一种阵列基板及其制备方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管液晶显示器具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。如何在不影响薄膜晶体管性能的前提下降低工艺制程的成本是各大面板厂商都无法回避的。薄膜晶体管液晶显示器是由阵列基板和彩膜基板对盒形成的。
[0003]阵列基板包括像素区域和包围所述像素区域的边框区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管；其中，薄膜晶体管区域通常设置为不透光区；现有技术中将彩膜基板与薄膜晶体管区域对应的位置设置为不透光区，通过将阵列基板和彩膜基板对盒后使不透光区遮盖薄膜晶体管区域，从而将薄膜晶体管区域设为不透光区。
[0004]上述过程中需要在彩膜基板单独形成不透光区，例如，采用黑矩阵(黑色绝缘材料制作)覆盖，整个制备工艺需要单独的黑矩阵掩膜板，制备工序多、制备成本高；同时，阵列基板与黑矩阵之间存在一定距离，因此，对盒精度高、工艺难度大；
[0005]同时，若将薄膜晶体管中源/漏极与像素电极同层制作时，两者需要间隔一定距离，影响了像素开口率的提高。
[0006]若再源/漏极和像素电极之间设有无机绝缘层，由于无机绝缘层多次制备才能使其高度大于所述源/漏极的高度，制备工艺复杂、同时，即使高度大于源/漏极的高度，无机绝缘层的介电常数较大、无法降低源/漏极和像素电极之间的寄生电容。
【发明内容】
[0007]解决上述问题所采用的技术方案是一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
[0008]本发明提供的一种阵列基板，包括像素区域和包围所述像素区域的边框区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括有源层和位于所述有源层上方同层间隔设置的源/漏极，所述源/漏极上设有与所述源/漏极图案相同的黑矩阵。
[0009]优选的，所述黑矩阵是采用黑色有机绝缘材料制备的。
[0010]优选的，所述漏极上方设有第一电极；所述漏极和所述第一电极在垂直于所述阵列基板方向部分重合；所述黑矩阵位于所述第一电极与所述漏极之间。
[0011 ] 优选的，所述第一电极为公共电极或像素电极。
[0012]优选的，所述黑矩阵的厚度为1-2 μ m。
[0013]本发明的另一个目的在于提供上述阵列基板的制备方法，包括以下步骤:
[0014]在形成有源层的衬底上形成源/漏极金属层；
[0015]在所述的源/漏极金属层上形成黑矩阵层；
[0016]采用源/漏极掩膜板通过一次构图工艺形成源/漏极和黑矩阵的图案。
[0017]优选的，所述采用源/漏极掩膜板通过一次构图工艺形成源/漏极和黑矩阵的图案包括:
[0018]采用具有选择性透光区域的源/漏极掩膜板，对所述黑矩阵层进行曝光形成具有不同曝光量区域、显影形成黑矩阵的图案；
[0019]对所述源/漏极金属层进行刻蚀形成源/漏极的图案；
[0020]采用灰化工艺去除部分所述黑矩阵。
[0021]优选的，所述黑矩阵层是采用负性材料制备的；使位于边框区域的黑矩阵层的曝光量小于位于像素区域的黑矩阵层的曝光量。
[0022]优选的，还包括:在所述黑矩阵上形成平坦化层的步骤；
[0023]在平坦化层上形成第一电极图案的步骤，其中，所述漏极和所述第一电极在垂直于所述阵列基板方向部分重合。
[0024]本发明的另一个目的在于提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0025]本发明提供阵列基板及其制备方法、显示装置由于在所述源/漏极上设有与所述源/漏极图案相同的黑矩阵，可以和源/漏极采用同一个掩模版制备，减少了单独制备需要独立的掩模版，减少了工序，降低了制备成本；避免制作在彩膜基板上需要高精度的对盒。
【附图说明】
[0026]图1为本发明实施例1中阵列基板结构示意图；
[0027]图2为本发明实施例2中形成有源层后的阵列基板结构示意图；
[0028]图3为本发明实施例2中形成第一像素电极后的阵列基板结构示意图；
[0029]图4为本发明实施例2中形成沉积源/漏极金属层后的阵列基板结构示意图；
[0030]图5为本发明实施例2中形成涂覆黑色有机绝缘层后的阵列基板结构示意图；
[0031]图6为本发明实施例2中对涂覆黑色有机绝缘层曝光、显影后的阵列基板结构示意图；
[0032]图7为本发明实施例2中对源漏极刻蚀后阵列基板结构示意图；
[0033]图8为本发明实施例2中形成形成黑矩阵和源/漏极图案后的阵列基板结构示意图；
[0034]图9为本发明实施例2中形成平坦化层后的阵列基板结构示意图；
[0035]图10为本发明实施例2中形成第二像素电极后的阵列基板结构示意图。
[0036]其中，1.衬底；2.栅极；3.栅极绝缘层；4.有源层；5.第一像素电极；6.源极；7.漏极；8.源/漏极连接区；9.黑矩阵；10.平坦化层；11.第二像素电极。
【具体实施方式】
[0037]为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细描述。
[0038]实施例1:
[0039]如图1所示，本实施例提供一种阵列基板，包括像素区域(图1中左侧部分)和包围所述像素区域的边框区域(图1中右侧部分)，所述像素区域内设有薄膜晶体管r薄膜晶体管包括依次设置在衬底I上的栅极2、栅极绝缘层3、有源层4，第一像素电极5 ;
[0040]所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层4上方同层间隔设置的源/漏极，所述源/漏极上设有与所述源/漏极图案相同的黑矩阵9 ;其中，源极6与数据线(未示出)连接，漏极7与上述的第一像素电极5连接。
[0041]在边框区域形成了与栅极2同层设置的栅极连接区，与源/漏极同层设置的源/漏极连接区8，分别用于与柔性印刷电路板等进行外围控制信号的连接。
[0042]本实施例中由于在所述源/漏极上设有与所述源/漏极图案相同的黑矩阵9，可以和源/漏极采用同一个掩模版制备，减少了单独制备黑矩阵9需要独立的掩模版，减少了工序，降低了制备成本；避免经黑矩阵制作在彩膜基板上时需要将阵列基板和彩膜基板进行高精度的对盒。
[0043]优选的，所述黑矩阵9是采用黑色有机绝缘材料制备的。例如，可以采用负性黑色有机绝缘材料BM-NSCC_V-259BKIS-782X，应当理解的正性黑色有机绝缘材料也是可以的例如旭硝子株式会社的正性黑色有机绝缘材料。
[0044]由于黑色有机绝缘材料能够一次制备较厚的绝缘层，同时，介电常数较小，克服了无机绝缘材料需要多次才能制备较厚的绝缘层，工序复杂的缺点；另外，无机绝缘材料的介电常数高，容易在无机绝缘材料的两侧的电极上形成寄生电容。
[0045]优选的，所述漏极7上方设有第一电极；所述漏极7和所述第一电极在垂直于所述阵列基板方向部分重合；所述黑矩阵9位于所述第一电极与所述漏极7之间。
[0046]这样