阵列基板及其制备方法及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明的实施例涉及一种阵列基板及其制备方法及显示装置。
【背景技术】
[0002] TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显不 器）作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特 点，越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
[0003] TFT-LCD面板一般包括对盒（cell-assemble)的阵列基板和彩膜基板。在阵列基 板和彩膜基板之间设置有液晶层。例如，阵列基板包括多条扫描信号线（Sl-Sn)和多条数 据信号线（Dl-Dn)，多条扫描信号线和多条数据信号线横纵交叉形成多个子像素。彩膜基板 可以包括彩色膜层和黑矩阵，黑矩阵对应阵列基板的扫描信号线和数据信号线等不透光部 分，黑矩阵将彩色膜层划分为多个彩色单元，彩膜基板上的彩色单元与阵列基板上的子像 素--对应。
[0004] 然而，在TFT-IXD器件制造中，彩膜基板与阵列基板对盒过程中会出现位置偏差， 从而使得产品的透过率下降。同时，不同产品之间，不同批次产品之间由于对盒精度不同会 导致透过率均一性差，特别是针对高PPI(PixelsPerInch，每英寸所拥有的像素数目）的 产品，透过率波动可达30%。从而不能获得较佳的客户体验。
【发明内容】
[0005] 本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法及显示装置，用以改善液晶显示 器件透过率均一性。
[0006] 本发明的实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的多 个子像素、以及设置在所述衬底基板上的分隔各所述子像素的相转移图案，所述相转移图 案设置来使通过该相转移图案的光线产生相位转移，从而在所述相转移图案对应的位置基 本上不透光。
[0007] 例如，该阵列基板还包括多条相互平行且相互绝缘的数据信号线、以及与所述多 条数据信号线交叉且相互绝缘的多条扫描信号线，所述多条数据信号线和所述多条扫描信 号线交叉界定所述多个子像素。
[0008] 例如，所述相转移图案在所述衬底基板上的投影覆盖所述多条数据信号线和/或 所述多条扫描信号线在所述衬底基板上的投影。
[0009] 例如，设置于所述衬底基板上的多条数据信号线和/或多条扫描信号线构成所述 相转移图案。
[0010] 例如，所述相转移图案包括两部分，其中一部分在所述衬底基板上的投影覆盖所 述多条扫描信号线在所述衬底基板上的投影，设置于所述衬底基板上的多条数据信号线构 成所述相转移图案的另一部分。
[0011] 例如，所述相转移图案包括两部分，其中一部分在所述衬底基板上的投影覆盖所 述多条数据信号线在所述衬底基板上的投影，设置于所述衬底基板上的多条扫描信号线构 成所述相转移图案的另一部分。
[0012] 例如，所述相转移图案的材质选用使通过的光线产生相位转移的材料。
[0013] 例如，所述相转移图案的材料为MoSiON材料。
[0014] 例如，所述相转移图案使得通过的光线产生大致180°的相位差。
[0015] 本发明的实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括：
[0016] 在衬底基板上形成多个子像素，以及在所述衬底基板上形成分隔各所述子像素的 相转移图案，其中，所述相转移图案设置来使通过该相转移图案的光线产生相位转移，从而 在所述相转移图案对应的位置基本上不透光。
[0017] 例如，该方法还包括形成多条相互平行且相互绝缘的数据信号线、以及形成与所 述多条数据信号线交叉且相互绝缘的多条扫描信号线，其中，所述多条数据信号线和所述 多条扫描信号线交叉界定所述多个子像素。
[0018] 例如，该方法中，所述相转移图案在所述衬底基板上的投影覆盖所述多条数据信 号线和/或所述多条扫描信号线在所述衬底基板上的投影。
[0019] 例如，该方法中，形成于所述衬底基板上的多条数据信号线和/或多条扫描信号 线构成所述相转移图案。
[0020] 例如，该方法中，所述相转移图案包括两部分，其中一部分在所述衬底基板上的投 影覆盖所述多条扫描信号线在所述衬底基板上的投影，形成于所述衬底基板上的多条数据 信号线构成所述相转移图案的另一部分。
[0021] 例如，该方法中，所述相转移图案包括两部分，其中一部分在所述衬底基板上的投 影覆盖所述多条数据信号线在所述衬底基板上的投影，形成于所述衬底基板上的多条扫描 信号线构成所述相转移图案的另一部分。
[0022] 例如，该方法中，所述相转移图案的材质选用使通过的光线产生相位转移的材料。
[0023] 例如，该方法中，所述相转移图案材料为MoSiON材料。
[0024] 例如，所述相转移图案使得通过的光线产生大致180°的相位差。
[0025] 本发明的实施例还提供一种显示装置，包括上述任一阵列基板和与所述阵列基板 对置的对置基板。
[0026] 例如，所述阵列基板和所述对置基板的衬底基板上均未设置黑矩阵图案。
[0027] 例如，所述多条数据信号线构成所述相转移图案，在所述阵列基板或所述对置基 板的衬底基板上设置黑矩阵图案用以对应所述阵列基板上的所述多条扫描信号线。
[0028] 例如，所述多条扫描信号线构成所述相转移图案，在所述阵列基板或所述对置基 板的衬底基板上设置黑矩阵图案用以对应所述阵列基板上的所述多条数据信号线。
[0029] 例如，在所述阵列基板或所述对置基板的衬底基板上设置与所述相转移图案对应 的黑矩阵图案，所述黑矩阵图案的宽度小于所述相转移图案的宽度。
【附图说明】
[0030] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介 绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
[0031] 图1为一种TFT-IXD器件的对盒示意图；
[0032] 图2为本发明一实施例提供的阵列基板俯视示意图；
[0033] 图3为本发明一实施例提供的阵列基板剖面示意图以及相转移图案的相位转移 示意图；
[0034] 图4为本发明另一实施例提供的阵列基板剖面示意图；
[0035] 图5a为本发明一实施例提供的阵列基板中相转移图案在衬底基板上的投影覆盖 多条数据信号线在衬底基板上的投影示意图；
[0036] 图5b为本发明一实施例提供的阵列基板中相转移图案在衬底基板上的投影覆盖 多条扫描信号线在衬底基板上的投影示意图；
[0037] 图5c为本发明一实施例提供的阵列基板中多条数据信号线构成相转移图案示意 图；
[0038] 图5d为本发明一实施例提供的阵列基板中多条扫描信号线构成相转移图案示意 图；
[0039] 图6为本发明一实施例提供的阵列基板和对置基板的衬底基板上均未设置黑矩 阵图案且包括设置有相转移图案的阵列基板的TFT-LCD器件消光区域示意图；
[0040] 图7为本发明一实施例提供的包含有相转移图案及黑矩阵图案的TFT-IXD器件示 意图；
[0041] 附图标记：
[0042] IO-阵列基板；20-对置基板；20' -彩膜基板；201' -彩膜基板或对置基板的衬 底基板；201-对置基板的衬底基板；30-背光光源；101-阵列基板的衬底基板；102-子像 素；103-相转移图案；104-扫描信号线；105-数据信号线；106-像素电极；107-薄膜晶体 管；1071-栅极；1072-源极；1073-漏极；202-黑矩阵图案；203-彩膜层；dl-子像素节距； d2-子像素透光宽度；1051-消光区域。
【具体实施方式】
[0043] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例 的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显