彩膜基板上的黑矩阵遮挡住时不会发生漏光，进而避免该阵列基板出现漏光不良。
[0033]本实施例中，遮光条5的宽度大于栅线3和公共电极线4之间的间隔区域6的宽度，且小于栅线3、公共电极线4和间隔区域6的总宽度。如此设置，使遮光条5既能很好地发挥对间隔区域6遮光的作用，同时还不会影响阵列基板透光区域的正常透光。
[0034]需要说明的是，遮光条5的宽度也可以等于栅线3和公共电极线4之间的间隔区域6的宽度。
[0035]本实施例中，栅线3和公共电极线4同层设置，遮光条5位于栅线3和公共电极线4的上方。当然，遮光条5也可以位于栅线3和公共电极线4的下方。无论设置在栅线3和公共电极线4的上方还是下方，都能够对照射至间隔区域6的光线进行遮挡，从而防止间隔区域6漏光。
[0036]本实施例中，像素单元2包括晶体管21，晶体管21包括栅极210、有源区211、源极212和漏极213，栅极210与栅线3同层设置并连接，源极212和漏极213同层设置且采用相同材料制成，源极212和漏极213位于栅极210上方，遮光条5与源极212和漏极213同层设置且采用相同的材料制成。即本实施例中的晶体管21为底栅型。如上述设置，遮光条5与源极212和漏极213能够采用一次构图工艺同时形成，从而使遮光条5的制备无需额外增加阵列基板的制备工序。
[0037]需要说明的是，源极212和漏极213也可以位于栅极210的下方，即晶体管21为顶栅型。
[0038]另外需要说明的是，遮光条5也可以是由漏极213的图形延伸至与间隔区域6相对应的位置而形成，即遮光条5与漏极213为一体结构。
[0039]本实施例中，像素单元2还包括像素电极22，像素电极22设置在遮光条5的上方，且像素电极22完全覆盖遮光条5。由于遮光条5的宽度大于栅线3和公共电极线4之间的间隔区域6的宽度，且小于栅线3、公共电极线4和间隔区域6的总宽度，所以遮光条5与栅线3和公共电极线4会有部分交叠，这会使遮光条5与栅线3和公共电极线4之间形成电容，显示时，栅线3上的电压和公共电极线4上的电压会同时拉动遮光条5，使遮光条5与栅线3和公共电极线4之间形成电场。上述设置，使像素电极22能够对遮光条5与栅线3和公共电极线4之间的电场形成有效的屏蔽，从而使显示时对应分布在该区域的液晶分子不会发生紊乱或发生紊乱的程度减小，进而确保遮光条5与栅线3和公共电极线4之间的电场不会对正常显示造成影响。
[0040]本实施例中，像素单元2还包括公共电极23，公共电极23与像素电极22位置相对应，公共电极23设置在栅线3和公共电极线4下方，且公共电极23与公共电极线4连接。即本实施例中的阵列基板为ADS模式(高级超维场转换模式)的液晶显示面板中的阵列基板。由于ADS模式的液晶显示面板在受到较大压力按压时，彩膜基板很容易相对阵列基板偏移，偏移后彩膜基板上的黑矩阵无法遮挡栅线3和公共电极线4之间的间隔区域6，遮光条5能够很好地对间隔区域6进行遮挡，防止间隔区域6漏光造成液晶显示面板的漏光不良。
[0041]需要说明的是，本实施例中的阵列基板也可以为TN模式(垂直电场模式)的液晶显示面板中的阵列基板，即公共电极23也可以设置在彩膜基板上。
[0042]基于阵列基板的上述结构，本实施例还提供一种该阵列基板的制备方法，包括:在基板上形成像素单元、栅线和公共电极线，还包括在基板上形成遮光条，遮光条在基板上的正投影遮挡栅线和公共电极线之间的间隔区域。
[0043]其中，栅线和公共电极线采用相同材料并在一次构图工艺中同时形成，遮光条形成于栅线和公共电极线的上方。形成像素单元包括形成晶体管，形成晶体管包括形成栅极、有源区、源极和漏极，栅极与栅线采用相同材料并在一次构图工艺中同时形成；源极和漏极在一次构图工艺中同时形成，遮光条与源极和漏极在一次构图工艺中同时形成；遮光条与栅线和公共电极线之间还形成有栅绝缘层。栅线、公共电极线、晶体管以及遮光条的制备工艺均采用传统的制备工艺，这里不再具体赘述。遮光条与源极和漏极在一次构图工艺中同时形成，能使遮光条的制备无需额外增加阵列基板的制备工艺。
[0044]本实施例中，形成像素单元还包括形成像素电极，像素电极形成于遮光条上方，且像素电极完全覆盖遮光条。像素电极与遮光条之间还形成有钝化层，钝化层中在对应像素电极和漏极的区域开设有过孔，像素电极与漏极通过开设在钝化层中的过孔连接。像素电极、钝化层以及过孔的制备工艺采用传统的制备工艺，具体不再详述。像素电极覆盖遮光条能对遮光条与栅线和公共电极线之间的电场形成有效的屏蔽，从而使显示时对应分布在该区域的液晶分子不会发生紊乱或发生紊乱的程度减小，进而确保遮光条与栅线和公共电极线之间的电场不会对正常显示造成影响。
[0045]实施例2:
[0046]本实施例提供一种阵列基板，与实施例1不同的是，像素单元还包括像素电极和公共电极，像素电极设置在公共电极上方，公共电极设置在遮光条上方，且公共电极完全覆盖遮光条。
[0047]如此设置，使公共电极能够对遮光条与栅线和公共电极线之间的电场形成有效的屏蔽，从而使显示时对应分布在该区域的液晶分子不会发生紊乱或发生紊乱的程度减小，进而确保遮光条与栅线和公共电极线之间的电场不会对正常显示造成影响。
[0048]本实施例中的阵列基板也为ADS模式(高级超维场转换模式)的液晶显示面板中的阵列基板。由于ADS模式的液晶显示面板在受到较大压力按压时，彩膜基板很容易相对阵列基板偏移，偏移后彩膜基板上的黑矩阵无法遮挡栅线和公共电极线之间的间隔区域，遮光条能够很好地对间隔区域进行遮挡，防止间隔区域漏光造成液晶显示面板的漏光不良。
[0049]本实施例中阵列基板的其他结构与实施例1中相同，此处不再赘述。
[0050]基于阵列基板的上述结构，本实施例还提供一种该阵列基板的制备方法，与实施例I中阵列基板的制备方法不同的是，形成像素单元还包括形成像素电极和公共电极，像素电极形成于公共电极上方，公共电极形成于遮光条上方，且公共电极完全覆盖遮光条。另夕卜，像素电极和公共电极之间还设置有绝缘层，公共电极和遮光条之间也设置有绝缘层。
[0051]其中，像素电极、公共电极和绝缘层的制备工艺采用传统的制备工艺，具体不再详述。
[0052]本实施例中阵列基板的其他结构的制备方法与实施例1中相同，此处不再赘述。
[0053]实施例3:
[0054]本实施例提供一种阵列基板，与实施例1-2不同的是，像素单元还包括像素电极和公共电极，公共电极设置在像素电极上方，像素电极设置在遮光条上方，且像素电极完全覆盖遮光条。
[0055]如此设置，同样使像素电极能够对遮光条与栅线和公共电极线之间的电场形成有效的屏蔽，从而使显示时对应分布在该区域的液晶分子不会发生紊乱或发生紊乱的程度减小，进而确保遮光条与栅线和公共电极线之间的电场不会对正常显示造成影响。
[0056]本实施例中的阵列基板也为ADS模式(高级超维场转换模式)的液晶显示面板中的阵列基板。当ADS模式的液晶显示面板在受到较