阵列基板、显示面板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板，及由该阵列基板组成的显示面板，以及包含该显示面板的显示装置。
【背景技术】
[0002]显示面板具有轻薄、功耗低和低辐射等优点，目前被广泛的应用于手机、掌上电脑(Personal Digital Assistant, PDA)等便携式电子产品中，例如:薄膜晶体管液晶显不器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display, TFT-LCD)、有机发光二级管显不器(Organic Light Emitting D1de, OLED)、低温多晶娃(Low TemperaturePoly-silicon, LTPS)显示器以及等离子体显示器(Plasma Display Panel, PDP)等。液晶显示面板通常包括阵列基板和彩膜基板，及阵列基板与彩膜基板之间的液晶分子。随着显示科技的蓬勃发展，消费大众对于显示器显像品质的要求也越来越高。消费大众对显示器的良好的显示效果的要求也日渐提高。
[0003]在目前使用的液晶显示装置中，开口率是指除去每一个次像素的配线部、晶体管部(通常采用黑色矩阵隐藏)后的光线通过部分的面积和每一个次像素整体的面积之间的比例。开口率越高，光线通过的效率越高。当光线经由背光板发射出来时，并不是所有的光线都能穿过面板，比如给液晶显示器源极驱动芯片及栅极驱动芯片用的信号走线，以及薄膜晶体管(TFT)本身，还有储存电压用的储存电容等。这些地方除了不完全透光外，也由于经过这些地方的光线不受电压控制，而无法显示正确的灰阶，所以都需利用黑矩阵(blackmatrix)加以遮蔽，以免干扰其它透光区域。而有效的透光区域与全部面积的比例就称之为开口率。通常为保证面板高的开口率，以提高面板的显示效果，在面板的显示区不会设置额外的器件，所以在面板的显示区设置的器件通常都是与像素有关的像素器件，而对面板的性能进行检测的器件通常是设置在面板的非显示区中。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供一种阵列基板，及由该阵列基板组成的显示面板，以及包含该显示面板的显示装置。
[0005]有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板，其中，包括一个衬底，所述衬底上包括多条栅极线和数据线，且所述栅极线与所述数据线绝缘交叉；所述栅极线和所述数据线围设而成多个呈阵列分布的像素单元；所述阵列基板包括至少一个温度测定单元，以及至少一条栅极信号启动控制线，所述温度测定单元包括至少一个薄膜晶体管；所述阵列基板包括信号输入线和信号输出线，所述温度测定单元包括第一端和第二端，所述第一端与所述信号输入线电连接，所述第二端与所述信号输出线电连接；所述信号输入线上设置有一个电阻。
[0006]本发明还提供一种显示面板，包括阵列基板，其中，所述显示面板采用如上所述的阵列基板，还包括与所述阵列基板相对放置的彩膜基板，所述彩膜基板包括像素单元区和预设遮光区，所述像素单元区与所述阵列基板上的像素单元相对设置，所述预设遮光区与所述阵列基板上的温度测定单元相对设置。
[0007]本发明还提供一种显示装置，其中，包括如上所述的显示面板，所述显示装置包括IC和可绕性电路板(FPC)，所述显示面板通过所述IC或者FPC向信号输入线输入信号，再通过所述信号输出线将输出信号返回到IC或者FPC。
[0008]本发明实施例提供的阵列基板，及由该阵列基板组成的显示面板，在面板的显示区中设置有一个附加功能区，即温度测定单元，所述温度测定单元能够检测在面板显示时面板的温度，所述显示面板通过所述IC或者FPC向信号输入线输入信号，再通过所述信号输出线将输出信号返回到IC或者FPC，在对温度测定单元输入信号输出信号的过程中，根据输入电压、电阻、输出电压与面板温度之间的关系，来计算面板的温度，如果面板的温度过高，就可以采用冷却的方法来降低面板的温度，以避免温度过高而使得显示不良，或者造成显示面板及显示装置的损坏。
【附图说明】
[0009]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010]图1是本发明实施例提供的阵列基板的一种结构示意图；
[0011]图2是本发明实施例提供的第一测定单元的结构示意图；
[0012]图3是本发明实施例提供的第二测定单元的一种结构示意图；
[0013]图4是本发明实施例提供的第二测定单元的另一种结构示意图；
[0014]图5是本发明实施例提供的第二测定单元的第三种结构示意图；
[0015]图6是本发明实施例提供的显示面板的剖视图；
[0016]图7是本发明实施例提供的显示装置的平面示意图；
[0017]图8a是本发明实施例提供的子像素的结构示意图；
[0018]图Sb是本发明实施例提供的像素单元的结构示意图；
[0019]图9是本发明实施例提供的阵列基板的另一种结构示意图；
[0020]图10是本发明实施例提供的输出电压与面板温度之间的关系曲线图。
【具体实施方式】
[0021]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0022]本发明实施例提供本发明实施例提供一种阵列基板101，如图1所示，阵列基板101包括一个衬底10，所述衬底10上包括多条栅极线Gn和数据线Dn，从图1中可以看出，所述栅极线Gn为顺序排列的Gl、G2、G3到Gn，所述η为正整数；所述数据线为顺序排列的DU D2、D3到Dn，所述η为正整数；且所述栅极线与所述数据线绝缘交叉；所述栅极线和所述数据线围设而成多个呈阵列分布的像素单元105 ;所述像素单元105包括多个子像素11，子像素11包括像素电极112以及像素开关111，所述像素开关111为非晶硅薄膜晶体管。所述阵列基板101包括至少一个温度测定单元106，以及至少一条栅极信号启动控制线12，所述温度测定单元106包括至少一个薄膜晶体管；所述阵列基板包括信号输入线13和信号输出线14，所述温度测定单元106包括第一端1061和第二端1062，所述第一端1061与所述信号输入线13电连接，所述第二端1062与所述信号输出线14电连接；所述信号输入线13上设置有一个电阻15。
[0023]所述温度测定单元106包括多个第一测定单元20，如图2所示，所述薄膜晶体管21设置在所述第一测定单元内20，所述薄膜晶体管是N型晶体管，所述N型晶体管是高压打开，低压截止的晶体管；所述薄膜晶体管21包括栅极211、漏极212和源极213。其中，所述栅极信号启动控制线12设置在所述第一测定单元20中，所述薄膜晶体管21的栅极211和漏极213均与所述栅极信号启动控制线12电连接，所述源极212与所述栅极线Gn电连接，所述栅极信号启动控制线12包括第三端和第四端，所述栅极信号启动控制线12的第三端是所述温度测定单元的第一端1061，所述栅极信号启动控制线的第四端是所述温度测定单元的第二端1062。所述第一测定单元包括至少一个薄膜晶体管。
[0024]所述温度测定单元106还包括多个第二测定单元30，如图3所示，所述薄膜晶体管21设置在所述第二测定单元内30，所述薄膜晶体管21包括第一薄膜晶体管214、第二薄膜晶体管215，所述第一晶体管21