态与深色态，或透明态与黑色态之间发反复、可逆的切换。
[0031]2)从电致变色薄膜层2的透过率角度来说，上述实施例中的电致变色薄膜层2是能够根据显示画面需要使其透过率反复、可逆的发生变化。
[0032]3)从电致变色薄膜层2是否呈现纯黑色灰阶状态上来说，上述实施例中的电致变色薄膜层2是能够根据显示画面需要在非纯黑色灰阶和纯黑色灰阶之间发反复、可逆的切换。
[0033]其中，电致变色薄膜层2的透过率大小能够通过第一透明电极层I和第二透明电极层3上施加电压进行控制，当电致变色薄膜层2的透过率发生变化，电致变色薄膜层2的颜色以及显示画面是否呈现纯黑色灰阶状态也均会发生相应变化。例如，第一透明电极层I和第二透明电极层3上所施加电压的电压差为高电压时，电致变色薄膜层2为透明态，透过率高，呈现透过背光状态，对应的显示画面在非纯黑色灰阶下显示非LO画面；第一透明电极层I和第二透明电极层3上所施加电压的电压差为低电压时，电致变色薄膜层2为深色态或黑色态，透过率低，呈现遮挡背光状态，对应的显示画面在纯黑色灰阶下显示LO画面。
[0034]为了更为精确的控制电致变色薄膜层2的透过率，使电致变色薄膜层2在相应透过率下具有遮挡背光或透过背光的功能，需要对第一透明电极层I和第二透明电极层3上所施加电压的电压差进行严格限定。优选的，第一透明电极层I和第二透明电极层3上所施加电压的电压差大于0.7V，即高电压大于0.7V ;第一透明电极层I和第二透明电极层3上所施加电压的电压差大于OV小于等于0.7V，即低电压大于OV小于等于0.7V ;而且，上述实施例提供的阵列基板中，施加在第一透明电极层I和第二透明电极层3上的电压来源方式很多，优选由驱动电路提供，由于采用驱动电路避免增加额外电路，因此，电路控制简单方便。
[0035]下面结合图4给出上述限定的电压差下，上述实施例所提供的阵列基板的工作原理:
[0036]S1:根据显示画面的需要，驱动电路在第一透明电极层I和第二透明电极层3上施加电压；
[0037]S21:当显示非LO画面时，第一透明电极层I和第二透明电极层3上所施加电压的电压差大于0.7V，电致变色薄膜层2透明，透过率大，电致变色薄膜层2能够透过背光，显示画面处于非纯黑色灰阶；
[0038]S22:当显示非LO画面时，第一透明电极层I和第二透明电极层3上所施加电压的电压差大于OV小于等于0.7V，电致变色薄膜层2为深色态或黑色态，透过率小，电致变色薄膜层2能够遮挡背光，显示画面处于纯黑色灰阶。
[0039]现有技术中，能够反复、可逆的在遮挡背光状态和透过背光状态之间切换的电致变色薄膜层2的种类很多，根据技术成熟度，电致变色薄膜层2进一步优选为普鲁士蓝薄膜，普鲁士蓝薄膜能够在透明态和蓝黑色态之间电致变色，将其应用于上述实施例中，当显示LO画面时，普鲁士蓝薄膜呈现蓝黑色，以遮挡背光；当显示非LO画面时，普鲁士蓝薄膜呈现透明色，以透过背光。虽然在本实施例给出了普鲁士蓝薄膜这一优选方案，但并不代表其它具有上述功能的电致变色薄膜层不能应用于本发明。
[0040]上述实施例中第一透明电极层I为像素电极时，第二透明电极层3为公共电极；第一透明电极层I为公共电极时，第二透明电极层3为像素电极；第一透明电极层I和第二透明电极层3可根据实际需要作为像素电极，以便形成ADS型阵列基板；而且，第一透明电极层I和第二透明电极层3均优选为氧化铟锡膜，但不排除其他可以使用的薄膜。另外，上述实施例中的电致变色薄膜层2在成膜时，能够与像素电极共同使用一张掩膜版，使成膜工艺简单。
[0041]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述技术方案的阵列基板。
[0042]与现有技术相比，本实施例提供的显示装置的有益效果与上述阵列基板的有益效果相同，都是从根本上杜绝了 LO漏光的发生，即使液晶分子状态发生变化或者液晶分子外界环境发生改变，也不会产生LO漏光，从而提高对比度。
[0043]在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0044]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括相对设置的第一透明电极层和第二透明电极层；所述第一透明电极层和所述第二透明电极层之间设有电致变色薄膜层； 其中，当显示非LO画面时，所述电致变色薄膜层呈现透过背光状态；当显示LO画面时，所述电致变色薄膜层呈现遮挡背光状态。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，当显示非LO画面时，所述第一透明电极层和所述第二透明电极层之间的电压差为高电压；当显示LO画面时，所述第一透明电极层和所述第二透明电极层之间的电压差为低电压。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述高电压大于0.7V，所述低电压大于OV小于等于0.7V。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述电致变色薄膜层为普鲁士蓝薄膜。
5.根据权利要求1-3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极层与所述第二透明电极层之间施加的电压由驱动电路提供。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极层为像素电极，所述第二透明电极层为公共电极；或，所述第一透明电极层为公共电极，所述第二透明电极层为像素电极。
7.根据权利要求1或6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极层和所述第二透明电极层均为氧化铟锡膜。
8.—种显示装置，其特征在于，包括上述权利要求1-7中任意一项所述的阵列基板。
【专利摘要】本发明公开一种阵列基板及显示装置，涉及液晶显示技术领域，以解决现有液晶面板暗态漏光导致对比度低的问题。所述阵列基板包括：包括相对设置的第一透明电极层和第二透明电极层；所述第一透明电极层和所述第二透明电极层之间设有电致变色薄膜层；其中，当显示非L0画面时，所述电致变色薄膜层呈现透过背光状态；当显示L0画面时，所述电致变色薄膜层呈现遮挡背光状态。所述显示装置包括上述阵列基板。本发明提供的阵列基板用于液晶显示器中。
【IPC分类】G02F1-155, G02F1-15, G02F1-1347
【公开号】CN104749837
【申请号】CN201510201740
【发明人】冯兰, 侯清娜
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2015年4月24日