（米蚩酮）、N，N' -四 乙基-4, 4' -二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4' -二甲基氨基二苯甲酮、2-苄基-2-二甲基氨 基-1-(4-吗啉基苯基）-丁酮-1，2-甲基-1-[4-(甲基硫代）苯基]-2-吗啉代-丙酮-1 等芳香族酮，2-乙基蒽醌、菲醌、2-叔丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1，2-苯并蒽醌、2, 3-苯并蒽 醌、2-苯基蒽醌、2, 3-二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1，4-萘醌、9, 10-菲醌、2-甲基 1，4-萘醌、2, 3-二甲基蒽醌等醌类，安息香甲醚、安息香乙醚、，安息香苯基醚等安息香醚 化合物，安息香、甲基安息香、乙基安息香等安息香化合物，苯偶酰二甲基缩酮等苯偶酰衍 生物，9-苯基吖啶、1，7-双（9, 9' -吖啶）庚烷等吖啶衍生物，N-苯基氨基乙酸等N-苯基 氨基乙酸衍生物，香豆素系化合物，恶唑系化合物等。
[0027] 第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层中所用的引发剂的种类和用量可以相同，亦可不 同。
[0028] 4.除了如上述成分之外，可根据需要，加入添加剂D。添加剂D占抗蚀剂重量的 0. 01?5%。添加剂为孔雀石绿等染料、无色结晶紫等光成色剂、成色热稳定剂、增塑剂、颜 料、填料、消泡剂、阻燃剂、稳定剂、流平剂、剥离促进剂、抗氧化剂、香料、成像剂、热交联剂 等中的一种或多种按照任意配比混合组成的混合物。
[0029] 第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层中所用的添加剂的种类和用量可以相同，亦可不 同。
[0030] 本发明的干膜抗蚀剂层压体，可根据需要，将含羧基的碱可溶性聚合物、含有至少 一个可聚合的不饱和键单体、光引发剂、添加剂溶解于甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、丁酮、甲基 溶纤剂、甲苯、N，N-二甲基甲酰胺、丙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯等溶剂或这些溶剂的混 合溶剂中，以固含量10-80 %的溶液状态使用。
[0031] 本发明干膜抗蚀剂层压体可通过以下方式获得：例如，分别调制第一抗蚀剂层的 溶液、第二抗蚀剂层的溶液，在一定厚度的无色支持体上涂布第一抗蚀剂层的溶液，并将其 干燥。干燥后，继续在第一抗蚀剂层上涂布第二抗蚀剂层的溶液，并将其干燥。
[0032] 涂布方式可采用棒涂机涂布、逆转辊涂涂布器、凹版印刷涂布器、逗点涂布器、帘 幕涂布机等公知涂布方式进行。干燥方式可采用红外干燥、热风干燥等干燥方式。干燥温 度50-120°C下进行1-30分钟。
[0033] 也可以将上述第一抗蚀剂层的溶液、第二抗蚀剂层的溶液通过多层坡流挤压涂布 进行一次性涂布。
[0034] 上述无色透明支持体可以是低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚对苯 二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯、等薄膜。对于干膜抗蚀剂层压体，为了避免水分对其物 性和涂布条件造成影响，优选支持体薄膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯，以及聚丙烯薄 膜。
[0035] 无色透明支持体厚度为10-100ym，优选15-80ym，更优选15-40ym的聚对苯二 甲酸乙二醇酯薄膜。
[0036] 接着，在上述涂布好的干膜抗蚀剂层压体上层层叠用于保护干膜抗蚀剂层压体的 聚合物覆盖膜，最终得到干膜。覆盖膜与透明支持体薄膜一样，最好是低透湿性、易剥离的 树脂膜，但可透明也可不透明。优选覆盖膜是具有5-100ym厚度的聚对苯二甲酸乙二醇 酯、聚乙烯以及聚丙烯等树脂膜。
[0037] 下面结合实施例对本发明作进一步说明。
[0038] 实施例（实施例1-5,比较例1-3)
[0039] (1)准备如下含羧酸的碱溶性聚合物树脂（A)。
[0040] 在氮气气氛下，向装备有加热装置、搅拌桨、蛇形冷凝管、恒压滴液漏斗和温度计 的500毫升的四口子烧瓶中加入120毫升丁酮，加入聚合物配方中所使用的全部单体，开启 搅拌装置，将加热装置的温度升高至80°C。接着，在氮气气氛下，缓慢向反应瓶中滴加0. 8 克偶氮二异丁腈的30毫升丁酮溶液，滴加过程持续约1. 5小时。滴加完毕后，继续保温4 小时。
[0041] 然后，将0. 6g的偶氮二异丁腈溶解于40毫升丁酮中，分两次滴加到反应液中，每 次滴加时间为15分钟，第一次滴加完后保温1小时后才进行第二次滴加。滴加完后，继续保 温2小时。停止加热和搅拌，冷却至室温，取出反应液，得到碱溶性聚合物树脂溶液（A-1)， 碱溶性聚合物树脂重均分子量为110, 〇〇〇,测得其固体含量为40. 1 %。
[0042] 用同样的方法，合成碱溶性聚合物树脂A-2至A-5.聚合物所使用的单体组成质量 比、得到的聚合物重均分子量以及固含量如表1所示。
[0043] 表 1
【主权项】
1. 一种干膜抗蚀剂层压体，其特征在于，包括支撑层、涂覆于支撑层上方的第一抗蚀 剂层W及涂覆于第一抗蚀剂层上方的第二抗蚀剂层；所述第一抗蚀剂层的酸值为80?400 m巧OH/g，第二抗蚀剂层的酸值为82?441. 2m巧OH/g，并且，第二抗蚀剂层的酸值比第一抗蚀 剂层酸值高2?41. 2m巧OH/g。
2. 根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂层压体，其特征在于，所述第一抗蚀剂层厚度为 5?50微米，第二抗蚀剂层厚度为1-10微米。
3. 根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂层压体，其特征在于，所述第一抗蚀剂层和第二 抗蚀剂层由质量分数为45?70%的含駿基的碱可溶性聚合物、质量分数为15?45%的含有至 少一个可聚合的不饱和键单体、质量分数为0. 5?10%的光引发剂、质量分数为0. 01?5%的添 加剂组成。
4. 根据权利要求3所述的干膜抗蚀剂层压体，其特征在于，所述含駿基的碱可溶性聚 合物由一种或多种含駿基的共聚单元单体，和一种或多种不含駿基基团的共聚单元单体按 照任意配比共聚而得；所述含駿基的共聚单元单体选自衣康酸、己豆酸、丙締酸、甲基丙締 酸、马来酸半醋、顺了締二酸、反了締二酸、己締基己酸及其酸酢等；所述不含駿基基团的共 聚单元单体选自（甲基）丙締酸甲醋、（甲基）丙締酸己醋、（甲基）丙締酸丙醋、（甲基）丙締酸 异丙醋、（甲基）丙締酸正了醋、（甲基）丙締酸异了醋、（甲基）丙締酸异辛醋、（甲基）丙締酸 月桂醋、（甲基）丙締酸十八醋、（甲基）丙締酸-2-哲基己醋、（甲基）丙締酸-2-哲基丙醋、 (甲基)丙締酸-4-哲基了醋、聚己二醇单（甲基)丙締酸醋、聚丙二醇单（甲基)丙締酸醋、（甲 基）丙締膳、（甲基）丙締酸缩水甘油醋、N，N-二甲基（甲基）丙締酸己醋、N，N-二己基（甲基） 丙締酸己醋、N，N-二甲基（甲基）丙締酸丙醋、N，N-二己基（甲基）丙締酸丙醋、N，N-二甲基 (甲基）丙締酸了醋、N，N-二己基（甲基）丙締酸了醋、伸基）丙締酷胺、N-哲甲基-丙締酷 胺、N- 了氧基甲基-丙締酷胺、苯己締、（甲基）丙締酸节醋、苯氧基己基（甲基）丙締酸醋、 (烧氧基化）壬基苯酪（甲基）丙締酸醋等。
5. 根据权利要求4所述的干膜抗蚀剂层压体，其特征在于，所述含駿基的碱可溶性聚 合物的重均分子量为10000-200000,进一步优选10000-120000。
6. 根据权利要求3所述的干膜抗蚀剂层压体，其特征在于，所述含有至少一个可聚合 的不饱和键单体，选自=哲甲基丙烧=丙締酸醋、（己氧）丙氧基化=哲甲基丙烧=丙締酸 醋、季戊四醇S丙締酸醋、季戊四醇四丙締酸醋、二季戊四醇四丙締酸醋、二季戊四醇五丙 締酸醋、二季戊四醇六丙締酸醋、聚己二醇二丙締酸醋、聚丙二醇二丙締酸醋、己氧基化双 酪A二丙締酸醋、丙氧基化双酪A二丙締酸醋、甘油S丙酸醋。
7. 根据权利要求3所述的干膜抗蚀剂层压体，其特征在于，所述光引发剂为2, 4, 5-= 芳基咪挫二聚体或2, 4, 5-=芳基咪挫二聚体的衍生物。
8. 根据权利要求3所述的干膜抗蚀剂层压体，其特征在于，所述光引发剂由引发剂助 剂和2, 4, 5- S芳基咪挫二聚体或2, 4, 5- S芳基咪挫二聚体的衍生物按照任意比混合而 成；所述引发剂助剂由芳香族酬、酿、安息香化合物、苯偶酷衍生物、町晚衍生物、N-苯基氨 基己酸衍生物、香豆素系化合物，恶挫系化合物中的一种或多种按照任意比混合组成。
9. 根据权利要求3所述的干膜抗蚀剂层压体，其特征在于，所述添加剂由染料、光成色 剂、成色热稳定剂、增塑剂、颜料、填料、消泡剂、阻燃剂、稳定剂、流平剂、剥离促进剂、抗氧 化剂、香料、成像剂、热交联剂中的一种或多种按照任意配比混合组成。
【专利摘要】本发明公开了一种干膜抗蚀剂层压体，包括支撑层、涂覆于撑层上方的第一抗蚀剂层以及涂覆于第一抗蚀剂层上方的第二抗蚀剂层；所述第一抗蚀剂层的酸值为80~400 mgKOH/g，第二抗蚀剂层的酸值比第一抗蚀剂层酸值高2~41.2mgKOH/g。本发明采用不同酸值的双层结构的抗蚀剂，在抗蚀剂曝光显影后，形成良好的图形侧边形貌，未曝光的图形胶层能更好地除去。使其在印刷电路板、引线框架等的制造、半导体封装等的制造、金属的精密加工等领域中，作为刻蚀用或镀敷用的干膜抗蚀剂层压体材料，在图形曝光显影后，具有非常好的图形线条侧边形貌。
【IPC分类】G03F7-09
【公开号】CN104536266
【申请号】CN201510050337
【发明人】李志强, 李伟杰, 严晓慧, 周光大, 林建华
【申请人】杭州福斯特光伏材料股份有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2015年1月30日